CN113258887A - 一种提高放大效率的功率单元结构 - Google Patents
一种提高放大效率的功率单元结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113258887A CN113258887A CN202110606871.8A CN202110606871A CN113258887A CN 113258887 A CN113258887 A CN 113258887A CN 202110606871 A CN202110606871 A CN 202110606871A CN 113258887 A CN113258887 A CN 113258887A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tube
- bias
- compensation
- power
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0266—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高放大效率的功率单元结构,包括主放大管T1、恒流源、偏置补偿电路和检波管;所述偏置补偿电路包括电容C,电阻R1、R2、RC和补偿放大管Tco;所述补偿放大管Tco的集电极通过电阻RC连接主放大管T1的基极;补偿放大管Tco的基极分别通过电阻R1连接电压VCC、通过并联的电阻R2、电容C接地,补偿放大管Tco的发射极接地;所述检波管连接射频输入端RFin,产生电压控制信号Vcr,并连接到补偿放大管Tco的基极,控制偏置补偿电流ICO的大小。当输入功率增加时,偏置点主动下降,以此补偿自偏置导致的等效偏置点的上升,因此,导通角可维持低功率输出时的大小,从而改善传统结构的效率,并维持原结构的线性特性。
Description
技术领域
本发明涉及功率放大领域,特别涉及一种提高放大效率的功率单元结构。
背景技术
脉冲雷达广泛应用于气象、海洋传感,导航以及国防等领域。功率放大器作为射频前端的重要组成部分,其特性对雷达性能的影响至关重要。对于传统AB类放大器,大功率输出时,由于放大器的自偏置效应,高峰值的脉冲信号导致等效偏置点IB大幅提升,导通角增大,如图1所示,功放效率的提高遇到瓶颈。
发明内容
本发明目的是:提供一种新型的功率单元结构,对主功率放大管的偏置点进行动态调控,使其在大功率输出时偏置电流减小,从而维持等效偏置点不变,导通角不变,提高放大效率。
本发明的技术方案是:
一种提高放大效率的功率单元结构,包括主放大管T1和恒流源,所述主放大管T1的基极连接射频输入端RFin,集电极连接功率输出端RFout,通过射频扼流圈RFC连接电压VCC,发射极接地;所述恒流源连接主放大管T1的基极,其输出电流IS;还包括偏置补偿电路和检波管;
所述偏置补偿电路包括电容C,电阻R1、R2、RC和补偿放大管Tco;所述补偿放大管Tco的集电极通过电阻RC连接主放大管T1的基极;补偿放大管Tco的基极分别通过电阻R1连接电压VCC、通过并联的电阻R2、电容C接地,补偿放大管Tco的发射极接地;
所述检波管连接射频输入端RFin,产生电压控制信号Vcr,并连接到补偿放大管Tco的基极,控制偏置补偿电流ICO的大小。
优选的,在无射频信号输入时,IS≈IB+ICO,设置偏置补偿电路中各电阻大小,使得ICO=0.1IS,即主放大管T1的静态工作点偏置电流IB=0.9IS。
优选的,在输入射频信号功率不足以导通检波管时,Vcr=0,主放大管T1的偏置电流IB维持不变;
随着输入射频信号功率逐渐增加,检波管导通,产生电压控制信号Vcr的值逐渐增加,从而偏置补偿电流Ico增加;
通过设置补偿放大管Tco个数比配以及各电阻大小,使ICO=αIS,令α取值0.1~0.5,即主放大管T1的偏置电流IB随输入射频信号功率的增加而减小,变化范围为0.9IS~0.5IS。
或者,所述检波管连接功率单元结构的输出端RFout。
或者,采用恒流源控制电路,取代偏置补偿电路,检波管输出的电压控制信号Vcr通过恒流源控制电路,控制恒流源的输出电流IS随电压控制信号Vcr的增加而减小。
或者,取代恒流源,采用恒压源提供主放大管T1的偏置电压Vbe,偏置补偿电路替换为对偏置电压Vbe补偿的电路结构。
本发明的优点是:
1.本发明的功率单元结构,当输入功率增加时,偏置点主动下降,以此补偿自偏置导致的等效偏置点的上升,因此,导通角可维持低功率输出时的大小,从而改善传统结构的效率,并维持原结构的线性特性;
2.本发明的功率单元结构,在实际版图布局中,检波管、补偿电路所占面积很小,仅需被补偿的功率放大单元面积S的1~2倍除以被补偿功率单元的直流放大倍数β的面积大小,即S/β~2S/β,易于集成在功率单元中。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
图1为传统AB类放大器自偏置引起的等效偏置点上升的曲线;
图2为实施例1的功率单元结构原理图;
图3为实施例1的功率单元结构中偏置补偿电路原理图;
图4为实施例1中通过补偿电路主动引起的等效偏置点下降曲线;
图5为实施例2的功率单元结构原理图;
图6为实施例3的功率单元结构原理图。
具体实施方式
实施例1
如图2所示,本实施例的揭示的一种提高放大效率的功率单元结构,包括主放大管T1和恒流源,所述主放大管T1的基极连接射频输入端RFin,集电极连接功率输出端RFout,通过射频扼流圈RFC连接电压VCC,发射极接地;所述恒流源连接主放大管T1的基极,其输出电流IS;还包括偏置补偿电路和检波管,偏置补偿电路产生偏置补偿电流ICO,选择合理数目的晶体管作为检波管,连接射频输入端RFin,产生电压控制信号Vcr,控制偏置补偿电流ICO的大小。
