BRPI0505264B1 - Processo para aplicar em particular revestimentos óticos e aparelho para realizar esse processo. - Google Patents

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "PROCESSO PARA APLICAR REVESTIMENTOS ÓTICOS E APARELHO PARA REA- LIZAR ESSE PROCESSO". A presente invenção refere-se a um processo e um aparelho pa- ra aplicar um revestimento como reivindicado na reivindicação 1 e reivindi- cação 9, respectivamente.

Uma faixa de processos de revestimento a vácuo são utilizados para produzir revestimentos óticos, por exemplo, para revestimentos de anti- reflexão e de espelho, filtros óticos e outros tratamentos de superfícies subs- tratos. Os processos de revestimento a vácuo realizados em uma câmara de vácuo incluem entre outras coisas: deposição a vapor (VD) deposição quími- ca de vapor (CVD) e salpico (deposição física de vapor (PVD).

Durante deposição de vapor, primeiro que tudo um material de re- vestimento é derretido e vaporizado por meio de um aquecedor ou por bombar- deio por feixe de elétrons. O material na fase vapor então condensa sobre uma superfície resfriadora do substrato que deve ser revestido, onde ele forma uma camada. Contudo, depósitos também são formados sobre outras superfícies da câmara de vácuo, as quais são acessíveis à fase vapor.

Diferentemente do caso de processos de deposição física de vapor, no processo CVD um componente sólido que está inicialmente em fase vapor é depositado na superfície do substrato como um resultado de uma reação química. A pré-condição para isto é que um composto que tem as propriedades desejadas para existir em uma fase vapor, o qual sob con- dições definidas, por exemplo com um parceiro de reação definido, é deposi- tado como uma camada sólida. Um tipo específico do processo CVD é CVD aprimorado com plasma. Nesta variante um plasma é gerado acima da su- perfície substrato a ser revestida. Alguns dos componentes dentro do vapor que é introduzido são trazidos para um estado quimicamente reativo no plasma, de modo que eles são capazes de sofrer uma reação química na vizinhança da superfície substrato, que conduz a uma acumulação de uma camada sólida. O termo salpico é utilizado para descrever remoção de material por meio de bombardeio por íons, durante o qual partículas extremamente pequenas, de um alvo de estado sólido bombardeado, são destacadas (sal- picadas) e, se apropriado depois da reação com gases de salpico presentes na câmara de vácuo, condensam sobre uma superfície frontal localizada di- retamente oposta ao alvo, de um substrato, resultando na formação de uma camada sólida. Salpico é um processo de revestimento predominantemente físico, com uma característica direcional provocada pelo bombardeio com íons, no qual revestimento é realizado somente nas regiões voltadas direta- mente para o alvo, em particular a superfície frontal do substrato.

Os processos de revestimento acima mencionados são tipica- mente utilizados para aplicar camadas de materiais inorgânicos, os quais muitas vezes têm propriedades cerâmicas. Contudo, camadas inorgânicas tem a desvantagem de serem geralmente bastante friáveis, o que significa que elas são de adequabilidade apenas limitada, por exemplo, para aplica- ção a substratos plásticos com propriedades mecânicas e/ou térmicas dife- rentes, em particular uma elasticidade e coeficiente de expansão que são diferentes daqueles da camada inorgânica. Isto desempenha um papel em particular para lentes de óculos de plástico ou faces de observação, onde revestimentos anti-reflexão e/ou camadas à prova de risco são expostas a tensões mecânicas e térmicas elevadas e devem satisfazer demandas ele- vadas em termos de qualidade ótica. Diferenças importantes nas proprieda- des mecânicas e/ou térmicas do substrato e camada funcional conduzem a adesão reduzida e possivelmente mesmo as camadas descascarem. Cama- das que descascam de lentes de óculos, por exemplo, podem conduzir à visão ser prejudicada ao utilizar os óculos.

Para solucionar este problema é conhecido vedar superfícies plásticas por meio do que são conhecidos como lacas duras por processos químicos úmidos de modo a endurece-las. Depois que a superfície tenha sido condicionada desta maneira, uma outra camada ótica ou um sistema de camada é então aplicado à camada de laca dura, por exemplo, por um dos processos de revestimento a vácuo mencionados acima, contudo estas ope- rações de revestimento de laca dura são muito complexas tecnicamente, produzem apenas uma baixa produção de camadas de laca dura oticamente perfeitas e tem uma resistência relativamente baixa à abrasão e envelheci- mento comparadas a camadas inorgânicas aplicadas por meio de processos de revestimento a vácuo, tal como camadas de óxido ou nitreto. Além disto, um processo de produção em dois estágios deste tipo produz custos aumen- tados por conta de possível contaminação superficial e técnicas de manipu- lação mais complexas.

