CH409885A - Verfahren zum tiegellosen Ziehen von einkristallinen Halbleiterstäben - Google Patents

Verfahren zum tiegellosen Ziehen von einkristallinen Halbleiterstäben

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CH409885A
CH409885A CH1454161A CH1454161A CH409885A CH 409885 A CH409885 A CH 409885A CH 1454161 A CH1454161 A CH 1454161A CH 1454161 A CH1454161 A CH 1454161A CH 409885 A CH409885 A CH 409885A
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CH
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crucible
monocrystalline semiconductor
semiconductor rods
free pulling
pulling
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Application number
CH1454161A
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Inventor
Sussmann Erhard
Original Assignee
Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

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CH1454161A 1961-02-07 1961-12-14 Verfahren zum tiegellosen Ziehen von einkristallinen Halbleiterstäben CH409885A (de)

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DE1961S0072399 DE1259854B (de) 1961-02-07 1961-02-07 Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes aus Halbleitermaterial

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CH409885A true CH409885A (de) 1966-03-31

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GB931975A (en) 1963-07-24
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