CN115459716B - 用于soi射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，包括：第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接；第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，第一电容的第二端分别与分压单元、第一MOS管、单级放大单元连接；第一电阻与第二电阻串联，第一MOS管分别与第一电阻、第二电阻、分压单元及接地连接。本发明能自适应调整各堆叠MOS管的偏置电压，使射频功率放大器在保持高线性度的同时维持高回退效率。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其是涉及用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器。
背景技术
射频功率放大器(Radio Frequency Power Amplifier，RFPA)是一种电子放大器，用来将较低功率的射频信号转换为较高功率。射频功率放大器是发射系统的主要部分，广泛应用在雷达、通信、导航、卫星地面站、电子对抗设备等领域中。
作为现代无线通信系统的核心模块，射频功率放大器依然存在设计挑战。对于射频功率放大器来说，高效率区往往线性度较差，而高线性区效率往往较低，功率放大器效率和线性度很难得到兼顾。
第五代无线通信系统采用了更高峰均比的调制信号，实现了高速率的无线数据传输。这意味着第五代无线通信系统要求射频功率放大器实现高线性度的同时，还必须保持高的回退效率。
现有的电阻串联分压式偏置电路虽然可以为采用堆叠方式的SOI射频功率放大器提供正常工作的偏置，无法使各个堆叠MOS管的偏置电压同时随输入或输出信号的变化进行自适应改变，无法根据输入或输出信号动态调整射频功率放大器的偏置电流，不能够解决第五代无线通信系统所提出的高性能需求。
发明内容
本发明的目的是提供用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，以解决现有技术无法使射频功率放大器在保持高线性度的同时维持高回退效率的技术问题。
本发明的目的，可以通过如下技术方案实现：
用于SOI射频功率放大器的偏置电路，包括：
第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；
其中，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，所述分压单元中的各电阻与所述单级放大单元中对应的MOS管连接；
所述第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，所述第一电容的第二端分别与所述分压单元、所述第一MOS管、所述单级放大单元连接；
所述第一电阻与所述第二电阻串联，所述第一MOS管分别与所述第一电阻、所述第二电阻、所述分压单元以及接地连接。
可选地，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管包括：
所述分压单元包括依次串联的三个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的三个MOS管；
其中，所述分压单元中依次串联的三个电阻分别为第三电阻、第四电阻和第五电阻，所述单级放大单元中依次堆叠设置的三个MOS管分别为第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；
所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容、所述第一MOS管、所述第二MOS管连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻、所述第三MOS管连接；所述第四电阻分别与所述第三电阻、所述第五电阻、所述第三MOS管连接，所述第五电阻分别与所述第四电阻、所述第四MOS管、偏置电压连接。
可选地，所述第一电阻与所述第二电阻串联包括：
所述第一电阻的第一端与偏置参考电压连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第一MOS管的栅极连接；
所述第二电阻的第一端分别与所述第一电阻的第二端、所述第一MOS管的栅极连接，所述第二电阻的第二端接地。
可选地，所述第一MOS管分别与所述第一电阻、所述第二电阻、所述分压单元以及接地连接包括：
所述第一MOS管的栅极分别与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端连接；
所述第一MOS管的漏极与所述分压单元连接；
所述第一MOS管的源极接地。
可选地，所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容、所述第一MOS管、所述第二MOS管连接包括：
所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容的第二端、所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极连接。
