JP2005526439A - Rf電力増幅器 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
この発明によるRF電力増幅器は、電源装置に接続された複数の並列出力トランジスタ(HBT,1,1ないしHBT,1,N)を備える。出力トランジスタ(HBT,1,1ないしHBT,1,N)用の複数のベース抵抗(Rb,1,1ないしRb,1,N)および複数の入力キャパシタ(Cb,1ないしCb,N)が提供され、これらはそれぞれRF信号入力を受信するために並列に結合されると共に、少なくとも1つの追加の受動構成要素を介して各々の対応する出力トランジスタ(HBT,1,1ないしHBT,1,N)の入力へと接続されている。RF出力信号用の出力は、複数の出力トランジスタの並列接続から得られる。これらのトランジスタ(HBT,1,1ないしHBT,1,N)は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタである。
Description
この発明は、それぞれが制御電極、第1の主電極、第2の主電極を有する複数の増幅素子を備える無線周波数[Radio Frequency―RF―]電力増幅器に関し、これにより、前記複数の増幅素子の前記第1の主電極が共通の出力ノードに結合され、前記複数の増幅素子の前記第2の主電極が共通の参照ノードに結合され、前記複数の増幅素子のそれぞれの制御電極は、それぞれの入力キャパシタを介して共通の無線周波数信号入力ノードに結合されると共に、それぞれのベース抵抗を介して共通のバイアスノードに結合された電力増幅器に関する。
米国特許第5,629,648号は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを備える無線周波数(RF)電力増幅器回路を開示しており、これは、ベースエミッタ電圧を有する第1のトランジスタ;電源装置およびこの電源装置に接続された電源抵抗を有し、第1のトランジスタのベース−エミッタ電圧に等しい合成電圧を生成する前記第1のトランジスタを介してDC電流を流させるようにしている。少なくとも2つの多数のベース抵抗および少なくとも2つの出力トランジスタが提供され、それぞれが、その対応する多数のベース抵抗を介して合成電圧を受け入れている。RF信号入力を受信するためにそれぞれが並列に結合されると共に、それぞれの対応する出力トランジスタの入力に接続された、少なくとも2つの入力キャパシタは、RF信号入力に接続された共通の入力を有すると共に、互いにDC分離される共に各出力トランジスタに接続された個別の出力を有している。RF出力信号は、それぞれのトランジスタが接地に接続されて提供された複数の出力トランジスタの並列接続から得られる。
ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、RF(無線周波数)電力増幅器への適用に適している。一般的に言えば、大量の電力は、電力装置内で浪費されている。熱を充分に拡散させるために、したがって、建設的な破壊を避けて、このような電力増幅器は具体的にはたくさんの小さな出力トランジスタセルを大きな半導体領域上に均一に分散させることにより形成されている。全てのセルは、半導体材料(SiまたはGaAs)の断片上で加工されて、それらが並列に動作するように接続されている。このようにして、多くの小さな装置が高い電力レベルを生成する。このような増幅器の2つの公知の問題は、それらの電気的な安定性と線形性である。
この発明の目的は、改善された安定性を有するトランジスタRF電力増幅器を提供することにある。
この目的を達成するため、この発明は、冒頭の段落に記載された無線周波数電力増幅器において、増幅素子のそれぞれの制御電極が、前記個別のキャパシタに結合されると共に個別の追加受動構成要素にを介して前記個別のベース抵抗に結合されていることを特徴とする無線周波数電力増幅器を提供する。
この発明に係るRF電力増幅器の更なる有利点は改善された線形性である。
この発明に係る無線周波数電力増幅器の追加の有利な特徴は、従属請求項に記載されている。
これらおよび種々の他の利点およびこの発明を特徴付ける新規な特徴は、特許請求緒範囲に詳細に開示されている。しかしながら、この発明、その有利な点、その使用により達成される目的のより良い理解のために、この明細書の一部分をもまた構成する図面、および添付の説明が参照され、添付図面と共にこの発明の好適な実施形態が明らかとなる。
図1はRF電力増幅器回路を示しており、この回路は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT,1,1ないしHBT,1,Nと、バイアス端子で電源装置に順次に接続されるベース抵抗Rb,1,1ないしRb,1,Nに接続されたベース端子とを備えている。入力キャパシタCb,1ないしCb,Nはそれぞれ、RF信号入力を受け入れるために並列に結合されると共に、追加抵抗Rb,2,1ないしRb,2,Nを介して、個々の対応する出力トランジスタHBT,1,1ないしHBT,1,Nの個別の入力へと結合されている。入力キャパシタCb,1ないしCb,Nは、RF信号入力端子RFinに接続された1つの端子を有している。入力キャパシタCb,1ないしCb,Nの他の端子は、互いにDC分離絶縁されて、追加抵抗Rb,2,1ないしRb,2,Nを介して、個々の対応する出力トランジスタHBT,1,1ないしHBT,1,Nに接続されている。RF出力信号は、出力トランジスタHBT,1,1ないしHBT,1,Nの並列接続から得られている。
抵抗Rb,2,1ないしRb,2,Nの追加は、回路全体の安定にとって積極的な効果を有している。安定化の効果を演算するために、所謂安定性K因数が、図2に概略的に示されるように、演算され、ヘテロ接合バイポーラトランジスタRF電力増幅器は24のセル(N=24)より構成され、各セルは、Rb,1と、Rb,2と、Cbとを有する。
