BG66955B1 - Микросензор на хол с тангенциална чувствителност - Google Patents
Микросензор на хол с тангенциална чувствителност Download PDFInfo
- Publication number
- BG66955B1 BG66955B1 BG112115A BG11211515A BG66955B1 BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1 BG 112115 A BG112115 A BG 112115A BG 11211515 A BG11211515 A BG 11211515A BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contacts
- contact
- rectangular
- microsensor
- long sides
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 title abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000595 mu-metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Микросензорът на Хол с тангенциална чувствителност съдържа полупроводникова подложка (1) с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта, съответно първи (2), втори (3) и трети (4), разположени успоредно на дългите си страни, като вторият (3) е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият (2) и отдясно - третият (4) контакт. Откъм късите страни на централния контакт (3) и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт - трети (7) и четвърти (8), токоизточник (11) и измервателен усилвател (12). Първият (2) и третият (4) правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточника (11), другият извод на който е свързан с централния контакт (3). Третият (7) и четвъртият (8) странични контакти са свързани с входа на усилвателя (12). Измерваното магнитно поле (16) е в равнината на подложката (1) и е перпендикулярно на дългите страни на контактите (2, 3 и 4). Формирани са още две двойки странични омични контакти първи (5) и втори (6), и пети (9) и шести (10), разположени откъм късите страни на левия (2) и съответно на десния (4) правоъгълен контакт. Първият (5), третият (7) и петият (9) страничен контакт са откъм едната къса страна на контактите (2, 3 и 4), а вторият (2), четвъртият (8) и шестият (10) контакт - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти (2, 3 и 4). Страничните контакти първи (5) и шести (10) са свързани с входа на друг измервателен усилвател (13), а втория (6) и петия (9) контакт са съединени помежду си. Първият (5) и третият (7) страничен контакт са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата усилвателя (12 и 13), изходите на които са свързани с входа на диференциален усилвател (14), чийто изход е изход (15) на микросензора на Хол.
Description
Област на техниката
Изобретението се отнася до микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, приложимо в областта на сензориката, роботиката и мехатрониката, когнитивните интелигентни системи, безконтактната автоматика и безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, позиционирането на обекти в равнината и пространството, микро- и нано-технологиите, енергетиката, автомобилостроенето, биомедицината, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, военното дело и контратероризма, и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта, разположени успоредно на дългите си страни като един от тях е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени другите два, които са крайни. Откъм късите страни на централния контакт и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт. Крайните контакти са захранващи и са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Двата странични контакта са съединени е входа на измервателен усилвател, изходът на който е изход на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти [1,2,3].
Недостатък на този микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е ниската стойност на магниточувствителността в резултат на частично регистриране на напрежението на Хол, генерирано върху повърхността на подложката в зоните откъм късите страни на захранващите контакти.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е висока магниточувствителност.
Тази задача се решава е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи, втори и трети. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият и отдясно - третият. Откъм късите страни на трите контакта и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият и вторият са при левия правоъгълен контакт, третият и четвъртият - при централния, а петият и шестият - при левия контакт. Първият, третият и петият контакт са откъм едната къса страна, а вторият, четвъртият и шестият - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти. Първият и третият правоъгълни контакти са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Страничните контакти трети и четвърти са съединени е входа на измервателен усилвател, първи и шести са свързани е входа на друг измервателен усилвател, а втори и пети контакти са съединени помежду си. Първият и третият странични контакти са съединени едновременно само е неинвертиращите или съответно само е инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя. Изходите на тези усилватели са свързани е входа на диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти.
Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на оползотворената максимална стойност на генерираното напрежение на Хол върху подложката, а не само на малка част от него.
Предимство е също повишената резолюция при детектиране на минимална магнитна индукция, поради високата чувствителност и увеличеното отношение сигнал/шум.
Предимство е още и увеличената измервателна точност по причина на високата магниточувствителност.
102
Описания на издадени патенти за изобретения
Пояснение на приложената фигура № 09.2/30.09.2019
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.
Примери за изпълнение на изобретението
Микросензорът на Хол с тангенциална чувствителност съдържа полупроводникова подложка 1 с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи 2, втори 3 и трети 4. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият 3 е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият 2 и отдясно - третият 4. Откъм късите страни на трите контакта 2, 3 и 4 и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият 5 и вторият 6 са при левия правоъгълен контакт 2, третият 7 и четвъртият 8 - при централния 3, а петият 9 и шестият 10 - при левия контакт 4. Първият 5, третият 7 и петият 9 контакти са откъм едната къса страна, а вторият 2, четвъртият 8 и шестият 10 - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти 2,3 и 4. Първият 2 и третият 4 правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточник 11, другият извод на който е свързан с централния контакт 3. Страничните контакти трети 7 и четвърти 8 са съединени с входа на измервателен усилвател 12, първи 5 и шести 10 са свързани с входа на друг измервателен усилвател 13, а втори 6 и пети 9 контакти са съединени помежду си. Първият 5 и третият 7 странични контакти са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя 12 и 13. Изходите на тези усилватели 12 и 13 са свързани с входа на диференциален усилвател 14, чийто изход е изходът 15 на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле 16 е в равнината на подложката 1 и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти 2, 3 и 4.
