BRPI0615190B1

BRPI0615190B1 - Dispositivo de emissão de luz semicondutor

Info

Publication number: BRPI0615190B1
Application number: BRPI0615190-6A
Authority: BR
Inventors: Yu-Chen Shen; Nathan F. Gardner; Satoshi Watanabe; Gerd O. Mueller; Michael R. Krames
Original assignee: Philips Lumileds Lighting Company, Llc
Priority date: 2005-08-24
Filing date: 2006-08-16
Publication date: 2018-08-07
Also published as: CN101297410B; US20070145384A1; US9640724B2; RU2008110934A; JP2013102240A; BRPI0615190A2; US20070045638A1; CN101297410A; EP1922766A1; WO2007023419A1; JP2007067418A; TWI438921B; TW200717871A; KR20080040770A; US20170117440A9; US8847252B2; US20160093770A1; US20090261361A1; US7880186B2; RU2412505C2

Abstract

dispositivo de emissão de luz semicondutor. uma camada de emissão de luz de nitreto iii é disposta entre uma região do tipo n e uma região do tipo p. a camada de emissão de luz é uma camada espessa dopada. em algumas modalidades, a camada de emissão de luz é imprensada entre duas camadas de espaçamento dopadas.

Description

(54) Título: DISPOSITIVO DE EMISSÃO DE LUZ SEMICONDUTOR (51) Int.CI.: H01L 33/32; H01L 33/06 (30) Prioridade Unionista: 24/08/2005 US 11/211,921 (73) Titular(es): PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC (72) Inventor(es): YU-CHEN SHEN; NATHAN F. GARDNER; SATOSHI WATANABE; GERD O. MUELLER; MICHAEL R. KRAMES (85) Data do Início da Fase Nacional: 21/02/2008 “DISPOSITIVO DE EMISSÃO DF. EUZ SEMICONDUTOR”

FUNDAMENTOS CAMPO DA INVENÇÃO

Esta invenção se refere a região de emissão de luz de um 5 dispositivo semicondutor de emissão de luz.

DESCRIÇÃO DA TÉCNICA RELACIONADA

Dispositivos semicondutores de emissão de luz incluindo diodos de emissão de luz (LEDs), diodos de emissão de luz de cavidade ressonante (RCLEDs), diodos de laser de cavidade vertical (VCSELs), e lasers de emissão de borda estão entre os mais eficientes fontes de luz atualmente disponíveis, sistemas de materiais atualmente de interesse na fabricação de dispositivos de emissão de luz de alta luminosidade capazes de operação através do espectro visível inclui semicondutores do GRupo III-V, particularmente binário, temário, quaternário ligas de gálio, alumínio, índio, e nitrogênio,também referenciados como materiais de Nitreto III. Tipicamente, dispositivo semicondutor de emissão de luz de Nitreto III são fabricados de forma epitaxial desenvolvendo uma pilha de camadas de semicondutores de composições e concentrações de dopagem diferentes em safira, carboneto de silício, Nitreto III, ou outro substrato adequado através de deposição química de vapor de metal orgânico, (MOCVD), epitaxia de feixe molecular (MBE), ou outras técnicas epitaxiais. A pilha freqüentemente inclui um ou mais camadas do tipo n dopadas com, por exemplo, Si, formado sobre o substrato, uma região ativa ou de emissão de luz formada sobre a camada ou camadas do tipo n, e uma ou mas camadas do tipo p dopadas com, por exemplo, Mg, formada sobre a região ativa. Dispositivos de Nitreto III formados nos substratos condutivos podem ter os contatos n e p formados em lados opostos do dispositivo. Freqüentemente, dispositivos de Nitreto III são fabricados sobre substratos isolantes, tais como safira, com ambos os contatos no mesmo lado do dispositivo. Tais dispositivos são montados tal que luz é extraída ou ί

através dos contatos (conhecido com um dispositivo de epitaxia ascendente) ou através de uma superfície do dispositivo oposta aos contatos (conhecido com um dispositivo de chip virado).

Patente US 5.747.832 revela um dispositivo semicondutor de emissão de luz de gálio composto baseado em nitreto de uma estrutura heterogênea dupla. A estrutura heterogênea inclui uma camada de emissão de luz formada de um semicondutor composto de resistividade baixa In_xGaj__xN (0<x<l) com impureza do tipo n e / ou tipo p Ver U.S. 5,747,832, resumo. Especificamente, coluna 5 linhas 45-50 diz “ [ i ]n a presente invenção, a camada de emissão de luz 18 preferencialmente tem uma espessura dentro de um intervalo tal que o dispositivo de emissão de luz da presente invenção fornece uma intensidade de luz relativa prática de 90% ou mais, em mais detalhes, a camada de emissão de luz 18 preferencialmente tem uma espessura de 10 À para 0,5 pm, e mais preferencialmente 0,01 para 0,2 pm Coluna 10,linhas 44 - 49 revela “ [ i ]n a terceira modalidade, a impureza do tipo n dopada em In_xGai._xN da camada de emissão de luz 18 é preferencialmente silício (Si). A concentração da impureza do tipo n é preferencialmente 1 x 10 / cm para 1x10 / cm a partir do ponto de vista das características de emissão de luz, emais preferencialmente 1x10 /cm para 1x10 /cm ”,

Dispositivos de Nitreto III comerciais com camadas de emissão de luz de INGaN freqüentemente têm múltiplas camadas de emissão de luz de quantum poços de quantum menos do que 50 Â e tipicamente dopadas para menos do que cerca de 1 x 1018 / cm-3, como esses projetos de poços de quantum podem melhorar desempenho, especialmente em material epitaxial de qualidade pobre, em corrente de operação baixa. Em correntes de operação mais alta, desejável para iluminação, esses dispositivos somente diminuição de eficiência com o aumento da densidade de corrente. Necessários na técnica, são dispositivos que exibem eficiência alta em densidade de corrente alta.

'1

SUMARIO

De acordo com modalidades da invenção, uma camada de emissão de luz de Nitreto III é disposta entre uma região do tipo n e uma região do tipo p. A camada de emissão de luz é dopada para uma concentração de dopante entre 6 x 10¹⁸ cm'^J e 5 x 10¹⁹ cnf, e tem uma espessura entre 50 Â e 250 Ã. Em algumas modalidades, a camada de emissão de luz é imprensada entre e em contato direto com dois tipos de camadas de espaçamento somente tipo n e uma ou ambas as camadas de 1fi espaçamento são dopadas para uma concentração de dopante entre 6x10 10 cm'³ e 5 x 10¹⁹ cm³.