Uma abordagem de solução alternativa que é feita sem uma camada de laca dura aplicada separadamente é conhecido da EP-A- 0870070. Neste, caso em um processo CVD aprimorado com plasma monô- meros organo-metálicos em uma fase vapor são introduzidos na câmara de vácuo em adição aos gases reagentes oxigênio e nitrogênio e são incorpo- rados na camada quando ela está sendo construída. O monômero organo- metálico hexa-metileno-disiloxano (HMDSO) é utilizado para produzir uma camada de óxido modificado organicamente, oxi-nitreto ou nitreto. Áreas de aplicação preferenciais para este processo incluem revestimentos de filme, revestimentos de janela e espelho e revestimentos para superfícies decorati- vas e aplicações de revestimento exterior.

Uma desvantagem que emergiu com processos CVD aprimora- dos com plasma é que não somente as superfícies desejadas de um subs- trato, porém também outras superfícies na câmara de vácuo, em particular incluindo lados traseiros dos substratos, são revestidos ou contaminados em uma maneira não controlada. Isto ocorre no mínimo por que as condições de processo são selecionadas de tal maneira que o gás reagente reage quimi- camente nas superfícies. Conseqüentemente, trabalho de limpeza consumi- dor de tempo é caro, deve ser realizado na câmara de vácuo durante o pro- cesso de produção. Uma vez que revestimento não controlado do lado tra- seiro afeta a qualidade ótica do produto final, processos CVD deste tipo pro- vocam problemas com a produção de elementos óticos. O processo descrito na EP-A-0870070 produz uma certa locali- zação sobre superfícies a serem revestidas, gerando uma zona de plasma de alta densidade imediatamente na frente da superfície a ser revestida e por meio da passagem objetivada dos gases reagentes e monômeros para a superfície a ser revestida. Contudo, este processo é tecnicamente complexo e não impede de maneira suficiente contaminação da câmara de vácuo e revestimento não controlado do lado traseiro dos substratos. O objetivo da presente invenção é fornecer um processo e um aparelho para produzir revestimentos que permitem que uma camada com propriedades mecânicas definidas seja aplicada a uma superfície frontal de um substrato com pouca contaminação de uma câmara de vácuo.

Este objetivo é alcançado por meio de um processo e um apare- lho para aplicar um revestimento como reivindicado na reivindicação 1 e rei- vindicação 9, respectivamente. Particularmente modalidades preferenciais estão descritas nas reivindicações dependentes. O processo de acordo com a invenção e o aparelho de acordo com a invenção são utilizados para aplicar uma camada de transição ótica a uma superfície frontal de um substrato. A camada de transição é projetada para corresponder propriedades mecânicas do substrato a propriedades me- cânicas nas camadas ou sistemas de camadas que devem ser aplicados acima da camada de transição. Isto produz compatibilidade entre os materi- ais do substrato e as camadas acima dele em termos de sua elasticidade, dureza e propriedades térmicas. Salpico forma o processo básico para a a- plicação da camada de transição. Salpico oferece a vantagem de construir rapidamente a camada em combinação com uma característica direcional excelente, com o resultado que a contaminação da câmara de vácuo é subs- tancialmente impedida. Durante a operação de salpico utilizada para cons- truir a camada de transição, precursores dos produtos de reação no estado no qual eles são incorporados na camada de transição, alteram as proprie- dades mecânicas da camada de transição são introduzidos para a câmara de vácuo. A concentração dos precursores, que estão em uma fase vapor, na câmara de vácuo é ajustada de tal maneira que a deposição de produtos de reação e/ou precursores em uma operação de salpico simultânea, isto é, como um parte do processo CVD, é substancialmente impedida ou não a- contece. Isto significa que com relação a produtos de reação e precursores, sem uma operação de salpico tendo lugar adsorção e dessorção estão em equilíbrio, enquanto durante a operação de salpico a dessorção é impedida e/ou a adsorção promovida nas regiões que se situam opostas ao alvo, em particular as superfícies que devem ser revestidas. Desta maneira, produtos de reação e/ou precursores são depositados em uma maneira objetivada e no mínimo virtualmente de forma exclusiva na região que se situa oposta ao alvo, em particular nas superfícies frontais dos substratos; existe muito me- nos contaminação das superfícies circundantes na câmara de vácuo e no lado traseiro do substrato.

