CH382296A - Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial

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CH382296A
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CH
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semiconductor material
monocrystalline semiconductor
monocrystalline
semiconductor
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CH76060A
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Sporrer Ludwig
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Siemens Ag
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/34Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation

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CH76060A 1959-04-22 1960-01-22 Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial CH382296A (de)

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DES62679A DE1109141B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen hochgereinigten Halbleiterstabes

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JPS63270383A (ja) * 1987-04-27 1988-11-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体結晶棒の支持装置

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BE589911A (fr) 1960-10-20
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DE1109141B (de) 1961-06-22
GB915882A (en) 1963-01-16

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