DESCRIÇÃO BREVE DOS DESENHOS

Fig. 1 ilustra um dispositivo de emissão de luz de Nitreto III. Fig. 2 e um gráfico da eficiência de quantum externa como uma função da densidade de corrente para um dispositivo como mostrado na 15 Fig. 1 e um dispositivo de acordo com modalidades da presente invenção.

Fig. 3 ilustra um dispositivo de emissão de luz de Nitreto III de acordo com modalidades da invenção.

Fig. 4 é um gráfico do tempo de queda como uma função do nível de dopagem de silício por várias películas de InGaN.

Fig. 5 e 6 são uma vista de topo e uma vista de seção transversal de um dispositivo de emissão de luz de chip virado de grande junção.

Fig. 7 ilustra um dispositivo de emissão de luz de película fina. Fig. 8 é um vista explodida de um dispositivo de emissão de luz montado

Fig. 9A e 9B ilustra eficiência de quantum interna relativa como uma função do nível de dopagem de silício na camada de emissão de luz e primeira e segunda camadas de espaçamento para dispositivos de acordo com modalidades da invenção emitindo luz em 450 nm, e 400 nm, £

respectivamente.

Fig. 10 ilustra eficiência de quantum interna relativa como uma função da espessura da camada de emissão de luz para vários dispositivos.

Fig. 11 ilustra eficiência de injeção e eficiência de quantum interna como uma função da composição da camada de bloqueio para vários dispositivos simulados.

Fig. 12 ilustra eficiência de quantum interna relativa como uma função da composição da camada de bloqueio observada em dispositivos reais.

Fig. 13A - 13K ilustra porção da banda de condução para dispositivos incluindo graduação na região de emissão de luz.

DESCRIÇÃO DETALHADA

Fig. 1 ilustra um dispositivo de emissão de luz de Nitreto III comum. Uma região do tipo η 11 é desenvolvida sobre um substrato de safira 10. Uma região ativa 12, incluindo múltiplas camadas finas de poço de quantum separadas por camadas de barreira, é desenvolvida sobre região do tipo η 11, seguida de uma camada de espaçamento de GaN 13 e uma camada de AlGaN do tipo p, e uma camada de contato de tipo p 15.

Fig. 2 ilustra a eficiência de quantum externa de um dispositivo tal como o dispositivo da Fig. 1 (triângulos na Fig. 2) e um dispositivo de acordo com uma modalidade da presente invenção (círculos na Fig. 2). A eficiência de quantum externa é a eficiência de quantum interna, definida como o fluxo de fótons produzidos dividido pelo flux de portadores fornecidos, multiplicado pela eficiência de extração. Para um dado projeto de lâmpada, a eficiência de extração é constante, assim sendo, a eficiência de extração é a mesma para ambos dispositivos mostrados na Fig. 2. Conforme a densidade de corrente aplicada ao dispositivo da Fig. 1 aumenta, a eficiência de quantum externa do dispositivo inicialmente aumenta, depois diminui, como ilustrado na Fig. 2. Conforme a densidade de corrente aumenta de zero, a eficiência de quantum externa aumenta, atingindo um pico em uma densidade de corrente de cerca de 10A / cm“. Conforme a densidade de corrente aumente além de 10A /cm“, a eficiência de quantum externa cai rapidamente, então a diminuição na eficiência de quantum externa baixa em densidade de corrente alta, por exemplo, além de 200A / cm'. Modalidades da invenção são projetadas para reduzir ou reverter a queda em eficiência de quantum em densidade de corrente alta.

De acordo com modalidades da invenção, dispositivos de emissão de luz de Nitreto III inclui uma espessa região de emissão de luz de estrutura heterogênea dupla que é altamente dopada. Embora as modalidades abaixo descrevam, dispositivos onde a camada de emissão de luz é dopada do tipo n com Si, é para ser entendido que em outras modalidades, outras espécies de dopantes incluindo espécies de dopante do tipo p, podem ser usadas. Á espessa região de emissão de luz de estrutura heterogênea dupla pode reduzir carga de densidade de transportadora, e dopar em e adjacente a região de emissão de luz pode melhorar a qualidade do material da região de emissão de luz, ambos os quais podem reduzir o número de transportadores perdidos ou reverter a queda em eficiência de quantum em densidade de corrente alta observada na fig. 2 para o dispositivo da Fig. 1.

Fig. 3 ilustra um dispositivo de emissão de luz de acordo com modalidades da invenção. Uma região de emissão de luz 35 é imprensada entre uma região do tipo n 31 e uma região do tipo p 39. A região de emissão de luz 35 pode se espaçada da região do tipo n 31 e da região do tipo p 39 através de primeira e segunda camada de espaçamento opcionais 33 e 37. O dispositivo pode incluir uma camada de preparação opcional 32 disposta entre a região do tipo n 31 e o primeiro espaçamento 33,e / ou uma camada de bloqueio 38 opcional, disposta entre um segundo espaçamento 37 e a região do tipo p 39.

Mais propriamente do que camadas finas de poços de quantum separadas por camadas de barreira, região de emissão de luz 35 pode incluir um ou mais camada de emissão de luz espessas, por exemplo, mais espessa do que 40 ângstrons. Em algumas modalidades, região de emissão de luz 35 inclui uma única, camada de emissão de luz espessa com uma espessura entre 50 e 60 ângstrons, mais preferencialmente entre 100 e 250 ângstrons. O limite superior na espessura é devido as técnicas de desenvolvimento de corrente que resulta em qualidade pobre de material conforme a espessura da camada de emissão de luz aumenta além de 600 ângstrons, por exemplo, em espessuras de cerca de 1000 ângstrons. Qualidade pobre de material tipicamente resulta em eficiência de quantum interna reduzida. Conforme técnicas de desenvolvimento melhoram, desenvolvimento de dispositivos com camadas de emissão de luz mais espessas sem eficiência de quantum interna reduzida pode se possível e assim sendo, dentro do escopo das modalidades da invenção.