可选地，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻、所述第三MOS管连接包括：
所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端、所述第三MOS管的栅极连接。
可选地，所述第四电阻分别与所述第三电阻、所述第五电阻、所述第三MOS管连接包括：
所述第四电阻的第一端与所述第三电阻的第二端连接，所述第四电阻的第二端分别与所述第五电阻的第一端、所述第三MOS管的栅极连接。
可选地，所述第五电阻分别与所述第四电阻、所述第四MOS管、偏置电压连接包括：
所述第五电阻的第一端分别与所述第四电阻的第二端、所述第四MOS管的栅极连接，所述第五电阻的第二端连接于偏置电压。
可选地，所述单级放大单元还包括射频扼流电感和第二电容；
其中，所述射频扼流电感的第一端分别连接所述第四MOS管的漏极、所述第二电容的第一端，所述射频扼流电感的第二端连接直流电源；
所述第二电容的第一端分别连接所述射频扼流电感的第一端、所述第四MOS管的漏极，所述第二电容的第二端连接所述射频功率放大器的输出端。
本发明还提供了一种射频功率放大器，所述射频功率放大器的输入端与输出端之间设有用于SOI射频功率放大器的偏置电路。
本发明提供了用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，其中偏置电路包括：第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；其中，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，所述分压单元中的各电阻与所述单级放大单元中对应的MOS管连接；所述第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，所述第一电容的第二端分别与所述分压单元、所述第一MOS管、所述单级放大单元连接；所述第一电阻与所述第二电阻串联，所述第一MOS管分别与所述第一电阻、所述第二电阻、所述分压单元以及接地连接。
基于上述技术方案，本发明带来的有益效果是：
本发明的分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接，第一MOS管分别与第一电阻、第二电阻、分压单元以及接地连接，当输入信号功率较低时，通过第一MOS管的直流电流不变，各堆叠MOS管的栅极偏置电压不变；随着射频输入信号功率的增大，通过第一MOS管的直流电流将减小，导致各堆叠MOS管的栅极偏置电压同时增大，各个堆叠MOS管的栅极偏置电压根据输入或输出信号同时自适应动态调整，能自适应地改变射频功率放大器的偏置电流，在保持高输出功率的线性度的前提下，能提高低输出功率时的效率，从而使得射频功率放大器实现高线性度的同时，保持高的回退效率，能够满足第五代无线通信系统所提出的高性能需求。
附图说明
图1为现有技术中采用的电阻串联分压式偏置电路示意图；
图2为本发明的偏置电路示意图；
图3为本发明偏置电路自适应动态调整偏置电压的效果示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，以解决现有技术无法使射频功率放大器在保持高线性度的同时维持高回退效率的技术问题。
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
射频功率放大器的设计指标通常包括增益(gain)、输出功率、带宽、效率(efficiency)、线性度(linearity)、输入及输出阻抗匹配(impedance matching)、发热量等。
伴随着硅工艺的迅猛发展和不断成熟，绝缘衬底上的硅-互补金属氧化物半导体(Silicon On Insulator-Complementary Metal Oxide Semiconductor,SOI CMOS)工艺凭借其低功耗、高性能和高集成度的优势，保障了射频芯片实现信号完整性的功能，在射频前端芯片的应用上越来越受到重视和认可。然而，对比其他工艺(砷化镓，氮化镓等)，CMOS工艺所实现的放大管的击穿电压较低，克服这个缺点的很好技术是采用堆叠管的结构，从而实现满足现代通信要求的高输出功率。
因此，为了应对现代通信系统的高性能要求，SOI射频功率放大器需要一种自适应偏置电路，本发明提供的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，是一种自适应偏置电路，能够根据输入信号动态调整SOI各个堆叠放大管的偏置电压，自适应改变射频功率放大器的偏置电流，使得在不恶化高输出功率的线性度的前提下，提高低输出功率时的效率，从而使得射频功率放大器实现高线性度的同时，保持高的回退效率。
请参阅图1，现有技术方案中采用如图1所示的电阻串联分压式偏置电路，以常见的3个堆叠管子射频功率放大器为例，MOS管M1、M2和M3通过堆叠的方式构成单级放大单元，电阻R0、R1、R2和R3通过串联构成电阻分压单元。Lchoke为射频扼流电感,用来阻隔射频信号泄露到直流电源Vcc；Cblock为隔直电容，用来耦合输入射频信号RFin到射频功率管M1以及耦合输出射频信号到负载RFout，避免放大器直流偏置点受到影响。通过合理选择偏置电压Vbias，并调节Rx的阻值即可获得精确的偏置电压VGx，其中，x的取值为1到3。
