CH401633A - Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern - Google Patents
Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen HalbleiterkörpernInfo
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES72354A DE1199098B (de) | 1961-02-03 | 1961-02-03 | Verfahren zum AEtzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerpern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH401633A true CH401633A (de) | 1965-10-31 |
Family
ID=7503134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1262361A CH401633A (de) | 1961-02-03 | 1961-10-31 | Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3266961A (de) |
BE (1) | BE613425A (de) |
CH (1) | CH401633A (de) |
DE (1) | DE1199098B (de) |
NL (1) | NL271850A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1079430A (en) * | 1965-05-06 | 1967-08-16 | Maxbo Ab | A method and apparatus for heat sealing or cutting thermoplastic material |
US3977071A (en) * | 1969-09-29 | 1976-08-31 | Texas Instruments Incorporated | High depth-to-width ratio etching process for monocrystalline germanium semiconductor materials |
DE2214197C3 (de) * | 1972-03-23 | 1982-01-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Ätzen von PN-Übergänge enthaltenden Halbleiterscheiben |
JPS583374B2 (ja) * | 1977-06-15 | 1983-01-21 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | シリコン単結晶の処理方法 |
JPS54110783A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor substrate and its manufacture |
US4918030A (en) * | 1989-03-31 | 1990-04-17 | Electric Power Research Institute | Method of forming light-trapping surface for photovoltaic cell and resulting structure |
US5564409A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-15 | Corning Incorporated | Apparatus and method for wire cutting glass-ceramic wafers |
US5913980A (en) * | 1996-04-10 | 1999-06-22 | Ebara Solar, Inc. | Method for removing complex oxide film growth on silicon crystal |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE471989A (de) * | 1941-07-16 | |||
US2809103A (en) * | 1953-11-10 | 1957-10-08 | Sylvania Electric Prod | Fabrication of semiconductor elements |
GB894255A (en) * | 1957-05-02 | 1962-04-18 | Sarkes Tarzian | Semiconductor devices and method of manufacturing them |
US3041226A (en) * | 1958-04-02 | 1962-06-26 | Hughes Aircraft Co | Method of preparing semiconductor crystals |
-
0
- NL NL271850D patent/NL271850A/xx unknown
-
1961
- 1961-02-03 DE DES72354A patent/DE1199098B/de active Pending
- 1961-10-31 CH CH1262361A patent/CH401633A/de unknown
-
1962
- 1962-01-23 US US168269A patent/US3266961A/en not_active Expired - Lifetime
- 1962-02-02 BE BE613425A patent/BE613425A/fr unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1199098B (de) | 1965-08-19 |
US3266961A (en) | 1966-08-16 |
NL271850A (de) | |
BE613425A (fr) | 1962-08-02 |
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