A espessura ótima pode depender do número de defeitos dentro da camada de emissão de luz. E geral, conforme o número de defeitos aumenta, a espessura ótima da camada de emissão de luz diminui. Em adição, defeitos podem ser centrados para recombinação não radioativa, assim sendo, é desejável reduzir o número de defeitos tanto quanto possível. Um defeito comentado nos materiais de Nitreto III é um deslocamento transversal. A concentração de deslocamentos transversais é medida por unidade de área. A concentração de deslocamentos transversais, na região de emissão de luz, é preferencialmente limitado a menos do que IO⁹ cm’², mais preferencial mente limita a menos do que 10 cm' , mais preferencialmente limitado a menos do que 10 cm , e mais preferencialmente limitado a menos do que 10 cm' . Alcançar as concentrações de deslocamentos transversais descritas acima pode requerer técnicas de desenvolvimento tais como desenvolvimento lateral epitaxial super, epitaxia de fase de vapor de hidreto, e desenvolvimento em substratos de GaN freestanding. Desenvolvimento lateral epitaxial super, envolve desenvolvimento seletivo de GaN sobre aberturas em uma camada de máscara formada em camada de GaN desenvolvida em um substrato de desenvolvimento convencional tal como safira. A coalescência do GaN desenvolvido seletivamente pode possibilitar o desenvolvimento de uma superfície plana de GaN sobre o inteiro substrato de desenvolvimento. Camada desenvolvida subseqüente a camada de GaN desenvolvida seletivamente pode exibir baixa densidades de defeito. Desenvolvimento lateral epitaxial super é descrito em mais detalhe em Mukai et al., “Ultraviolet IndiceGaN and GaN single-Quantum Weel-Structure Light-emitting Diodes Grown on Epitacial Laterally Overgrown GaN Substrates”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. camada de bloqueio 38 (1999) p. 5735, que é aqui incorporada para referência. Desenvolvimento epitaxial de fase de vapor de hidreto é descrita em mais detalhe em Motoki ett all.,” Preparation of Large Freestanding GaN substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate”, Jpn. J. Appl. Phys. vol. 40 (2001) p. L140, que é aqui incorporado para referência.

Em adição a ser espessa, as camadas de emissão de luz da região de emissão de luz 35 são dopadas, por exemplo, dopadas do tipo n com Si. Em algumas modalidades, Si é usada como o dopante porque Si pode fornecer outros melhoramentos para o material, tal como uma superfície áspera que pode melhorar a extração de luz do dispositivo ou aliviar a pressão na camada de emissão de luz. Fig. 4 é um gráfico de tempo de queda como uma função do nível de dopagem de silício parâmetro várias películas de InGaN. Para conseguir os dados ilustrados na Fig. 4, películas de InGasN dopadas aos níveis ilustradas foram testadas com um laser em intensidades de excitação baixas. Os tempos de vida dos portadores, i. e., o comprimento de tempo antes de um transportador seja consumido por um defeito, foram medidos. Um tempo de vida mais longo indica qualidade melhor do material na película; um tempo de vida mais curto indica qualidade pior do material.

Como ilustrado na Fig. 4, películas de InGaN dopados entre 6 x 10 e 2 x

IO¹⁰ cm³ tem os tempos de vida mais longo, indicando que rccombinação não radioativa é mais lenta nessas películas. Fig. 4 demonstra que a taxa de recombinação não radioativa pode ser influenciada pelos níveis de dopagem de Si nas camadas de emissão de luz.

Fig. 9A ilustra a eficiência de quantum interna em 330 A/cirT como uma função do nível de dopagem de silício para dispositivos com camadas de emissão de luz de In₀jóGa^N de 96 ângstrons de espessura que emitem luz em um pico de comprimento de onda de cerca de 450 nm. Fig. 9B ilustra a eficiência de quantum interna em 330 A/cm² como uma função do nível de dopagem de silício para dispositivos com camadas de emissão de luz de Ιη_0ϊΐ6θ^ο.84Ν de 96 ângstrons de espessura que emitem luz em um pico de comprimento de onda de cerca de 400 nm. Como na Fig. 4, Figs. 9A e 9B ilustram que dispositivos com camadas de emissão de luz de InGaN com níveis de dopagem de silício entre cerca de 6 x 10¹⁸ e 3 x 10¹⁹ cm’³ tem a mais alta eficiência de quantum interna. Em particular, Fig. 9A ilustra um pico em eficiência de quantum interna em 330 A/cm² de cerca de 2 x 10¹⁹ cm'³ para um dispositivo emitindo luz em um pico de comprimento de onda de cerca de

450 nm. Fig. 9B ilustra um pico em eficiência de quantum interna de cerca de

8x10 cm' para um dispositivo emitindo luz em um pico de comprimento de onda de cerca de 400 nm. Conforme o nível de dopagem na camada de emissão de luz cai abaixo de 6 x 10 cm ou aumenta acima de 3 x 10 cm , a eficiência de quantum interna cai. Conforme o nível de dopagem de silício aumente além de 3 x 10¹⁹cm³, a qualidade do material se toma pobre.

Os círculos na Fig. 2 ilustra a eficiência de quantum externa como uma função da densidade de corrente para um dispositivo de acordo com modalidades da invenção. No dispositivo ilustrado pelos círculos na Fig. 2, uma camada de emissão de luz de Ιηο.πθ^ο.δδΝ de 130 ângstrons de espessura é dopada com Si para uma concentração de 10¹⁹ cm³. Este dispositivo emite luz em cerca de 430 nm. Em contraste com o dispositivo da Fig. 1, ilustrado na Fig. 2 por triângulos, no dispositivo de acordo com as modalidades da invenção, a eficiência de quantum externa de cerca 26% em uma densidade de corrente de cerca de 250 A/cm². Na mesma densidade de corrente, o dispositivo da fig.l tem uma eficiência de quantum externa de somente cerca de 18% que cai conforme a densidade de corrente aumenta.

Em algumas modalidades, desempenho do dispositivo significantemente melhora somente quando uma espessura ótima de acordo com modalidades da invenção e os níveis de dopagem de silício ótimos de acordo com modalidades da invenção, são implementados juntos, como ilustrado na fig. 10, que é um gráfico de eficiência de quantum interna em 330 A/cm como uma função da espessura da camada de emissão de luz para vários dispositivos. Os diamantes na Fig. 10 representam dispositivos com uma camada de emissão de luz com uma densidade de deslocamentos transversais de 1,5 x 10 cm dopada para 10 cm ’ um nível de dopagem abaixo dos intervalos de dopagem de silício descritos acima. Os quadrados na Fig. 10 representam um dispositivo com uma camada de emissão de luz com uma densidade de deslocamento transversal de 4 x 10 cm dopada para 10 cm³, um nível de dopagem dentro dos intervalos de dopagem de silício ótimos descritos acima.

