BRPI1001877A2 - fotorreceptor com camada de liberaÇço - Google Patents

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Robert P Altavela
Yuhua Tong
Edward F Grabowski
Kent J Evans
Adilson P Ramos
Nancy L Belknap
Helen R Cherniack
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Abstract

<B>FOTORRECEPTOR COM CAMADA DE LIBERAÇçO.<D>A presente invenção refere-se as concretizações mostradas que são direcionadas a um fotorreceptor eletrofotográfico tendo uma camada de liberação. Mais particularmente, a presente invenção refere-se a um fotorreceptor eletrofotográfico tendo uma camada de liberação que compreende um composto organossilano revestido sobre a superfície de substrato. Outras concretizações incluem métodos para remoção da camada de revestimento usando um fotorreceptor eletrofotográfico configurado especificamente tendo uma camada de liberação e métodos para recuperação de uma molécula de transporte de carga.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "FOTORRE-CEPTOR COM CAMADA DE LIBERAÇÃO".
A presente invenção refere-se a desenhos fotorreceptores ele-trofotográficos, particularmente fotorreceptores eletrofotográficos tendo umacamada de liberação, que provê um meio para aperfeiçoar o processo deremoção de revestimento. Mais particularmente, a presente invenção refere-se a fotorreceptores tendo uma camada de liberação que compreende umcomposto organossilano revestido sobre a superfície de substrato.
São ainda aqui providos métodos para remoção de camada derevestimento usando um fotorreceptor eletrofotográfico especificamente con-figurado tendo uma camada de liberação. De acordo com um aspecto dainvenção mostrada, são providos métodos para reciclagem ou re-fabricaçãode fotorreceptores eletrofotográficos.
São ainda aqui providos métodos para recuperação de uma mo-lécula de transporte de carga, mais particularmente durante o processo deremoção de revestimento.
Em eletrofotografia, o substrato para fotorreceptores é requeridoser fabricado com alta precisão dimensional em termos de retidão e arre-dondamento, ótima refletância de superfície e aspereza, e desejada espes-sura. De modo a obter tal precisão dimensional, a superfície de substrato écortada em uma alta precisão através de uso de uma ferramenta de diaman-te e/ou similar. Uma vez que a superfície de substrato seja formada, pelomenos um revestimento de material fotossensível é aplicado ao substrato, oqual pode compreender uma camada sub-revestida e uma camada de for-mação de imagem. Durante o processo de fabricação, a qualidade das ca-madas fotorreceptoras revestidas por imersão, revestidas através de qual-quer técnica convencional apropriada, tal como, pulverização, revestimentode imersão, revestimento com barra de puxar, revestimento de gravura, telade seda, revestimento com faca de ar, revestimento com rolo reverso, depo-sição à vácuo, tratamento químico, e similares, pode variar devido à comple-xidade da natureza de processo. Dispositivos defeituosos são rejeitados epodem ser novamente fabricados.Nova fabricação de fotorreceptores eletrofotográficos pode serbem difícil e onerosa. Por exemplo, remoção de revestimento e novo reves-timento do material fotossensível requer a anterior remoção dos flanges deextremidade do fotorreceptor com excessiva força e torque que usualmentecausam deformação do substrato, e a completa remoção de resíduo adesivoé crítica para manutenção de retidão, arredondamento e concentricidadetotal da montagem final novamente fabricada.
Assim, existe uma necessidade de reduzir o custo de re-fabricação de fotorreceptores eletrofotográficos, por exemplo, através deremoção de camadas de revestimento ou fotossensíveis sem danificar aformação de substrato. Isto não somente reduz o custo de produção de fo-torreceptor, mas também diminui o custo para disposição de materiais desubstrato rejeitados.
De acordo com aspectos aqui ilustrados, é provido um fotorre-ceptor eletrofotográfico, incluindo um substrato; uma camada de liberaçãorevestida sobre o substrato; e uma pluralidade de camadas de revestimentodispostas sobre a camada de liberação, onde a camada de liberação é solú-vel em um solvente de liberação incluindo álcool, água, ou misturas dasmesmas, e ainda onde a camada de liberação prove capacidade de separa-ção da camada de liberação e pluralidade de camadas de revestimento apartir do substrato durante fabricação ou reciclagem do fotorreceptor eletro-fotográfico. Em uma concretização, um fotorreceptor eletrofotográfico, aindainclui um flange que é disposto em uma porção de extremidade do fotorre-ceptor.
