CN100341159C - 高效发光二极管 - Google Patents

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Abstract

提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20%-80%的填充率。通过在20%-80%的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。

Description

高效发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，更具体地是，通过适当改变发光二极管的P型电极的尺寸，增强其发光效应(light emission)。
背景技术
众所周知，发光二极管作为一种器件，被应用于光通讯领域中的数据传输、压缩磁盘播放器(CDPs)或数字通用光盘播放器(DVDPs)中的数据记录和再现、以及室外显示。
图1是现有InGaN-AlGaN异质结结构发光二极管的横截面图。参考图1，在一蓝宝石衬底1上形成一n-GaN层3，在它们之间放置有一GaN缓冲层2。在n-GaN层3上形成一In0.06Ga0.94N有源层(active layter)5和一P-Al0.15Ga0.85N层6，其中从In0.06Ga0.94N有源层5中产生光线。顺序沉积n-GaN层3、In0.06Ga0.94N、P-Al0.15Ga0.85N层6和P-GaN层7，将上述四层构图直到GaN层3的一定深度，然后将n型电极8贴附在n-GaN层3上。一P型电极9被设置在P-GaN层7上并通过焊接垫(bonding pad)10与外部电源(未显示)电连接，焊接垫10被设置为与P-GaN层7的一个边缘接触。
大多数现有LEDs产生兰色或红色波长范围的光线，并通过透明P型电极向前方发射光线。根据现有技术，如图1所示，在整个P-GaN层7的表面上形成P型电极，以便通过更大的面积发射光线。当P型电极9的尺寸增加时，驱动电压降低，从而实现在低电流密度下的稳定发光。
图2A和图2B显示现有发光二极管的P型电极、焊接垫以及n型电极被设置为不同图形的例子。参考数字8a和8b表示n型电极，参考数字9a和9b表示P型电极，参考数字10a和10b表示焊接垫。如图2A和图2B中的照片所示，光线从P型电极9a和9b的整个表面上被发射，P型电极9a和9b占据了大部分发光二极管的表面积。
然而，在现有430nm或更低波长的发光二极管中，随着P型电极的面积增加，发光效应降低。因此，有必要适当调整发射这些波长光线的发光二极管的P型电极的尺寸，以增强发光效应。
发明内容
本发明涉及一种发射430nm或更短波长光线的发光二极管，通过在一预定范围内调整其P型电极的尺寸，能够增强光线的输出量。
根据本发明的一方面，提供一种发光二极管，包括：一衬底，一第一化合物半导体层，其被形成在衬底的上表面；一第一电极，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从这层发射430nm或更低波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并且第二电极层的面积相对于衬底的上表面的比率为20％-80％。
根据本发明的具体实施例，从有源层中产生的光线是波长为200～430nm的紫外光线(UV)。第二电极层的面积相对于衬底的上表面的比率(填充率，filling ratio)为20％-80％。第一电极是一n型电极，第二电极是一P型电极。该发光二极管还包括位于第二化合物层上的焊接垫，该焊接垫将第二电极与外部电源连接。
第一化合物半导体层可以是一n型掺杂或未掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。第二化合物半导体层可以一是P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。有源层可由一n型掺杂或未掺杂的、InxAlyGa1-x-yN化合物半导体层构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，以及x+y≤1，有源层可具有一量子阱结构或一多量子阱结构。在本例中，发光二极管还可包括一位于有源层和第一化合物半导体层之间的第一覆盖层，以及一位于有源层和第二化合物半导体层之间的第二覆盖层，第一和第二覆盖层的折射率比有源层的折射率小。
第一覆盖层可以是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层，第二覆盖层可以是一n型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。发光二极管还可包括一位于有源层和第一覆盖层之间的第一波导层，以及一位于有源层和第二覆盖层之间的第二波导层，第一和第二波导层的折射率分别大于第一和第二覆盖层的折射率。在本例中，第一和第二波导层是以GaN为基的氮化物化合物半导体层。
本发明还提供一种具有倒装芯片(flip-chip)结构的发光二极管，其由倒装芯片体构成，该倒装芯片体包括：一传播光线的衬底；一第一化合物半导体层，其被形成在衬底的上表面；一第一电极，其被形成在第一化合物半导体的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上；从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，第二电极层的面积相对于衬底的上表面的比率为20％-80％。除了倒装芯片实体，发光二极管还包括一子安装板，通过低温焊接将倒装芯片实体的第一和第二电极贴附在子安装板上，一形成在子安装板上的焊接垫，该焊接垫将第一和第二电极与外部电源连接。
