BG66955B1 - Микросензор на хол с тангенциална чувствителност - Google Patents

Микросензор на хол с тангенциална чувствителност Download PDF

Info

Publication number
BG66955B1
BG66955B1 BG112115A BG11211515A BG66955B1 BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1 BG 112115 A BG112115 A BG 112115A BG 11211515 A BG11211515 A BG 11211515A BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contacts
contact
rectangular
microsensor
long sides
Prior art date
Application number
BG112115A
Other languages
English (en)
Other versions
BG112115A (bg
Inventor
Чавдар РУМЕНИН
Вълчева Лозанова Сия
Сия ЛОЗАНОВА
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG112115A priority Critical patent/BG66955B1/bg
Publication of BG112115A publication Critical patent/BG112115A/bg
Publication of BG66955B1 publication Critical patent/BG66955B1/bg

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Микросензорът на Хол с тангенциална чувствителност съдържа полупроводникова подложка (1) с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта, съответно първи (2), втори (3) и трети (4), разположени успоредно на дългите си страни, като вторият (3) е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият (2) и отдясно - третият (4) контакт. Откъм късите страни на централния контакт (3) и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт - трети (7) и четвърти (8), токоизточник (11) и измервателен усилвател (12). Първият (2) и третият (4) правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточника (11), другият извод на който е свързан с централния контакт (3). Третият (7) и четвъртият (8) странични контакти са свързани с входа на усилвателя (12). Измерваното магнитно поле (16) е в равнината на подложката (1) и е перпендикулярно на дългите страни на контактите (2, 3 и 4). Формирани са още две двойки странични омични контакти първи (5) и втори (6), и пети (9) и шести (10), разположени откъм късите страни на левия (2) и съответно на десния (4) правоъгълен контакт. Първият (5), третият (7) и петият (9) страничен контакт са откъм едната къса страна на контактите (2, 3 и 4), а вторият (2), четвъртият (8) и шестият (10) контакт - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти (2, 3 и 4). Страничните контакти първи (5) и шести (10) са свързани с входа на друг измервателен усилвател (13), а втория (6) и петия (9) контакт са съединени помежду си. Първият (5) и третият (7) страничен контакт са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата усилвателя (12 и 13), изходите на които са свързани с входа на диференциален усилвател (14), чийто изход е изход (15) на микросензора на Хол.