Em concretizações, a espessura do substrato é de cerca de 0,5mm a cerca de 3 mm. Um substrato pode ser feito de alumínio ou uma ligade alumínio. Em uma concretização, uma pluralidade de camadas de reves-timento inclui uma camada de sub-revestimento, uma camada de geração decarga, uma camada de transporte de carga, e uma camada de formação deimagem simples compreendendo uma combinação de uma camada de gera-ção de carga e uma camada de transporte de carga. A espessura da cama-da de sub-revestimento pode ser de cerca de 20 nm a cerca de 30 micra. Aespessura da camada de geração de carga é de cerca de 10 nm a cerca de5 micra. A espessura da camada de transporte de carga pode ser de cercade 0,5 micron a cerca de 50 micra.
Em concretizações, uma camada de liberação inclui um compos-to organossilano. Um composto organossilano pode estar presente em umaquantidade de cerca de 0,1 porcento a cerca de 100 porcento em peso dopeso total da camada de liberação. Um composto organossilano inclui gama-aminopropiltrietoxissilano, gama-glicidoxipropiltrimetoxissilano, N-beta-aminoetil gama-aminopropiltrimetoxissilano, gama-glicidoxipropiltrimetoxissilano, gama-glicidoxipropilmetildimetoxissilano, ga-ma-glicidoxipropildimetilmetoxissilano, gama-glicidoxipropiltrietoxissilano,gama-glicidoxipropilmetildietoxissilano, gama-glicidoxipropildimetiletoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etiltrimetoxissilano,beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildimetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etildimetilmetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etiltrietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etildimetiletoxissilano, 4-aminobutiltrietoxissilano, hidroximetil-trietoxissilano, 3-[hidróxi(polietilenóxi)propil]heptametiltrissiloxano, 2-(carboximetiltio)etiltrimetilsilano ou misturas dos mesmos. Em uma concreti-zação, um composto organossilano é gama-aminopropiltrietoxissilano.
Concretizações aqui também provêm métodos de separação deuma pluralidade de camadas de revestimento a partir de um fotorreceptoreletrofotográfico incluindo um substrato disposto sobre um orifício de fixação;uma camada de liberação revestida sobre o substrato e o orifício de fixação;e uma pluralidade de camadas de revestimento dispostas sobre a camadade liberação, o método incluindo as etapas de sujeição de fotorreceptor ele-trofotográfico a um solvente de liberação; dissolução de camada de libera-ção no solvente de liberação; separação de pluralidade de camadas de re-vestimento do substrato e o orifício de fixação. Em uma concretização, umaetapa de sujeição inclui encharcamento de fotorreceptor eletrofotográfico emum solvente de liberação. Em uma outra concretização, um fotorreceptoreletrofotográfico é encharcado no solvente de liberação por um período deentre cerca de 1 minuto e cerca de 10 dias. Em uma concretização, a tempe-ratura do solvente de liberação é em temperatura ambiente. Em uma outraconcretização, a temperatura do solvente de liberação é elevada para cercade 50°C ou menos que 100°C. Em uma concretização, um substrato é feito apartir de alumínio ou uma liga de alumínio. Em certas concretizações, umapluralidade de camadas de revestimento compreende uma camada sub-revestida, uma camada de geração de carga e uma camada de transportede carga. Em uma concretização, um composto organossilano está presenteem uma quantidade de cerca de 0,1 porcento a cerca de 100 porcento empeso do peso total da camada de liberação. Em uma concretização, umcomposto organossilano é gama-aminopropiltrietoxissilano.
Concretizações aqui também provêm processos de recuperaçãode uma molécula de transporte de carga incluindo sujeição de um fotorre-ceptor eletrofotográfico a um solvente de liberação, o fotorreceptor eletrofo-tográfico incluindo um substrato, uma camada de liberação revestida sobre osubstrato, e uma pluralidade de camadas de revestimento dispostas sobre acamada de liberação, onde a camada de liberação provê capacidade de se-paração da camada de liberação e pluralidade de camadas de revestimentoa partir do substrato durante fabricação ou reciclagem do fotorreceptor ele-trofotográfico; dissolução de pluralidade de camadas de revestimento no sol-vente de liberação, onde pelo menos uma da pluralidade de camadas derevestimento compreende uma molécula de transporte de carga; extração demolécula de transporte de carga; e purificação de molécula de transporte decarga. Em uma concretização, uma molécula de transporte de carga é N1N'-difenil-N,N'-bis-(3-metilfenil)-(1,1'-bifenil)-4,4'-diamina.
Para um melhor entendimento, pode ser feita referência à figuraacompanhante.