根据本发明具有倒装芯片结构的发光二极管的具体实施例，在有源层中产生的光线是波长为200-430nm的UV光线。第二电极层的面积相对于衬底的上表面的比率为30％-50％。第一电极是一n型电极，第二电极是一P型电极。第一化合物半导体层是一n型掺杂或未掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。第二化合物半导体层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。有源层由一n型掺杂或未掺杂的、InxAlyGa1-x-yN化合物半导体层形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，以及x+y≤1。
具有倒装芯片结构的发光二极管还可包括一位于有源层和第一化合物半导体层之间的第一覆盖层，以及一位于有源层和第二化合物半导体层之间的第二覆盖层，第一和第二覆盖层的折射率小于有源层的折射率。在本例中，第一覆盖层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层，第二覆盖层是一n型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。发光二极管还可包括一位于有源层和第一覆盖层之间的第一波导层，以及一位于有源层和第二覆盖层之间的第二波导层，第一和第二波导层的折射率分别大于第一和第二覆盖层的折射率。第一和第二波导层是以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
附图说明
参考附图将详细描述本发明的具体实施例，本发明的上述和其它特征和优点变得更加明显，其中：
图1是现有InGaN-AlInGaN异质结结构的发光二极管(LED)横截面图；
图2A和图2B是现有发光二极管的实施例的照片，其中P型电极、焊接垫和n型电极被设置为不同的图形；
图3显示不同尺寸P型电极的实施例；
图4是一曲线图，显示了在图3的发光二极管中，电压和发光效应的变化与施加在发光二极管电极上的电流的关系，该发光二极管发射384nm和393nm的光线。
图5是一曲线图，显示电流为20mA时，发光效应与图3中各种电极的填充率的关系，其从图4的曲线推导而来。
图6是图4中A区域的放大图；
图7是一曲线图，显示在384nm、393nm和465nm的LEDs中，无效电流(dead current)与P型电极填充率的关系；
图8是一曲线图，显示在384nm、393nm和465nm的LEDs中，发光效应与P型电极填充率的关系；
图9是根据发明第一实施例的LED的透视图；
图10是根据发明第二实施例的LED的横截面图；
图11是一对比曲线图，显示在根据本发明实施例的现有465nm、384nm和393nm LED中，驱动电压与P型电极填充率的关系；以及
图12是一曲线图，显示在根据本发明实施例的384nm和393nm LEDs中，能量转换效率(power conversion efficiency)的变化与P型电极填充率的关系。
具体实施方式
下面将描述根据本发明的发光二极管的实施例。
图3显示不同尺寸P型电极的实验实施例，在给定电流下，当P型电极的尺寸改变时，使用这些实施例来测量384nm发光二极管的发光效应的变化。图3(a)显示一发光二极管(LED)，其具有直径为80μm的圆形P型电极39a，图3(b)显示一LED，其具有直径为100μm的圆形P型电极39b，图3(c)显示一LED，其具有直径为120μm的圆形P型电极39c，图3(d)显示一LED，其具有面积为100×100μm2的矩形P型电极39d，图3(e)显示一LED，其具有面积为150×100μm2的矩形P型电极39e，图3(f)显示一LED，其具有面积为200×100μm2的矩形P型电极39f，图3(g)显示一LED，其具有面积为250×100μm2的矩形P型电极39g，图3(h)显示一LED，其具有P型电极39h，该电极占据二极管芯片表面积上除去n型电极38和焊接垫40之外的面积。参考数字35表示LED的台面结构(mesa structure)的一个刻蚀边(etched side)。
图4是一曲线图，显示了在图3的发光二极管中，电压和发光效应的变化与施加在发光二极管电极上的电流的关系，该发光二极管发射384nm和393nm的光线。参考图4，曲线g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7和g8显示电压变化与施加在393nm LEDs上的电流的关系，该LEDs分别具有图3中的P型电极39a、39b、39c、39d、39e、39f、39g和39h，曲线f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7和f8显示发光效应变化与施加在各发光二极管上的电流的关系。对于384nm光线，电压和发光效应的变化与电流的关系与图4中显示的关系有相似的图形。
随着电流增加，发光效应线性增加。但是，在给定的电流水平下，如f1和g1所示，具有最小面积P型电极39a的LED的发光效应和电压最大，随着电极尺寸增加，发光效应和电压逐渐下降，如f8和g8所示，具有最大面积P型电极39h的LED的发光效应和电压最低。这与在现有发射更长波长光线的LEDs中，发射效应和电极尺寸间的关系相反。
图5是一曲线图，显示电流为20mA时，发光效应与图3中各种电极填充率的关系，其从图4的曲线推导而来。这里，“填充率”的意义是P型电极的面积与衬底上表面面积的比率。在图5中，曲线F代表384nm LEDs，而曲线G代表393nm LEDs。
