RU2008110934A - Iii-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой - Google Patents

Iii-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой Download PDF

Info

Publication number
RU2008110934A
RU2008110934A RU2008110934/28A RU2008110934A RU2008110934A RU 2008110934 A RU2008110934 A RU 2008110934A RU 2008110934/28 A RU2008110934/28 A RU 2008110934/28A RU 2008110934 A RU2008110934 A RU 2008110934A RU 2008110934 A RU2008110934 A RU 2008110934A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
iii
layer
emitting device
Prior art date
Application number
RU2008110934/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2412505C2 (ru
Inventor
Юй-Чэнь ШЭНЬ (US)
Юй-Чэнь ШЭНЬ
Натан Ф. ГАРДНЕР (US)
Натан Ф. ГАРДНЕР
Сатоси ВАТАНАБЕ (US)
Сатоси ВАТАНАБЕ
Майкл Р. КРЕЙМС (US)
Майкл Р. КРЕЙМС
Герд О. МЮЛЛЕР (US)
Герд О. МЮЛЛЕР
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2008110934A publication Critical patent/RU2008110934A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2412505C2 publication Critical patent/RU2412505C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее: ! область n-типа; ! область p-типа; и ! III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом: ! III-нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3; ! III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 250 Å; и ! III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм. ! 2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой InGaN. ! 3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.2, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным. ! 4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой AlInGaN. ! 5. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 109/см2. ! 6. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 108/см2. ! 7. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 107/см2. ! 8. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 106/см2. ! 9. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет градиентную концентрацию легирующей примеси. ! 10. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизл�

Claims (47)

1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа; и
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
III-нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3;
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 250 Å; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм.
2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.2, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой AlInGaN.
5. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 109/см2.
6. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 108/см2.
7. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 107/см2.
8. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 106/см2.
9. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет градиентную концентрацию легирующей примеси.
10. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию легирующей примеси от от 1·1019 см-3 до 5·1019 см-3.
11. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.10, в котором светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны от 440 до 460 нм.
12. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию легирующей примеси от от 6·1018 см-3 до 2·1019 см-3.
13. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.12, в котором светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны от 420 до 440 нм.
14. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет толщину от 75 до 150Å.
15. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее:
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем, второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем;
причем каждый из первого и второго разделительных слоев специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·1018 см-3.
16. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором III-нитридный светоизлучающий слой легирован донорной примесью Si n-типа.
17. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором III-нитридный светоизлучающий слой легирован легирующей примесью одного вида.
18. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
19. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом, запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
20. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом III-нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3, III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å, и III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм.
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем, второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем;
причем один из первого и второго разделительных слоев легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3.
21. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором:
первый разделительный слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3; и
второй разделительный слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6×1018 см-3.
22. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором:
первый разделительный слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·1018 см-3; и
второй разделительный слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3.
23. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором III-нитридный светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
24. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.23, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
25. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором каждый из первого и второго светоизлучающих слоев имеют толщину от 20 до 1000 Å.
26. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором и первый и второй светоизлучающие слои представляют собой GaN.
27. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором светоизлучающий слой представляет собой AlInGaN.
28. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее контакты, электрически соединенные с областью n-типа и областью p-типа.
29. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором один из первого и второго разделительных слоев имеет градиентную концентрацию легирующей примеси.
30. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором участок области n-типа легирован до концентрации легирующей примеси, по существу, такой же, как концентрация легирующей примеси в светоизлучающем слое.
31. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
32. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
33. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм; и
запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
34. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором отношение фотонов, выводимых из устройства, к току, подаваемому в устройство, когда в устройство подается 200 А/см2, больше, чем отношение фотонов, выводимых из устройства, к току, подаваемому в устройство, когда в устройство подается 20 А/см2.
35. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
36. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.35, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
37. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором запирающий слой представляет собой AlGaN.
38. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.37, в котором запирающий слой имеет содержание AlN от 8 до 30%.
39. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором разность между длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 930 А/см2, и длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 20 А/см2, составляет меньше, чем 5 нм.
40. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором разность между длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 200 А/см2, и длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 20 А/см2, составляет меньше, чем 3 нм.
41. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
42. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 Ангстрем до 600 Ангстрем; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм; и
подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
43. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором III-нитридный светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
44. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.43, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
45. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором подготовительный слой имеет содержание InN от 2 до 12%.
46. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором подготовительный слой имеет содержание InN от 2 до 6%.
47. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом, III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å, III-нитридный светоизлучающий слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·1018 см-3;
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; причем:
каждый из первого и второго разделительных слоев легирован до концентрации легирующей примеси от 6·1018 см-3 до 5·1019 см-3; и
первый и второй разделительные слои легированы легирующими примесями с одинаковым типом проводимости.
RU2008110934/28A 2005-08-24 2006-08-16 Iii-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой RU2412505C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/211,921 US20070045638A1 (en) 2005-08-24 2005-08-24 III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region
US11/211,921 2005-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008110934A true RU2008110934A (ru) 2009-09-27
RU2412505C2 RU2412505C2 (ru) 2011-02-20