Como ilustrado pelos diamantes na Fig. 10, para uma camada de emissão de luz dopada para menos do que os níveis de dopagem ótimos descritos acima, a eficiência de quantum interna cais conforme a espessura da camada de emissão de luz aumenta dentro dos intervalos de espessura ótimos descritos acima. Por exemplo, a eficiência de quantum interna para um dispositivo com uma camada de emissão de luz dopada para 10 cm cai de um pico em uma espessura de camada de emissão de luz menos do que 50 ângstrons, para zero em uma espessura de camada de emissão de luz de cerca de 130 ângstrons. Ao contrário, conforme ilustrados pelos quadrados na Fig. 10, nos níveis de dopagem ótimos descritos acima, em uma espessura de camada de emissào de luz entre cerca dc 80 ângstrons e cerca de 230 ângstrons, a eficiência de quantum interna está acima da eficiência de quantum interna de pico observado parâmetro a camada de emissão de luz dopada para somente 10 cm''.

Fig. 10 também ilustra que mesmo se a camada de emissào de luz está dopada para os níveis de dopagem ótimos descritos acima, a eficiência de quantum interna do dispositivo sofre se a espessura da camada de emissão de luz está fora do intervalo de espessura ótimo descritos acima. Por exemplo, os quadrados na Fig. 10 ilustram que em 30 ângstrons, uma espessura comum para poços de quantum estreitos em um dispositivo tal como ilustrado na Fig. 1 e uma espessura abaixo das espessuras de camada de emissão de luz ótimas descritas acima, um dispositivo com uma camada de emissão de luz dopada para um nível de dopagem ótimo de 10¹⁹ cm³ ainda demonstra eficiência de quantum interna bem baixa. Assim sendo, em algumas modalidades ambos, a espessura da camada de emissão de luz e a concentração de dopante da camada de emissão de luz precisam estar dentro dos intervalos ótimos descritos acima de modo a realizar melhoramentos na eficiência de quantum interna.

Em algumas modalidades, primeira e segunda camadas de espaçamento primeiro espaçamento 33 e região de emissão de luz 35 dopadas de silício são combinada com as espessuras de região de emissão de luz e níveis de dopagem descritos acima, como ilustra na Tabela 1 abaixo, a eficiência de quantum interna de uma espessura, de forma ótima, camada de emissão de luz dopada de silício podem ainda ser impulsionadas dopando para os mesmos intervalos de dopagem, as camadas de espaçamento diretamente adjacentes Parâmetro camada de emissão de luz. As camadas de espaçamento podem ser,por exemplo, entre cerca de 20 e cerca de 1000 ângstrons de espessura, e são usualmente cerca de 100 ângstrons de espessura.

Tabela 1: Eficiência de Quantum Interna Relativa em 330 A/cm2 para Camadas de Emissão de Luz de InGaN de 64 À

		Dopagem da Camada de Espaçamento
		10⁸cm'^J	10^]y cm ³
Emissão de luz	ΙΟ^Σηί³	31%	41%
Dopagem da Camada	10^]* cm'^j	9,4%	39%

Os dados ilustrados nas Figs. 2, 4, e 19 e na Tabela 1 são para dispositivos com camadas de emissão de luz de InGaN com 12% de InN, que emite luz em cerca de 430 nm. Aumentando o comprimento de onda da luz emitida requer aumentar a quantidade de InN na camada de emissão de luz. em geral, como a quantidade de InN em uma camada aumenta, a qualidade do material da camada deteriora. Conseqüentemente, dispositivos com mais InN nas camadas de emissão de luz podem requerer maiores concentrações de dopante nas camadas de emissão de luz, de modo a alcançar os melhoramentos na eficiência, como ilustrado nas Figs. 2, 9A, e 10. Por exemplo,, em dispositivos com camadas de emissão de luz de InGaN com 16% de InN, que emitem luz em cerca de 450 nm, o nível de dopagem de silício ótimo pode ser, por exemplo, 1 x 10¹⁹ cm³ a 5 x 10¹⁹ cm'³ como ilustrado na Fig. 9A, em vez de 6 x 10 cm' a 10 cm' como ilustrado na Fig. 9B para um dispositivo emitindo luz em 400 nm.

Os exemplos acima descrevem a espessura ótima e níveis de dopagem para cada um, da primeira camada de espaçamento 33, região de emissão de luz 35 e segunda camada de espaçamento 37. Em várias modalidades uma ou mais regiões primeira camada de espaçamento 33, 35, e 37 podem sem dopados de forma ótima; camadas de espaçamento 33 e região de emissão de luz 35 podem ser dopadas de forma ótima e camada de espaçamento 37 pode não ser intencionalmente dopada ou pode ser dopada em um nível abaixo do intervalo ótimo, camada de espaçamento 37 e região de emissão de luz 35 podem ser dopados de forma ótima e camada de espaçamento 33 pode não ser intencionalmente dopada ou pode se dopada a um nível abaixo do intervalo ótimo, ou ambas, camadas de espaçamento 33 e 37 podem ser dopados de forma ótima e região de emissão de luz 35 pode não ser intencionalmente dopada ou pode ser dopada a um nível abaixo do intervalo ótimo.

Em algumas modalidades, a eficiência de quantum interna do dispositivo pode ser ainda melhorada incluindo uma camada de bloqueio 38 opcional, como ilustrado na Fig. 3. Camada de bloqueio 38 confina corrente dentro da camada de emissão de luz, e em algumas modalidades é uma célula alvo tipo p contendo alumínio, freqüentemente, tipo p de AlGaN ou tipo p de

AlInGaN. A eficiência de quantum interna em dispositivo é uma função do produto da eficiência de injeção de corrente e a eficiência de recombinação radioativa. A eficiência de injeção de corrente é a proporção da quantidade de corrente que se recombina na camada de emissão de luz para a quantidade de correspondente fornecida para o dispositivo. A eficiência de recombinação radioativa é a proporção da quantidade de corrente que se recombina na camada de emissão de luz e emite luz (em contraste com corrente que se recombina na camada de emissão de luz por exemplo, em um defeito de cristal, e não emite luz) para o total da quantidade de corrente que se recombina na camada de emissão de luz.