如图5所示，随着填充率增加，发光效应降低。但是，当填充率的范围是10％～40％时，发光效应波动，而不是线性下降。
图6是图4中A区域的放大图。参考图6，在所有曲线f1～f8中，有一区域C，在电流小于0.5mA的范围内，不产生发光效应，这在现有发射更长波长的LEDs中从未出现过。区域C中的电流被称为无效电流。在384nm和393nm LEDs中，当P型电极的填充率增加时，这个无效电流被认为可能促使发光效应降低。
总之，有源层作为一半导体层被形成，尤其是一种具有量子阱结构的有源层，其包括无数缺陷，其消耗电子和空穴结合时产生的能量，产生热能，而不是允许LED使用所有的能量来产生光线。但是，在现有以氮化物为基为基的、发射更长波长光线的LEDs中，由于构成LED的材料的性质，在有源层中的缺陷不会阻碍光线的发射，因此，在一低的驱动电压下，通过增加P型电极的尺寸，可以施加更大电流以实现稳定的发光效应。这些原理也适用于以氮化物为基的、发射兰色波长光线的LEDs。然而，在发射比兰色光线更短波长的LEDs中，如紫色光(400-450nm)或UV光(200-400nm)，随着P型电极尺寸增加，发光效应降低，如上所述，表明上述原理不适用于这些类型的LEDs。当P型电极尺寸越大时，有源层具有更多缺陷，包括位错，尽管它们的密度与更小面积P型电极的缺陷密度一样。因此，在发射430nm或更短波长光线的LEDs中，当注入更大的电流时，热损耗更大，引起一无效电流，从而降低LED的发光效应。
图7是一曲线图，显示在384nm，393nm和465nm的LEDs中，无效电流的变化与P型电极填充率的关系。
参考图7，465nm LED具有接近零的无效电流，与电极的填充率无关。然而，参考如上所述的附图，在384nm和393nm LEDs中，随着填充率增加，无效电流增加。
图8是一曲线图，显示在384nm，393nm和465nmLEDs中，发光效应与P型电极的填充率的关系。如图8所示，随着填充率增加，465nm LED的发光效应增加，然而，随着填充率增加，384nm和393nm LED的发光效应减小。
如上所述，与465nm LEDs不同，当P型电极的填充率减小时，384nm和393nm LEDs的发光效应增加。因此，根据本发明的、发射430nm或更短波长光线的LEDs被制造为具有尺寸减小的P型电极。
图9是根据本发明第一实施例的LED的透视图。图9LED的上视图等效于图3A。
参考图9，在衬底41的上表面顺序沉积一第一化合物半导体层42、一有源层44和一第二化合物半导体层46，在第一化合物半导体层42和有源层44之间有一第一覆盖层43，在有源层44和第二化合物半导体层46之间有一第二覆盖层45。一第一电极48被贴附在第一化合物半导体层42的一个刻蚀阶梯角上。具体地，在衬底41上顺序沉积第一化合物半导体层42、第一覆盖层43、有源层44、第二覆盖层45和第二化合物半导体层，通过光刻在叠层上形成一图案；使用该图案将形成的叠层刻蚀至第一化合物半导体层42的一定深度。在第二化合物半导体层46的上表面上形成一第二电极49和一焊接垫50。
根据本发明的一个实施例，第二电极49具有20％-80％的填充率。如上所述，在发射430nm或更短波长光线的LEDs中，随着P型电极的填充率减小，发光效应增加。
衬底41由一耐用物质形成，大多数情况下是一蓝宝石衬底。然而，Si、SiC和GaN衬底可被用作衬底41。
第一化合物半导体层42是一以GaN为基的III-V氮化物半导体层，其能够发射光线，更具体地，是一直接转换类型。在一种情况下，在第一化合物半导体层42中掺入导电杂质，优选的第一化合物半导体层42是一GaN层。在另一种情况下，优选地，第一化合物半导体层42由与第二化合物半导体层46相同的材料形成。第一覆盖层43被形成在第一化合物半导体层42的上表面上。优选地，第一覆盖层43可由一具有预定折射率的n-AlGaN/GaN层构成。然而，第一覆盖层43可由与n-AlGaN/GaN层不同的、能够发射光线的任意化合物半导体层构成。
第二化合物半导体层46是一以GaN为基的III-V氮化物半导体层，优选地，是一直接转换类型，掺杂有P型导电杂质，最优选地，是一P-GaN层。-GaN层、或分别含有预定比率的Al或In的-AlGaN层或InGaN层，可被用作第二化合物半导体层46。
当第一覆盖层43是一n型化合物半导体层时，第二覆盖层45由一P型化合物半导体层构成，当第一覆盖层43是一P型化合物半导体层时，第二覆盖层45由一n型化合物半导体层构成。例如，当第一覆盖层43由一n-AlInGaN层构成，第二覆盖层45由一P-AlInGaN层构成。
有源层44被形成在第一覆盖层43的上表面上。有源层44是一材料层，其通过电子和空穴的复合产生光线。优选地，有源层44是一以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层，其具有多量子阱(MQW)的结构。更具体地，有源层由一InxAlyGa1-x-yN形成并具有MQW的结构，其中0≤x≤1，0≤y≤1，和x+y≤1。
而且，第一和第二波导层(未显示)可被分别形成在有源层44之上和之下，分别用来放大从有源层44发射的光线和从LED中发射的强度增加的光线。第一和第二波导层由一种折射率比有源层44更小的材料形成，优选地，例如是一以GaN为基的III-V化合物半导体层。例如，第一波导层可由一n-GaN层形成，第二波导层可由一P-GaN层形成。有源层可由任意能够发射激光的材料形成，优选地，一种具有优良内量子效率的材料。优选地，有源层44由一含有预定比率的In和Al的InAlGaN层形成。