Se apropriado, outros revestimentos podem ser aplicados por salpico na câmara de vácuo sem transferir o substrato. À guisa de exemplo é possível aplicar a camada de transição e então um sistema de camada de óxido de silício/nitreto de silício para revestimento anti-reflexão sobre lentes de óculos ou mostradores de relógio em uma única operação utilizando o mesmo alvo, por exemplo um alvo Si. Um processo deste tipo para aplicar camadas protetoras e anti-reflexão está descrito, por exemplo, na EP-A- 1275751. O aparelho de acordo com a invenção e o processo de acordo com a invenção produzem, portanto, um revestimento de alta qualidade, em particular mesmo para componentes óticos, utilizando um processo de pro- dução econômico em tempo e econômico em custos. Diferentemente da técnica precedente, este não é um processo puramente químico, mas ao invés disto, uma combinação de salpico físico com uma característica dire- cional pronunciada e a incorporação quimicamente reativa de produtos de reação na camada de transição.

Modalidades particularmente preferenciais do processo de acor- do com a invenção e do aparelho de acordo com a invenção estão descritas abaixo com referência aos desenhos, nos quais em detalhe e de maneira puramente diagramática: A Figura 1 um mostra uma vista lateral de uma seção transversal através de um substrato revestido com uma camada de transição na qual produtos de reação são incorporados; A Figura 2 mostra uma ilustração de detalhe do substrato mos- trado na Figura 1 com uma camada de transição e um sistema de camada anti-reflexão aplicado acima dela; e A Figura 3 mostra uma vista em planta de uma parede de acordo com a invenção com dois substratos e um alvo em uma câmara de vácuo. A Figura 1 mostra um substrato 10 com um revestimento que foi produzido utilizando o processo de acordo com a invenção ou por meio do aparelho de acordo com a invenção. Uma camada de transição 12 (também referida como uma camada dura), na qual produtos de reação 14 formados a partir de precursores são incorporados, foi produzida diretamente acima do substrato 10. Os produtos de reação 14 são utilizados para corresponder as propriedades mecânicas e térmicas do substrato 10 para as propriedades mecânicas e térmicas de um sistema de camada anti-reflexão 16 acima dele.

Isto assegura que o substrato 10 é mecanicamente compatível com o siste- ma de camada 16. Uma elasticidade aumentada e portanto correspondência melhorada na camada de transição 12 impede que o sistema de camada inorgânica genericamente muito friável 16 ser torne destacado. Portanto a camada de transição realiza uma função de ponte entre o substrato 10 e o sistema de camada 16. A camada de transição 12 que está mostrada na Figura 1 foi a- plicada a um substrato 10 feito de plástico e é circundado em forma de san- duíche, que compreende predominantemente S1O2 e tem aproximadamente 500 nm de espessura. O sistema de camada anti-reflexão 16 acima desta camada de transição 12, que está ilustrada em detalhe na Figura 2 tem a- proximadamente 214 nm de espessura e compreende uma camada de SiNy de aproximadamente 33 nm de espessura 16a, uma camada de SiOx de aproximadamente 22 nm de espessura 16b, uma outra camada de SiNy de aproximadamente 66 nm de espessura 16c, e uma outra camada de SiOx de aproximadamente 94 nm de a espessura 16d. Uma vez que 0 mesmo mate- rial alvo silício e os gases de salpico oxigênio e nitrogênio foram utilizados durante a produção da camada de transição 12 e 0 sistema de camada 16, as camadas 12,16a, 16b, 16c, 16d foram depositadas em sucessão em uma única operação sem que o substrato 10 tenha sido movido. O processo utili- zado para aplicar o revestimento anti-reflexão está descrito, por exemplo, na acima referenciada EP-A-1275751. Em adição ao revestimento de um subs- trato plástico 10 como mostrado aqui, também é possível que outros materi- ais de substrato, por exemplo vidro, metais ou materiais cerâmicos sejam revestidos desta a maneira. Além disto, um gradiente de concentração defi- nido de produtos de reação 14 pode ser produzido na camada de transição 12 durante a operação de revestimento variando a concentração de precur- sor para otimizar ainda mais a compatibilidade entre o substrato 10 e o sis- tema de camadq 16. A Figura 3 fornece uma ilustração puramente diagramática de uma vista em planta do aparelho de acordo com a invenção. No interior de uma câmara de vácuo 18 formada por paredes, existem dois substratos 10, cujas superfícies frontais 20 direcionadas para o interior da câmara de vácuo 18, se situam no mínimo virtualmente paralelas opostas a uma superfície alvo 22 de um alvo 24. A distância entre as superfícies frontais 20 e a super- fície alvo, dependendo do substrato, está entre 50 mm e 150 mm, preferi- velmente entre 90 mm e 120 mm. A modalidade tomada como exemplo ilustrada utiliza um alvo Si.