A eficiência de injeção é sensitiva para composição do A1N na camada de bloqueio 38. A “ altura ” da barreira fornecida pela camada de bloqueio 38 é determinada pela composição de A1N na camada de bloqueio, a magnitude de cargas de folha na interface entre camada de bloqueio 38 e camada de espaçamento 37, e a dopagem na 30 e camadas em tomo. Fig. 11 ilustra a eficiência de injeção e a eficiência de quantum interna como uma função da composição de A1N na camada de bloqueio 38 para dispositivos com camadas de emissão de luz de Ino^Ga^ggN e InojóGao^N de acordo com modalidades da invenção. Os dados na Fig. 11 forma derivado de simulações.

Os diamante e quadrados na Fig. 1 1 representam a eficiência de injeção e a eficiência de quantum interna de um dispositivo com uma camada de emissão de luz de InojôGao^N; os triângulos e marcas de x na Fig. 11 representam a eficiência de injeção e a eficiência de quantum interna de um dispositivo com uma camada de emissão de luz de Ino^Gao.ssN. Em 0% DE aEn NA camada de bloqueio 38, a eficiência de injeção e a eficiência de quantum interna são ambas em torno de zero. Conforme a composição de A1N na camada de bloqueio para 8%, a eficiência de injeção pula para acima de 50%. Conforme a composição de A1N aumenta acima de 8%, a eficiência de injeção melhora. Para uma eficiência maior do que 90%, a composição de alN pode ser, pelo menos, 15%.

Fig. 12 ilustra a eficiência de quantum interna como uma função da composição de AlN na camada de bloqueio 38, como observado nos dispositivos atuais que emitem luz em 430 nm. Como ilustrado na Fig. 12, conforme a composição de AlN na camada de bloqueio aumenta acima de 0%, a eficiência de quantum interna melhora para um pico em eficiência de quantum interna em uma composição de AlN, de cerca de 20%. Conseqüentemente, em algumas modalidades do dispositivo, a composição de AlN em uma camada de bloqueio de AlGaN é maior do que 8% e menos do que 30%, preferencialmente maior do que 15% e menos do que 25%. A redução em eficiência de quantum interna conforme a composição de AlN aumenta acima de 20% pode ser devido a incorporação de contaminadores durante desenvolvimento de camadas de composição de AlN alta.

As composições de AlN descritas acima podem ser generalizadas para lacunas de banda desejáveis para a camada de bloqueio 38, como ilustrado abaixo na Tabela 2. Os dados na Tabela 2 são calculados pela equação E g,AlxGal-xN = E g,GaN. (1-x) + E g,AlN. x-bx (1-x) onde E g,GaN é a lacuna de banda de GaN, 3,4 eV, E g,AlN é a lacuna de banda de AlN, 6,2 eV, e b é um parâmetro de curvatura, 1 eV a temperatura ambiente.

Tabela 2: Lacuna de Banda para Gamadas de Bloqueio de AI_xGa_kxN

X, Composição de A1N	E ^.λκ,ηχ (eV) \|
0,05	3,49
0.08	3.55
0.12	3,63
0,15	3,69
0.17	3,73
0,20	3,80
0.25	3,89

Como ilustrado na Tabela 2, composições de A1N entre 8% e 25% correspondem as lacunas de banda entre 3,55 e 3,89 eV. Conseqüentemente, em modalidades da invenção, camada de bloqueio pode ser a camada de qualquer composição com o intervalo de banda maior do que 3,5 eV. Já que o limite superior na composição de A1N ilustrado na Fig. 12 é provável devido aos problemas particulares de materiais para técnicas de desenvolvimento de corrente parâmetro camadas de AlGaN e não devido a lacuna de banda, o limite superior para a lacuna de banda de uma camada de bloqueio de AlGaN é aquela de uma camada de bloqueio de A1N, assumindo que esses problemas de material estão resolvidos.

Camada de bloqueio 38 precisa ser espessa o bastante tal que transportadores de carga não possam canalizar através da camada de bloqueio 38, geralmente maior do que 10 À de espessura. Em algumas modalidades, camada de bloqueio 38 está entre 10 a 1000 Ã de espessura, mais preferencialmente entre 100 e 500 Ã de espessura. Em algumas modalidades, a camada de bloqueio 38 pode ser parte d ou a inteira região do tipo p 39; por exemplo, camada de bloqueio 38 pode ser uma camada na qual um contato elétrico para o lado do tipo p da camada de emissão de luz é formado.

Em algumas modalidades, a eficiência de quantum interna do dispositivo pode ser ainda melhorada incluindo uma camada de preparação 32, como ilustrado na Fig. 3. Camada de preparação 32 pode ser uma estrutura suave como descrito A1N patente US 6.635.904, “Indium Gallium Nitreto Smoothing Structures fornecer Nitreto III Devices”, concedia em 21 de outubro, 2003, e aqui incorporada para referência. Camada de preparação 32 é formada sobre a região do tipo n 31. A camada de preparação pode ser uma camada do tipo n localizada abaixo da camada de emissão de luz, dentro de 5000 ângstrons da camada de emissão de luz. A camada de preparação pode ter um intervalo de espessura de cerca de 200 ângstrons à vários mícrons. Camada de preparação 32 tem uma mais baixa composição de indium do que a região de emissão de luz 35; por exemplo,, camada de preparação 32 pode ser uma camada de InGaN contendo de 2 - 12% de InN, e mais preferencialmente contendo de 2 - 6% de InN. Em algumas modalidades, camada de preparação 32 pode ser parte de uma região do tipo n 31; por exemplo, camada de preparação 32 pode ser uma camada na qual um contato elétrico para o lado do tipo n da camada de emissão de luz é formado.