上述的电阻串联分压式偏置电路虽然结构简单，但是也存在着不足：
(1)电阻串联分压式偏置电路无法根据输入或输出信号动态调整射频功率放大器的偏置电流，不能够解决第五代无线通信系统所提出的高性能需求。
(2)电阻串联分压式偏置电路虽然可以为采用堆叠方式的SOI功率放大器提供正常工作的偏置，但是无法使得各个堆叠MOS管的偏置电压同时随输入或输出信号的变化进行自适应改变。
因此，为了应对现代通信系统的高性能要求，SOI射频功率放大器需要一种自适应偏置电路，本发明提供的用于射频功率放大器的自适应偏置电路，能够根据输入信号动态调整SOI各个堆叠管子的偏置电压，自适应改变射频功率放大器的偏置电流，使得在不恶化高输出功率的线性度的前提下，提高低输出功率时的效率，从而使得射频功率放大器实现高线性度的同时，保持高的回退效率。
请参阅图2，本发明的电路实施方案如图2所示，以下为本发明提供的一种用于SOI射频功率放大器的偏置电路的实施例，包括：
第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；
其中，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，所述分压单元中的各电阻与所述单级放大单元中对应的MOS管连接；
所述第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，所述第一电容的第二端分别与所述分压单元、所述第一MOS管、所述单级放大单元连接；
所述第一电阻与所述第二电阻串联，所述第一MOS管分别与所述第一电阻、所述第二电阻、所述分压单元以及接地连接。
优选的实施方式，本实施例提供的偏置电路应用在为SOI射频功率放大器上，本实施例的分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，优选的实施方式，分压单元包括依次串联的三个电阻，如图2中间的虚框所示；单级放大单元包括依次堆叠设置的三个MOS管，如图2最右边的虚框所示。
其中，分压单元中依次串联的三个电阻分别为第三电阻R1、第四电阻R2和第五电阻R3，单级放大单元中依次堆叠设置的三个MOS管分别为第二MOS管M1、第三MOS管M2和第四MOS管M3；
第三电阻R1的第一端分别与第一电容Cblock1、第一MOS管Q1、第二MOS管M1连接，第三电阻R1的第二端分别与第四电阻R4、第三MOS管M2连接；第四电阻R2分别与第三电阻R1、第五电阻R3、第三MOS管M2连接；第五电阻R3分别与第四电阻R2、第四MOS管M3、偏置电压Vbias连接。
本实施例中，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接，具体的，第三电阻R1与第二MOS管M1对应，第三电阻R1的第一端与第二MOS管M1的栅极连接，VG1为第二MOS管M1的栅极偏置电压；第四电阻R2与第三MOS管M2对应，第四电阻R2的第一端与第三MOS管M2的栅极连接，VG2为第三MOS管M2的栅极偏置电压；第五电阻R3与第四MOS管M3对应，第五电阻R3的第一端与第四MOS管M3的栅极连接，VG3为第四MOS管M3的栅极偏置电压。
具体地，第一电阻Rref1与第二电阻Rref2串联包括：
第一电阻Rref1的第一端与偏置参考电压Vref连接，第一电阻Rref1的第二端分别与第二电阻Rref2的第一端、第一MOS管Q1的栅极连接；
第二电阻Rref2的第一端分别与第一电阻Rref1的第二端、第一MOS管Q1的栅极连接，第二电阻Rref2的第二端接地。
具体地，第一MOS管Q1分别与第一电阻Rref1、第二电阻Rref2、分压单元以及接地连接包括：
第一MOS管Q1的栅极分别与第一电阻Rref1的第二端、第二电阻Rref2的第一端连接；第一MOS管Q1的漏极与分压单元连接；第一MOS管Q1的源极接地。
具体地，第三电阻R1的第一端分别与第一电容Cblock1、第一MOS管Q1、第二MOS管M1连接包括：第三电阻R1的第一端分别与第一电容Cblock1的第二端、第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管M1的栅极连接。
具体地，第三电阻R1的第二端分别与第四电阻R2、第三MOS管M2连接包括：第三电阻R1的第二端分别与第四电阻R2的第一端、第三MOS管M2的栅极连接。
具体地，第五电阻R3分别与第四电阻R2、第四MOS管M3、偏置电压Vbias连接包括：第五电阻R3的第一端分别与第四电阻R2的第二端、第四MOS管M3的栅极连接，第五电阻R3的第二端连接于偏置电压Vbias。
具体地，单级放大单元还包括射频扼流电感Lchoke和第二电容Cblock2；
其中，射频扼流电感Lchoke的第一端分别连接第四MOS管M3的漏极、第二电容Cblock2的第一端，射频扼流电感Lchoke的第二端连接直流电源Vcc；
第二电容Cblock2的第一端分别连接射频扼流电感Lchoke的第一端、第四MOS管M3的漏极，第二电容Cblock2的第二端连接射频功率放大器的输出端RFout。