如图3所示,所述偏置补偿电路包括电容C,电阻R1、R2、RC和补偿放大管Tco;所述补偿放大管Tco的集电极通过电阻RC连接主放大管T1的基极;补偿放大管Tco的基极分别通过电阻R1连接电压VCC、通过并联的电阻R2、电容C接地,补偿放大管Tco的发射极接地。所述检波管产生的电压控制信号Vcr输入到补偿放大管Tco的基极,控制偏置补偿电流ICO的大小。
射频输入端RFin在无射频信号输入时,主放大管T1处于微导通状态,各端电流均很小,恒流源满足IS≈IB+ICO,通过合理的设置偏置补偿电路中各电阻大小,使得静态时ICO=0.1IS,即主放大管T1的静态工作点偏置电流I B=0.9IS。
当输入射频信号功率较小,不足以导通检波管时,检波管截止,Vcr=0,主放大管T1的偏置电流IB维持0.9IS不变。
随着输入射频信号功率逐渐增加,检波管导通,偏置补偿电路中的电容C呈现周期性的充放电特性。由于构成检波管的晶体管导通电阻很小,电容C充电时间常数远小于放电时间常数,电容C在一个周期内呈现电荷的逐渐积累,导致电压控制信号Vcr的值逐渐增加。稳定的Vcr值主要取决于输入功率的大小,随输入功率的增加而增大。
当电压控制信号Vcr增大时,补偿开关管Tco的基极电位增加,导致加载在发射结的压降上升,从而偏置补偿电流Ico增加;补偿电流与输出功率的关系如图4所示。通过设置补偿放大管Tco个数比配以及各电阻大小,使ICO=αI S,令α取值0.1~0.5,即主放大管T1的偏置电流IB随输入射频信号功率的增加而减小,变化范围为0.9IS~0.5IS。
相比图1所示的传统AB类放大器自偏置引起等效偏置点上升,本实施例的图4中,当输入功率增加时,偏置点主动下降,以此补偿自偏置导致的等效偏置点的上升,因此,导通角可维持低功率输出时的大小,从而改善传统结构的效率,并维持原结构的线性特性。
实施例2
实施例1中,检波管以射频输入端RFin作为功率检测端来解决问题,若以功率单元结构的输出端RFout作为功率检测端仍适用,如图5所示,本实施例中的所述检波管连接功率单元结构的输出端RFout。
实施例3
实施例1和2中,均以检波管检测信号控制偏置补偿电流,结合恒流源实现对主放大管偏置点间接动态控制,也可以采用检测信号直接控制主放大管的偏置点。
如图6所示,本实施例中采用恒流源控制电路,取代偏置补偿电路,检波管输出的电压控制信号Vcr通过恒流源控制电路,控制恒流源的输出电流IS,此时恒流源的输出电流IS作为直接偏置电流。随电压控制信号Vcr的增加,通过合理的恒流源控制电路使直接偏置电流IS减小,可实现与实施例1和2相同的效果。同样,图6中的检波管检测信号也可从主放大管输入端取出。
实施例4
实施例1-3中,均以电流源偏置来解决问题,若以电压形式偏置主放大管,则由于IC~Vbe的指数关系,传统的放大器等效偏置点的上升现象更严重。
本实施例取代恒流源,采用恒压源提供主放大管T1的偏置电压Vbe,偏置补偿电路替换为对偏置电压Vbe补偿的电路结构。本实施例对改善放大效率仍适用。
本发明的功率单元结构,在实际版图布局中,检波管、补偿电路所占面积很小,仅需被补偿的功率放大单元面积S的1~2倍除以被补偿功率单元的直流放大倍数β的面积大小,即S/β~2S/β,易于集成在功率单元中。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种提高放大效率的功率单元结构,包括主放大管T1和恒流源,所述主放大管T1的基极连接射频输入端RFin,集电极连接功率输出端RFout,通过射频扼流圈RFC连接电压VCC,发射极接地;所述恒流源连接主放大管T1的基极,其输出电流IS;其特征在于,还包括偏置补偿电路和检波管;
所述偏置补偿电路包括电容C,电阻R1、R2、RC和补偿放大管Tco;所述补偿放大管Tco的集电极通过电阻RC连接主放大管T1的基极;补偿放大管Tco的基极分别通过电阻R1连接电压VCC、通过并联的电阻R2、电容C接地,补偿放大管Tco的发射极接地;
所述检波管连接射频输入端RFin,产生电压控制信号Vcr,并连接到补偿放大管Tco的基极,控制偏置补偿电流ICO的大小。
2.根据权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,在无射频信号输入时,IS≈IB+ICO,设置偏置补偿电路中各电阻大小,使得ICO=0.1IS,即主放大管T1的静态工作点偏置电流IB=0.9IS。
3.根据权利要求2所述的功率单元结构,其特征在于,在输入射频信号功率不足以导通检波管时,Vcr=0,主放大管T1的偏置电流IB维持不变;
随着输入射频信号功率逐渐增加,检波管导通,产生电压控制信号Vcr的值逐渐增加,从而偏置补偿电流Ico增加;
通过设置补偿放大管Tco个数比配以及各电阻大小,使ICO=αIS,令α取值0.1~0.5,即主放大管T1的偏置电流IB随输入射频信号功率的增加而减小,变化范围为0.9IS~0.5IS。
4.根据权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述检波管连接功率单元结构的输出端RFout。
5.根据权利要求1或4所述的功率单元结构,其特征在于,取代偏置补偿电路,采用恒流源控制电路,检波管输出的电压控制信号Vcr通过恒流源控制电路,控制恒流源的输出电流IS随电压控制信号Vcr的增加而减小。