安定性に関する追加抵抗の影響を評価するために、以下のシミュレーションが実行される。比率Rb,2/Rb,1+Rb,2は、合計Rb,1+Rb,2を定数として維持しながら変化させられる。この合計Rb,1+Rb,2は、同一の温度での安定性を保持するために一定に維持される。図2は、K因数と周波数とを対比したグラフであり、ここでパラメータxは0から0.05まで変化させられて、中間値はx=0.01,x=0.02,x=0.03,およびx=0.04である。安定性に関する抵抗Rb,2の効果はこのようにして実証される。
Rb,2の値を増加させたときに、K因数が1での周波数は低くなる。もしもK因数が1よりも大きくなったならば、この装置は安定する。そこで、Rb,2を追加してその値を増加させることにより、この装置は一層安定するようになる。このことは、抵抗Rb,2を追加した利益を示す安定サークルを伴うスミスチャート(図)を示す図3の安定サークルにより実証されている。負荷安定サークル[load stability circles]に関連して、パラメータxは、0から0.05まで変化させられて、中間値はx=0.01,x=0.02,x=0.03,およびx=0.04となる。電源安定サークル[source stability circles]に関連して、パラメータxは0から0.05まで変化させられて、中間値は、x=0.01,x=0.02,x=0.03,およびx=0.04となる。Rb,2の値を増加させることは、この安定サークルをより小さくさせて、この装置が安定性に関する悪影響を有する入力インピーダンス変化に対して感度を下げるようになることを示している。
抵抗Rb,2の回路への追加は、他の電気的なパラメータ、最も著しいものとしては、電気的ゲインおよび電力付加効率についての効果を有している。改善された安定性と線形性との間の良好な交換条件[trade-off]の価値を評価するために、ゲイン・電力付加効率がRb,1に関するRb,2の値の関数として演算される。このシミュレーションは、GSM(Global System for Mobile communications―移動体通信用グローバルシステム―)およびDCS(Digital Cellular System―ディジタル・セルラ・システム―)の移動電話に具体的に用いられる電力レベルを生成可能な2つの電源装置のために行なわれる。
図4および図5は、900MHzと1800MHzの周波数帯域での電気的ゲイン・電力付加効率におけるRb,2の値の効果を示している。これらの図面より、電気的ゲイン電力付加効率の効果は、もしも抵抗Rb,2の値が低ければ、低いことは明らかである。したがって、抵抗Rb,2の付加は、安定性に関しては改善を提供すると共に、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ技術を用いるRF電力増幅器を設計する際に自由度を付加する度合いを許容する。
一方では安定性と線形性との間の交換条件を、他方では電気的ゲイン・電力付加効率を最適化する更なる改善は、抵抗Rb,2に対して並列に、および/または、直列に、付加受動抵抗構成要素を追加することにより、または、抵抗Rb,2に対して並列に付加受動容量構成要素を追加することにより、達成することができる。
この明細書に記載されたこの発明の実施形態は、図解例証する意味で採用され、この発明を制限する意味では用いられていない。種々の変形例は、特許請求の範囲に定義されたこの発明の範囲から逸脱することなしに、この技術における熟練者によりこれらの実施形態に対してなされるであろう。
Claims (5)
- それぞれが制御電極、第1主電極、第2主電極を有する複数の増幅素子を備え、これにより、前記増幅素子の第1主電極は共通出力ノードに結合され、前記増幅素子の第2主電極は共通参照ノードに結合され、前記増幅素子の個々の前記制御端子は個別の入力キャパシタを介して共通無線周波数信号入力ノードに結合されると共に個別のベース抵抗を介して共通バイアスノードに結合された無線周波数電力増幅器において、
前記複数の増幅素子の個々の前記制御端子は、前記個別の入力キャパシタに結合されると共に個別の追加受動構成要素を介して前記個別のベース抵抗に結合されていることを特徴とする無線周波数電力増幅器。 - 前記追加受動構成要素は、追加抵抗であることを特徴とする請求項1に記載の無線周波数電力増幅器。
- 前記追加抵抗は、対応する前記ベース抵抗のインピーダンスについて小さいインピーダンスを有することを特徴とする請求項2に記載の無線周波数電力増幅器。
- 前記追加抵抗に対して、並列におよび/または直列に更なる追加受動構成要素が設けられていることを特徴とする請求項2または請求項3の何れかに記載の無線周波数電力増幅器。
- 前記増幅素子は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れかに記載の無線周波数電力増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02076997 | 2002-05-22 | ||
PCT/IB2003/002232 WO2003098795A1 (en) | 2002-05-22 | 2003-05-19 | Rf power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005526439A true JP2005526439A (ja) | 2005-09-02 |
Family
ID=29433168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004506175A Withdrawn JP2005526439A (ja) | 2002-05-22 | 2003-05-19 | Rf電力増幅器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7154339B2 (ja) |
