JP3524681B2 - メソポーラスシリケートの調製方法 - Google Patents
メソポーラスシリケートの調製方法Info
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- silicate
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はメソポーラスシリケ
ートの低温調整方法に関する。
ートの低温調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決する課題】ＭＣＭ−４１、
ＭＣＭ−９、ＭＣＭ−２２等のメソポーラスシリケート
は約１０オングストローム以上の内径の中空を有する柱
状構造物の集合体であり、その表面積は最大１５００ｍ
2 ／ｇに達する多孔質体である。
ＭＣＭ−９、ＭＣＭ−２２等のメソポーラスシリケート
は約１０オングストローム以上の内径の中空を有する柱
状構造物の集合体であり、その表面積は最大１５００ｍ
2 ／ｇに達する多孔質体である。
【０００３】ここでＭＣＭ−４１メソポーラスシリケー
トは、メソ孔を持ち、比表面積が１０００ｍ2 ／ｇ以上
有り、メソ孔間の壁はアモルファス構造を持つシリカラ
イトである。
トは、メソ孔を持ち、比表面積が１０００ｍ2 ／ｇ以上
有り、メソ孔間の壁はアモルファス構造を持つシリカラ
イトである。
【０００４】これらの多孔質体は、モービル社の国際公
開ＷＯ第９１／１１３９０号で最初に公開されたもので
あり、シリカゾルに水酸化ナトリウム水溶液に溶解した
ｎ−ドデシルトリメチィルアンモニウムクロライド及び
硫酸を少量交互に加えた後、ｐＨを１３．５程度に調製
してゲル化しこれを室温で２時間攪拌した後、オートク
レイブで１４０℃，４８時間静置して水熱合成を行い、
得られた生成物を濾過水洗，乾燥した後、５５０℃で数
時間焼成して残留する有機物を除去して得られる。
開ＷＯ第９１／１１３９０号で最初に公開されたもので
あり、シリカゾルに水酸化ナトリウム水溶液に溶解した
ｎ−ドデシルトリメチィルアンモニウムクロライド及び
硫酸を少量交互に加えた後、ｐＨを１３．５程度に調製
してゲル化しこれを室温で２時間攪拌した後、オートク
レイブで１４０℃，４８時間静置して水熱合成を行い、
得られた生成物を濾過水洗，乾燥した後、５５０℃で数
時間焼成して残留する有機物を除去して得られる。
【０００５】上記公開公報によるとｐＨを１３．５程度
に調製されたゲルの中ではｎ−ドデシルトリメチィルア
ンモニウムクロライドが棒状のミセルを形成しその表面
に珪酸が配位し、１４０℃の温度条件下で表面の珪酸が
脱水、縮重合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉのネットワークを形成
するとされている。この形成されたｎ−ドデシルトリメ
チィルアンモニウムクロライドのミセルは、５５０℃の
昇温に伴い焼成除去されて外表面に配位し水熱合成で形
成されたシリカネットワークはそのまま残るため、約１
０オングストローム以上の中空を有するシリカ多孔質体
が得られることとなる。この多孔質体はｎ−ドデシルト
リメチィルアンモニウムクロライドの様な形状決定剤
（有機テンプレートとも呼ぶ）の大きさを調整すること
によりその中空の内径を変更することも可能である。こ
のメソポーラス物質の調製方法には８０℃以上、好まし
くは１４０℃の高温高圧での水熱合成が必要であり、こ
の為の反応設備が本物質のコストの上昇の要因の一つと
なっている。
に調製されたゲルの中ではｎ−ドデシルトリメチィルア
ンモニウムクロライドが棒状のミセルを形成しその表面
に珪酸が配位し、１４０℃の温度条件下で表面の珪酸が
脱水、縮重合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉのネットワークを形成
するとされている。この形成されたｎ−ドデシルトリメ
チィルアンモニウムクロライドのミセルは、５５０℃の
昇温に伴い焼成除去されて外表面に配位し水熱合成で形
成されたシリカネットワークはそのまま残るため、約１
０オングストローム以上の中空を有するシリカ多孔質体
が得られることとなる。この多孔質体はｎ−ドデシルト
リメチィルアンモニウムクロライドの様な形状決定剤
（有機テンプレートとも呼ぶ）の大きさを調整すること
によりその中空の内径を変更することも可能である。こ
のメソポーラス物質の調製方法には８０℃以上、好まし
くは１４０℃の高温高圧での水熱合成が必要であり、こ
の為の反応設備が本物質のコストの上昇の要因の一つと
なっている。
【０００６】これに対してシリカ源としてテトラエトキ
シシラン（ＴＥＯＳ）を使用し、ｐＨを０程度の酸性条
件でヘキサデシルトリメチィルアンモニウムブロマイド
等の有機テンプレートと反応させることにより得られる
ゲル状の物質は室温で脱水縮合が進行して、ＭＣＭ−４
１と類似の柱状で表面積が１０００ｍ2 ／ｇ以上の多孔
質体を生成することがStucky等により報告されている
（Chem. Mater. 1994, 6, 1176-1191)。この方法では高
温の水熱合成が省略されるため、高温高圧容器を使用す
る必要が無く、１００℃以下での反応のために大気圧で
の本物質の調製が可能となり設備費、加熱用熱量の低減
効果はかなり大きい。しかしこのようなコスト低減効果
はあるものの、従来のＭＣＭ−４１ではシリカ源として
安価なシリカゾルを用いたのに対し、低温酸性でのこの
調製ではシリカゾルに比べて高価なＴＥＯＳを用いるた
め原料費が上昇することから全コストとしては必ずしも
安価な調製方法とはなっていない。
シシラン（ＴＥＯＳ）を使用し、ｐＨを０程度の酸性条
件でヘキサデシルトリメチィルアンモニウムブロマイド
等の有機テンプレートと反応させることにより得られる
ゲル状の物質は室温で脱水縮合が進行して、ＭＣＭ−４
１と類似の柱状で表面積が１０００ｍ2 ／ｇ以上の多孔
質体を生成することがStucky等により報告されている
（Chem. Mater. 1994, 6, 1176-1191)。この方法では高
温の水熱合成が省略されるため、高温高圧容器を使用す
る必要が無く、１００℃以下での反応のために大気圧で
の本物質の調製が可能となり設備費、加熱用熱量の低減
効果はかなり大きい。しかしこのようなコスト低減効果
はあるものの、従来のＭＣＭ−４１ではシリカ源として
安価なシリカゾルを用いたのに対し、低温酸性でのこの
調製ではシリカゾルに比べて高価なＴＥＯＳを用いるた
め原料費が上昇することから全コストとしては必ずしも
安価な調製方法とはなっていない。
【０００７】従来無機系の多孔質体としてはＡ，Ｘ，