Naturalmente também é possível utilizar outros materiais que são adequa- dos para salpico. Sobre o lado da superfície alvo, um aparelho que não está mostrado é utilizado para bombardear o alvo 24 com íons. Isto pode ter lugar em uma maneira que é conhecida para processos de salpico convencionais, por exemplo, por meio de uma descarga de gás de voltagem contínua ou por meio de um magnetron posicionado no alvo 24 e operado em modo pulsado.

Na vizinhança da superfície alvo 22, um plasma que contém íons dos gases de salpico é produzido em um gás de salpico, nesta modalidade argônio e oxigênio, introduzido para o interior da câmara de vácuo 18 atra- vés de uma entrada de gás de salpico 26. Em um campo eletromagnético os íons são acelerados no sentido da superfície alvo 22. Quando os íons atin- gem a superfície alvo 22, (Si) átomos são removidos do alvo 24. Dependen- do da conservação de "momentum", os átomos que foram removido se mo- vem substancialmente perpendicularmente para longe da superfície alvo 22 sobre a superfície frontal 20 do substrato 10 e com isto produzem uma de- pendência direcional no processo de revestimento durante salpico. Em seu caminho eles são oxidados pelo oxigênio, no caso presente para formar Si- 02 e são então depositados sobre ou acima da superfície frontal 20 e do substrato 10.

Em adição à entrada de gás de salpico 26 para a introdução do gás de salpico, a câmara de vácuo 18 também tem no mínimo uma entrada de precursor 28 e uma saída 30.

Os precursores dos produtos de reação 14 que estão em uma fase de vapor são alimentados para a câmara de vácuo 18 através da entrada de precursor 28. Por meio de interação com a saída 30, que é conectada a uma bomba de vácuo, a concentração dos precursores e sua pressão parcial associada são ajustadas por meio de um aparelho de controle (não mostra- do). Na modalidade presente, o precursor utilizado é hexa-metileno-disiloxano (HMDSO). Como uma alternativa também é possível utilizar outras substân- cias ou misturas de substâncias que estão em uma fase vapor, preferivelmen- te substâncias organo-metálicas. Nesta modalidade com uma câmara de vá- cuo 18 de uma dimensão de 10 dm3, a vazão do precursor HMDSO é ajusta- da para aproximadamente 5 sccm (centímetros cúbicos padrão/minuto) que correspondem a 0,3 litros/hora (stp), que conduz a uma pressão parcial dos precursores na câmara de vácuo 18 de 1,5 .10‘2 Pa. Em tal pressão parcial baixa, ou tal concentração baixa de precursores, são virtualmente exclusiva- mente as superfícies frontais 20 dos substratos 10, que se situam diretamente opostas à superfície alvo 22, que são revestidas com incorporação dos produ- tos de reação 14. A baixa concentração de precursores também significa que se bombardeio de íons está ausente, por exemplo, se o com plasma está fal- tando por conta de a descarga de gás estar desligada, o magnetron não estar operando e/ou uma falta de gases de salpico, processos de adsorção e des- sorção estão em equilíbrio através de toda a câmara de vácuo 18, e não pode haver incorporação ou deposição efetiva no sentido de contaminação com precursores ou os produtos 14 de sua reação.

Somente durante salpico, e portanto enquanto a camada de transição 12 está sendo construída este equilíbrio é deslocado no mínimo virtualmente de maneira exclusiva na região que se situa oposta ao alvo 24, em particular nas ou em frente das superfícies frontais 20, de tal maneira que a deposição líquida dos produtos de reação 14 ocorre como um resulta- do de dessorção impedida ou absorção promovida, com o resultado que os produtos de reação 14 são incorporados na camada de transição 12. Além disto, um equilíbrio entre processos de adsorção e dessorção continua a prevalecer em todas as superfícies que não se situam opostas ao alvo 24 ou a superfície alvo 22 e, nestas superfícies não há nenhuma ou apenas depo- sição ou contaminação reduzidas.