Family

ID=37546851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008110934/28A RU2412505C2 (ru) 2005-08-24 2006-08-16 Iii-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой

Country Status (9)

Country Link
US (4) US20070045638A1 (ru)
EP (1) EP1922766B1 (ru)
JP (2) JP2007067418A (ru)
KR (1) KR20080040770A (ru)
CN (1) CN101297410B (ru)
BR (1) BRPI0615190B1 (ru)
RU (1) RU2412505C2 (ru)
TW (1) TWI438921B (ru)
WO (1) WO2007023419A1 (ru)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7115896B2 (en) * 2002-12-04 2006-10-03 Emcore Corporation Semiconductor structures for gallium nitride-based devices
JP4959961B2 (ja) * 2005-07-29 2012-06-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機ｅｌ素子の製造方法
US20070045638A1 (en) 2005-08-24 2007-03-01 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region
US9406505B2 (en) * 2006-02-23 2016-08-02 Allos Semiconductors Gmbh Nitride semiconductor component and process for its production
US7615789B2 (en) * 2006-05-09 2009-11-10 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode device structure
JP2011505699A (ja) * 2007-11-30 2011-02-24 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光出力が高められた窒化ガリウム系薄型発光ダイオード
DE102009015569B9 (de) 2009-03-30 2023-06-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
TWI423482B (zh) * 2009-05-19 2014-01-11 Lien Shine Lu Fabrication method of cladding gallium nitride light emitting diodes
DE102009023849B4 (de) * 2009-06-04 2022-10-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2010150809A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
US8211722B2 (en) * 2009-07-20 2012-07-03 Lu Lien-Shine Flip-chip GaN LED fabrication method
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
JP2013505588A (ja) * 2009-09-18 2013-02-14 ソラア インコーポレーテッド 電流密度操作を用いた電力発光ダイオード及び方法
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8299488B2 (en) * 2010-12-16 2012-10-30 King Dragon International Inc. LED chip
DE102011014845B4 (de) * 2011-03-23 2023-05-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils
JP5996846B2 (ja) 2011-06-30 2016-09-21 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9064980B2 (en) * 2011-08-25 2015-06-23 Palo Alto Research Center Incorporated Devices having removed aluminum nitride sections
RU2503024C2 (ru) * 2012-04-03 2013-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ВНУТРЕННЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
US10153394B2 (en) 2012-11-19 2018-12-11 Genesis Photonics Inc. Semiconductor structure
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
CN103904169A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种led外延结构的生长方法及其设备
DE102013104273A1 (de) * 2013-04-26 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit säulenartiger Struktur und einer aktiven Zone
JP6183060B2 (ja) 2013-08-24 2017-08-23 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
DE102014101366B3 (de) * 2014-02-04 2015-05-13 Infineon Technologies Ag Chip-Montage an über Chip hinausstehender Adhäsions- bzw. Dielektrikumsschicht auf Substrat
JP5919484B2 (ja) * 2014-05-13 2016-05-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
US9985168B1 (en) 2014-11-18 2018-05-29 Cree, Inc. Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers
US9793248B2 (en) * 2014-11-18 2017-10-17 PlayNitride Inc. Light emitting device
JP6009041B2 (ja) * 2015-06-05 2016-10-19 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
WO2017013729A1 (ja) * 2015-07-21 2017-01-26 創光科学株式会社 窒化物半導体紫外線発光素子
TWI738640B (zh) * 2016-03-08 2021-09-11 新世紀光電股份有限公司 半導體結構
TWI717386B (zh) 2016-09-19 2021-02-01 新世紀光電股份有限公司 含氮半導體元件
CN110494987B (zh) * 2017-04-24 2022-03-01 苏州晶湛半导体有限公司 一种半导体结构和制备半导体结构的方法
CN108303567B (zh) * 2018-02-02 2020-04-24 扬州杰利半导体有限公司 一种单片集成的三质量mems电容差分式三轴加速度计的制备方法
US11393948B2 (en) * 2018-08-31 2022-07-19 Creeled, Inc. Group III nitride LED structures with improved electrical performance
US20220294189A1 (en) * 2019-04-04 2022-09-15 Cornell University Monolithically inverted iii-v laser diode realized using buried tunnel junction