电子经由第一电极48被注入到第一化合物半导体层42中，第一电极48是一n型电极，空穴经由第二电极49被注入到第二化合物半导体层46中，第二电极49是一P型电极。注入的电子和空穴结合在一起并消失在有源层44中，振荡出短波长波段的光线。发射光线的颜色随波长波段而变化。光线的波长波段由能量宽度决定，该能量宽度是用于形成激光发光二极管的材料的价带与导带间的能量宽度。
在根据本发明的一种发射430nm或更短波长光线的LED中，第二电极49的填充率被确定在20％-80％的范围内以增强发光效应。如果第二电极49的填充率小于20％，构成的LED存在可靠性问题，将产生过热而不是发射光线。如果第二电极49的填充率超过80％，发光效应变得太小。因此，第二电极49的填充率被确定在20％～80％的范围内，优选地，是30％-50％。
图10是根据本发明第二实施例的LED的横截面图，在这个实施例中，LED由一GaN半导体材料形成并具有倒装芯片的结构。
参考图10，一对与外部电源连接的焊接垫59被安装在一子安装板55的上表面上。一倒装芯片实体52被设置为与子安装板55相对。倒装芯片实体52包括一衬底51和一被形成在衬底51上的化合物半导体层54。这个化合物半导体层54包括一第一化合物半导体层、一第一覆盖层、一有源层、一第二覆盖层、一第二化合物半导体层，所有这些层均未显示，与根据本发明第一实施例LED中的相同。一第一电极57被形成在第一化合物半导体层的一个刻蚀阶梯区域，一第二电极58被形成在第二化合物半导体层的表面上。电子经由第一电极57被注入到有源层中，空穴经由第二电极58被注入到有源层中，其中注入的电子和空穴在有源层中结合并产生光线。
第一电极57和第二电极58通过低温焊接被贴附在子安装板上。在图10中，显示了作为连接器的焊料凸点53。通过形成在子安装板55的两个边缘上的焊接垫59，第一和第二电极57和58与外部电源连接。
在根据本发明第二实施例的一种LED中，第一电极可被形成为一n型电极，第二电极58可被形成为一P型电极，其中第二电极58具有20％-80％的填充率，因此能够在有源层中产生密度增加的、430nm或更短波长的光线。优选地，第二电极58具有30％-50％的填充率。
图11是一比较曲线图，显示在根据本发明实施例的现有465nm、384nm和393nm的LEDs中，当驱动电流为20mA时，驱动电压与P型电极的填充率的关系。如图11所示，随着P型电极的填充率减小，驱动电压稍稍增加，表明在根据本发明的LEDs中，通过减小P型电极的尺寸，可以增加发光效应的可能性。
图12是一曲线图，显示在根据本发明实施例的384nm和393nm的LEDs中，能量转换效率的变化与P型电极的填充率的关系。这里，“能量转换效率”的意义是输出光线与输入电气的比率。
在图12中，当填充率的范围是20％～40％时，能量转换效率较高。尽管这些实验结果随LED发射光线的波长而变化，在大多数发射各种光线的LEDs中，包括根据本发明的384nm和393nm LEDs，当P型电极的填充率在20％-80％的范围内时，可期望达到一峰值发光效应。因此，优选地，根据本发明的384nm和393nm LEDs的P型电极具有20％-80％的填充率。
如上所述，在根据本发明的发射430nm或更短波长光线的LED中，通过形成一P型电极，其具有相对于衬底面积20％-80％的填充率，可以增强发光效应。
参考具体实施例，已经具体显示和描述了本发明。应了解的是，本领域内的技术人员，在不背离本发明的精神和范围下，可作各种形式和细节的改变，本发明的精神和范围以下述权利要求书界定的为准。

Claims (25)

1.一种发光二极管，包括：
一衬底；
一第一化合物半导体层，其被形成在衬底的上表面；
一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一区域之上；
一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除了第一电极层所占区域的其余区域之上，其中产生430nm或更短波长的光线；
一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；以及
一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并且所述第二电极层的面积相对于所述衬底的上表面的比率为20％-80％。
2.根据权利要求1的发光二极管，其中从有源层中产生的光线是波长为200-430nm的UV光线。
3.根据权利要求1的发光二极管，其中所述第二电极层的面积相对于所述衬底的上表面的比率为30％-50％。
4.根据权利要求1的发光二极管，其中第一电极是一n型电极，第二电极是一P型电极。
5.根据权利要求1的发光二极管，还包括一位于第二化合物半导体层上的焊接垫，该焊接垫将第二电极与外部电源连接。
6.根据权利要求1的发光二极管，其中第一化合物半导体层是一n型掺杂或未掺杂的、以GaN为基的III-V族氮化物化合物半导体层。
7.根据权利要求6的发光二极管，其中第二化合物半导体层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V族氮化物化合物半导体层。
8.根据权利要求7的发光二极管，其中有源层由一n型掺杂或未掺杂的、InxAlyGa1-x-yN化合物半导体层形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，和x+y≤1。
9.根据权利要求8的发光二极管，其中有源层具有一量子阱结构或多量子阱结构。
10.根据权利要求9的发光二极管，还包括一位于有源层和第一化合物半导体层之间的第一覆盖层，以及一位于有源层和第二化合物半导体层之间的第二覆盖层，第一和第二覆盖层的折射率比有源层的折射率小。