Com base na dependência direcional dos processos de revesti- mento durante salpico, o processo de acordo com a invenção ou aparelho de acordo com a invenção, tem uma característica direcional pronunciada como visto a partir da superfície alvo 22 no sentido das superfícies frontais 20, o que vantajosamente torna possível impedir depósitos não desejados de pre- cursores ou produtos de reação 14, em particular incluindo os lados traseiros 34 dos substratos 10. Revestimento não controlado do lado traseiro podería conduzir a resistências de ligação parcialmente insatisfatórias sobre os lados traseiros 34, de modo que a aplicação subseqüente de outras camadas ou sistemas de camada ao revestimento global do lado traseiro defeituoso re- sulta em revestimentos de qualidade inadequada. O método de acordo com a invenção para operar o aparelho a- cima descrito também requer inicialmente o trabalho de preparação requeri- do para processos de revestimento a vácuo conhecidos, isto é, principalmen- te limpeza da câmara de vácuo 18, condicionamento/limpeza das superfícies substrato, fixação/orientação do substrato 10 e alvo 24, fechamento da câ- mara de vácuo 18 e sua evacuação subseqüente. Então o revestimento de acordo com a invenção é efetuado aplicando a camada de transição 12 à superfície frontal 20 no substrato 10, com a inclusão dos produtos de reação 14, para corresponderas propriedades mecânicas do sistema de camada 16 que é em seguida aplicado às propriedades mecânicas e/ou térmicas do substrato 10. Durante salpico, a camada de transição 12, com a inclusão dos produtos de reação 14 é depositada no mínimo virtualmente de maneira ex- clusiva na superfície frontal 20. Durante esta etapa de processo a pressão parcial dos precursores na câmara de vácuo 18 é ajustada em uma faixa de desde 1.10'3 Pa até 1 .10'1 Pa, preferivelmente para 1,5.10'2 Pa, de modo que a deposição de produtos de reação 14 e seus precursores dentro da câmara de vácuo 18 é impedida sem bombardeio de íons da superfície alvo 22. Desde que a camada de transição 12 seja completada, é possível aplicar o sistema de camada 16 sem a necessidade por transferência complexa e cara do substrato 10.

Uma quantidade de testes de carga foi realizada sobre substra- tos 10 que foram revestidos com uma camada de transição 12 utilizando o processo de acordo com a invenção e então dotados de um sistema de ca- mada anti-reflexão 16. Para estes testes uma camada de transição 12 foi, em cada caso, aplicada a um objeto A utilizando os seguintes parâmetros de processo: • vazões de gás de entrada: e 25 sccm de argônio, 15 sccm de oxigênio, 5 sccm de HMDSO, resultando em uma pressão parcial de HMD- SOde 1,5.10-2 Pa; • salpico com corrente contínua pulsada com uma potência elé- trica de 1,5 kw e uma freqüência de pulso de 90 kHz, com o plasma no tem- po durante pulsos somando 6 ms; • alvo Si 24; • tempo para aplicar a camada de transição 12, 300 ms, resul- tando em uma espessura da camada de transição 12 de 430 nm; • distância entre o alvo Si 24 e o substrato 10,105 mm.

Então, sistemas de camada anti-reflexão idênticos 16 foram de- positados sobre o objeto A e um objeto de referência B com um substrato idêntico 10 porém sem a camada de transição 12. Os revestimentos foram então danificados em uma maneira definida, por meio de uma ferramenta padrão de tal modo que quatro tiras de sulcos em forma de cunha correndo paralelos um ao outro a uma distância de 1 mm foram riscadas nos revesti- mentos. O objeto A e o objeto de referência associado B foram então sub- metidos a um teste de envelhecimento rápido, no qual carregamento típico de dois anos de utilização normal foi simulado por dez dias de envelheci- mento rápido. Para esta finalidade, em uma câmara de teste, os objetos fo- ram trocados em intervalos de quatro horas de 1. uma temperatura de 55 °C e uma umidade atmosférica de 95% para 2. uma temperatura de 50 °C sem umidade atmosférica, porém com irradiação luz UVB de uma intensidade de 0,83 w/m2/nm.