6.根据权利要求1或4所述的功率单元结构,其特征在于,取代恒流源,采用恒压源提供主放大管T1的偏置电压Vbe,偏置补偿电路替换为对偏置电压Vbe补偿的电路结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110606871.8A CN113258887A (zh) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 一种提高放大效率的功率单元结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110606871.8A CN113258887A (zh) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 一种提高放大效率的功率单元结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113258887A true CN113258887A (zh) | 2021-08-13 |
Family
ID=77185669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110606871.8A Pending CN113258887A (zh) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 一种提高放大效率的功率单元结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113258887A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115459716A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-09 | 广东工业大学 | 用于soi射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器 |
-
2021
- 2021-06-01 CN CN202110606871.8A patent/CN113258887A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115459716A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-09 | 广东工业大学 | 用于soi射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101994585B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
JP5165050B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
CN110311632B (zh) | 一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路 | |
CN106208980B (zh) | 一种射频功率放大器偏置电路及其实现方法 | |
CN110176923B (zh) | 一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路 | |
US10381987B2 (en) | Predistorter for compensating linearity of an amplifier | |
US7830210B2 (en) | Amplifier device | |
CN113258887A (zh) | 一种提高放大效率的功率单元结构 | |
CN113114121A (zh) | 一种用于射频功率放大器的偏置电路 | |
US3922585A (en) | Feedback amplifier circuit | |
CN115639873A (zh) | 用于射频放大器的电压基准电路 | |
CN110784182A (zh) | 一种双极结型晶体管的偏置电路 | |
CN111200408A (zh) | 线性补偿功率放大器 | |
CN113258886A (zh) | 一种提高线性及放大效率的功率单元结构 | |
CN215528970U (zh) | 一种提高放大效率的功率单元结构 | |
CN215528969U (zh) | 一种提高线性及放大效率的功率单元结构 | |
CN103199799A (zh) | 一种带工艺补偿偏置的功率放大器 | |
CN116073770A (zh) | 一种hbt功率放大器和电子设备 | |
CN115001410A (zh) | 适用于线性功率放大器的偏置电路 | |
US4622498A (en) | Dynamic focus system cascode amplifier | |
US3501710A (en) | Class b transistor amplifier biassing circuit | |
CN210075170U (zh) | 一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路 | |
CN217282883U (zh) | 用于温度补偿的偏置电路 | |
US6529079B2 (en) | RF power amplifier with distributed bias circuit | |
US2979664A (en) | Amplifier circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |