BG66624B1 - Двумерен магнитометър - Google Patents

Двумерен магнитометър Download PDF

Info

Publication number
BG66624B1
BG66624B1 BG111199A BG11119912A BG66624B1 BG 66624 B1 BG66624 B1 BG 66624B1 BG 111199 A BG111199 A BG 111199A BG 11119912 A BG11119912 A BG 11119912A BG 66624 B1 BG66624 B1 BG 66624B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contacts
square
dimensional magnetometer
rectangular
plane
Prior art date
Application number
BG111199A
Other languages
English (en)
Other versions
BG111199A (bg
Inventor
Чавдар РУМЕНИН
Станоев Руменин Чавдар
Сия ЛОЗАНОВА
Вълчева Лозанова София Сия
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG111199A priority Critical patent/BG66624B1/bg
Publication of BG111199A publication Critical patent/BG111199A/bg
Publication of BG66624B1 publication Critical patent/BG66624B1/bg

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Двумерният магнитометър съдържа полупроводникова n-тип подложка, върху едната страна на която са формирани два квадратни омични контакта (2 и 3), разположени в близост един до друг. Симетрично спрямо четирите им страни има последователно по часовниковата стрелка по един правоъгълен омичен контакт - първи (4 и 5), втори (6 и 7), трети (8 и 9), и четвърти (10 и 11). Всичките с еднакви размери. Всяка от двете групи, съдържаща квадратен (2 и 3) и четири правоъгълни контакта (4 и 5), (6 и 7) и съответно (8 и 9), (10 и 11) е обградена с дълбок p-тип ринг (12). Контактите (2 и 3) са съединени с токоизточник (13). Първите (4 и 5) и вторите (6 и 7) контакти от всяка група са свързани съответно помежду си. Четвъртите (10 и 11) и съответно третите (8 и 9) контакти от всяка група са изходите (14 и 15) на двумерния магнитометър за двете ортогонални компоненти на магнитното поле (16), лежащо в равнината на n-тип подложката (1).