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, приложимо в областта на сензориката, роботиката и мехатрониката, когнитивните интелигентни системи, безконтактната автоматика и безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, позиционирането на обекти в равнината и пространството, микро- и нано-технологиите, енергетиката, автомобилостроенето, биомедицината, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, военното дело и контратероризма, и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта, разположени успоредно на дългите си страни като един от тях е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени другите два, които са крайни. Откъм късите страни на централния контакт и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт. Крайните контакти са захранващи и са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Двата странични контакта са съединени е входа на измервателен усилвател, изходът на който е изход на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти [1,2,3].
Недостатък на този микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е ниската стойност на магниточувствителността в резултат на частично регистриране на напрежението на Хол, генерирано върху повърхността на подложката в зоните откъм късите страни на захранващите контакти.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е висока магниточувствителност.
Тази задача се решава е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи, втори и трети. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият и отдясно - третият. Откъм късите страни на трите контакта и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият и вторият са при левия правоъгълен контакт, третият и четвъртият - при централния, а петият и шестият - при левия контакт. Първият, третият и петият контакт са откъм едната къса страна, а вторият, четвъртият и шестият - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти. Първият и третият правоъгълни контакти са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Страничните контакти трети и четвърти са съединени е входа на измервателен усилвател, първи и шести са свързани е входа на друг измервателен усилвател, а втори и пети контакти са съединени помежду си. Първият и третият странични контакти са съединени едновременно само е неинвертиращите или съответно само е инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя. Изходите на тези усилватели са свързани е входа на диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти.
Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на оползотворената максимална стойност на генерираното напрежение на Хол върху подложката, а не само на малка част от него.
Предимство е също повишената резолюция при детектиране на минимална магнитна индукция, поради високата чувствителност и увеличеното отношение сигнал/шум.
Предимство е още и увеличената измервателна точност по причина на високата магниточувствителност.
102
Описания на издадени патенти за изобретения
Пояснение на приложената фигура № 09.2/30.09.2019
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.
Примери за изпълнение на изобретението
Микросензорът на Хол с тангенциална чувствителност съдържа полупроводникова подложка 1 с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи 2, втори 3 и трети 4. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият 3 е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият 2 и отдясно - третият 4. Откъм късите страни на трите контакта 2, 3 и 4 и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият 5 и вторият 6 са при левия правоъгълен контакт 2, третият 7 и четвъртият 8 - при централния 3, а петият 9 и шестият 10 - при левия контакт 4. Първият 5, третият 7 и петият 9 контакти са откъм едната къса страна, а вторият 2, четвъртият 8 и шестият 10 - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти 2,3 и 4. Първият 2 и третият 4 правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточник 11, другият извод на който е свързан с централния контакт 3. Страничните контакти трети 7 и четвърти 8 са съединени с входа на измервателен усилвател 12, първи 5 и шести 10 са свързани с входа на друг измервателен усилвател 13, а втори 6 и пети 9 контакти са съединени помежду си. Първият 5 и третият 7 странични контакти са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя 12 и 13. Изходите на тези усилватели 12 и 13 са свързани с входа на диференциален усилвател 14, чийто изход е изходът 15 на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле 16 е в равнината на подложката 1 и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти 2, 3 и 4.
Действието на микросензора на Хол с тангенциална чувствителност, съгласно изобретението, е следното.
При включване на крайните 2 и 4 и на централния 3 контакти към токоизточника 11, в областите на подложката 1 под тези електроди протичат захранващи токове 12, -13 и 14 като 12 = 14. Важна особеност е, че токове 12 и I през левия 2 и десния 4 контакти са съпосочни, а през средния 3 токът -13 е с противоположна посока спрямо тях. В резултат на структурната симетрия на микросензора (левият 2 и десният 4 правоъгълни контакти са на едно и също разстояние спрямо централния 3), са в сила следните съотношения между тези токове: I2 = I I2 + I = 13, т.е. средната компонента е два пъти поголяма от крайните. Омичните контакти 2, 3 и 4 представляват еквипотенциални равнини, към които в отсъствие на външно магнитно поле В 16, В = 0, токовите линии през тях са винаги перпендикулярни спрямо горната страна на подложката 1, прониквайки дълбоко в обема й. Токовете 13 2 и 13 в останалата част от обема са успоредни на горната страна.
Включването на тангенциално (странично) спрямо дългите страни на правоъгълните контакти 2,3 и 4 магнитно поле В 16, т.е. перпендикулярно на дългите им страни, води до възникване на странична и съпосочна Лоренцова дефлекция на вертикалните токови компоненти 12 и I под контактите 2 и 4, генерирана от силата на Лоренц FL = qVdi х В, където q е елементарният товар на електрона, a е векторът на средната дрейфова скорост на носителите. Токът 13 под средния контакт 3 под действието на силата на Лоренц FL също се отклонява, но в противоположна посока. Ето защо върху повърхността на подложката 1 в зоните около страничните контакти 5и6, 7и8, и9и10се генерират Холови потенциали. Чрез ефекта на Хол, обобщен за всички видове твърдотелни кристални структури, в това число и такива с равнинна магниточувствителност [2,3,4], върху повърхността на подложката 1 възникват три напрежения на Хол VH5 6(В), VH910(В) и - VH7 g(B). Първите две са еднакви по стойност и са с един и същ знак, а третото напрежение - VH7 g(B) е два пъти по-голямо от тях и е с противоположна полярност. Следва да се отбележи, че по принцип към тези изходни сигнали се добавят алгебрично паразитните офсети VH5 6(0), νΗ910(0) и νΗ7 8(0) в отсъствие на магнитно поле В 16, В = 0 за съответните три конфигурации на Хол 5-2-6, 7-3-8 и 9-4-10. Предвид обаче, високата прецизност на интегралните микроелектронни технологии и симетрията на сензорната конфигурация, Фигура 1, офсетите са твърде ниски по стой
103
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2019 ност. Иновативният способ, приложен в новото техническо решение е последователното свързване на двете Холови архитектури с тангенциална чувствителност, формирани чрез захранващите контакти 2 и 4, и съответно страничните терминали 5-6 и 9-10, т.е. съединяването на контакти 6 и 9. Осъществено е сумиране на двете еднакви напрежения на Хол VH5 6(В) и VH910(В), VH5 6(В) + VH910(В). По този начин върху страничните контакти 5 и 10 възниква сумарно напрежение на Хол VH510(В), равно по стойност на напрежението - VH7 8(В), конфигурирано чрез централния контакт 3 и страничните електроди 7 и 8. Важна особеност е, че тези две напрежения на Хол са с противоположен знак. Подаването на сигналите V510(В) и - V7g(B) на входовете на двата измервателни усилвателя 12 и 13 осъществява схемно развързване на изходите на така формираните две сензорни архитектури, минимизирайки драстично взаимното им влияние. Също така е възможно с измервателните усилватели 12 и 13 да се усилят напреженията V510(В) и -V 8(В). Условието първият 5 и третият 7 странични контакти да са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на усилвателите и 13 е продиктувано от изискването за еднозначно запазване на полярностите на напреженията на изходите на усилватели 12 и 13 с тези на Холовите сигнали V510(В) и -V (В), подадени на техните входове. Чрез диференциалния усилвател 14 напреженията от двата усилвателя 12 и 13 се изваждат:
\10 - V78 = (V510(В)) - (- v7 g(B)) = 2VH(B); V510 = VH5 6(В) + VH910(В)
Съгласно този резултат, чрез изваждане на генерираните сигнали V5 и - V7 от Холовите архитектури напрежението на изхода V15(B) 15 на диференциалния усилвател 14 е удвоено 2VH(B), (приема се, че коефициентите на усилване на усилвателите 12 и 13 са идентични и равни на 1). Следователно магниточувствителността на микросензора на Хол е удвоена в сравнение с известното решение, едновременно с увеличаване на измервателната точност. При това ако има евентуални паразитни офсети, те също се изваждат, но тъй като са с един и същ знак остатъчният офсет Vff(0) на изхода 15 е драстично редуциран. Предвид силното редуциране на офсетите, собственият 1//(фликер) шум на двата канала V510 и - V7g се намалява и се повишава отношението сигнал/шум на изхода 15. Така резолюцията за детектиране на минимална магнитна индукция В нараства.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е както оригиналната му конструкция, така и че с един и същ захранващ ток се генерират три отделни напрежения на Хол, две от които сумирани дават точно стойността на третото, но с противоположен знак. Чрез усилвателите 12, и 14 се извлича цялата възможна метрологична информация, генерирана от измерваното магнитно поле В 16 чрез ефекта на Хол, повишавайки точността.
Интегралната микроелектронна технология позволява всички елементи, свързани с новия микросензор на Хол, включително усилвателите 12,13 и 14 да се реализират върху общ силициев чип, формирайки интелигентна микросистема (MEMS), [4]. Функционирането на предложения микропреобразувател е осъществимо в широк температурен интервал, включително при криогенни температури. За още повисока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия и сигурността, сензорът се разполага между два еднакви продълговати концентратори на магнитното поле В 16 от ферит или μ-метал.

Claims (1)

  1. Патентни претенции
    1. Микросензор на Хол с тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи, втори и трети, разположени успоредно на дългите си страни, като вторият е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият и отдясно - третият контакт, откъм късите страни на централния контакт и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт - трети и четвърти, токоизточник и измервателен усилвател, като първият и третият правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточника, другият извод на който е свързан с централния контакт, а третият и четвъртият странични контакти са съединени с входа на усилвателя, като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти, характеризиращ се с това, че са формирани още две двойки странични омични контакти първи (5) и втори (6), и пети (9) и шести (10), разположени на равни разстояния откъм късите страни на левия (2) и съответно на
    104 Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2019 десния (4) правоъгълен контакт, като първият (5), третият (7) и петият (9) странични контакти са откъм едната къса страна, а вторият (2), четвъртият (8) и шестият (10) - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти (2, 3 и 4), като страничните контакти първи (5) и шести (10) са свързани с входа на друг измервателен усилвател (13), автори (6) и пети (9) контакт са съединени помежду си, като първият (5) и третият (7) странични контакти са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя (12 и 13), изходите на които са свързани с входа на диференциален усилвател (14), чийто изход е изход (15) на микросензора на Хол.
BG112115A 2015-10-14 2015-10-14 Микросензор на хол с тангенциална чувствителност BG66955B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112115A BG66955B1 (bg) 2015-10-14 2015-10-14 Микросензор на хол с тангенциална чувствителност

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112115A BG66955B1 (bg) 2015-10-14 2015-10-14 Микросензор на хол с тангенциална чувствителност

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG112115A BG112115A (bg) 2017-04-28
BG66955B1 true BG66955B1 (bg) 2019-08-30

Family

ID=59012356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG112115A BG66955B1 (bg) 2015-10-14 2015-10-14 Микросензор на хол с тангенциална чувствителност

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66955B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG112115A (bg) 2017-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG66955B1 (bg) Микросензор на хол с тангенциална чувствителност
BG67558B1 (bg) Микросензор на хол с повече от един изход
BG67383B1 (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG67248B1 (bg) Полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност
BG67509B1 (bg) Магниточувствително устройство
BG112687A (bg) Магниточувствителен елемент
BG112935A (bg) Микросензор за хол с равнинна чувствителност
BG113275A (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент
BG67250B1 (bg) Полупроводниково устройство на хол
BG67134B1 (bg) Микросензор на хол
BG112091A (bg) Равнинно-магниточувствителен преобразувател на хол
BG66843B1 (bg) Двуосен магнитометър на хол
BG113625A (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67550B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор
BG112808A (bg) Микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG66714B1 (bg) Трикомпонентен микросензор за магнитно поле
BG66840B1 (bg) Сензор на хол с равнинна магниточувствителност
BG112694A (bg) Двуосен интегрален сензор за магнитно поле
BG67386B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG112991A (bg) Електронно устройство с равнинна магниточувствителност
BG109868A (bg) Микропреобразувател на хол
BG112426A (bg) Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол
BG66830B1 (bg) Равнинно-магниточувствително сензорно устройство
BG111840A (bg) Интегрален 3d микросензор за магнитно поле
BG112771A (bg) Конфигурация на хол с равнинна магниточувствителност