Ｙ，ペンタシル等のゼオライトが良く知られているがこ
れらゼオライト系の多孔質体では細孔内比表面積は６０
０ｍ2／ｇ程度で有り、活性炭素の吸着剤の１５００−
２０００ｍ2 ／ｇに対して１／３程度に留まり、これが
活性炭に比べて吸着剤として性能の差異につながる場合
が多かった。この点でＭＣＭ−４１及び低温酸性で合成
されるメソポーラスシリケートでは活性炭に匹敵する比
表面積を有し且つ、珪素の酸化物から構成されるため活
性炭系の多孔質体に比べて化学的に極めて安定と考えら
れる。
Ｙ，ペンタシル等のゼオライトが良く知られているがこ
れらゼオライト系の多孔質体では細孔内比表面積は６０
０ｍ2／ｇ程度で有り、活性炭素の吸着剤の１５００−
２０００ｍ2 ／ｇに対して１／３程度に留まり、これが
活性炭に比べて吸着剤として性能の差異につながる場合
が多かった。この点でＭＣＭ−４１及び低温酸性で合成
されるメソポーラスシリケートでは活性炭に匹敵する比
表面積を有し且つ、珪素の酸化物から構成されるため活
性炭系の多孔質体に比べて化学的に極めて安定と考えら
れる。
【０００８】以上述べたように、これらメソポーラスシ
リケートでは極めて優れた吸着能を示すことが予想でき
るが、依然残る課題としては、以下１）〜３）に示すよ
うなものがある。
リケートでは極めて優れた吸着能を示すことが予想でき
るが、依然残る課題としては、以下１）〜３）に示すよ
うなものがある。
【０００９】１）低温酸性メソポーラスシリケートの調
製では室温での調製が実現されるものの、シリカ源とし
ては高価なＴＥＯＳの使用が必要なことからトータルコ
ストとしては必ずしも低減されない。
製では室温での調製が実現されるものの、シリカ源とし
ては高価なＴＥＯＳの使用が必要なことからトータルコ
ストとしては必ずしも低減されない。
【００１０】２）ＭＣＭ−４１，低温酸性メソポーラス
シリケート等の調製では有機テンプレートとして使用す
るヘキサデシルトリメチィルアンモニウムブロマイド等
の原料は非常に高価であり、このため作られるメソポー
ラスシリケートの価格は上述したＡ，Ｘ，Ｙ型ゼオライ
トに比較して１０倍程度のコストが予想され、そのコス
トの６０〜８０％以上を有機テンプレートが占めてい
る。本発明の珪酸高分子の調製では、ミセルの表面にシ
リカが配位し脱水縮合によりＳｉ−Ｏ−Ｓｉのネットワ
ークの形成が進行してメソポーラスシリケートが生成す
ると考えられているため原理的に有機テンプレートの使
用量を大幅に削減をすることは難しく、かなりのコスト
高が予想される、有機テンプレートを使用する限り、触
媒、吸着剤等の工業用素材としての採用には経済的な制
限が加わることとなる。
シリケート等の調製では有機テンプレートとして使用す
るヘキサデシルトリメチィルアンモニウムブロマイド等
の原料は非常に高価であり、このため作られるメソポー
ラスシリケートの価格は上述したＡ，Ｘ，Ｙ型ゼオライ
トに比較して１０倍程度のコストが予想され、そのコス
トの６０〜８０％以上を有機テンプレートが占めてい
る。本発明の珪酸高分子の調製では、ミセルの表面にシ
リカが配位し脱水縮合によりＳｉ−Ｏ−Ｓｉのネットワ
ークの形成が進行してメソポーラスシリケートが生成す
ると考えられているため原理的に有機テンプレートの使
用量を大幅に削減をすることは難しく、かなりのコスト
高が予想される、有機テンプレートを使用する限り、触
媒、吸着剤等の工業用素材としての採用には経済的な制
限が加わることとなる。
【００１１】３）ミセルを形成する有機テンプレートの
除去には現在５５０℃程度での焼成が必要であるが、ミ
セルの表面に生成したシリカのネットワークは不安定で
あり、過度な焼成では生成した中空のシリカネットワー
クが破壊され又焼成が不十分な場合にはテンプレートが
中空の中に残存して細孔容積の減少をきたすと共に、熱
分解生成物が残存する場合には内表面の吸着活性点が減
少してメソポーラスな多孔質体としての機能は期待出来
ないこととなる。工業的には大量の素材を対象として制
度の高い均一な熱処理条件で珪酸高分子から有機テンプ
レートを除去することは難しく、シリカネットワークが
破壊されない効率的な有機テンプレートの除去について
は高度な熱処理の管理が必要となる。
除去には現在５５０℃程度での焼成が必要であるが、ミ
セルの表面に生成したシリカのネットワークは不安定で
あり、過度な焼成では生成した中空のシリカネットワー
クが破壊され又焼成が不十分な場合にはテンプレートが
中空の中に残存して細孔容積の減少をきたすと共に、熱
分解生成物が残存する場合には内表面の吸着活性点が減
少してメソポーラスな多孔質体としての機能は期待出来
ないこととなる。工業的には大量の素材を対象として制
度の高い均一な熱処理条件で珪酸高分子から有機テンプ
レートを除去することは難しく、シリカネットワークが
破壊されない効率的な有機テンプレートの除去について
は高度な熱処理の管理が必要となる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ための、第１の発明によるメソポーラスシリケートの調
製方法は、ヘキサデシルピリジニウムクロライド、ヘキ
サデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、テトラデ
シルトリメチルアンモニウムクロライドのいずれかの有
機テンプレートの酸性溶液に珪酸ナトリウム溶液を加え
て酸性条件下又は中性条件下で反応させて、得られた生
成物を洗浄した後、当該生成物中から上記有機テンプレ
ートを除去することにより、メソポーラスシリケートを
得ることを特徴とする。
ための、第１の発明によるメソポーラスシリケートの調
製方法は、ヘキサデシルピリジニウムクロライド、ヘキ
サデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、テトラデ
シルトリメチルアンモニウムクロライドのいずれかの有
機テンプレートの酸性溶液に珪酸ナトリウム溶液を加え
て酸性条件下又は中性条件下で反応させて、得られた生
成物を洗浄した後、当該生成物中から上記有機テンプレ
ートを除去することにより、メソポーラスシリケートを
得ることを特徴とする。
【００１３】
【００１４】また、第２の発明によるメソポーラスシリ
ケートの調製方法は、第１の発明において、前記生成物
に対して熱処理を行うことにより、当該生成物中から前
記有機テンプレートを除去することを特徴とする。
ケートの調製方法は、第１の発明において、前記生成物
に対して熱処理を行うことにより、当該生成物中から前
記有機テンプレートを除去することを特徴とする。
【００１５】また、第３の発明によるメソポーラスシリ
ケートの調製方法は、第１の発明において、前記生成物
に対して超臨界抽出を行うことにより、当該生成物中か
ら前記有機テンプレートを除去することを特徴とする。
ケートの調製方法は、第１の発明において、前記生成物
に対して超臨界抽出を行うことにより、当該生成物中か
ら前記有機テンプレートを除去することを特徴とする。
【００１６】また、第４の発明によるメソポーラスシリ
ケートの調製方法は、第３の発明において、超臨界抽出
された前記生成物に対して熱処理することにより、当該
生成物中から前記有機テンプレートを除去することを特
徴とする。
ケートの調製方法は、第３の発明において、超臨界抽出
された前記生成物に対して熱処理することにより、当該
生成物中から前記有機テンプレートを除去することを特
徴とする。
【００１７】また、第５の発明によるメソポーラスシリ
ケートの調製方法は、第３又は第４の発明において、超
臨界抽出により除去された前記有機テンプレートをメソ
ポーラスシリケートの合成原料として再利用することを
特徴とする。
ケートの調製方法は、第３又は第４の発明において、超
臨界抽出により除去された前記有機テンプレートをメソ
ポーラスシリケートの合成原料として再利用することを
特徴とする。
【００１８】ここで、本発明でイオン又はゾル状態のシ
リカ源とは、例えば珪酸ナトリウム等の溶液をいうが、
これに限定されるものではない。ここで、本発明でゲル
化とは、合成反応時のメソポーラスシリケートの生成過
程をいう。ここで、本発明で晶析反応とは、メソポーラ
スシリケートが析出する過程をいう。ここで、本発明で
珪酸高分子とは、メソポーラスシリケートをいう。ここ
で、本発明で有機物とは、例えばヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウムクロリド，ヘキサデシルピリジニウムク
ロライド等をいうが、これに限定されるものではない。
リカ源とは、例えば珪酸ナトリウム等の溶液をいうが、
これに限定されるものではない。ここで、本発明でゲル
化とは、合成反応時のメソポーラスシリケートの生成過
程をいう。ここで、本発明で晶析反応とは、メソポーラ
スシリケートが析出する過程をいう。ここで、本発明で
珪酸高分子とは、メソポーラスシリケートをいう。ここ
で、本発明で有機物とは、例えばヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウムクロリド，ヘキサデシルピリジニウムク
ロライド等をいうが、これに限定されるものではない。
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【発明の実施の形態】上述したように、低温酸性メソポ
ーラスシリケートの調製に於いては、シリカ源として使
用するＴＥＯＳ等の有機珪酸化合物及びヘキサデシルト
リメチィルアンモニウムブロマイド等の有機テンプレー
トがコストのかなりの部分を占めており安価な工業用素
材として普及させるためには、安価な原料への代替又は
使用量の削減の必要なことが判った。
ーラスシリケートの調製に於いては、シリカ源として使
用するＴＥＯＳ等の有機珪酸化合物及びヘキサデシルト
リメチィルアンモニウムブロマイド等の有機テンプレー
トがコストのかなりの部分を占めており安価な工業用素
材として普及させるためには、安価な原料への代替又は
使用量の削減の必要なことが判った。
【００２２】このため発明者等はメソポーラスシリケー
トの調製のコストの大幅な低減を検討する中で、ＴＥＯ
Ｓを原料として低温酸性で調製されるＳＴＵＣＫＹ等の
メソポーラスシリケートの調製法に着目し、ＴＥＯＳの
代わりに安価に入手できる珪酸ナトリウムをシリカ源と
して使用しこれを水溶液中に溶解した後１５ｗ％程度の
濃厚塩酸によりｐＨを−１程度に保持されたヘキサデシ
ルピリジニウムクロライド水溶液に少量づつ加えてゲル
化し、これを室温で一昼夜静置或いは３時間攪拌して、
珪酸高分子の合成を行った後、生成物を濾過水洗、乾燥
し５５０℃で数時間（約６時間程度）焼成して残留する
有機物を除去してメソポーラスシリケートを得ることが
できた。
トの調製のコストの大幅な低減を検討する中で、ＴＥＯ
Ｓを原料として低温酸性で調製されるＳＴＵＣＫＹ等の
メソポーラスシリケートの調製法に着目し、ＴＥＯＳの
代わりに安価に入手できる珪酸ナトリウムをシリカ源と
して使用しこれを水溶液中に溶解した後１５ｗ％程度の
濃厚塩酸によりｐＨを−１程度に保持されたヘキサデシ
ルピリジニウムクロライド水溶液に少量づつ加えてゲル
化し、これを室温で一昼夜静置或いは３時間攪拌して、
珪酸高分子の合成を行った後、生成物を濾過水洗、乾燥
し５５０℃で数時間（約６時間程度）焼成して残留する
有機物を除去してメソポーラスシリケートを得ることが
できた。
【００２３】更に本発明では室温酸性の合成条件で得ら
れたゲル状物質を濾過水洗して生成物を得た後、高圧容
器に装架し高圧、高温の超臨界圧ＣＯ2 を溶媒として生
成物質と接触すると、有機テンプレートとして使用した
ヘキサデシルピリジニウムクロライドの大部分は超臨界
圧のＣＯ2 によって抽出され、この後ヘキサデシルピリ
ジニウムクロライドを含有するＣＯ2 を低温低圧に導く
と超臨界圧のＣＯ2 に溶解したヘキサデシルピリジニウ
ムクロライドは液相として再析出し回収された。
れたゲル状物質を濾過水洗して生成物を得た後、高圧容
器に装架し高圧、高温の超臨界圧ＣＯ2 を溶媒として生
成物質と接触すると、有機テンプレートとして使用した
ヘキサデシルピリジニウムクロライドの大部分は超臨界
圧のＣＯ2 によって抽出され、この後ヘキサデシルピリ
ジニウムクロライドを含有するＣＯ2 を低温低圧に導く
と超臨界圧のＣＯ2 に溶解したヘキサデシルピリジニウ
ムクロライドは液相として再析出し回収された。
【００２４】超臨界で抽出したヘキサデシルピリジニウ
ムクロライド及びゲル状物質中に残存するヘキサデシル
ピリジニウムクロライドをメソポーラスシリケートの原
料として再利用することによりヘキサデシルピリジニウ
ムクロライドの使用量を１／３から１／４に低減し得る
こととなる。
ムクロライド及びゲル状物質中に残存するヘキサデシル
ピリジニウムクロライドをメソポーラスシリケートの原
料として再利用することによりヘキサデシルピリジニウ
ムクロライドの使用量を１／３から１／４に低減し得る
こととなる。
【００２５】また、本発明の超臨界圧抽出によりゲル状
物質に含有されるヘキサデシルピリジニウムクロライド
の大部分が超臨界圧ＣＯ2 相に移行するので、長時間の
精密な熱処理は必要無く又従来の５５０℃の温度よりも
低温側での熱処理が実施できるためシリカネットワーク
の破壊が最低限に抑制される。
物質に含有されるヘキサデシルピリジニウムクロライド
の大部分が超臨界圧ＣＯ2 相に移行するので、長時間の
精密な熱処理は必要無く又従来の５５０℃の温度よりも
低温側での熱処理が実施できるためシリカネットワーク
の破壊が最低限に抑制される。
【００２６】また、代表的なメソポーラスシリケートで
あるＭＣＭ−４１と同様に有機テンプレートの側鎖長を
変更することによりメソポアの径の変更が可能であり、
発明者等は１０〜１００オングストロームの間でのメソ
ポアの径の可変性を確認した。
あるＭＣＭ−４１と同様に有機テンプレートの側鎖長を
変更することによりメソポアの径の変更が可能であり、
発明者等は１０〜１００オングストロームの間でのメソ
ポアの径の可変性を確認した。
【００２７】以上、本発明の採用により、安価なシリカ
源である珪酸ナトリウムを使用し、室温近傍でメソポー
ラス物質を合成するためその合成過程は大幅に簡素化さ
れ、又有機テンプレートの使用量が１／４−１／５に低
減できたため、メソポーラスシリケートのコストを従来
の１／３程度に低減でき、又熱処理温度を従来と同一の
５５０℃であれば従来の焼成時間の６時間に対し、１時
間程度で有機テンプレートの除去が達成でき、又従来と
同一の６時間であれば焼成温度は従来の５５０℃よりか
なり低い４００℃でテンプレートの完全な除去が達成で
きる。
源である珪酸ナトリウムを使用し、室温近傍でメソポー
ラス物質を合成するためその合成過程は大幅に簡素化さ
れ、又有機テンプレートの使用量が１／４−１／５に低
減できたため、メソポーラスシリケートのコストを従来
の１／３程度に低減でき、又熱処理温度を従来と同一の
５５０℃であれば従来の焼成時間の６時間に対し、１時
間程度で有機テンプレートの除去が達成でき、又従来と
同一の６時間であれば焼成温度は従来の５５０℃よりか
なり低い４００℃でテンプレートの完全な除去が達成で
きる。
【００２８】また、吸着剤に使用する場合には熱処理を
しなくてもそのテンプレートの残存は吸着量の低減につ
ながる程度であり、熱処理はこの場合には不要である。
超臨界圧抽出後のメソポーラスシリケートを熱処理を行
うことなく吸着量を比較したがジクロヘキサノン５００
０ｐｐｍの室温での吸着に於いて吸着量の低下は２０％
程度に留まり敢えて熱処理を行わなくとも実用に供せら
れることが判った。又有機テンプレートの側鎖長を変更
することによりメソポアの径を８−５０オングストロー
ムの間で変更可能な点は従来の調製方法と同一である。
しなくてもそのテンプレートの残存は吸着量の低減につ
ながる程度であり、熱処理はこの場合には不要である。
超臨界圧抽出後のメソポーラスシリケートを熱処理を行
うことなく吸着量を比較したがジクロヘキサノン５００
０ｐｐｍの室温での吸着に於いて吸着量の低下は２０％
程度に留まり敢えて熱処理を行わなくとも実用に供せら
れることが判った。又有機テンプレートの側鎖長を変更
することによりメソポアの径を８−５０オングストロー
ムの間で変更可能な点は従来の調製方法と同一である。
【００２９】また、上記メソポーラスシリケートの合成
方法は、室温近傍酸性下で行っているが、酸性条件のｐ
Ｈを保つ為の濃厚塩酸を使用する必要がある。また、該
塩酸を使用した場合には、廃液処理する手間と時間がか
かる。この為、本発明では更に検討した結果、酸性条件
から中性条件でもメソポーラスシリケートの合成を行い
得ることを知見した。すなわち、珪酸ナトリウムをシリ
カ源として使用し、これを水中液中に溶解した後、塩酸
でｐＨを７程度の中性条件下に保持されたヘキサデシル
ピリジニウムクロライド水溶液に少量づつ加えてゲル化
し、これを室温で一昼夜静置或いは３時間攪拌して、珪
酸高分子の合成を行った後、生成物を濾過水洗、乾燥し
５５０℃で数時間（約６時間程度）焼成して残留する有
機物を除去してメソポーラスシリケートを得ることがで
きた。得られたメソポーラスシリケートは酸性下で合成
した場合と同様な特性であった。
方法は、室温近傍酸性下で行っているが、酸性条件のｐ
Ｈを保つ為の濃厚塩酸を使用する必要がある。また、該
塩酸を使用した場合には、廃液処理する手間と時間がか
かる。この為、本発明では更に検討した結果、酸性条件
から中性条件でもメソポーラスシリケートの合成を行い
得ることを知見した。すなわち、珪酸ナトリウムをシリ
カ源として使用し、これを水中液中に溶解した後、塩酸
でｐＨを７程度の中性条件下に保持されたヘキサデシル
ピリジニウムクロライド水溶液に少量づつ加えてゲル化
し、これを室温で一昼夜静置或いは３時間攪拌して、珪
酸高分子の合成を行った後、生成物を濾過水洗、乾燥し
５５０℃で数時間（約６時間程度）焼成して残留する有
機物を除去してメソポーラスシリケートを得ることがで
きた。得られたメソポーラスシリケートは酸性下で合成
した場合と同様な特性であった。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の有効性を実証するために、珪
酸ナトリウムをシリカ源とし有機テンプレートとしてヘ
キサデシルピリジニウムクロライドを使用した低温酸性
でのメソポーラスシリケートの合成方法により１０００
ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するメソポーラスシリケー
トの合成の可能なこと及び合成物に含有される有機テン
プレートの除去に於いて超臨界圧ＣＯ2 に前駆物質を接
触して有機テンプレートを除去し、超臨界圧抽出して得
られた有機テンプレートを再利用してメソポーラスシリ
ケートを調製しても同じく１０００ｍ2 ／ｇ以上の比表
面積を有するメソポーラスシリケートの調製が可能なこ
とを実証した。以下に本発明の具体的な実施方法を示
す。
酸ナトリウムをシリカ源とし有機テンプレートとしてヘ
キサデシルピリジニウムクロライドを使用した低温酸性
でのメソポーラスシリケートの合成方法により１０００
ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するメソポーラスシリケー
トの合成の可能なこと及び合成物に含有される有機テン
プレートの除去に於いて超臨界圧ＣＯ2 に前駆物質を接
触して有機テンプレートを除去し、超臨界圧抽出して得
られた有機テンプレートを再利用してメソポーラスシリ
ケートを調製しても同じく１０００ｍ2 ／ｇ以上の比表
面積を有するメソポーラスシリケートの調製が可能なこ
とを実証した。以下に本発明の具体的な実施方法を示
す。
【００３１】（第１実施例；酸性条件での調整方法）先
ず、精製水５０ｍｌにヘキサデシルピリジニウムクロラ
イド１ｇを溶解した後、濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性
の溶液とする（これを「溶液Ａ−１」とする）。次に精
製水５ｍｌに珪酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃
に加温しながら溶解する（これは「溶液Ｂ−１」とす
る）。溶液Ａ−１に溶液Ｂ−１を加えると白濁した沈殿
が生じるが、これを室温で３時間半攪拌した後、生成物
を濾過水洗し、ヘキサデシルピリジニウムクロライドを
含有するメソポーラスシリケートを得た。これを１１０
℃で３時間乾燥した後、昇温速度を１００℃／時間で昇
温し、５５０℃で６時間保持して有機テンプレートを除
去してメソポーラスシリケートを得た。得られた物質の
Ｘ線回折像を図１に示す。同図に示すように、この格子
定数ｄ 100 は３１オングストロームと計測された。ま
た、窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１４０
０ｍ2 ／ｇ、細孔径は２１オングストロームと評価さ
れ、ＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であることが判明し
た。
ず、精製水５０ｍｌにヘキサデシルピリジニウムクロラ
イド１ｇを溶解した後、濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性
の溶液とする（これを「溶液Ａ−１」とする）。次に精
製水５ｍｌに珪酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃
に加温しながら溶解する（これは「溶液Ｂ−１」とす
る）。溶液Ａ−１に溶液Ｂ−１を加えると白濁した沈殿
が生じるが、これを室温で３時間半攪拌した後、生成物
を濾過水洗し、ヘキサデシルピリジニウムクロライドを
含有するメソポーラスシリケートを得た。これを１１０
℃で３時間乾燥した後、昇温速度を１００℃／時間で昇
温し、５５０℃で６時間保持して有機テンプレートを除
去してメソポーラスシリケートを得た。得られた物質の
Ｘ線回折像を図１に示す。同図に示すように、この格子
定数ｄ 100 は３１オングストロームと計測された。ま
た、窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１４０
０ｍ2 ／ｇ、細孔径は２１オングストロームと評価さ
れ、ＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であることが判明し
た。
【００３２】（第２実施例）第１実施例で得られた有機
テンプレートを除去していない焼成前のメソポーラスシ
リケートを、図２に示す高圧のカラム１に充填して、上
流から４００ａｔｍのＣＯ2 を加熱器２で温度８０℃に
て流路３から１００ｍｌＮ／分の流量で３０分流過し
た。ここで、ＣＯ2 は２５℃、２５ａｔｍが臨界点なの
で、８０℃、４００ａｔｍは超臨界条件であり、この条
件ではＣＯ2 は有機物６に対して非常に大きな溶解度を
示すので、前駆物質に含有されているヘキサデシルピリ
ジニウムクロライドは効率良く除去されて１時間の流過
で含有されたヘキサデシルピリジニウムクロライドの９
５％以上が超臨界圧ＣＯ2 相に移動する。この後、超臨
界のＣＯ2 は流路４から減圧弁５を経てフラッシュドラ
ム６に入りＣＯ2 に溶解したヘキサデシルピリジニウム
クロライドは再凝縮する。流路７から回収されたヘキサ
デシルピリジニウムクロライドを、ＦＴＩＲ，ＮＭＲ，
ガスクロマトグラフで測定して、フレッシュ品と比較し
たが高温の熱変質及び、ＣＯ2 への溶解に伴う変質等の
劣化は認められなかった。また、ヘキサデシルピリジニ
ウムクロライドの２０％程度は水熱合成時に液相にミセ
ルを形成すること無く溶解しているがこれも又シリカゾ
ル、又はゲルを含有する水溶液からｎ−ヘキサンを抽出
溶剤として液／液抽出で回収した。ヘキサデシルピリジ
ニウムクロライドを放出したＣＯ2 は流路８を経て混合
槽９から圧縮機１０で再び４００ａｔｍまで加圧されて
高圧カラム１に供給される。尚容器１１はＣＯ2 のリザ
ーバータンクであり超臨界抽出に伴い回収有機テンプレ
ートへの随伴による系外への流出、リーク等で不足する
ＣＯ2 を補充している。
テンプレートを除去していない焼成前のメソポーラスシ
リケートを、図２に示す高圧のカラム１に充填して、上
流から４００ａｔｍのＣＯ2 を加熱器２で温度８０℃に
て流路３から１００ｍｌＮ／分の流量で３０分流過し
た。ここで、ＣＯ2 は２５℃、２５ａｔｍが臨界点なの
で、８０℃、４００ａｔｍは超臨界条件であり、この条
件ではＣＯ2 は有機物６に対して非常に大きな溶解度を
示すので、前駆物質に含有されているヘキサデシルピリ
ジニウムクロライドは効率良く除去されて１時間の流過
で含有されたヘキサデシルピリジニウムクロライドの９
５％以上が超臨界圧ＣＯ2 相に移動する。この後、超臨
界のＣＯ2 は流路４から減圧弁５を経てフラッシュドラ
ム６に入りＣＯ2 に溶解したヘキサデシルピリジニウム
クロライドは再凝縮する。流路７から回収されたヘキサ
デシルピリジニウムクロライドを、ＦＴＩＲ，ＮＭＲ，
ガスクロマトグラフで測定して、フレッシュ品と比較し
たが高温の熱変質及び、ＣＯ2 への溶解に伴う変質等の
劣化は認められなかった。また、ヘキサデシルピリジニ
ウムクロライドの２０％程度は水熱合成時に液相にミセ
ルを形成すること無く溶解しているがこれも又シリカゾ
ル、又はゲルを含有する水溶液からｎ−ヘキサンを抽出
溶剤として液／液抽出で回収した。ヘキサデシルピリジ
ニウムクロライドを放出したＣＯ2 は流路８を経て混合
槽９から圧縮機１０で再び４００ａｔｍまで加圧されて
高圧カラム１に供給される。尚容器１１はＣＯ2 のリザ
ーバータンクであり超臨界抽出に伴い回収有機テンプレ
ートへの随伴による系外への流出、リーク等で不足する
ＣＯ2 を補充している。
【００３３】この後、合成物を４００℃以上で焼成し残
留するヘキサデシルピリジニウムクロライドを除去して
メソポーラスシリケートを得た。ここで、再びＸ−線回
折により熱処理前の前駆物質との構造の差異を比較した
がＸ−線回折パターンには大きな差異は認められなかっ
た。このことから超臨界抽出直後にメソポーラスシリケ
ート特有の構造は形成されており、その後の熱処理では
大きな変化のないことを示している。この後、超臨界Ｃ
Ｏ2 抽出で得られたヘキサデシルピリジニウムクロライ
ド及び水熱合成時の母液に溶解し液−液抽出で回収した
ヘキサデシルピリジニウムクロライドを原料の一部とし
て、これに不足のヘキサデシルピリジニウムクロライド
及びシリカ源となる珪酸ソーダ、ｐＨ調製剤となる塩酸
を使用して本発明の方法でメソポーラスシリケートの調