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до двумерен магнитометър, приложим в областта на сензориката микро- и нано-технологиите, системното инженерство, включително биоинженерството, роботиката и мехатрониката, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, биомедицинските изследвания, енергетиката и енергийната ефективност, позиционирането на обекти, автоматиката, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, военното дело и сигурността, и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е двумерен магнитометър, съдържащ п-тип полупроводникова подложка, върху едната страна на която са формирани централен омичен контакт с квадратна форма като на разстояния и симетрично спрямо четирите му страни има последователно по един правоъгълен вътрешен омичен контакт и по един външен омичен контакт. Четирите външни контакта са съединени и през токоизточник са свързани с централния контакт. Измерваното външно магнитно поле лежи в равнината на п-тип подложката, като всяка двойка срещуположни вътрешни контакти спрямо централния са изходите на двумерния магнитометър за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле [1,2].
Недостатък на този двумерен магнитометър е редуцираната точност на отделните сензорни канали при измерване на равнинните компоненти на магнитното поле в резултат на паразитното междуканално влияние от повърхностното разтичане на четирите захранващи тока между централния и четирите крайни контакти.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде двумерен магнитометър с висока измервателна точност на двата сензорни канала.
Тази задача се решава с двумерен магнитометър, съдържащ п-тип полупроводникова подложка, върху едната страна на която са формирани в близост един до друг два еднакви с квадратна форма омични контакти като на разстояния и симетрично спрямо четирите страни на всеки един от тях има разположени последователно по часовниковата стрелка по един правоъгълен омичен контакт - първи, втори, трети и четвърти, всичките с еднакви размери. Всяка от двете групи, съдържаща квадратен и четири правоъгълни контакта е обградена с дълбок р-тип ринг. Двата квадратни контакта са съединени с токоизточник. Първите и съответно вторите контакти от всяка група са свързани помежду си. Четвъртите и съответно третите контакти от всяка група са изходите на двумерния магнитометър за двете ортогонални компоненти на магнитното поле, лежащо в равнината на п-подложката.
Предимство на изобретението е високата измервателна точност на двата сензорни канала поради силно редуцираното повърхностно разтичане на захранващия ток, постигнато с обграждащия двете групи контакти р-тип ринг.
Предимство е също повишената магниточувствителност на двата сензорни канала в резултат на последователното свързване на изходите на двата магнитопреобразувателя, формирани от двете групи омични контакти и от наличие на обграждащия ги дълбок р-тип ринг.
Предимство е още повишеното съотношение сигнал/шум и резолюцията на измерваната магнитна индукция от нарасналата чувствителност на сензорните канали.
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.
Примери за изпълнение на изобретението
Двумерният магнитометър съдържа п-тип полупроводникова подложка 1, върху едната страна на която са формирани в близост един до друг два еднакви с квадратна форма омични контакти 2 и 3 като на разстояния и симетрично спрямо четирите страни на всеки един от тях има разположени последователно по часовниковата стрелка по един правоъгълен омичен контакт - първи 4 и 5, втори 6 и 7, трети
66624 В1 и 9 и четвърти 10 и 11, всичките с еднакви размери. Всяка от двете групи, съдържаща квадратен 2 и 3 и четири правоъгълни контакта 4 и 5, 6 и 7, и съответно 8 и 9, 10 и 11 е обградена с дълбок р-тип ринг 12. Двата квадратни контакта 2 и 3 са съединени с токоизточник 13. Първите 4 и 5 и съответно вторите 6 и 7 контакти от всяка група са свързани помежду си. Четвъртите 10 и 11 и съответно третите 8 и 9 контакти от всяка група са изходите 14 и 15 на двумерния магнитометър за двете ортогонални компоненти на магнитното поле 16, лежащо в равнината на п-тип подложката 1.
Действието на двумерния магнитометър, съгласно изобретението, е следното.
При включване на двата квадратни контакта 2 и 3 към токоизточника 13, между тях протича захранващ ток 123. Неговата траектория в областите под контакти 2 и 3 първоначално е перпендикулярна на горната повърхност на п-подложката 1, тъй като квадратните нискоомни контакти 2 и 3 представляват еквипотенциални равнини. Другата част от ефективната траектория на тока 12 3 е в обема на п-подложката 1 и е успоредна на горната й страна. Важна особеност е, че посоките на тока 123 под квадратните контакти 2 и 3 са противоположни, 12 = |-13| = 12 3. Дълбокият р-тип ринг, обграждащ достатъчно близко омичните контакти 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 и 11 драстично редуцира разтичането по повърхността на подложката 1 на захранващия ток 123.
Външното магнитно поле В 16, което е с произволна ориентация в равнината на подложката 1, чрез двете си взаимноперпендикулярни компоненти Βχ и Ву води до възникване на съответни латерално отклоняващи движещи се токоносители 123 сили на Лоренц, РЕ = ц У х В, където ς е елементарния товар на електрона, а У е векторът на средната дрейфова скорост на токоносителите, в нашия случай електроните. В резултат на тази Лоренцова дефлекция в повърхностните зони, там където са разположени омични контакти 4 и 8, и съответно би 10 от едната група и 5 и 9, и съответно 7 и 11 от другата, се генерират противоположни по знак електрически товари. Това води до поява на напрежения на Хол върху тези контакти както следва: У48х) и У610у), и съответно У59х) и У7 иу). Поради структурната симетрия на двете групи контакти и противоположната посока на тока 12 3 под контакти 2 и 3, тези напрежения са еднакви по стойност и са с противоположна полярност, У4 8х) = |- У5 9х)| и Уу) = |- У7 „(В )|. Когато двата първи 4 и 5 и двата втори 6 и 7 контакта от всяка група са свързани съответно помежду си, се осъществява сумиране на напреженията на Хол: У8 9χ) = У4 8χ) + У5 9х) и У6 ],(В ) = \10у) + У71,(В ). Ето защо върху диференциалните изходи УШ|1у) 14 и У89х) 15 на двуосния векторен магнитометър се генерират двойно по-големи напрежения на Хол, отколкото ако се използва само един магнитопреобразувател, конфигуриран от една група омични контакти, например 2,4,6, 8 и 10. Двата изходни Ходови сигнали 14 и 15 са линейни и нечетни функции от стойностите и посоките на компонентите Βχ и Ву на полето В 16, и следователно гарантират високо метрологично качество на 2-Ό сензора. Абсолютната стойност на вектора на магнитното поле В 16 в равнината х-у на п-подложката 1 и ъгълът Θ на полето В 16 спрямо фиксирана реперна ос в същата равнина се дават с изразите: |В| = (Вх 2 + Ву2)1/2 и Θ = 1ап-’(У(Ву)/Ухх)).
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава във възможността с един и същ захранващ ток 12 чрез две максимално опростени конфигурации омични контакти да се генерират две по две линейни и нечетни Холови напрежения, регистриращи компонентите на равнинния магнитен вектор В(В ,В ). След сумиране на изходните сигнали без допълнителна схемотехника магниточувствителността на двата изхода 14 и 15 практически се удвоява. От съществено значение за опростяване на последващата обработка на изходните напрежения 14 и 15 е, че избраната симетрична структура определя равенство на магниточувствителностите на изходи 14 и 15. Чрез специфичната геометрия на р-тип ринга 12 драстично са минимизирани повърхностните паразитни токове. Разтичането им по повърхността практически е отстранено и измервателната точност на двата сензорни канала е съществено подобрена. Дълбокият р-ринг 12 подобрява също ортогоналността на токове 12 и 13 през двата квадратни захранващи контакта 2 и 3 в отсъствие на магнитно поле В 16 спрямо горната равнина на подложката 1. Така токовите линии 12 3 проникват дълбоко в обема на п-полупроводниковата подложка 1. Следователно въздействието на двете компоненти В и В на магнитното поле В 16 чрез
X у силите на Лоренц Рь върху токове 12 и 13 е значително повишено, и магниточувствителността на двата канала също.
66624 В1
Проведените експерименти с прототипи на новия двумерен магнитометър, реализирани на основата на силициева биполярна технология съгласно изобретението и сравняването на резултатите с тези за известното решение показват, че при фиксирана стойност на захранващия ток 12 3 = сопз! и определена посока на магнитното поле В 16 в равнината на η-δϊ подложка 1, магниточувствителностите на двата х- и у-сензорни канали 14 и 15 са равни и двойно по-големи. Подобрен е също и един от най-важните сензорни параметри на х- и у-каналите - съотношението сигнал/шум δ/Ν. Установено е, че паразитното влияние между двата сензорни канали е съществено минимизирано като измервателната точност на двумерния магнитометър е значително повишена. При необходимост 2-Ό магнитометърът може да се реализира с микромашининг силициева технология.