Действието на микросензора на Хол с тангенциална чувствителност, съгласно изобретението, е следното.
При включване на крайните 2 и 4 и на централния 3 контакти към токоизточника 11, в областите на подложката 1 под тези електроди протичат захранващи токове 12, -13 и 14 като 12 = 14. Важна особеност е, че токове 12 и I през левия 2 и десния 4 контакти са съпосочни, а през средния 3 токът -13 е с противоположна посока спрямо тях. В резултат на структурната симетрия на микросензора (левият 2 и десният 4 правоъгълни контакти са на едно и също разстояние спрямо централния 3), са в сила следните съотношения между тези токове: I2 = I I2 + I = 13, т.е. средната компонента е два пъти поголяма от крайните. Омичните контакти 2, 3 и 4 представляват еквипотенциални равнини, към които в отсъствие на външно магнитно поле В 16, В = 0, токовите линии през тях са винаги перпендикулярни спрямо горната страна на подложката 1, прониквайки дълбоко в обема й. Токовете 13 2 и 13 в останалата част от обема са успоредни на горната страна.
Включването на тангенциално (странично) спрямо дългите страни на правоъгълните контакти 2,3 и 4 магнитно поле В 16, т.е. перпендикулярно на дългите им страни, води до възникване на странична и съпосочна Лоренцова дефлекция на вертикалните токови компоненти 12 и I под контактите 2 и 4, генерирана от силата на Лоренц FL = qVdi х В, където q е елементарният товар на електрона, a е векторът на средната дрейфова скорост на носителите. Токът 13 под средния контакт 3 под действието на силата на Лоренц FL също се отклонява, но в противоположна посока. Ето защо върху повърхността на подложката 1 в зоните около страничните контакти 5и6, 7и8, и9и10се генерират Холови потенциали. Чрез ефекта на Хол, обобщен за всички видове твърдотелни кристални структури, в това число и такива с равнинна магниточувствителност [2,3,4], върху повърхността на подложката 1 възникват три напрежения на Хол VH5 6(В), VH910(В) и - VH7 g(B). Първите две са еднакви по стойност и са с един и същ знак, а третото напрежение - VH7 g(B) е два пъти по-голямо от тях и е с противоположна полярност. Следва да се отбележи, че по принцип към тези изходни сигнали се добавят алгебрично паразитните офсети VH5 6(0), νΗ910(0) и νΗ7 8(0) в отсъствие на магнитно поле В 16, В = 0 за съответните три конфигурации на Хол 5-2-6, 7-3-8 и 9-4-10. Предвид обаче, високата прецизност на интегралните микроелектронни технологии и симетрията на сензорната конфигурация, Фигура 1, офсетите са твърде ниски по стой
103
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2019 ност. Иновативният способ, приложен в новото техническо решение е последователното свързване на двете Холови архитектури с тангенциална чувствителност, формирани чрез захранващите контакти 2 и 4, и съответно страничните терминали 5-6 и 9-10, т.е. съединяването на контакти 6 и 9. Осъществено е сумиране на двете еднакви напрежения на Хол VH5 6(В) и VH910(В), VH5 6(В) + VH910(В). По този начин върху страничните контакти 5 и 10 възниква сумарно напрежение на Хол VH510(В), равно по стойност на напрежението - VH7 8(В), конфигурирано чрез централния контакт 3 и страничните електроди 7 и 8. Важна особеност е, че тези две напрежения на Хол са с противоположен знак. Подаването на сигналите V510(В) и - V7g(B) на входовете на двата измервателни усилвателя 12 и 13 осъществява схемно развързване на изходите на така формираните две сензорни архитектури, минимизирайки драстично взаимното им влияние. Също така е възможно с измервателните усилватели 12 и 13 да се усилят напреженията V510(В) и -V 8(В). Условието първият 5 и третият 7 странични контакти да са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на усилвателите и 13 е продиктувано от изискването за еднозначно запазване на полярностите на напреженията на изходите на усилватели 12 и 13 с тези на Холовите сигнали V510(В) и -V (В), подадени на техните входове. Чрез диференциалния усилвател 14 напреженията от двата усилвателя 12 и 13 се изваждат:
\10 - V78 = (V510(В)) - (- v7 g(B)) = 2VH(B); V510 = VH5 6(В) + VH910(В)
Съгласно този резултат, чрез изваждане на генерираните сигнали V5 и - V7 от Холовите архитектури напрежението на изхода V15(B) 15 на диференциалния усилвател 14 е удвоено 2VH(B), (приема се, че коефициентите на усилване на усилвателите 12 и 13 са идентични и равни на 1). Следователно магниточувствителността на микросензора на Хол е удвоена в сравнение с известното решение, едновременно с увеличаване на измервателната точност. При това ако има евентуални паразитни офсети, те също се изваждат, но тъй като са с един и същ знак остатъчният офсет Vff(0) на изхода 15 е драстично редуциран. Предвид силното редуциране на офсетите, собственият 1//(фликер) шум на двата канала V510 и - V7g се намалява и се повишава отношението сигнал/шум на изхода 15. Така резолюцията за детектиране на минимална магнитна индукция В нараства.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е както оригиналната му конструкция, така и че с един и същ захранващ ток се генерират три отделни напрежения на Хол, две от които сумирани дават точно стойността на третото, но с противоположен знак. Чрез усилвателите 12, и 14 се извлича цялата възможна метрологична информация, генерирана от измерваното магнитно поле В 16 чрез ефекта на Хол, повишавайки точността.