11.根据权利要求10的发光二极管，其中第一覆盖层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V族氮化物化合物半导体层，第二覆盖层是一n型掺杂的、以GaN为基的III-V族氮化物化合物半导体层。
12.根据权利要求10的发光二极管，还包括一位于有源层和第一覆盖层之间的第一波导层，以及一位于有源层与第二覆盖层之间的第二波导层，第一和第二波导层的折射率分别比第一和第二覆盖层的折射率大。
13.根据权利要求12的发光二极管，其中第一和第二波导层是一以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
14.一种具有倒装芯片结构的发光二极管，包括：
一倒装芯片实体，包括：一传播光线的衬底，一第一化合物半导体层，其被形成在衬底的上表面上；一第一电极，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中发射430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；以及一第二电极，其被形成在第二化合物半导体层上，并且所述第二电极层的面积相对于所述衬底的上表面的比率为20％-80％；
一子安装板，通过低温焊接，将倒装芯片实体的第一和第二电极贴附在子安装板上；以及
形成在子安装板上的焊接垫，该焊接垫将第一和第二电极与外部电源连接。
15.根据权利要求14的发光二极管，其中在有源层中产生波长为200-430nm的UV光线。
16.根据权利要求14的发光二极管，其中所述第二电极层的面积相对于所述衬底的上表面的比率为30％-50％。
17.根据权利要求14的发光二极管，其中第一电极是一n型电极，第二电极是一P型电极。
18.根据权利要求14的发光二极管，其中第一化合物半导体层是一n型掺杂或未掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
19.根据权利要求18的发光二极管，其中第二化合物半导体层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
20.根据权利要求19的发光二极管，其中有源层由一n型掺杂或未掺杂的、InxAlyGa1-x-yN化合物半导体层形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，和x+y≤1。
21.根据权利要求20的发光二极管，其中有源层具有一量子阱或多量子阱的结构。
22.根据权利要求19的发光二极管，还包括一位于有源层和第一化合物半导体层之间的第一覆盖层，以及一位于有源层与第二化合物半导体层之间的第二覆盖层，第一和第二覆盖层的折射率小于有源层的折射率。
23.根据权利要求22的发光二极管，其中第一覆盖层是一P型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层，第二覆盖层是一n型掺杂的、以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
24.根据权利要求22的发光二极管，还包括一位于有源层和第一覆盖层之间的第一波导层，以及一位于有源层与第二覆盖层之间的第二波导层，第一和第二波导层的折射率分别大于第一和第二覆盖层的折射率，但小于有源层的折射率。
25.根据权利要求24的发光二极管，其中第一和第二波导层是一以GaN为基的III-V氮化物化合物半导体层。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100399588C (zh) * 2004-11-08 2008-07-02 晶元光电股份有限公司 点光源发光二极管结构及其制造方法
US8158990B2 (en) * 2006-10-05 2012-04-17 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device using GaN LED chip
JP2008130799A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US9059338B2 (en) * 2008-05-02 2015-06-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting element and a production method therefor
US7956282B2 (en) * 2008-09-15 2011-06-07 High Power Opto, Inc. Photoelectric conversion element
WO2012037445A2 (en) 2010-09-17 2012-03-22 Drexel University Novel applications for alliform carbon
KR101081166B1 (ko) 2009-09-23 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101103892B1 (ko) * 2009-12-08 2012-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
US9752932B2 (en) 2010-03-10 2017-09-05 Drexel University Tunable electro-optic filter stack
US8785952B2 (en) * 2011-10-10 2014-07-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package including the same
