CH382296A - Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von einkristallinem HalbleitermaterialInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES62679A DE1109141B (de) | 1959-04-22 | 1959-04-22 | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen hochgereinigten Halbleiterstabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH382296A true CH382296A (de) | 1964-09-30 |
Family
ID=7495799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH76060A CH382296A (de) | 1959-04-22 | 1960-01-22 | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial |
Country Status (6)
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Families Citing this family (4)
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