EP (1) | EP1510003A1 (ja) |
JP (1) | JP2005526439A (ja) |
CN (1) | CN1656674A (ja) |
AU (1) | AU2003232997A1 (ja) |
WO (1) | WO2003098795A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7348852B1 (en) * | 2004-11-08 | 2008-03-25 | Anadigies, Inc. | Device and method for power amplifier noise reduction |
US7859803B2 (en) * | 2005-09-19 | 2010-12-28 | The Regents Of The University Of California | Voltage overload protection circuits |
CN101730961A (zh) * | 2007-03-16 | 2010-06-09 | 哈佛大学 | 用于产生太赫兹辐射的方法和设备 |
CN101453196B (zh) * | 2007-12-03 | 2011-01-12 | 联阳半导体股份有限公司 | 放大器电路 |
CN101656514B (zh) * | 2009-09-07 | 2011-09-28 | 东南大学 | 一种基于匹配共享增益可控的并联型射频功率放大器 |
DE102009057544A1 (de) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Eads Deutschland Gmbh | Begrenzerschaltung |
US8233851B2 (en) * | 2010-02-03 | 2012-07-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for providing impedance matching for high-frequency signal transmitter |
CN101860330B (zh) * | 2010-04-14 | 2012-09-05 | 华为技术有限公司 | 放大单元、功率放大器和发信机 |
CN104333335B (zh) * | 2014-11-06 | 2017-07-25 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路 |
CN113193844B (zh) * | 2021-05-31 | 2022-09-23 | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 | 推挽功率放大电路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4614915A (en) * | 1985-01-14 | 1986-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic series feedback low noise FET amplifier |
US5276406A (en) * | 1992-02-13 | 1994-01-04 | Trontech, Inc. | Low noise wide dynamic range amplifiers |
US5608353A (en) * | 1995-03-29 | 1997-03-04 | Rf Micro Devices, Inc. | HBT power amplifier |
GB9901634D0 (en) * | 1999-01-27 | 1999-07-14 | Secr Defence | Microwave amplifiers |
-
2003
- 2003-05-19 US US10/514,900 patent/US7154339B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-19 WO PCT/IB2003/002232 patent/WO2003098795A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-05-19 CN CNA038114909A patent/CN1656674A/zh active Pending
- 2003-05-19 AU AU2003232997A patent/AU2003232997A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-19 JP JP2004506175A patent/JP2005526439A/ja not_active Withdrawn
- 2003-05-19 EP EP03727797A patent/EP1510003A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050253656A1 (en) | 2005-11-17 |
EP1510003A1 (en) | 2005-03-02 |
US7154339B2 (en) | 2006-12-26 |
WO2003098795A1 (en) | 2003-11-27 |
CN1656674A (zh) | 2005-08-17 |
AU2003232997A8 (en) | 2003-12-02 |
AU2003232997A1 (en) | 2003-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060517 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070612 |