Foi possível determinar remoção de materiais dos revestimentos através de uma inspeção visual por meio de um deste de fita adesiva padro- nizado (ASTM D 3359: Standard Test Methods for Measuring Adhesion by Tape Tests), no qual fitas adesivos foram coladas sobre as regiões danifica- das e então puxadas. Nestes testes foi concluído que os objetos A dotados de uma camada de transição 12 de acordo com a invenção não tiveram qualquer dano adicional ou remoção de elementos da camada. Em contras- te, aproximadamente 30% dos revestimentos do objeto de referência B se tornaram destacados, e o revestimento restante revelou outras formações de rachaduras. Isto demonstrou a função e a ação vantajosa do processo de acordo com a invenção envolvendo a aplicação de uma camada de transição 12.

Uma área típica de utilização para o presente aparelho e o pre- sente processo é o revestimento de lentes para óculos e/ou mostradores de relógio feitos de plástico ou vidro. Contudo, nenhum dos processos ou o a- parelho está restrito aos campos convencionais de ótica e fabricação de a- parelhos científicos, mas, ao invés disso, também podem ser utilizados em outros campos, por exemplo tecnologia de embalagem e tecnologia de ener- gia, por exemplo em conexão com células solares.

Claims (10)

1. Processo para aplicar revestimentos óticos específicos a uma superfície frontal (20) de um substrato (10) localizado em uma câmara de vácuo (18) por meio de atomização aprimorada por íons de um alvo (24) (salpico), em que sobre a superfície frontal (20) do substrato (10) é aplicada uma camada de transição (12), caracterizado pelo fato de que para produzir a camada de transição (12) sobre o lado frontal que serve, em particular, para corresponder propriedades mecânicas do substrato (10) a propriedades mecânicas de camadas ou sistemas de camada (16) a serem a aplicadas a ele, precursores cujos produtos de reação (14), no estado no qual eles são incorporados na camada de transição (12), alteram as propriedades mecâni- cas da camada de transição (12), são introduzidos na câmara de vácuo (18) antes e/ou durante a aplicação da camada de transição (12), sendo que, na câmara de vácuo (18), uma concentração dos precursores que estão em uma fase vapor é ajustada de tal maneira que a deposição de produtos de reação (14) e/ou precursores sem uma operação de salpico simultânea é substancialmente impedida, e que durante salpico, produtos de reação (14) e/ou precursores são depositados no mínimo virtualmente de maneira exclu- siva em uma região que se situa oposta ao alvo (24), preferivelmente nas superfícies frontais (20) do substrato (10).

2. Processo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que os precursores utilizados são hidrocarbonetos polimerizáveis, compostos organo- metálicos, compostos organo-silícicos, compostos orga- no-fluoretos e/ou misturas deles, preferivelmente hexa-metileno-disiloxano (HMDSO).

3. Processo de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que o precursor utilizado é hexa-metileno-disiloxano (HMDSO), cuja pressão parcial na câmara de vácuo (18) é ajustada para uma faixa de desde 1x10'3 Pa até 1x10'1 Pa, preferivelmente 1,5 x 10'2 Pa.

4. Processo de acordo com uma das reivindicações 1 até 3, ca- racterizado pelo fato de que a camada de transição (12), em particular para produzir um elemento ótico, é aplicada a um substrato oticamente transpa- rente (10) feito de plástico ou vidro.

5. Processo de acordo com uma das reivindicações 1 a 4, carac- terizado pelo fato de que uma outra camada ou um outro sistema de camada (16), preferivelmente uma camada anti-reflexão ou sistema de camada anti- reflexão, é aplicado à camada de transição (12) por meio de salpico e/ou um outro processo de revestimento.

6. Processo de acordo com uma das reivindicações 1 a 5, carac- terizado pelo fato de que gases de salpico são introduzidos para o interior da câmara de vácuo (18) para o salpico.

7. Processo de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que os gases de salpico utilizados são oxigênio e nitrogênio.

8. Processo de acordo com uma das reivindicações 1 a 7, carac- terizado pelo fato de que o material do alvo (24) é silício.

9. Aparelho para realizar o processo para aplicar em particular um revestimento ótico como definido em uma das reivindicações 1 até 8, caracterizado pelo fato de que inclui uma câmara de vácuo evacuável (18) com uma entrada de precursor (28) através da qual uma concentração pre- determinada de precursores é ajustada por meio de um aparelho de contro- le.

10. Aparelho de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pe- lo fato de que a distância entre a superfície frontal (20) e a superfície alvo (22) está entre 50 mm a 150 mm, preferivelmente a 105 mm.