Em adição a diminuição em eficiência em densidade de corrente alta, o dispositivo da Fig. 1 também pode exibir um pico de comprimento de onda que se desloca conforme a densidade de corrente aplicada ao dispositivo aumenta. Projetos de dispositivo de acordo com modalidades da invenção podem, de forma desejável, reduzir ou eliminar o deslocamento no pico de comprimento de onda conforme a densidade de corrente aumenta, como ilustrado na Tabela 3. Os dispositivos na Tabela 3 nomeados “ Dispositivo da Fig. 3 ” tem camadas de emissão de luz de 130 ângstrons de espessura dopadas com Si para uma concentração de 1 x 10¹⁹cm'³ que emitem luz em um pico de comprimento de onda de cerca de 430 nm, camadas de espaçamento de GaN de 200 ângstrons de espessura dopadas com Si para um concentração de 1 x 10¹⁹ cm'³, camadas de espaçamento de

GaN de 100 ângstrons de espessura dopadas com Si para um concentração de 1 x 10¹⁹ cm'³, e camadas de bloqueio de Α1₀.ΐ6θ^ο.084Ν de 210 ângstrons de espessura.

Tabela 3: Deslocamento de Pico de Comprimento de Onda para Dispositivos de acordo com Modalidades da Invenção e Dispositivos de acordo com a Fig.l

Mudança de densidade 1 1 1 de corrente j	Deslocamento de comprimento de onda, Dispositivo da Fig. 1	Deslocamento de \| comprimento de onda, Dispositivo da Fig. 3 i
i De 20 para 930 Acm²	8 nm	3 nm
De 20 para 400 A/cm²	6 nm	2 nm
De 20 para 200 A/cm²	4 nm	1 nm

Embora nos exemplos acima cada dispositivo inclui somente uma camada de emissão de luz, algumas modalidades da invenção incluem múltiplas camada de emissão dc luz separadas por barreiras. Em adição, embora os exemplos acima usem silício como o dopante na região de emissão de luz e camadas em tomo, em algumas modalidades outros dopantes adequados podem ser usados em adição a ou no lugar de silício, tais como outro elemento do grupo IV tais como germânio e estanho, elementos do grupo VI tais como oxigênio, selênio, telúrio , e enxofre, elementos do grupo Nitreto III tais como alumínio, ou boro, e dopantes do tipo p tais como magnésio. Finalmente, embora os exemplos descritos acima com camadas de emissão de luz de InGaN que tipicamente emitem luz no intervalo de próximo de UV até infravermelho, em outras modalidades a camada de emissão de luz ou camadas de espaçamento podem ser de GaN, de AlGaN, de AlInGaN, e os dispositivos podem emitir UV até luz vermelha.

Embora nos exemplos descritos acima cada camada dopada ou região (tal como a camada de emissão de luz ou camadas de espaçamento) seja uniformemente dopada, em outras modalidades uma ou mais camadas ou regiões dopadas podem ser parcialmente dopadas, ou a dopagem pode ser graduada. Altemativamente ou em adição, a composição de uma ou mais camadas descritas acima pode ser graduada. Como usado aqui o termo “ graduada ” quando descrevendo a composição ou a concentração de dopante em uma camada ou camadas em um dispositivo é significante para englobar qualquer estrutura que alcance uma mudança na composição e ou concentração de dopantes em qualquer maneira outra que um único passo na composição e/ou concentração de dopante. Em um outro exemplo, a .<h composição de InN na camada de emissão dc luz é graduada. Cada camada graduada pode ser uma pilha de sub camadas, cada uma das sub camadas tendo uma concentração de dopante ou composição diferente do que a sub camada adjacente a ela. Se as sub camadas são de espessura resol vivei, a camada graduada é uma camada graduada por passo. No limite, onde a espessura de sub camadas individuais se aproxima de zero, a camada graduada é a região graduada continuamente. As sub camadas fazendo cada camada graduada podem ser arrumadas para forma uma variedade de perfis de composição e/ou concentração de dopante versus a espessura, incluindo, mas não limitado a, graduação linear, graduação parabólica, e graduação em potência. Também, camadas graduadas não são limitada a perfis de graduação únicos, mas podem incluir porções com perfis de graduação diferentes e uma ou mais porções com, substancialmente, regiões de composição e concentração de dopante constante.

Figs. 13A - 13K ilustram vários esquemas de graduação para a região de emissão de luz 35. Figs. 13A - 13K ilustram uma porção da banda de condução de diagramas de banda de energia incluindo primeiro espaçamento 33, região de emissão de luz 35, segundo espaçamento 37. Em um dispositivo com uma região de emissão de luz 35 de InGaN, quanto mais larga a lacuna de banda, i. e. maior o nível mostrado em cada figura, menos InN está presente. Assim sendo, considerando a Fig. 13A como um exemplo, a primeira camada de espaçamento 33 é de GaN ou InGaN com nenhum InN ou com uma composição baixa de InN. A composição de InN é aumentada e mantida constante em uma primeira porção da região de emissão de luz 35 de InGaN, então a composição de InN é graduada para zero ou para uma composição baixa na interface com a segunda camada de espaçamento 37. Nas Figs. 13G - 13K, há uma ou mais máxima local 130 na lacuna de banda dentro da região de emissão de luz 35. Em uma região de emissão de luz 35 de InGaN, essas máximas locais na lacuna de banda representam regiões com composição de InN mais baixa do que regiões em tomo da região de emissão de luz 35. Em algumas modalidades, a diferença em largura de banda entre essa máxima local e as regiões de emissão dc luz 35 em torno dela é pequena o bastante para que a máxima não tenha estado elétrico, significando que não há confinamento de quantum nas regiões entre elas, assim sendo, as regiões entre elas não são poços de quantum.

A estrutura semicondutora ilustrada na Fig. 3 pode ser incluída em qualquer configuração de um dispositivo de emissão de luz. Figs. 5 e 6 ilustram um dispositivo de chip virado, incorporando a estrutura da Fig. 3.

Fig. 7 ilustra um dispositivo de película fina incorporando a estrutura da Fig.

3.