Claims (1)

  1. Патентни претенции
    1. Двумерен магнитометър, съдържащ полупроводникова п-тип подложка, върху едната страна на която са формирани омичен контакт с квадратна форма и симетрично спрямо него правоъгълни омични контакти, токоизточник, като външното магнитно поле лежи в равнината на полупроводниковата подложка, характеризиращ се с това, че квадратните омични контакти са два (2 и 3) и са разположени в близост един до друг, на разстояния и симетрично спрямо четирите страни на всеки един от тях има последователно по часовниковата стрелка по един правоъгълен омичен контакт - първи (4 и 5), втори (6 и 7), трети (8 и 9) и четвърти (10 и 11), всичките с еднакви размери, като всяка от двете групи, съдържаща квадратния (2 и 3) и четирите правоъгълни контакта (4 и 5), (6 и 7) и съответно (8 и 9), (10 и 11) е обградена с дълбок р-тип ринг (12), като двата квадратни контакта (2 и 3) са съединени с токоизточника (13), а първите (4 и 5) и съответно вторите (6 и 7) контакти от всяка група са свързани помежду си, при което четвъртите (10 и 11) и съответно третите (8 и 9) контакти от всяка група са изходите (14 и 15) на двумерния магнитометър за двете ортогонални компоненти на магнитното поле (16), лежащо в равнината на п-тип подложката (1).
BG111199A 2012-04-17 2012-04-17 Двумерен магнитометър BG66624B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111199A BG66624B1 (bg) 2012-04-17 2012-04-17 Двумерен магнитометър

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111199A BG66624B1 (bg) 2012-04-17 2012-04-17 Двумерен магнитометър

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG111199A BG111199A (bg) 2013-10-31
BG66624B1 true BG66624B1 (bg) 2017-11-30

Family

ID=49753730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG111199A BG66624B1 (bg) 2012-04-17 2012-04-17 Двумерен магнитометър

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66624B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG111199A (bg) 2013-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG66624B1 (bg) Двумерен магнитометър
BG66954B1 (bg) 2-d полупроводников магнитометър
BG111840A (bg) Интегрален 3d микросензор за магнитно поле
BG67134B1 (bg) Микросензор на хол
BG67380B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
BG112804A (bg) 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67039B1 (bg) Двуосен микросензор за магнитно поле
BG66714B1 (bg) Трикомпонентен микросензор за магнитно поле
BG67210B1 (bg) Двуосен интегрален сензор за магнитно поле
BG111329A (bg) Полупроводников трикомпонентен магнитометър
BG67551B1 (bg) Двуосен магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на хол
BG67038B1 (bg) Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол
BG66704B1 (bg) Двумерен полупроводников магнитометър
BG66885B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент на хол
BG66436B1 (bg) Интегрален тримерен сензор за магнитно поле
BG111414A (bg) Интегрален сензор на хол с паралелна ос на магниточувствителност
BG113014A (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG66933B1 (bg) Микросензор на хол
BG66843B1 (bg) Двуосен магнитометър на хол
BG66433B1 (bg) Двумерен векторен магнитометър
BG66985B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен преобразувател на хол
BG66711B1 (bg) Сензор на хол с тангенциална ос на магниточувствителност
BG112445A (bg) Магниточувствителен сензор
BG66404B1 (bg) Полупроводников елемент на хол с паралелна ос на чувствителност
BG66790B1 (bg) X-, y- и z-компонентен магнитометър