KR102410809B1 (ko) * 2017-08-25 2022-06-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265726B1 (en) * 1994-03-22 2001-07-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity
CN1319259A (zh) * 1999-07-29 2001-10-24 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
US6348845B2 (en) * 1996-05-23 2002-02-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and multistage surface acoustic wave filter
CN1338783A (zh) * 2000-08-15 2002-03-06 中国科学院半导体研究所 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4700210A (en) * 1984-11-21 1987-10-13 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Asymmetric chip design for LEDS
JP2748818B2 (ja) * 1993-05-31 1998-05-13 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5751013A (en) * 1994-07-21 1998-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
JPH08264898A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JPH09153645A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP3209096B2 (ja) * 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3304787B2 (ja) * 1996-09-08 2002-07-22 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3239774B2 (ja) * 1996-09-20 2001-12-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子の基板分離方法
US6542526B1 (en) * 1996-10-30 2003-04-01 Hitachi, Ltd. Optical information processor and semiconductor light emitting device suitable for the same
JP3412433B2 (ja) * 1996-12-05 2003-06-03 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
US6107644A (en) * 1997-01-24 2000-08-22 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US5898185A (en) * 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US6281524B1 (en) * 1997-02-21 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
JP3916011B2 (ja) * 1997-02-21 2007-05-16 シャープ株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP4203132B2 (ja) * 1997-03-31 2008-12-24 シャープ株式会社 発光素子及びその製造方法
US6268618B1 (en) * 1997-05-08 2001-07-31 Showa Denko K.K. Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
JPH10335700A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP3663281B2 (ja) * 1997-07-15 2005-06-22 ローム株式会社 半導体発光素子
JP3462720B2 (ja) * 1997-07-16 2003-11-05 三洋電機株式会社 ｎ型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法
JP3693468B2 (ja) * 1997-07-23 2005-09-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3517867B2 (ja) * 1997-10-10 2004-04-12 豊田合成株式会社 ＧａＮ系の半導体素子
US5952681A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
