BG66955B1 - ) hall effect microsensor with tangential sensitivity - Google Patents
) hall effect microsensor with tangential sensitivity Download PDFInfo
- Publication number
- BG66955B1 BG66955B1 BG112115A BG11211515A BG66955B1 BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1 BG 112115 A BG112115 A BG 112115A BG 11211515 A BG11211515 A BG 11211515A BG 66955 B1 BG66955 B1 BG 66955B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contacts
- contact
- rectangular
- microsensor
- long sides
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 title abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000595 mu-metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Област на техникатаField of technology
Изобретението се отнася до микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, приложимо в областта на сензориката, роботиката и мехатрониката, когнитивните интелигентни системи, безконтактната автоматика и безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, позиционирането на обекти в равнината и пространството, микро- и нано-технологиите, енергетиката, автомобилостроенето, биомедицината, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, военното дело и контратероризма, и др.The invention relates to a Hall microsensor is a tangential sensitivity applicable in the field of sensors, robotics and mechatronics, cognitive intelligent systems, non-contact automation and non-contact measurement of angular and linear displacements, positioning of objects in the plane and space, micro- and nano-technologies , energy, automotive, biomedicine, control and measurement technology and low-field magnetometry, military affairs and counter-terrorism, etc.
Предшестващо състояние на техникатаBACKGROUND OF THE INVENTION
Известен е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта, разположени успоредно на дългите си страни като един от тях е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени другите два, които са крайни. Откъм късите страни на централния контакт и на равни разстояния от него има още по един страничен омичен контакт. Крайните контакти са захранващи и са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Двата странични контакта са съединени е входа на измервателен усилвател, изходът на който е изход на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти [1,2,3].Hall's microsensor is known is tangential sensitivity, containing a semiconductor substrate is an impurity type of conductivity, on one side of which are formed at equal distances from each other three rectangular ohmic contacts, located parallel to their long sides and one of them is central to it on its two long sides are the other two, which are extreme. On the short sides of the central contact and at equal distances from it there is another side ohmic contact. The end contacts are power supply and are connected to one terminal of a power source, the other terminal to which is connected is the central contact. The two side contacts are connected to the input of a measuring amplifier, the output of which is the output of the Hall microsensor as the measured magnetic field is in the plane of the substrate and is perpendicular to the long sides of the rectangular contacts [1,2,3].
Недостатък на този микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е ниската стойност на магниточувствителността в резултат на частично регистриране на напрежението на Хол, генерирано върху повърхността на подложката в зоните откъм късите страни на захранващите контакти.The disadvantage of this Hall microsensor is the tangential sensitivity is the low value of the magnetic sensitivity as a result of partial recording of the Hall voltage generated on the substrate surface in the areas on the short sides of the power contacts.
Техническа същност на изобретениетоTechnical essence of the invention
Задача на изобретението е да се създаде микросензор на Хол е тангенциална чувствителност е висока магниточувствителност.The objective of the invention is to create a Hall microsensor is tangential sensitivity is high magnetic sensitivity.
Тази задача се решава е микросензор на Хол е тангенциална чувствителност, съдържащ полупроводникова подложка е примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи, втори и трети. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият и отдясно - третият. Откъм късите страни на трите контакта и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият и вторият са при левия правоъгълен контакт, третият и четвъртият - при централния, а петият и шестият - при левия контакт. Първият, третият и петият контакт са откъм едната къса страна, а вторият, четвъртият и шестият - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти. Първият и третият правоъгълни контакти са съединени е единия извод на токоизточник, другият извод на който е свързан е централния контакт. Страничните контакти трети и четвърти са съединени е входа на измервателен усилвател, първи и шести са свързани е входа на друг измервателен усилвател, а втори и пети контакти са съединени помежду си. Първият и третият странични контакти са съединени едновременно само е неинвертиращите или съответно само е инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя. Изходите на тези усилватели са свързани е входа на диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле е в равнината на подложката и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти.This problem is solved by a microsensor of Hall's tangential sensitivity, containing a semiconductor substrate is an impurity type of conductivity, on one side of which are formed at equal distances from each other three rectangular ohmic contacts, respectively, the first, second and third. They are located parallel to their long sides and the second is central and relative to it on its two long sides are located - left first and right - third. On the short sides of the three contacts and at equal distances from them there is another side ohmic contact - the first and second are at the left rectangular contact, the third and fourth - at the central, and the fifth and sixth - at the left contact. The first, third and fifth contacts are on one short side, and the second, fourth and sixth - on the other short side of the rectangular contacts, respectively. The first and third rectangular contacts are connected is one terminal of the power source, the other terminal to which is connected is the central contact. The side contacts third and fourth are connected by the input of a measuring amplifier, the first and sixth are connected by the input of another measuring amplifier, and the second and fifth contacts are connected to each other. The first and third side contacts are connected at the same time only the non-inverting or only the inverting inputs of the two measuring amplifiers. The outputs of these amplifiers are connected to the input of a differential amplifier, the output of which is the output of the Hall microsensor as the measured magnetic field is in the plane of the substrate and is perpendicular to the long sides of the rectangular contacts.
Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на оползотворената максимална стойност на генерираното напрежение на Хол върху подложката, а не само на малка част от него.An advantage of the invention is the high magnetic sensitivity as a result of the utilized maximum value of the generated Hall voltage on the substrate, and not only on a small part of it.
Предимство е също повишената резолюция при детектиране на минимална магнитна индукция, поради високата чувствителност и увеличеното отношение сигнал/шум.The advantage is also the increased resolution when detecting minimal magnetic induction, due to the high sensitivity and the increased signal-to-noise ratio.
Предимство е още и увеличената измервателна точност по причина на високата магниточувствителност.Another advantage is the increased measurement accuracy due to the high magnetic sensitivity.
102102
Описания на издадени патенти за изобретенияDescriptions of granted patents for inventions
Пояснение на приложената фигура № 09.2/30.09.2019Explanation of the attached figure № 09.2 / 30.09.2019
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.The invention is illustrated in more detail by one of its embodiments given in the attached figure 1.
Примери за изпълнение на изобретениетоExamples of the invention
Микросензорът на Хол с тангенциална чувствителност съдържа полупроводникова подложка 1 с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три правоъгълни омични контакта съответно първи 2, втори 3 и трети 4. Те са разположени успоредно на дългите си страни като вторият 3 е централен и спрямо него от двете му дълги страни са разположени - отляво първият 2 и отдясно - третият 4. Откъм късите страни на трите контакта 2, 3 и 4 и на равни разстояния от тях има още по един страничен омичен контакт - първият 5 и вторият 6 са при левия правоъгълен контакт 2, третият 7 и четвъртият 8 - при централния 3, а петият 9 и шестият 10 - при левия контакт 4. Първият 5, третият 7 и петият 9 контакти са откъм едната къса страна, а вторият 2, четвъртият 8 и шестият 10 - съответно откъм другата къса страна на правоъгълните контакти 2,3 и 4. Първият 2 и третият 4 правоъгълни контакти са съединени с единия извод на токоизточник 11, другият извод на който е свързан с централния контакт 3. Страничните контакти трети 7 и четвърти 8 са съединени с входа на измервателен усилвател 12, първи 5 и шести 10 са свързани с входа на друг измервателен усилвател 13, а втори 6 и пети 9 контакти са съединени помежду си. Първият 5 и третият 7 странични контакти са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на двата измервателни усилвателя 12 и 13. Изходите на тези усилватели 12 и 13 са свързани с входа на диференциален усилвател 14, чийто изход е изходът 15 на микросензора на Хол като измерваното магнитно поле 16 е в равнината на подложката 1 и е перпендикулярно на дългите страни на правоъгълните контакти 2, 3 и 4.The Hall microsensor with tangential sensitivity contains a semiconductor substrate 1 with impurity type of conductivity, on one side of which are formed at equal distances from each other three rectangular ohmic contacts, respectively, the first 2, second 3 and third 4. They are located parallel to their long sides as the second 3 is central and relative to it on its two long sides are located - on the left the first 2 and on the right - the third 4. On the short sides of the three contacts 2, 3 and 4 and at equal distances from them there is another side ohmic contact - the first 5 and the second 6 are at the left rectangular contact 2, the third 7 and the fourth 8 - at the central 3, and the fifth 9 and the sixth 10 - at the left contact 4. The first 5, the third 7 and the fifth 9 contacts are from one short side, and the second 2, the fourth 8 and the sixth 10 - respectively on the other short side of the rectangular contacts 2,3 and 4. The first 2 and the third 4 rectangular contacts are connected to one terminal of the current source 11, the other terminal of which is with connected to the central contact 3. The side contacts third 7 and fourth 8 are connected to the input of a measuring amplifier 12, the first 5 and sixth 10 are connected to the input of another measuring amplifier 13, and the second 6 and fifth 9 contacts are connected to each other. The first 5 and third 7 side contacts are connected simultaneously only to the non-inverting or only to the inverting inputs of the two measuring amplifiers 12 and 13. The outputs of these amplifiers 12 and 13 are connected to the input of a differential amplifier 14, whose output is the output 15 of the microsensor. Hall as the measured magnetic field 16 is in the plane of the pad 1 and is perpendicular to the long sides of the rectangular contacts 2, 3 and 4.