在本发明的一个实施例中，以常见的3个堆叠管子射频功率放大器为例，MOS管M1、M2和M3通过堆叠的方式构成单级放大单元；电阻R1、R2和R3通过串联构成电阻分压单元，与MOS管Q1一起构成回路，为放大器的各个堆叠MOS管提供栅极偏置电压；电阻Rref1和电阻Rref2为MOS管Q1提供栅极电压，信号通过RFin输入并通过Cblock2耦合到MOS管M1的栅极，并联合MOS管Q1和电阻分压单元完成动态调整放大器偏置电流和放大器各个堆叠MOS管栅极偏置电压的功能，使得偏置电路能够根据输入信号动态调整放大器各个堆叠MOS管栅极偏置电压。
本发明实施例提供的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，能自适应地同时动态调整各个堆叠MOS管的栅极偏置电压，其原理如下：
当射频输入信号的功率较低时，第一MOS管Q1工作在饱和区域，因此，电路处于小信号工作时通过第一MOS管Q1的直流电流不变，所以偏置电压VG1、VG2、VG3的直流分量不变，保证了小信号状态下射频功率放大器的偏置稳定。
随着射频输入信号功率的增大，第一MOS管Q1将进入三极管的线性工作区域，因此，通过第一MOS管Q1的直流电流将减小，进而导致第五电阻R3两端的电压降将降低，导致第四MOS管M3的栅极偏置电压VG3的直流分量增大；同理，第四电阻R2和第三电阻R1两端的电压降也同时降低，导致第三MOS管M2的栅极偏置电压VG2的直流分量、以及第二MOS管M1的栅极偏置电压VG1的直流分量同时增大。
需要说明的是，对于一个给定的射频功率放大器来说，输入信号和输出信号之间存在确定的对应关系，即不同的输入信号对应不同的输出信号。
本实施例中，当射频功率放大器在大信号工作条件下(此时输入信号大，输出信号也大)，各个堆叠MOS管的栅极偏置电压会同时自适应地变大；当射频功率放大器在小信号工作条件下(此时输入信号小，输出信号也小)，各个堆叠MOS管的栅极偏置电压会同时自适应地变小，因此，随着射频输入或输出信号功率的变化，SOI射频功率放大器的各个堆叠MOS管的栅极偏置电压能同时自适应动态调整，即SOI射频功率放大器的各个堆叠MOS管的栅极偏置电压根据输入或输出信号同时自适应动态调整，达到了构成SOI射频功率放大器的各个堆叠MOS管的栅极偏置电压根据输入或输出信号同时自适应动态调整的效果，如图3所示。
对于射频功率放大器来说，当射频功率放大器工作在大信号情况时，此时的效率最高，但是线性度最差，即高效率区往往线性度较差；当射频功率放大器工作在小信号情况时(称为回退功率区)，此时的效率变低，但是线性度变好，即高线性区效率往往较低。
而直流偏置点是影响射频功率放大器效率和线性度的一个决定因素，尤其是对大信号下的线性度和小信号下的效率影响最大。当提高直流偏置点时，功率放大器在大信号下的线性度变好，但是小信号下的效率(即回退效率)变差。当降低直流偏置点时，功率放大器在大信号下的线性度变差，但是小信号下的效率(即回退效率)得到提高。因此，需要在大信号工作下把射频功率放大器的直流偏置点提高，对于SOI射频功率放大器来说，即提高各个堆叠MOS管的偏置电压；而在小信号工作下把射频功率放大器的直流偏置点拉低，从而达到SOI射频功率放大器保持高线性度的同时，维持高回退效率。
本实施例提供的SOI射频功率放大器的偏置电路，主要利用第一MOS管Q1的三极管接法在不同输入信号功率下的效应来达到控制堆叠管栅极偏置电压的目的，具体是当输入信号较小时，Q1工作在三极管的放大区；当输入信号较大时，Q1工作在三极管的线性区。本实施例提供的SOI射频功率放大器的偏置电路，电路结构简单，元器件使用数量少，能缩小芯片面积并节约成本。
需要说明的是，本实施例中偏置电路和射频信号通路之间没有隔开交流和直流，即第一MOS管Q1与第三电阻R1之间没有隔开交流和直流，而是利用经RFin到达Q1漏极的射频信号对Q1的工作状态进行改变，进而调控偏置电路提供的偏置电流，最终控制各堆叠管栅极电压的变化。
本实施例提供的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，是一种能够用于堆叠结构的SOI射频功率放大器的自适应偏置电路，能够自适应地同时调整SOI射频功率放大器的各个堆叠放大管的偏置电压，使得SOI射频功率放大器保持高线性度的同时，维持高回退效率。
本实施例提供的SOI射频功率放大器的偏置电路，分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接，第一MOS管分别与第一电阻、第二电阻、分压单元以及接地连接，当输入信号功率较低时，通过第一MOS管的直流电流不变，各堆叠MOS管的栅极偏置电压不变；随着射频输入信号功率的增大，通过第一MOS管的直流电流将减小，导致各堆叠MOS管的栅极偏置电压同时增大，各个堆叠MOS管的栅极偏置电压根据输入或输出信号同时自适应动态调整，能自适应地改变射频功率放大器的偏置电流，在保持高输出功率的线性度的前提下，能提高低输出功率时的效率，从而使得射频功率放大器实现高线性度的同时，保持高的回退效率，能够满足第五代无线通信系统所提出的高性能需求。