Figura 1 é uma ilustração de um fotorreceptor eletrofotográficode acordo com as presentes concretizações; e
Figura 2 ilustra um fotorreceptor eletrofotográfico mostrando vá-rias camadas de acordo com as presentes concretizações.A menos que de outro modo notado, o mesmo numerai de refe-rência em diferentes figuras refere-se à mesma ou similar característica.
Na descrição que se segue, é feita referência aos desenhos a -companhantes, que formam à parte disto e que ilustram várias concretiza-ções.
A Figura 1 é uma ilustração de um fotorreceptor eletrofotográficomostrando a construção do tambor fotorreceptor e várias camadas chaves.Como mostrado na Figura 1, o fotorreceptor eletrofotográfico inclui um tam-bor fotorreceptor cilíndrico 10, uma camada de liberação 3, e flanges 11 e 12adaptados à abertura em cada extremidade do tambor fotorreceptor 10.Flange externo 11 e flange interno 12 são montados nas extremidades doorifício de fixação cilíndrico 17 usando um adesivo epóxi. Flange interno 12consiste em um apoio 14, tira de aterramento 15 e engrenagem de aciona-mento 16. Em alguns projetos, qualquer flange pode conter a tira de aterra-mento, a engrenagem de acionamento e o apoio ou a função pode ser divi-dida entre os dois flanges em qualquer combinação que tenha um contato demola para o eixo de apoio e um contato de fricção para a superfície de subs-trato interna. Os outros membros 13 constituindo o fotorreceptor eletrofoto-gráfico são descritos abaixo. As camadas membros 13 são mostradas naFigura 2.
A Figura 2 ilustra um fotorreceptor eletrofotográfico típico mos-trando várias camadas. Fotorreceptores eletrofotográficos de multicamadasou membros de formação de imagem podem ter pelo menos duas camadas,e podem incluir um substrato, uma camada condutora, uma camada de Iibe-ração, uma camada de sub-revestimento, uma camada adesiva opcional,uma camada de foto-geração, uma camada de transporte de carga, umacamada de revestimento superior opcional e, em algumas concretizações,uma camada de forro anti-encrespamento. Na configuração de multicama-das, as camadas ativas do fotorreceptor são a camada de geração de carga(CGL) e a camada de transporte de carga (CTL). Aperfeiçoamento de trans-porte de carga através destas camadas provê melhor desempenho de fotor-receptor. Camadas de revestimento superior são comumente incluídas paraaumentar resistência a arranhão e desgaste mecânico.
A camada de sub-revestimento está, geralmente, localizada en-tre o substrato e a camada de formação de imagem, embora camadas adi-cionais possam estar presentes e localizadas entre estas camadas. O mem-bro de formação de imagem também pode incluir uma camada de geraçãode carga e uma camada de transporte de carga.
Tipicamente, um substrato flexível ou rígido 1 é provido comuma superfície ou revestimento eletricamente condutor opcional 2. O subs-trato pode ser opaco ou substancialmente transparente e pode compreenderqualquer material apropriado tendo as requeridas propriedades mecânicas.Da mesma maneira, o substrato pode compreender uma camada de um ma-terial eletricamente condutor ou não-condutor tal como uma composição i-norgânica ou orgânica. Como materiais eletricamente não-condutores, po-dem ser empregadas várias resinas conhecidas para este propósito incluin-do poliésteres, policarbonatos, poliamidas, poliuretanos, e similares que sãoflexíveis como tramas finas. Um substrato eletricamente condutor pode serqualquer metal, por exemplo, alumínio, níquel, aço, cobre, e similares ou ummaterial polimérico, cheio com uma substância eletricamente condutora, talcomo carbono, pó metálico, e similares, ou um material eletricamente condu-tor orgânico. Em certas concretizações, o substrato é feito de alumínio ouuma liga de alumínio.
O substrato eletricamente condutor ou isolante pode estar naforma de uma correia flexível sem fim, uma trama, um cilindro rígido, umafolha e similares. A espessura da camada de substrato depende de numero-sos fatores, incluindo desejada resistência e considerações econômicas.Assim, para um tambor, esta camada pode ser de substancial espessura de,por exemplo, até muitos centímetros ou, de uma espessura mínima de me-nos que um milímetro. Similarmente, uma correia flexível pode ser de espes-sura substancial, por exemplo, cerca de 250 micrometros, ou de espessuramínima de menos que 50 micrometros, contanto que não haja efeitos adver-sos sobre o dispositivo eletrofotográfico final. A espessura de parede dosubstrato é feita para ser pelo menos cerca de 0,5 mm para satisfazer osrequisitos físicos do dispositivo fotorreceptor. Em certas concretizações, aespessura do substrato é de cerca de 0,5 mm a cerca de 3 mm, ou de cercade 0,9 mm a cerca de 2,0 mm. Entretanto, a espessura do substrato tambémpode estar fora destas faixas.