製を行った。得られたメソポーラスシリケートについて
も同じくＸ−線回折パターンを計測して比較したが１回
目に得られたメソポーラスシリケートと大きな差異はな
かった。
留するヘキサデシルピリジニウムクロライドを除去して
メソポーラスシリケートを得た。ここで、再びＸ−線回
折により熱処理前の前駆物質との構造の差異を比較した
がＸ−線回折パターンには大きな差異は認められなかっ
た。このことから超臨界抽出直後にメソポーラスシリケ
ート特有の構造は形成されており、その後の熱処理では
大きな変化のないことを示している。この後、超臨界Ｃ
Ｏ2 抽出で得られたヘキサデシルピリジニウムクロライ
ド及び水熱合成時の母液に溶解し液−液抽出で回収した
ヘキサデシルピリジニウムクロライドを原料の一部とし
て、これに不足のヘキサデシルピリジニウムクロライド
及びシリカ源となる珪酸ソーダ、ｐＨ調製剤となる塩酸
を使用して本発明の方法でメソポーラスシリケートの調
製を行った。得られたメソポーラスシリケートについて
も同じくＸ−線回折パターンを計測して比較したが１回
目に得られたメソポーラスシリケートと大きな差異はな
かった。
【００３４】ここで、ａ）従来法である５５０℃焼成で
得られたＭＣＭ−４１、ｂ）本発明の第１実施例で得ら
れた低温酸性条件で調製され５５０℃で有機テンプレー
トが除去されたメソポーラスシリケート、ｃ）本発明第
１実施例の方法で合成され第２実施例のＣＯ2 超臨界圧
抽出でヘキサデシルピリジニウムクロライドを抽出し、
そのＣＯ2 超臨界圧抽出により得られたヘキサデシルピ
リジニウムクロライドを原料の１部として再利用して水
熱合成を行い、その後５５０℃、６時間熱処理を行なっ
たメソポーラスシリケートについて、各々シクロヘキサ
ノンを５０００ｐｐｍ含有する空気と接触させて上記３
サンプル及び、ｄ）参照として現在揮発性有機物吸着に
多用されているＵＳＹについての２５℃での平衡吸着量
を比較した。この結果を「表１」に示す。
得られたＭＣＭ−４１、ｂ）本発明の第１実施例で得ら
れた低温酸性条件で調製され５５０℃で有機テンプレー
トが除去されたメソポーラスシリケート、ｃ）本発明第
１実施例の方法で合成され第２実施例のＣＯ2 超臨界圧
抽出でヘキサデシルピリジニウムクロライドを抽出し、
そのＣＯ2 超臨界圧抽出により得られたヘキサデシルピ
リジニウムクロライドを原料の１部として再利用して水
熱合成を行い、その後５５０℃、６時間熱処理を行なっ
たメソポーラスシリケートについて、各々シクロヘキサ
ノンを５０００ｐｐｍ含有する空気と接触させて上記３
サンプル及び、ｄ）参照として現在揮発性有機物吸着に
多用されているＵＳＹについての２５℃での平衡吸着量
を比較した。この結果を「表１」に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】「表１」に示すように、ＭＣＭ−４１と本
発明の低温酸性条件下で調製されたメソポーラスシリケ
ートの間には吸着性能に関する大きな差異のないことが
判明した。また、ヘキサデシルピリジニウムクロライド
を再利用してもＸ−線回折パターンの比較からある程度
予測されていたことだが、得られたメソポーラスシリケ
ートの吸着性能に差異のないことが判明した。また、Ｃ
Ｏ2 超臨界圧抽出後従来通り熱処理を行った場合と熱処
理を行わない場合とを比較すると、吸着量に関して熱処
理を行った場合の方が２０％程度大きい。これはメソポ
ーラス内に残留するヘキサデシルピリジニウムクロライ
ドのために細孔容量が減少しているためと思われた。し
かし、実用的には微妙な熱処理工程を実施して２０％吸
着量の大きな吸着剤を得るのと熱処理を行わずに使用す
る場合の損失は僅かであると思われた。さらに、参照と
なるＵＳＹ（Ultra Stable Y；超安定Ｙ型ゼオライト）
と比較すると、本発明メソポーラスシリケート及びＭＣ
Ｍ−４１の吸着量は２．５倍程度大きく、本発明メソポ
ーラスシリケートが吸着剤として非常に優れた性能を有
することが示された。
発明の低温酸性条件下で調製されたメソポーラスシリケ
ートの間には吸着性能に関する大きな差異のないことが
判明した。また、ヘキサデシルピリジニウムクロライド
を再利用してもＸ−線回折パターンの比較からある程度
予測されていたことだが、得られたメソポーラスシリケ
ートの吸着性能に差異のないことが判明した。また、Ｃ
Ｏ2 超臨界圧抽出後従来通り熱処理を行った場合と熱処
理を行わない場合とを比較すると、吸着量に関して熱処
理を行った場合の方が２０％程度大きい。これはメソポ
ーラス内に残留するヘキサデシルピリジニウムクロライ
ドのために細孔容量が減少しているためと思われた。し
かし、実用的には微妙な熱処理工程を実施して２０％吸
着量の大きな吸着剤を得るのと熱処理を行わずに使用す
る場合の損失は僅かであると思われた。さらに、参照と
なるＵＳＹ（Ultra Stable Y；超安定Ｙ型ゼオライト）
と比較すると、本発明メソポーラスシリケート及びＭＣ
Ｍ−４１の吸着量は２．５倍程度大きく、本発明メソポ
ーラスシリケートが吸着剤として非常に優れた性能を有
することが示された。
【００３７】（第３実施例）先ず、精製水５０ｍｌにヘ
キサデシルトリメチルアンモニウムブロミド１ｇを溶解
した後濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性の溶液とする（こ
れを「溶液Ａ−２」とする）。次に、精製水５ｍｌに珪
酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温しながら
溶解する（これを「溶液Ｂ−２」とする）。溶液Ａ−２
に溶液Ｂ−２を加えると白濁した沈殿が生じるがこれを
室温で３時間半攪拌した後、生成物を濾過水洗し、ヘキ
サデシルトリメチルアンモニウムブロミドを含有するメ
ソポーラスシリケートを得た。これを１１０℃、３時間
乾燥した後、昇温速度１００℃／時間で昇温し５５０℃
に６時間保持して有機テンプレート（ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロミド）を除去してメソポーラス
シリケートを得た。得られた物質のＸ線回折像を図３に
示すがこれのｄ100 は３０．７６オングストローム程度
と計測された。又窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表
面積は１４００ｍ2 ／ｇ、細孔径は２２オングストロー
ムと評価されＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であること
が判った。
キサデシルトリメチルアンモニウムブロミド１ｇを溶解