Fig. 5 é uma visa de topo de uma dispositivo de junção larga (i. e., uma área maior do que ou igual a um milímetro quadrado). Fig. 6 é uma seção transversal de um dispositivo mostrado na Fig. 5, ao longo do eixo indicado. Figs.5 e 6 também ilustram um arranjo de contatos que podem ser usados com a estrutura de semicondutor ilustrada na Fig. 3. O dispositivo das Figs. 5 e 6 é descrito em mais detalhes na patente U. S. 6.828.586, que é aqui incorporada para referência. A inteira estrutura de semicondutor ilustrada na Fig. 3 e descrita acima em vários exemplos é representada na Fig. 6 com uma estrutura epitaxial 110, desenvolvida em um substrato de desenvolvimento 10 que permanece a parte do dispositivo acabado. Múltiplas vias são formadas nas quais contatos do tipo η 114 fazem contato elétrico com a região do tipo n 31 da Fig. 3 Contatos do tipo p 112 são formados nas porções remanescentes da região do tipo p 39 da Fig. 3. Os contatos individuais do tipo n 114 formados nas vias são eletricamente conectados pelas regiões condutivas 118. O dispositivo pode ser inclinado relativo a orientação ilustrada nas Figs. 5 e 6 e montado sobre um lado inferior de uma moldura (não mostrado) tal que luz é extraída do dispositivo através do substrato 10. Contatos do tipo n 114 e regiões condutivas 118 fazem contato elétrico com a moldura através da '> ζ;

região de conexões do tipo n 124. Abaixo da região de conexões do tipo n 124, os contatos do tipo p 1 12 são isolados dos contatos do tipo η 1 14, das regiões condutivas 118, e da região de conexões do tipo n 124 através de um dielétrico 116. Contato do tipo p 112 fazem contato elétrico com a moldura através da região de conexão do tipo p 122. Abaixo da região de conexão do tipo p 122, contatos do tipo η 114 e regiões condutivas 118 são isoladas da região de conexão do tipo p 122 através do dielétrico 120.

Fig. 7 é uma vista de seção transversal de um dispositivo de película fina, um dispositivo do qual a estrutura de desenvolvimento é removida. O dispositivo ilustrado na fig. 7 pode ser formado desenvolvendo a estrutura de semicondutor 57 da Fig. 3 em um substrato de desenvolvimento 58 convencional, colando as camadas do dispositivo a um substrato hospedeiro 70, depois removendo o substrato de desenvolvimento 58. Por exemplo, região do tipo n 31 é desenvolvida sobre o substrato 58. Região do tipo n 31 pode incluir camadas de preparação opcionais tais como camadas de armazenamento temporário ou camadas de nucleação ou afinando as camadas epitaxiais após remoção do substrato. Região de emissão de luz 35 pode ser imprensada entre as primeira e segunda camadas de espaçamento 33 e 37. Uma ou mais camadas de metal 72, incluindo, por exemplo, camadas de contato ôhmico, camadas refletivas, camadas de barreira, e camadas de colagem, são depositadas sobre a região do tipo p 39.

As camadas do dispositivo são então coladas a um substrato hospedeiro 70 através da superfície exposta das camadas de metal 72. Uma ou mais camadas de colagem (não mostradas), tipicamente metal, podem servir como materiais concordantes para compressão térmica ou colagem eutética entre a estrutura epitaxial e o substrato hospedeiro. Exemplos de metais de camada de colagem adequada incluem ouro e prata. Substrato hospedeiro 70 fornece suporte mecânico as camadas epitaxiais após o substrato de desenvolvimento ser removido, e fornece contato elétrico para a região do t\Á.

tipo p 39. Substrato hospedeiro 70 é gcralmente selecionado para ser eletricamente condutivo (i. e., menos do que cerca de 0,1 ílcm), para ser condutivo, de forma térmica, para ter um coeficiente de expansão térmica (CTE) coincidente com aquela das camadas epitaxiais, e para ser plano o bastante (i. e., com um rugosidade de raiz quadrada média menor do que cerca de 10 nm) para formar um forte vínculo de folhas. Materiais adequados incluem, por exemplo, metais como Cu, Mo, Cu/Mo e Cu/W; semicondutores com contatos de metal, tais como Si com contatos ôhmicos e GaAs com contatos ôhmicos incluindo, por exemplo,, um ou mais de Pontuação do discriminante, Ge, Ti, Au, Ni, Ag; e cerâmicos tais como A1N, diamante comprimidos, ou camadas de diamantes desenvolvidas através de deposição química de vapor.

As camadas de dispositivos podem se coladas ao substrato hospedeiro 70 em uma escala por folha, tal que um folheado inteiro do dispositivo é colado a um folheado de hospedeiros, então os dispositivos individuais são colocados aleatoriamente após colagem. Altemativamente, um folheado de dispositivos pode ser colocado aleatoriamente em dispositivos individuais, após cada dispositivo ser colado ao substrato hospedeiro 70 em uma escala de molde, como descrito em mais detalhes na pedido US número de série 10/977,294, “ Package-Integrated Thin-film LED ”, depositada em 20 de outubro, 2004, e aqui incorporada para referência.

Substrato hospedeiro substrato hospedeiro 70 e a estrutura de semicondutor 57 são imprensados juntos em temperatura e pressão elevada para formar uma cola durável na interface entre o substrato hospedeiro 70 e as camadas de metal 72, por exemplo, um cola de metal durável formada entre as camadas de colagem de metal (não mostradas) na interface. As gamas de temperatura e pressão para colar são limitadas na extremidade mais baixa pela força da cola resultante, e na extremidade mais alta pela estabilidade da estrutura do substrato hospedeiro, da metalização, e da estrutura epitaxial. Por exemplo, altas temperaturas, e / ou altas pressões podem causar decomposição das camadas epitaxiais, laminação dos contatos de metal, falha de barreira de difusão, ou saída dos materiais componentes nas camadas epitaxiais. Uma gama de temperatura adequada para colar é, por exemplo, temperatura ambiente de cerca de 500° C. Uma gama de pressão para colar é, por exemplo, nenhuma pressão aplica para cerca de 500 PSI. Substrato de desenvolvimento 58 é então removido.