A superfície do substrato é polida para um acabamento similar aespelho através de um processo apropriado tal como movimento giratóriocom diamante, polimento metalúrgico, brunimento com pérola de vidro e si-milares, ou uma combinação de movimento giratório com diamante seguidopor polimento metalúrgico ou brunimento com pérola de vidro. Minimizaçãode refletividade da superfície pode eliminar causas de defeitos por reflexõesde superfície que têm a aparência de padrões de madeira compensada emáreas de meio tom em impressões. Em certas concretizações, a aspereza desuperfície de um substrato está entre cerca de 0,14 a cerca de 0,26 micron.
Em concretizações, onde a camada de substrato não é conduto-ra, a sua superfície pode ser tornada eletricamente condutora por um reves-timento eletricamente condutor 2. O revestimento condutor pode variar emespessura sobre faixas substancialmente amplas dependendo da transpa-rência ótica, grau de flexibilidade desejado, e fatores econômicos.
Uma camada de liberação 3 pode ser depositada sobre umsubstrato 1, ou sobre um revestimento eletricamente condutor 2, se presen-te. Uma camada de liberação também pode ser aplicada a um orifício defixação 17 do fotorreceptor. Uma camada de sub-revestimento 4 pode serformada sobre uma camada de liberação 3. Em certas concretizações, parteou toda da camada adesiva opcional 5 pode estar em contato com a camadade liberação. Uma camada de liberação inclui um ou mais compostos orga-nossilano (compostos silano hidrolisados). Compostos organossilano inclu-em, por exemplo, gama-aminopropiltrietoxissilano, gama-glicidoxipropiltrimetoxissilano, N-beta-aminoetil gama-aminopropiltrimetoxissilano, gama-glicidoxipropil trimetoxissilano, gama-glicidoxipropilmetildimetoxissilano, gama-glicidoxipropildimetilmetoxissilano,gama-glicidoxipropiltrietoxissilano, gama-glicidoxipropilmetildietoxissilano,gama-glicidoxipropildimetiletoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil) etiltrimeto-xissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildimetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil) etildimetilmetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etiltrietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etildimetiletoxissilano, 4-aminobutiltrietoxissilano, hidroximetil-trietoxissilano, 3-[hidroxi(polietilenoxi)propil]heptametiltrissiloxano, e 2-(carboximetiltio)etiltrimetilssilano. Em certas concretizações, um compostoorganossilano está presente em uma quantidade de cerca de 0,1 porcento acerca de 100 porcento em peso do peso total de uma camada de liberação.
Uma camada de liberação também pode opcionalmente conter outros ingre-dientes tais como, por exemplo, óxido de polietileno, ácido poliacrílico e áci-do acético. Em uma concretização, uma camada de liberação é gama-aminopropiltrietoxissilano. A espessura da camada de liberação está entrecerca de 50 nm e cerca de 10 micra, entre cerca de 0,1 micron e cerca de 5micra, ou entre cerca de 0,5 micron e cerca de 2 micra. Uma camada de li-beração inclui materiais que têm boa adesão às camadas que estão em con-tato com a camada de liberação, tais camadas incluem o substrato, o orifíciode fixação, a camada de sub-revestimento, e a camada adesiva. A camadade liberação também demonstra boa solubilidade em um solvente de Iibera-ção. Exemplos de solventes de liberação incluem, mas não são limitados a,água, tetraidrofurano, metil etil cetona, acetona, tolueno, cloreto de metileno,clorobenzeno, solução de hidróxido de amônio, dimetilformamida, N-metilpirrolidinona, e álcool tal como, metanol, etanol, propanol, e misturasdos mesmos. Em certas concretizações, a camada de liberação é solúvel emágua. Em certas concretizações, a camada de liberação tem desejáveis pro-priedades elétricas, boa adesão ao substrato metalizado, tal como o substra-to de alumínio, e provê boa adesão à camada de revestimento inferior.