本发明还提供了一种射频功率放大器的实施例，所述射频功率放大器的输入端与输出端之间设有用于SOI射频功率放大器的偏置电路。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或电连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或电连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：
第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；
其中，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，所述分压单元中的各电阻与所述单级放大单元中对应的MOS管连接；
所述第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，所述第一电容的第二端分别与所述分压单元、所述第一MOS管、所述单级放大单元连接；
所述第一电阻与所述第二电阻串联，包括：
所述第一电阻的第一端与偏置参考电压连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第一MOS管的栅极连接；
所述第二电阻的第一端分别与所述第一电阻的第二端、所述第一MOS管的栅极连接，所述第二电阻的第二端接地；
所述第一MOS管分别与所述第一电阻、所述第二电阻、所述分压单元以及接地连接，包括：
所述第一MOS管的栅极分别与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端连接；
所述第一MOS管的漏极与所述分压单元连接；
所述第一MOS管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述分压单元包括依次串联的多个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管包括：
所述分压单元包括依次串联的三个电阻，所述单级放大单元包括依次堆叠设置的三个MOS管；
其中，所述分压单元中依次串联的三个电阻分别为第三电阻、第四电阻和第五电阻，所述单级放大单元中依次堆叠设置的三个MOS管分别为第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；
所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容、所述第一MOS管、所述第二MOS管连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻、所述第三MOS管连接；所述第四电阻分别与所述第三电阻、所述第五电阻、所述第三MOS管连接，所述第五电阻分别与所述第四电阻、所述第四MOS管、偏置电压连接。
3.根据权利要求2所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容、所述第一MOS管、所述第二MOS管连接包括：
所述第三电阻的第一端分别与所述第一电容的第二端、所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极连接。
4.根据权利要求2所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻、所述第三MOS管连接包括：
所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端、所述第三MOS管的栅极连接。
5.根据权利要求2所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述第四电阻分别与所述第三电阻、所述第五电阻、所述第三MOS管连接包括：
所述第四电阻的第一端分别与所述第三电阻的第二端连接、所述第三MOS管的栅极连接，所述第四电阻的第二端分别与所述第五电阻的第一端、所述第四MOS管的栅极连接。
6.根据权利要求2所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述第五电阻分别与所述第四电阻、所述第四MOS管、偏置电压连接包括：
所述第五电阻的第一端分别与所述第四电阻的第二端、所述第四MOS管的栅极连接，所述第五电阻的第二端连接于偏置电压。
7.根据权利要求2所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述单级放大单元还包括射频扼流电感和第二电容；
其中，所述射频扼流电感的第一端分别连接所述第四MOS管的漏极、所述第二电容的第一端，所述射频扼流电感的第二端连接直流电源；
所述第二电容的第一端分别连接所述射频扼流电感的第一端、所述第四MOS管的漏极，所述第二电容的第二端连接所述射频功率放大器的输出端。
8.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器的输入端与输出端之间设有如权利要求1至7任一项所述的用于SOI射频功率放大器的偏置电路。
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