CA2054477A1 - Dispositif a canal extremement court fait d'un oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif - Google Patents

Dispositif a canal extremement court fait d'un oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif

Info

Publication number
CA2054477A1
CA2054477A1 CA2054477A CA2054477A CA2054477A1 CA 2054477 A1 CA2054477 A1 CA 2054477A1 CA 2054477 A CA2054477 A CA 2054477A CA 2054477 A CA2054477 A CA 2054477A CA 2054477 A1 CA2054477 A1 CA 2054477A1
Authority
CA
Canada
Prior art keywords
superconducting
oxide superconductor
superconductor
manufacturing
superconducting channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CA2054477A
Other languages
English (en)
Other versions
CA2054477C (fr
Inventor
Takao Nakamura
Hiroshi Inada
Michitomo Iiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26558442&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CA2054477(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from JP2291198A external-priority patent/JP2614940B2/ja
Priority claimed from JP2291197A external-priority patent/JP2614939B2/ja
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CA2054477A1 publication Critical patent/CA2054477A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of CA2054477C publication Critical patent/CA2054477C/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/20—Permanent superconducting devices
    • H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures 
    • H10N60/207—Field effect devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
    • Y10S505/873—Active solid-state device

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
CA002054477A 1990-10-29 1991-10-29 Dispositif a canal extremement court fait d'un oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif Expired - Fee Related CA2054477C (fr)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP291197/1990 1990-10-29
JP2291198A JP2614940B2 (ja) 1990-10-29 1990-10-29 超電導素子および作製方法
JP291198/1990 1990-10-29
JP2291197A JP2614939B2 (ja) 1990-10-29 1990-10-29 超電導素子および作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CA2054477A1 true CA2054477A1 (fr) 1992-04-30
CA2054477C CA2054477C (fr) 1996-12-24

Family

ID=26558442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CA002054477A Expired - Fee Related CA2054477C (fr) 1990-10-29 1991-10-29 Dispositif a canal extremement court fait d'un oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5854493A (fr)
EP (1) EP0484232B2 (fr)
CA (1) CA2054477C (fr)
DE (1) DE69109054T3 (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0484251B1 (fr) * 1990-10-31 1996-03-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif supraconducteur ayant un canal extrêmement court formé d'un film extrêmement mince en supraconducteur d'oxyde et méthode pour sa fabrication
KR0148596B1 (ko) * 1994-11-28 1998-10-15 양승택 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자와 그 제조방법
KR0175359B1 (ko) * 1995-12-15 1999-02-01 양승택 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법
JP2002266072A (ja) * 2001-03-09 2002-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 積層膜および成膜方法
US20070254402A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Robert Rotzoll Structure and fabrication of self-aligned high-performance organic fets
US10367134B2 (en) * 2017-06-07 2019-07-30 International Business Machines Corporation Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing
FR3068518B1 (fr) * 2017-06-28 2019-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de controle d'un dispositif quantique a qubit de spin

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6117983A (ja) * 1984-07-04 1986-01-25 日本原子力事業株式会社 原子炉緊急停止装置
US4831421A (en) * 1985-10-11 1989-05-16 International Business Machines Corporation Superconducting device
US5179426A (en) * 1987-08-04 1993-01-12 Seiko Epson Corporation Josephson device
EP0324044B1 (fr) * 1988-01-15 1992-11-25 International Business Machines Corporation Dispositif à effet de champ à canal supraconducteur
JPH01268075A (ja) * 1988-04-19 1989-10-25 Seiko Epson Corp ジョセフソン電界効果トランジスタ
JPH01308086A (ja) * 1988-06-07 1989-12-12 Fujitsu Ltd 固体電子装置
JPH02192172A (ja) * 1989-01-19 1990-07-27 Fujitsu Ltd 超伝導トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
US5854493A (en) 1998-12-29
EP0484232A2 (fr) 1992-05-06
EP0484232B2 (fr) 2001-10-10
EP0484232A3 (en) 1992-08-12
CA2054477C (fr) 1996-12-24
DE69109054T2 (de) 1995-11-30
DE69109054D1 (de) 1995-05-24
DE69109054T3 (de) 2002-05-02
EP0484232B1 (fr) 1995-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2052970A1 (fr) Dispositif a supraconducteur comportant un canal d'oxyde supraconducteur extremement mince et methode de fabrication de ce dispositif
EP0217406A3 (en) Thin-film transistor and method of fabricating the same
KR960019820A (ko) 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자와 그 제조방법
EP0397186A3 (fr) Dispositif supraconducteur et méthode pour sa fabrication
KR950007032A (ko) 반도체장치의 절연층 형성방법 및 그 형성장치
CA2084174A1 (fr) Dispositif a superconduction comportant un canal superconducteur tres mince compose d'un materiau superconducteur oxyde et methode de fabrication
CA2054795A1 (fr) Dispositif a canal fait d'une couche d'oxyde supraconducteur extremement mince et sa methode de fabrication
CA2052508A1 (fr) Methode de fabrication d'un dispositif supraconducteur a couche d'oxyde supraconducteur d'epaisseur reduite et dispositif supraconducteur ainsi fabrique
CA2054477A1 (fr) Dispositif a canal extremement court fait d'un oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif
CA2054644A1 (fr) Dispositif a canal extremement court fait d'une couche d'oxyde supraconducteur extremement mince et sa methode de fabrication
CA2052380A1 (fr) Dispositif a canal constitue d'une couche d'oxyde supraconducteur extremement mince et sa methode de fabrication
CA2052378A1 (fr) Dispositif a supraconducteur et sa methode de fabrication
CA2051778A1 (fr) Methode de fabrication d'un dispositif supraconducteur a couche d'oxyde supraconducteur d'epaisseur reduite, et dispositif supraconducteur ainsi fabrique
CA2084983A1 (fr) Dispositif supraconduteur comportant un canal extrement mince d'oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif
CA2085172A1 (fr) Dispositif supraconducteur a canal d'oxyde supraconducteur extremement mince et methode de fabrication de ce dispositif
JPS64779A (en) Superconducting transistor and manufacture thereof
CA2054597A1 (fr) Circuit supraconducteur et sa methode de fabrication
CA2084556A1 (fr) Methode de fabrication de dispositifs a jonction de josephson a joint de grain artificiel
CA2052379A1 (fr) Dispositif a canal constitue d'une couche d'oxyde supraconducteur extremement mince
DE3586047D1 (en) Duennfilmtransistor.
CA2079357A1 (fr) Couche mince supraconductrice formee d'un oxyde supraconducteur, trajet de courant et dispositif a supraconducteur utilisant cette couche mince
EP0178582A3 (fr) Dispositif semi-conducteur à blocage inverse
CA2077047A1 (fr) Methode de fabrication de couches minces d'oxyde supraconducteur a region non supraconductrice, methode de fabrication de dispositifs a supraconducteur utilisant ces couches minces et couches minces fabriquees selon la premiere methode
CA2085290A1 (fr) Dispositif supraconducteur a canal d'oxyde supraconducteur extremement mince et methode de fabrication de ce dispositif
EP0893835A3 (fr) Dispositif supraconducteur à effet de champ à canal supraconducteur et procédé de fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
EEER Examination request
MKLA Lapsed