Uma camada de liberação 3 pode ser aplicada ou revestida so-bre um substrato e/ou um orifício de fixação através de qualquer técnica a-propriada conhecida, tal como espargimento, revestimento de imersão, re-vestimento com barra de puxar, revestimento de gravura, tela de seda, re-vestimento com faca de ar, revestimento com rolo reverso, deposição à vá-cuo, tratamento químico e similares. Adicional formação de vácuo, aqueci-mento, secagem e similares, podem ser usados para remoção de qualquersolvente permanecendo após a aplicação ou revestimento para formar acamada de revestimento.
Em certas concretizações, um substrato inteiro é revestido comuma camada de liberação compreendendo um ou mais compostos organos-silano. Em certas concretizações, um substrato inteiro é revestido com umacamada de liberação compreendendo gama aminopropiltrietoxissilano.
Uma camada de revestimento inferior 4 pode ser aplicada a umacamada de liberação 3. A espessura da camada de revestimento inferior éde cerca de 20 nm a cerca de 30 micra. Em uma concretização, a espessurada camada de revestimento inferior é de cerca de 1 a cerca de 23 micra.
Um membro de formação de imagem pode ser provido em umnúmero de formas. Por exemplo, o membro de formação de imagem podeser uma camada homogênea de um material único ou ela pode ser uma ca-mada compósita contendo um fotocondutor e um outro material. Em adição,o membro de formação de imagem pode estar em camadas. Estas camadaspodem estar em qualquer ordem, e algumas vezes podem ser combinadasem uma camada simples ou mista.
Pelo menos uma camada de formação de imagem 9 é formadasobre uma camada adesiva 5 ou uma camada de revestimento inferior 4.Uma camada de formação de imagem 9 pode ser uma camada simples quedesempenha ambas funções de transporte e geração de carga como é bem-conhecido na técnica, ou ela pode compreender múltiplas camadas tal comouma camada geradora de carga 6, uma camada de transporte de carga 7, euma camada de revestimento superior opcional 8. Geralmente, a espessurada camada de geração de carga é de cerca de 10 nm a cerca de 5 micra.Em uma concretização, a espessura da camada de geração de carga é decerca de 10 nm a cerca de 1 micron.
A espessura da camada de transporte de carga 7 é de cerca de0,5 micron a cerca de 50 micra. Em uma concretização, A espessura da ca-mada de transporte de carga é de cerca de 15 a cerca de 35 micra.A camada de transporte de carga 7 pode compreender uma mo-lécula de transporte de carga dissolvida ou molecularmente dispersa em umpolímero eletricamente inerte formando filme tal como policarbonato. O ter-mo "dissolvida" como aqui empregado é aqui definido como formando umasolução na qual a molécula de transporte de carga é dissolvida no polímeropara formar uma fase homogênea. A expressão "molecularmente dispersa"como aqui usada é definida como uma molécula de transporte de carga dis-persa no polímero, as moléculas sendo dispersas no polímero em uma esca-la molecular. Qualquer molécula eletricamente ativa ou transportando cargaapropriada pode ser empregada na camada de transporte de carga destainvenção. A expressão molécula de transporte de carga é aqui definida comoum monômero que permite que a carga livre foto-gerada na camada detransporte seja transportada através de camada de transporte. Moléculas detransporte de carga típicas incluem, por exemplo, pirazolinas como 1 -fenil-3-(4'-dietilamino estiril)-5-(4"-dietilamino fenil)pirazolina, diaminas tal comoN,N'-difenil-N,N'-bis-(3-metilfenil)-(1,1'-bifenil)-4,4'-diamina (m-TBD), hidra-zonas tais como N-fenil-N-metil-3-(9-etil)carbazil hidrazona e 4-dietil aminobenzaldeído-1,2-difenil hidrazona, e oxadiazóis tais como 2,5-bis(4-N,N'-dietilaminofenil)-1,2,4-oxadiazol, estilbenos e similares. Em certas concreti-zações, a molécula de transporte de carga é N,N'-difenil-N,N'-bis-(3-metilfenil)-(1,1'-bifenil)-4,4'-diamina. Exemplos de aril aminas específicasque podem ser selecionadas para a camada de transporte de carga incluemN,N'-difenil-N,N'-bis-(alquil fenil)-1,1-bifenil-4,4'-diamina onde alquila é sele-cionada do grupo consistindo em metila, etila, propila, hexila, e similares;N,N'-difenil-N,N'-bis-(halofenil)-1,1'-bifenil-4,4'-diamina onde o substituintehalo é um substituinte