CA2084983A1 - Dispositif supraconduteur comportant un canal extrement mince d'oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif - Google Patents

Dispositif supraconduteur comportant un canal extrement mince d'oxyde supraconducteur et methode de fabrication de ce dispositif

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251776A (ja) * 1991-12-13 1993-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導素子およびその作製方法
CA2153189A1 (fr) * 1994-07-04 1996-01-05 Takao Nakamura Dispositif a supraconduction a circuit supraconducteur en materiaux de la categorie des oxydes
KR0148598B1 (ko) * 1994-11-21 1998-10-15 정선종 두꺼운 초전도채널층을 구비한 고온초전도 전계효과 트랜지스터의 제조방법
EP0790655B1 (fr) * 1995-09-29 1999-04-14 Sumitomo Electric Industries, Limited Dispositif supraconducteur à effet de champ à canal supraconducteur et procédé de fabrication
KR100194621B1 (ko) * 1995-12-21 1999-07-01 정선종 고온초전도 전계효과 소자 및 그 제조방법
US6660598B2 (en) * 2002-02-26 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method of forming a fully-depleted SOI ( silicon-on-insulator) MOSFET having a thinned channel region
JP2003282981A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Fujitsu Ltd ジョセフソン接合素子およびその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6060786A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Nec Corp 超伝導回路装置の製造方法
KR910002311B1 (ko) * 1987-02-27 1991-04-11 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 초전도 디바이스
JPH01101676A (ja) * 1987-10-15 1989-04-19 Mitsubishi Electric Corp 超伝導トランジスタ
JPH01101670A (ja) * 1987-10-15 1989-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 電界効果トランジスタの製造方法
EP0325877B1 (fr) * 1987-12-26 1994-03-09 Sumitomo Electric Industries Limited Substrat semi-conducteur avec une couche mince supraconductrice
DE3876228T2 (de) * 1988-01-15 1993-06-03 Ibm Feldeffektanordnung mit supraleitendem kanal.
JP2646440B2 (ja) * 1988-09-20 1997-08-27 富士通株式会社 ジョセフソン接合素子の製造方法
CA2051778C (fr) * 1990-09-19 1997-05-06 Takao Nakamura Methode de fabrication d'un dispositif supraconducteur a couche d'oxyde supraconducteur d'epaisseur reduite, et dispositif supraconducteur ainsi fabrique
DE69119022T2 (de) * 1990-10-08 1996-10-31 Sumitomo Electric Industries Supraleitende Einrichtung mit ultradünnem Kanal aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung
CA2054470C (fr) * 1990-10-30 1997-07-01 Takao Nakamura Methode servant a fabriquer un dispositif supraconducteur ayant une couche d'oxyde supraconductrice d'epaisseur reduite et dispositif supraconducteur ainsi construit
CA2062294C (fr) * 1991-03-04 1997-01-14 Hiroshi Inada Couche mince de supraconducteur a orientations cristallines localement differentes et sa methode de fabrication
US5196395A (en) * 1991-03-04 1993-03-23 Superconductor Technologies, Inc. Method for producing crystallographic boundary junctions in oxide superconducting thin films
JPH04300292A (ja) * 1991-03-26 1992-10-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法
EP0545801B1 (fr) * 1991-11-30 1997-03-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif à supraconducteur avec un canal supraconducteur extrêmement mince formé d'un matériau d'oxyde supraconducteur et procédé pour sa fabrication
US5274249A (en) * 1991-12-20 1993-12-28 University Of Maryland Superconducting field effect devices with thin channel layer

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EP0551033B1 (fr) 1997-03-19
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US5447907A (en) 1995-09-05

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