した後濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性の溶液とする（こ
れを「溶液Ａ−２」とする）。次に、精製水５ｍｌに珪
酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温しながら
溶解する（これを「溶液Ｂ−２」とする）。溶液Ａ−２
に溶液Ｂ−２を加えると白濁した沈殿が生じるがこれを
室温で３時間半攪拌した後、生成物を濾過水洗し、ヘキ
サデシルトリメチルアンモニウムブロミドを含有するメ
ソポーラスシリケートを得た。これを１１０℃、３時間
乾燥した後、昇温速度１００℃／時間で昇温し５５０℃
に６時間保持して有機テンプレート（ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロミド）を除去してメソポーラス
シリケートを得た。得られた物質のＸ線回折像を図３に
示すがこれのｄ100 は３０．７６オングストローム程度
と計測された。又窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表
面積は１４００ｍ2 ／ｇ、細孔径は２２オングストロー
ムと評価されＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であること
が判った。
【００３８】（第４実施例）先ず、精製水５０ｍｌにテ
トラデシルトリメチルアンモニウムクロリド１ｇを溶解
した後濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性の溶液とする（こ
れを「溶液Ａ−３」とする）。次に、精製水５ｍｌに珪
酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温しながら
溶解する（これを「溶液Ｂ−３」とする）。溶液Ａ−３
に溶液Ｂ−３を加えると白濁した沈殿が生じるがこれを
室温で３時間半攪拌した後、生成物を濾過水洗し、テト
ラデシルトリメチルアンモニウムクロリドを含有するメ
ソポーラスシリケートを得た。これを１１０℃、３時間
乾燥した後、昇温速度１００℃／時間で昇温し５５０℃
に６時間保持して有機テンプレート（テトラデシルトリ
メチルアンモニウムクロリド）を除去してメソポーラス
シリケートを得た。得られた物質のＸ線回折像を図４に
示す。同図に示すように、このｄ100 の格子定数は２
９．４オングストローム程度と計測された。また、窒素
吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１３００ｍ2 ／
ｇ、細孔径２０オングストロームと評価されＭＣＭ−４
１と同様の多孔体の形成されていることが判った。
トラデシルトリメチルアンモニウムクロリド１ｇを溶解
した後濃厚塩酸１０ｍｌを加えて酸性の溶液とする（こ
れを「溶液Ａ−３」とする）。次に、精製水５ｍｌに珪
酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温しながら
溶解する（これを「溶液Ｂ−３」とする）。溶液Ａ−３
に溶液Ｂ−３を加えると白濁した沈殿が生じるがこれを
室温で３時間半攪拌した後、生成物を濾過水洗し、テト
ラデシルトリメチルアンモニウムクロリドを含有するメ
ソポーラスシリケートを得た。これを１１０℃、３時間
乾燥した後、昇温速度１００℃／時間で昇温し５５０℃
に６時間保持して有機テンプレート（テトラデシルトリ
メチルアンモニウムクロリド）を除去してメソポーラス
シリケートを得た。得られた物質のＸ線回折像を図４に
示す。同図に示すように、このｄ100 の格子定数は２
９．４オングストローム程度と計測された。また、窒素
吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１３００ｍ2 ／
ｇ、細孔径２０オングストロームと評価されＭＣＭ−４
１と同様の多孔体の形成されていることが判った。
【００３９】（第５実施例；中性条件での調整方法）先
ず、精製水５０ｍｌにヘキサデシルピリジニウムクロラ
イド１ｇを溶解した後、塩酸２ｍｌを加えて酸性の溶液
とする（これを「溶液Ａ−４」とする）。次に精製水５
ｍｌに珪酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温
しながら溶解する（これは「溶液Ｂ−４」とする）。溶
液Ａ−４に溶液Ｂ−４を加えると白濁した沈殿が生じる
中性溶液となり、これを室温で３時間半攪拌した後、生
成物を濾過水洗し、ヘキサデシルピリジニウムクロライ
ドを含有するメソポーラスシリケートを得た。これを１
１０℃で３時間乾燥した後、昇温速度を１００℃／時間
で昇温し、５５０℃で６時間保持して有機テンプレート
を除去してメソポーラスシリケートを得た。得られた物
質のＸ線回折像を図１に示すものと全く同様であった。
また、窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１４
００ｍ2 ／ｇ、細孔径は２１オングストロームと評価さ
れ、ＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であることが判明し
た。
ず、精製水５０ｍｌにヘキサデシルピリジニウムクロラ
イド１ｇを溶解した後、塩酸２ｍｌを加えて酸性の溶液
とする（これを「溶液Ａ−４」とする）。次に精製水５
ｍｌに珪酸ナトリウム２．８５ｇを２５〜３５℃に加温
しながら溶解する（これは「溶液Ｂ−４」とする）。溶
液Ａ−４に溶液Ｂ−４を加えると白濁した沈殿が生じる
中性溶液となり、これを室温で３時間半攪拌した後、生
成物を濾過水洗し、ヘキサデシルピリジニウムクロライ
ドを含有するメソポーラスシリケートを得た。これを１
１０℃で３時間乾燥した後、昇温速度を１００℃／時間
で昇温し、５５０℃で６時間保持して有機テンプレート
を除去してメソポーラスシリケートを得た。得られた物
質のＸ線回折像を図１に示すものと全く同様であった。
また、窒素吸着ＢＥＴの結果によると吸着表面積は１４
００ｍ2 ／ｇ、細孔径は２１オングストロームと評価さ
れ、ＭＣＭ−４１と同程度の多孔体であることが判明し
た。
【００４０】
【発明の効果】以上、実施例と共に述べたように、本発
明によれば、安価なシリカ源である珪酸ナトリウムを使
用し、室温近傍酸性条件下でメソポーラス物質を合成す
るためその合成過程は大幅に簡素化される。また、有機
テンプレートの使用量が１／４−１／５に低減できるた
め、メソポーラスシリケートのコストを従来の１／３程
度に低減でき、また、熱処理温度を従来と同一の５５０