cloro; N,N'-bis-(4-butilfenil)-N,N'-di-p-tolil-[p-terfenil]-4,4"-diamina, N,N'-bis-(4-butilfenil)-N,N'-di-m-tolil-[p-terfenil]-4,4"-diamina,N,N'-bis-(4-butilfenil)-N,N'-di-o-tolil-[p-terfenil]-4,4"-diamina, N,N'-bis-(4-butilfenil)-N,N'-bis-(4-isopropilfenil)-[p-terfenil]-4,4"-diamina, N,N'-bis-(4-butilfenil)-N)N'-bis-(2-etil-6-metilfenil)-[p-terfenil]-4,4"-diamina, N,N'-bis-(4-butilfenil)-N,N'-bis-(2,5-dimetilfenil)-[p-terfenil]-4,4'-diamina, N,N'-difenil-N,N'-bis-(3-clorofenil)-[p-terfenil]-4,4"-diamina, e similares.As concretizações ainda provêm um método para remoção deuma pluralidade de camadas de revestimento a partir de um fotorreceptoreletrofotográfico compreendendo uma camada de liberação como aqui des-crita. A camada de liberação facilita a remoção da camada fotossensível en-quanto preserva as características de desempenho elétrico. A camada temde prover adequar o transporte de carga entre a camada condutiva e a ca-mada de revestimento inferior ou camada de geração. O método compreen-de submeter um fotorreceptor eletrofotográfico a um solvente de liberação,dissolução de uma camada de liberação no solvente de liberação, e separa-ção de uma pluralidade de camadas de revestimento a partir do fotorreceptoreletrofotográfico. Em geral, as camadas fotorreceptoras inteiras são separa-das do substrato. De modo a separar cada camada de revestimento, umprocesso de dissolução de controle pode precisar ser aplicado. Em certasconcretizações, o método compreende encharcamento de um fotorreceptoreletrofotográfico com um solvente de liberação, dissolução de uma camadade liberação no solvente de liberação, e separação de uma pluralidade decamadas de revestimento do fotorreceptor eletrofotográfico. Em certas con-cretizações, o método compreende encharcar um fotorreceptor eletrofotográ-fico em água, dissolver uma camada de liberação em água, e separar umapluralidade de camadas de revestimento do fotorreceptor eletrofotográfico. Atemperatura de processo está fortemente relacionada ao ponto de ebuliçãodos solventes, mas em geral, ela deve ser menos que 100°C. A temperaturado solvente de liberação pode ser mantida em temperatura ambiente, ou elapode ser elevada para aperfeiçoar a dissolução da camada de liberação. Porexemplo, a temperatura do solvente de liberação é elevada para entre cercade 50°C a menos que 100°C, ou entre 60°C a cerca de 90°C. Em geral, oprocesso de dissolução inclui encharcamento de um fotorreceptor eletrofoto-gráfico em um solvente de liberação por um período de entre cerca de 1 mi-nuto e até vários dias, dependendo da eficiência dos solventes e temperatu-ras. Por exemplo, um fotorreceptor eletrofotográfico pode ser encharcado emum solvente de liberação por um período de entre cerca de 1 minuto e cercade 10 dias, por um período de entre cerca de 5 minutos e cerca de 5 dias, oupor um período de entre cerca de 1 hora e cerca de 10 horas. Tipicamente, ainteira camada de liberação é dissolvida no solvente de liberação. Entretan-to, parte ou a inteira camada de liberação também pode ser intumescida nosolvente de liberação para ser separada do substrato.
Ainda, as concretizações provêm um método para recuperaçãode uma molécula de transporte de carga. O método compreende submeterum fotorreceptor eletrofotográfico a um solvente de liberação, o fotorreceptoreletrofotográfico compreendendo um substrato, uma camada de liberaçãorevestida sobre o substrato, e uma pluralidade de camadas de revestimentodispostas sobre a camada de liberação, onde a camada de liberação provêcapacidade de separação da camada de liberação e pluralidade de camadasde revestimento a partir do substrato durante fabricação ou reciclagem dofotorreceptor eletrofotográfico, e ainda onde pelo menos uma da pluralidadede camadas de revestimento compreende uma molécula de transporte decarga; dissolução de molécula de transporte de carga no solvente de libera-ção; extração de molécula de transporte de carga; e purificação de moléculade transporte de carga.
A pluralidade de camadas de revestimento pode não ser solúvelno solvente de liberação. Em certas concretizações, o método ainda com-preende separação da pluralidade de camadas de revestimento por filtração.Em certas concretizações, o método ainda compreende secagem do filtradocontendo a molécula de transporte de carga. Em certas concretizações, ométodo ainda compreende extração de molécula de transporte de carga. Emcertas concretizações, o método ainda compreende purificação de moléculade transporte de carga. Em certas concretizações, a molécula de transportede carga é N,N'-difenil-N,N'-bis-(3-metilfenil)-(1,1'-bifenil)-4,4'-diamina.