Интегралната микроелектронна технология позволява всички елементи, свързани с новия микросензор на Хол, включително усилвателите 12,13 и 14 да се реализират върху общ силициев чип, формирайки интелигентна микросистема (MEMS), [4]. Функционирането на предложения микропреобразувател е осъществимо в широк температурен интервал, включително при криогенни температури. За още повисока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия и сигурността, сензорът се разполага между два еднакви продълговати концентратори на магнитното поле В 16 от ферит или μ-метал.
Claims (1)
- Патентни претенции1. Микросензор на Хол с тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи, втори и трети, разположени успоредно на дългите си страни, като вторият е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият и отдясно - третият контакт, откъм късите страни на централния контакт и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт - трети и четвърти, токоизточник и измервателен усилвател, като първият и третият правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточника, другият извод на който е свързан с централния контакт, а третият и четвъртият странични контакти са съединени с входа на усилвателя, като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти, характеризиращ се с това, че са формирани още две двойки странични омични контакти първи (5) и втори (6), и пети (9) и шести (10), разположени на равни разстояния откъм късите страни на левия (2) и съответно на104 Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2019 десния (4) правоъгълен контакт, като първият (5), третият (7) и петият (9) странични контакти са откъм едната къса страна, а вторият (2), четвъртият (8) и шестият (10) - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти (2, 3 и 4), като страничните контакти първи (5) и шести (10) са свързани с входа на друг измервателен усилвател (13), автори (6) и пети (9) контакт са съединени помежду си, като първият (5) и третият (7) странични контакти са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя (12 и 13), изходите на които са свързани с входа на диференциален усилвател (14), чийто изход е изход (15) на микросензора на Хол.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG112115A BG66955B1 (bg) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | Микросензор на хол с тангенциална чувствителност |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG112115A BG66955B1 (bg) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | Микросензор на хол с тангенциална чувствителност |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BG112115A BG112115A (bg) | 2017-04-28 |
BG66955B1 true BG66955B1 (bg) | 2019-08-30 |
Family
ID=59012356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BG112115A BG66955B1 (bg) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | Микросензор на хол с тангенциална чувствителност |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BG (1) | BG66955B1 (bg) |
-
2015
- 2015-10-14 BG BG112115A patent/BG66955B1/bg unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BG112115A (bg) | 2017-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BG66955B1 (bg) | Микросензор на хол с тангенциална чувствителност | |
BG67558B1 (bg) | Микросензор на хол с повече от един изход | |
BG67383B1 (bg) | Равнинно-магниточувствително устройство на хол | |
BG67248B1 (bg) | Полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност | |
BG67509B1 (bg) | Магниточувствително устройство | |
BG112687A (bg) | Магниточувствителен елемент | |
BG112935A (bg) | Микросензор за хол с равнинна чувствителност | |
BG113275A (bg) | Равнинно-магниточувствителен елемент | |
BG67250B1 (bg) | Полупроводниково устройство на хол | |
BG67134B1 (bg) | Микросензор на хол | |
BG112091A (bg) | Равнинно-магниточувствителен преобразувател на хол | |
BG66843B1 (bg) | Двуосен магнитометър на хол | |
BG113625A (bg) | Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG67550B1 (bg) | Равнинно-магниточувствителен сензор | |
BG112808A (bg) | Микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66714B1 (bg) | Трикомпонентен микросензор за магнитно поле | |
BG66840B1 (bg) | Сензор на хол с равнинна магниточувствителност | |
BG112694A (bg) | Двуосен интегрален сензор за магнитно поле | |
BG67386B1 (bg) | Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG112991A (bg) | Електронно устройство с равнинна магниточувствителност | |
BG109868A (bg) | Микропреобразувател на хол | |
BG112426A (bg) | Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол | |
BG66830B1 (bg) | Равнинно-магниточувствително сензорно устройство | |
BG111840A (bg) | Интегрален 3d микросензор за магнитно поле | |
BG112771A (bg) | Конфигурация на хол с равнинна магниточувствителност |