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2965709B2 (ja) 1990-12-07 1999-10-18 日本電信電話株式会社 半導体発光素子の作製方法
JP2560964B2 (ja) * 1993-03-05 1996-12-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2713094B2 (ja) 1993-01-08 1998-02-16 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
DE69636088T2 (de) * 1995-11-06 2006-11-23 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung
US5903017A (en) * 1996-02-26 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN
JP3209096B2 (ja) * 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3524681B2 (ja) 1996-06-27 2004-05-10 三菱重工業株式会社 メソポーラスシリケートの調製方法
JP3700283B2 (ja) * 1996-10-02 2005-09-28 昭和電工株式会社 窒化物化合物半導体素子
US6242080B1 (en) 1997-07-09 2001-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Zinc oxide thin film and process for producing the film
GB2327145A (en) * 1997-07-10 1999-01-13 Sharp Kk Graded layers in an optoelectronic semiconductor device
RU2186447C2 (ru) 1997-11-28 2002-07-27 Котелянский Иосиф Моисеевич Полупроводниковый прибор
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
US6592663B1 (en) * 1999-06-09 2003-07-15 Ricoh Company Ltd. Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate
US6515313B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Cree Lighting Company High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
KR100628200B1 (ko) * 2000-02-03 2006-09-27 엘지전자 주식회사 질화물 발광 소자
JP4209577B2 (ja) 2000-03-31 2009-01-14 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 ビア形成領域決定方法
KR100550158B1 (ko) * 2000-09-21 2006-02-08 샤프 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광소자 및 그것을 포함한 광학장치
US6800876B2 (en) * 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
RU2175796C1 (ru) 2001-02-23 2001-11-10 Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) Полупроводниковый светоизлучающий диод с р-n-переходом (варианты)
US6635904B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
CA2444273C (en) * 2001-04-12 2012-05-22 Nichia Corporation Gallium nitride semiconductor device
US6630692B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
US6955933B2 (en) * 2001-07-24 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with graded composition active regions
JP3985488B2 (ja) * 2001-10-09 2007-10-03 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
US6881983B2 (en) 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
US20030160229A1 (en) 2002-02-25 2003-08-28 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
US6835957B2 (en) * 2002-07-30 2004-12-28 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting device with p-type active layer
US7115908B2 (en) 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US6943381B2 (en) 2004-01-30 2005-09-13 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency
US7285799B2 (en) * 2004-04-21 2007-10-23 Philip Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7122839B2 (en) * 2004-10-29 2006-10-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting devices with graded composition light emitting layers
US20070045638A1 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region

Also Published As

Publication number Publication date
CN101297410B (zh) 2010-12-29
US20070145384A1 (en) 2007-06-28
US9640724B2 (en) 2017-05-02
JP2013102240A (ja) 2013-05-23
BRPI0615190A2 (pt) 2012-01-31
BRPI0615190B1 (pt) 2018-08-07
US20070045638A1 (en) 2007-03-01
CN101297410A (zh) 2008-10-29
EP1922766A1 (en) 2008-05-21
WO2007023419A1 (en) 2007-03-01
JP2007067418A (ja) 2007-03-15
TWI438921B (zh) 2014-05-21
TW200717871A (en) 2007-05-01
KR20080040770A (ko) 2008-05-08
US20170117440A9 (en) 2017-04-27
US8847252B2 (en) 2014-09-30
US20160093770A1 (en) 2016-03-31
US20090261361A1 (en) 2009-10-22
US7880186B2 (en) 2011-02-01
RU2412505C2 (ru) 2011-02-20
EP1922766B1 (en) 2017-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008110934A (ru) Iii-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой
US7442569B2 (en) Vertical GaN-based LED and method of manufacturing the same
US7601985B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US7807521B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US8455856B1 (en) Integration of LED driver circuit with LED
TW200536149A (en) III-Nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency
US8872157B2 (en) Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same
KR101389348B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자
CN105977356A (zh) 一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管
WO2018205733A1 (zh) 发光二极管
CN113809211A (zh) 一种具有隧穿结构的深紫外led及其制备方法
US20160315221A1 (en) Light-emitting element
US11538960B2 (en) Epitaxial light emitting structure and light emitting diode
KR102237123B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
CN210073906U (zh) 一种半导体发光元件
KR100999694B1 (ko) 발광 소자
CN110168752B (zh) 用于在紫外照射下生长发光器件的方法
KR20160139920A (ko) 자외선 발광소자
CN111326625A (zh) 一种具有多层缓冲层的发光二极管
CN111326618A (zh) 一种能够调整电子迁移速率的半导体发光器件
US11764330B2 (en) Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component
KR101919109B1 (ko) 자외선 발광 소자 및 자외선 발광 소자 패키지
CN107394021B (zh) 一种增强空穴注入的异质结构led器件
CN116960242A (zh) 一种发光二极管及其制作方法
Pandey et al. High-Efficiency AlGaN Tunnel Junction Deep Ultraviolet LEDs Operating at 265 nm

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20180110

PD4A Correction of name of patent owner