℃であれば従来の焼成時間の６時間に対し、１時間程度
で有機テンプレートの除去が達成でき、更に、従来と同
一の６時間であれば焼成温度は従来の５５０℃よりかな
り低い４００℃でテンプレートの完全な除去が達成でき
る。
明によれば、安価なシリカ源である珪酸ナトリウムを使
用し、室温近傍酸性条件下でメソポーラス物質を合成す
るためその合成過程は大幅に簡素化される。また、有機
テンプレートの使用量が１／４−１／５に低減できるた
め、メソポーラスシリケートのコストを従来の１／３程
度に低減でき、また、熱処理温度を従来と同一の５５０
℃であれば従来の焼成時間の６時間に対し、１時間程度
で有機テンプレートの除去が達成でき、更に、従来と同
一の６時間であれば焼成温度は従来の５５０℃よりかな
り低い４００℃でテンプレートの完全な除去が達成でき
る。
【００４１】また、メソポーラス物質を合成するため
に、上記酸性条件下の代わりに、中性条件下において合
成することにより、ｐＨを保つ為の塩酸の使用量を無く
し、更に廃液処理する手間と時間とを無くすので、さら
にトータルコストの低減を図ることができる。また、中
性条件下において反応させるので、耐酸性の装置を用い
ることがなく、メンテナンス維持管理も容易となる。
に、上記酸性条件下の代わりに、中性条件下において合
成することにより、ｐＨを保つ為の塩酸の使用量を無く
し、更に廃液処理する手間と時間とを無くすので、さら
にトータルコストの低減を図ることができる。また、中
性条件下において反応させるので、耐酸性の装置を用い
ることがなく、メンテナンス維持管理も容易となる。
【図１】本発明の第１の実施例にかかるメソポーラスシ
リケートのＸ線回折図である。
リケートのＸ線回折図である。
【図２】本発明の第２の実施例にかかる超臨界抽出装置
の概略図である。
の概略図である。
【図３】本発明の第３の実施例にかかるメソポーラスシ
リケートのＸ線回折図である。
リケートのＸ線回折図である。
【図４】本発明の第４の実施例にかかるメソポーラスシ
リケートのＸ線回折図である。
リケートのＸ線回折図である。
１ カラム
２ 加熱器
６ フラッシュドラム
９ 混合機
１０ 圧縮機
１１ リザーバタンク
フロントページの続き
(72)発明者 鹿川 修一
長崎県長崎市八幡町６番10号
(72)発明者 寺岡 靖剛
長崎県長崎市田中町384番１号 東長崎
住宅４−33
(72)発明者 瀬戸口 由加子
長崎県西彼杵郡長与町丸田郷10 三菱Ａ
Ｐ６棟309号
(56)参考文献 特開 平９−295811（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−227249（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−328312（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−6319（ＪＰ，Ａ)
Ｋａｒｅｎ Ｊ，Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐ
ｅｒａｔｕｒｅ Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ
ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｉｅｖｅ
ＭＣＭ−41，Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏ
ｃ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．,
1995年，Ｎｏ．２，ｐ．155−156
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C01B 33/12 - 39/00
Claims (5)
- 【請求項１】 ヘキサデシルピリジニウムクロライド、
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、テト
ラデシルトリメチルアンモニウムクロライドのいずれか
の有機テンプレートの酸性溶液に珪酸ナトリウム溶液を
加えて酸性条件下又は中性条件下で反応させて、得られ
た生成物を洗浄した後、当該生成物中から上記有機テン
プレートを除去することにより、メソポーラスシリケー
トを得ることを特徴とするメソポーラスシリケートの調
製方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記生成物に対して熱処理を行うことにより、当該生成
物中から前記有機テンプレートを除去する ことを特徴と
するメソポーラスシリケートの調製方法。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記生成物に対して超臨界抽出を行うことにより、当該
生成物中から前記有機テンプレートを除去する ことを特
徴とするメソポーラスシリケートの調製方法。 - 【請求項４】 請求項３において、 超臨界抽出された前記生成物に対して熱処理することに
より、当該生成物中から前記有機テンプレートを除去す
る ことを特徴とするメソポーラスシリケートの調製方
法。 - 【請求項５】 請求項３又は請求項４において、 超臨界抽出により除去された前記有機テンプレート をメ
ソポーラスシリケートの合成原料として再利用すること
を特徴とするメソポーラスシリケートの調製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16707396A JP3524681B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | メソポーラスシリケートの調製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
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- 1996-06-27 JP JP16707396A patent/JP3524681B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Ｋａｒｅｎ Ｊ，Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｉｅｖｅ ＭＣＭ−４１，Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９５年，Ｎｏ．２，ｐ．１５５−１５６ |
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