Os termos "camada de bloqueio de carga", "camada de bloqueiode cavidade" e "camada de bloqueio" são geralmente usados intercambia-velmente com a frase "camada de revestimento inferior".
Os termos "camada de geração de carga", "camada gerandocarga", e "camada geradora de carga" são geralmente usados intercambia-velmente com a frase "camada foto-geradora".Os termos "molécula de transporte de carga" são geralmenteusados intercambiavelmente com os termos "molécula de transporte de ca-vidade".
O termo "eletrostatográfica" inclui "eletrofotográfica" e "xerográfi-ca".
O termo "fotorreceptor" ou "fotocondutor" é geralmente usadointercambiavelmente com os termos "membro de formação de imagem".
O exemplo aqui mostrado abaixo é ilustrativo de diferentes com-posições e condições que podem ser usadas na prática das presentes con-cretizações.
Uma resina poliéster V2200B (adquirida de Bostik), 10 g, poli-carbonato PCZ-200, 10 g, e 3-aminopropiltrietoxissilano, 20 g, foram mistu-rados em solventes contendo etanol, 1 g, tetraidrofurano, 252 g, e tolueno,108 g. Após mistura por 2 horas em temperatura ambiente, a solução clarafoi revestida sobre um substrato fotorreceptor de alumínio e secada a 125°Cpor 15 minutos. Esta camada de liberação foi revestida em uma espessuraentre cerca de 0,5 miron e cerca de 2 micra. Então, camadas fotorreceptorasincluindo camada de geração de carga e camada de transporte de carga (25micra) foram revestidas para formação de um dispositivo fotorreceptor aca-bado.
As propriedades elétricas xerográficas do dispositivo podem serdeterminadas através de meios conhecidos, incluindo como aqui indicadocarga eletrostática de suas superfícies com uma fonte de descarga coronaaté os potenciais de superfície, como medidos por uma sonda acoplada demodo capacitante ligada a um eletrômetro, obteve um valor inicial Vo de cer-ca de -700 volts. Cada membro foi então exposto a luz de um laser de 780nanometros com >100 erg/cm2 de energia de exposição, pelo que induzindouma foto-descarga que resultou em uma redução de potencial de superfíciepara um baixo valor V medido em 2,65 ergs/cm2, um valor Vr (potencial resi-dual). A tabela 1 resume o desempenho elétrico destes dispositivos compa-rados a uma amostra controle sem camada de liberação, e cujos dados detabela ilustram que o transporte de elétrons do dispositivo para o plano terracondutor é mantido pela camada de liberação nos membros foto-condutoresilustrativos da presente invenção.
<table>table see original document page 15</column></row><table>
O dispositivo fotorreceptor descrito acima foi submerso em umamistura de etanol, tetraidrofurano e água (razão 25/25/50 em peso) a 60°C ±2°C por 1 hora. Todas as camadas de fotorreceptor caíram do substrato dealumínio através de leve sacudida.

Claims (23)

1. Fotorreceptor eletrofotográfico, compreendendo:um substrato;uma camada de liberação revestida sobre o substrato; euma pluralidade de camadas de revestimento dispostas sobre acamada de liberação, em que a camada de liberação é solúvel em um sol-vente de liberação compreendendo álcool, água, ou misturas dos mesmo, eainda em que o solvente de liberação provê capacidade de separação dacamada de liberação e pluralidade de camadas de revestimento a partir dosubstrato durante fabricação ou reciclagem do fotorreceptor eletrofotográfico.
2. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 1, ainda compreendendo um flange que é disposto em uma porção de ex-tremidade do fotorreceptor.
3. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 1, em que a espessura do substrato é de cerca de 0,5 a cerca de 3 mm.
4. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 1, em que o substrato é feito de alumínio ou uma liga de alumínio.
5. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 1, em que a pluralidade de camadas de revestimento compreende uma oumais das seguintes camadas: uma camada de revestimento inferior, umacamada de geração de carga, uma camada de transporte de carga, e umacamada de formação de imagem simples compreendendo uma combinaçãode uma camada de geração de carga e uma camada de transporte de carga.
6. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 5, em que a espessura da camada de revestimento inferior é de cerca de 20nm a cerca de 30 micra.
7. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 5, em que a espessura da camada de geração de carga é de cerca de 10 nma cerca de 5 micra.
8. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação 5, em que a espessura da camada de transporte de carga é de cerca de 0,5micron a cerca de 50 micra.
9. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindicação-1, em que a camada de liberação compreende um composto organossilano.
10. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindica-ção 9, em que o composto organossilano está presente em uma quantidadede cerca de 0,1 porcento a cerca de 100 porcento em peso do peso total dacamada de liberação.
11. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindica-ção 9, em que o composto organossilano é selecionado do grupo consistindoem: gama-aminopropiltrietoxissilano, gama-glicidoxipropiltrimetoxissilano, N-beta-aminoetilgamaaminopropiltrimetoxissilano, gama-glicidoxipropiltrimetoxissilano, gamaglicidoxipropilmetildimetoxissilano, ga-ma-glicidoxipropildimetilmetoxissilano, gama-glicidoxipropiltrietoxissilano,gama-glicidoxipropilmetildietoxissilano, gama-glicidoxipropildimetiletoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etiltrimetoxissilano,beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildimetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etildimetilmetoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etiltrietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etilmetildietoxissilano, beta-(3,4-epoxiciclohexil)etildimetiletoxissilano, 4-aminobutiltrietoxissilano, hidroximetil-trietoxissilano, 3-[hidroxi(polietilenoxi)propil]heptametiltrissiloxano, 2-(carboximetiltio)etiltrimetilsilano e misturas dos mesmos.
12. Fotorreceptor eletrofotográfico de acordo com a reivindica-ção 11, em que o composto organossilano é gama-aminopropiltrietoxis-silano.
13. Método de separação de uma pluralidade de camadas derevestimento de um fotorreceptor eletrofotográfico compreendendo um subs-trato disposto sobre um orifício de fixação; uma camada de liberação reves-tida sobre o substrato e o orifício de fixação; e uma pluralidade de camadasde revestimento dispostas sobre a camada de liberação, o método compre-endendo as etapas de:sujeição de fotorreceptor eletrofotográfico a um solvente de libe-ração;dissolução da camada de liberação no solvente de liberação; eseparação da pluralidade de camadas de revestimento do subs-trato e o orifício de fixação.
14. Método de acordo com a reivindicação 13, em que a etapade sujeição compreende encharcamento do fotorreceptor eletrofotográficoem um solvente de liberação.
15. Método de acordo com a reivindicação 13, em que o fotorre-ceptor eletrofotográfico é encharcado no solvente de liberação por um perío-do de entre cerca de 1 minuto e cerca de 10 dias.
16. Método de acordo com a reivindicação 13, em que a tempe-ratura do solvente de liberação é temperatura ambiente.
17. Método de acordo com a reivindicação 13, em que a tempe-ratura do solvente de liberação é elevada para cerca de 50°C a menos que-100°C.
18. Método de acordo com a reivindicação 13, em que o substra-to é fabricado de alumínio ou uma liga de alumínio.
19. Método de acordo com a reivindicação 13, em que a plurali-dade de camadas de revestimento compreende uma camada de revestimen-to inferior, uma camada de geração de carga e uma camada de transportede carga.
20. Método de acordo com a reivindicação 13, em que o com-posto organossilano está presente em uma quantidade de cerca de 0,1 por-cento a cerca de 100 porcento em peso do peso total da camada de libera-ção.
21. Método de acordo com a reivindicação 13, em que o com-posto organossilano é gama-aminopropiltrietoxissilano.
22. Método de recuperação de uma molécula de transporte decarga compreendendo:sujeição de um fotorreceptor eletrofotográfico a um solvente deliberação, o fotorreceptor eletrofotográfico compreendendo um substrato,uma camada de liberação revestida sobre o substrato, e uma pluralidade decamadas de revestimento dispostas sobre a camada de liberação, em que acamada de liberação prove capacidade de separação da camada de libera-ção e pluralidade de camadas de revestimento a partir do substrato durantefabricação ou reciclagem do fotorreceptor eletrofotográfico;dissolução de pluralidade de camadas de revestimento no sol-vente de liberação, em que pelo menos uma pluralidade de camadas de re-vestimento compreende uma molécula de transporte de carga;extração de molécula de transporte de carga; epurificação de molécula de transporte de carga.
23. Método de acordo com a reivindicação 22, em que a molécu-la de transporte de carga é N,N'-difenil-N,N'-bis-(3-metilfenil)-(1,1'-bifenil)--4,4'-diamina.
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