CA2084174A1 - Dispositif a superconduction comportant un canal superconducteur tres mince compose d'un materiau superconducteur oxyde et methode de fabrication - Google Patents

Dispositif a superconduction comportant un canal superconducteur tres mince compose d'un materiau superconducteur oxyde et methode de fabrication

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2051778C (fr) * 1990-09-19 1997-05-06 Takao Nakamura Methode de fabrication d'un dispositif supraconducteur a couche d'oxyde supraconducteur d'epaisseur reduite, et dispositif supraconducteur ainsi fabrique
DE69118106T2 (de) * 1990-10-31 1996-10-31 Sumitomo Electric Industries Aus extrem dünnem supraleitendem Oxydfilm gebildete supraleitende Einrichtung mit extrem kurzem Kanal und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0551033B1 (fr) * 1991-12-10 1997-03-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif supraconducteur à canal supraconducteur extrêmement mince en oxyde supraconducteur et procédé pour sa fabrication
CA2085172C (fr) * 1991-12-12 1996-07-23 Takao Nakamura Dispositif supraconducteur a canal d'oxyde supraconducteur extremement mince et methode de fabrication de ce dispositif
JPH05251777A (ja) * 1991-12-13 1993-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導電界効果型素子およびその作製方法
JPH05251776A (ja) * 1991-12-13 1993-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導素子およびその作製方法
CA2085290C (fr) * 1991-12-13 1997-08-05 Takao Nakamura Dispositif supraconducteur a canal d'oxyde supraconducteur extremement mince et methode de fabrication de ce dispositif
JPH05291637A (ja) * 1992-04-09 1993-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導電界効果型素子
JPH0855978A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Ngk Insulators Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR0148598B1 (ko) * 1994-11-21 1998-10-15 정선종 두꺼운 초전도채널층을 구비한 고온초전도 전계효과 트랜지스터의 제조방법
US5994276A (en) * 1997-09-08 1999-11-30 Mcmaster University Composite high Tc superconductor film
EP1816689A1 (fr) * 2006-02-07 2007-08-08 ST Microelectronics Crolles 2 SAS Structure de transistor ou de triode à effet tunnel et à nanocanal isolant
US9041109B2 (en) * 2013-09-19 2015-05-26 International Business Machines Corporation Field effect transistor including a recessed and regrown channel
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
JP2017505973A (ja) * 2013-11-20 2017-02-23 ダンマークス テクニスク ユニバーシテットDanmarks Tekniske Universitet 超伝導層用基材を製造するための方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910002311B1 (ko) * 1987-02-27 1991-04-11 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 초전도 디바이스
DE3876228T2 (de) * 1988-01-15 1993-06-03 Ibm Feldeffektanordnung mit supraleitendem kanal.
US5087605A (en) * 1989-06-01 1992-02-11 Bell Communications Research, Inc. Layered lattice-matched superconducting device and method of making
CA2050731C (fr) * 1990-09-06 1997-03-18 Takao Nakamura Dispositif a supraconducteur avec couche d'oxyde supraconducteur d'epaisseur reduite et methode de fabrication de celui-ci
CA2052380C (fr) * 1990-09-27 1998-04-14 Takao Nakamura Dispositif a canal constitue d'une couche d'oxyde supraconducteur extremement mince et sa methode de fabrication
US5407903A (en) * 1990-09-28 1995-04-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer
DE69119022T2 (de) * 1990-10-08 1996-10-31 Sumitomo Electric Industries Supraleitende Einrichtung mit ultradünnem Kanal aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung
DE69132972T2 (de) * 1991-01-07 2003-03-13 Ibm Supraleitender Feldeffekttransistor mit inverser MISFET-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2674374A1 (fr) * 1991-03-22 1992-09-25 Bull Sa Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'une structure multicouche telle que celle utilisee dans le transistor.
JP2822773B2 (ja) * 1992-04-28 1998-11-11 住友電気工業株式会社 超電導インタフェース回路

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US5494891A (en) 1996-02-27
CA2084174C (fr) 1997-07-29
DE69218348T2 (de) 1997-10-16

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