JPH11168239A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
EP1928034A3 (en) * 1997-12-15 2008-06-18 Philips Lumileds Lighting Company LLC Light emitting device
JP4183299B2 (ja) * 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2000049376A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP3262080B2 (ja) * 1998-09-25 2002-03-04 株式会社村田製作所 半導体発光素子
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6522676B1 (en) * 1999-01-26 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd Nitride semiconductor laser device
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
US6777805B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group-III nitride compound semiconductor device
KR100382481B1 (ko) * 2000-06-09 2003-05-01 엘지전자 주식회사 백색 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법
US6603152B2 (en) * 2000-09-04 2003-08-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Blue light emitting diode with electrode structure for distributing a current density
KR100419613B1 (ko) * 2000-09-04 2004-02-25 삼성전기주식회사 전류밀도 분산용 전극구조를 구비한 청색 발광소자
JP4644947B2 (ja) * 2001-02-05 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
US6445007B1 (en) * 2001-03-19 2002-09-03 Uni Light Technology Inc. Light emitting diodes with spreading and improving light emitting area
TW480752B (en) * 2001-04-09 2002-03-21 United Epitaxy Co Ltd Structure and manufacturing method for light emitting diode
WO2002084829A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Cielo Communications, Inc. Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
US6583449B2 (en) * 2001-05-07 2003-06-24 Xerox Corporation Semiconductor device and method of forming a semiconductor device
JP3548735B2 (ja) * 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
KR100558890B1 (ko) * 2001-07-12 2006-03-14 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 소자
US6885107B2 (en) * 2002-08-29 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265726B1 (en) * 1994-03-22 2001-07-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity
US6348845B2 (en) * 1996-05-23 2002-02-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and multistage surface acoustic wave filter
CN1319259A (zh) * 1999-07-29 2001-10-24 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
CN1338783A (zh) * 2000-08-15 2002-03-06 中国科学院半导体研究所 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7095041B2 (en) 2006-08-22
KR20040022703A (ko) 2004-03-16
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