De modo a remover um substrato de desenvolvimento de safira, porção da interface entre o substrato 58 e a estrutura de semicondutor

57 são expostas, através do substrato 58, a um laser ultravioleta pulsado de alta fluência, em um padrão de passo e repetição. As porções expostas podem ser isoladas por trincheiras gravadas através de camadas de cristal do dispositivo, de modo a isolar a onda de choque causa pela exposição ao laser. A energia de fóton do laser está acima da lacuna de banda da camada de cristal adjacente à safira (GaN em algumas modalidades), assim sendo, a energia de pulso é efetivamente convertida em energia térmica dentro dos primeiros 100 nm do material epitaxial adjacente à safira. Suficientemente, em alta fluência (i. e., maior do que cerca de 500 mJ/cm ) e uma energia de fóton acima da lacuna de banda de GaN e abaixo da fronteira de absorção da safira (i. e. entre cerca de 3,44 e cerca de 6 eV), a temperatura dentro dos primeiros 100 nm surge em uma escala de nanossegundos, para uma temperatura maior do que 1000° C, alta o bastante para a GaN dissociar em gases de gálio e nitrogênio, liberando as camadas epitaxiais do substrato 58. a estrutura resultante inclui estrutura de semicondutor 57 colada ao substrato hospedeiro 70. Em algumas modalidades, o substrato de desenvolvimento pode ser removido por outros meios, tais como desencapando, enrolando, ou uma combinação deles.

Após o substrato de desenvolvimento ser removido, a estrutura de semicondutor 57 pode ser afinada, por exemplo, remover porções de região do tipo n 31 mais próximas do substrato 58 c de qualidade pobre de material.. As camadas epitaxiais podem ser afinadas através de, por exemplo, polimento mecânico químico, desencapar a seco convencional, ou desencapar por fotoeletroquímica (PEC). A superfície de topo das camadas epitaxiais pode ser feita textura ou enrugada para aumentar a quantidade de luz extraída.Um contato (não mostrado) é então formado na superfície exposta da região do tipo n 31. O contato do tipo n pode ser, por exemplo, uma grade. As camadas abaixo do contato do tipo n podem ser implantadas com, por exemplo, hidrogênio para evitar emissão de luz a partir da porção da região de emissão de luz 35 abaixo do contato do tipo n. Secundariamente, óticas conhecida na técnica tal como dicróicos ou polarizadores podem ser aplicada na superfície de emissão para fornecer ganhos adicionais em brilho e eficiência de conversão.

Fig. 8 é um vista explodida de um dispositivo de emissão de luz montado, como descrito em mais detalhes na patente U. S. 6.274.924.

Uma porção 100 de dissipação térmica é colocado em um compartimento moldado para inserção. O compartimento moldado para inserção é, por exemplo, um material plástico cheio 105 moldado em tomo de um metal frame 106 que fornece um caminho elétrico. Porção 100 pode incluir uma capa refletora 102 opcional. O molde de dispositivo de emissão de luz 104, que pode ser qualquer dos dispositivos descritos nas modalidades acima, é montado diretamente ou indiretamente através de uma sub placa de condução térmica 103 parâmetro a porção 100. Uma cobertura 108, que pode ser em lente óptica, pode ser adicionada.

Tendo descrito a invenção em detalhes, aqueles com habilidade na técnica apreciarão que, dado a presente divulgação, modificações podem ser feita a invenção, sem fugir do espírito do conceito inventivo descrito aqui. Por conseguinte, não eficácia / efetividade pretendido que o escopo da invenção seja limitado as modalidades especificas ilustradas e descritas.

Claims

REIVINDICAÇÕES

1. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, caracterizado por compreender:

uma região do tipo n (31);

5 uma região do tipo p (39);

uma camada de emissão de luz (35) de Nitreto III disposta entre a região do tipo n (31) e a região do tipo p (39);

uma primeira camada de espaçamento (33) disposta entre a região do tipo n (31) e a camada de emissão de luz (35), a primeira camada de espaçamento

10 (33) estando em contato direto com a camada de emissão de luz (35), a primeira camada de espaçamento (33) sendo dopada para uma concentração de dopante entre 6 x 10¹⁸ cm^-3 e 5 x 10¹⁹ cm^-3; e uma segunda camada de espaçamento (37) disposta entre a região do tipo p (39)e a camada de emissão de luz (35), a segunda camada de espaçamento

15 (37) estando em contato direto com a camada de emissão de luz (35), a segunda camada de espaçamento (37) não ser intencionalmente dopada ou dopada para uma concentração de dopante menos do que 6 x 10¹⁸ cm^-3; e uma camada de bloqueio (38) compreendendo alumínio, a composição AlN na camada de bloqueio (38) sendo maior do que 8% e menor do que 30%, e o

20 segundo espaçamaneto sendo disposto entre a camada de emissão de luz (35) e a camada de bloqueio (38).
2. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela camada de emissão de luz (35) ser de InGaN.

25
3. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pela composição de InN na camada de emissão de luz (35) ser graduada.
4. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelas primeira (33) e segunda camadas de

Petição 870170085703, de 07/11/2017, pág. 5/9 espaçamento (37), cada uma ter uma espessura entre 20 Â e 1000 Â.
5. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelas primeira (33) e segunda camadas de espaçamento (37) serem ambas de GaN.

5
6. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela camada de emissão de luz (35) ser de A1lInGaN.
7. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por ainda compreender contatos eletricamente

10 conectados a região do tipo n (31) e a região do tipo p (39).
8. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por uma das primeira (33) e segunda camadas de espaçamento (37), ter uma concentração de dopada graduada.
9. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a 15 reivindicação 1, caracterizado pela porção da região do tipo n (31) ser dopada para uma concentração de dopante substancialmente a mesma do que a concentração de dopante na camada de emissão de luz (35).
10. Dispositivo de emissão de luz semicondutor de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por ainda compreender uma camada de

20 preparação (32) de InGaN entre a região do tipo n (31) e a camada de emissão de luz (35) de Nitreto III.
11. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela primeira camada de espaçamento (33) ser do tipo n dopada com Si.

25
12. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pela camada de preparação (32) ser dopada com Si a uma concentração entre 2 x 10¹⁷ cm^-3 e 2 x 10¹⁹ cm^-3.
13. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pela camada de preparação (32) possuir

Petição 870170085703, de 07/11/2017, pág. 6/9 uma composição InN entre 2% e 12%.
14. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pela camada de preparação (32) possuir uma espessura maior que 200 Â.

5
15. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela primeira camada de espaçamento (33) ser dopada mais fortemente que a segunda camada de espaçamento (37).
16. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela camada de bloqueio (38) estar

10 diretamente em contato com a segunda camada de espaçamento (37).
17. Dispositivo de emissão de luz semicondutor, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela camada de bloqueio (38) ser uma das AlGaN do tipo p e AlInGaN do tipo p.

Petição 870170085703, de 07/11/2017, pág. 7/9

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