Действието на микросензора на Хол с тангенциална чувствителност, съгласно изобретението, е следното.The operation of the Hall microsensor with tangential sensitivity according to the invention is as follows.
При включване на крайните 2 и 4 и на централния 3 контакти към токоизточника 11, в областите на подложката 1 под тези електроди протичат захранващи токове 12, -13 и 14 като 12 = 14. Важна особеност е, че токове 12 и I през левия 2 и десния 4 контакти са съпосочни, а през средния 3 токът -13 е с противоположна посока спрямо тях. В резултат на структурната симетрия на микросензора (левият 2 и десният 4 правоъгълни контакти са на едно и също разстояние спрямо централния 3), са в сила следните съотношения между тези токове: I2 = I I2 + I = 13, т.е. средната компонента е два пъти поголяма от крайните. Омичните контакти 2, 3 и 4 представляват еквипотенциални равнини, към които в отсъствие на външно магнитно поле В 16, В = 0, токовите линии през тях са винаги перпендикулярни спрямо горната страна на подложката 1, прониквайки дълбоко в обема й. Токовете 13 2 и 13 в останалата част от обема са успоредни на горната страна.When the end 2 and 4 and the central 3 contacts are connected to the current source 11, supply currents 1 2 , -1 3 and 1 4 flow in the areas of the substrate 1 under these electrodes as 1 2 = 1 4 . An important feature is that currents 1 2 and I through the left 2 and right 4 contacts are directional, and in the middle 3 the current -1 3 is in the opposite direction to them. As a result of the structural symmetry of the microsensor (left 2 and right 4 rectangular contacts are at the same distance from the central 3), the following relations between these currents are in force: I 2 = II 2 + I = 1 3 , ie. the average component is twice as large as the final ones. The ohmic contacts 2, 3 and 4 are equipotential planes to which in the absence of an external magnetic field B 16, B = 0, the current lines through them are always perpendicular to the upper side of the substrate 1, penetrating deep into its volume. The currents 1 3 2 and 1 3 in the rest of the volume are parallel to the upper side.
Включването на тангенциално (странично) спрямо дългите страни на правоъгълните контакти 2,3 и 4 магнитно поле В 16, т.е. перпендикулярно на дългите им страни, води до възникване на странична и съпосочна Лоренцова дефлекция на вертикалните токови компоненти 12 и I под контактите 2 и 4, генерирана от силата на Лоренц FL = qVdi х В, където q е елементарният товар на електрона, a е векторът на средната дрейфова скорост на носителите. Токът 13 под средния контакт 3 под действието на силата на Лоренц FL също се отклонява, но в противоположна посока. Ето защо върху повърхността на подложката 1 в зоните около страничните контакти 5и6, 7и8, и9и10се генерират Холови потенциали. Чрез ефекта на Хол, обобщен за всички видове твърдотелни кристални структури, в това число и такива с равнинна магниточувствителност [2,3,4], върху повърхността на подложката 1 възникват три напрежения на Хол VH5 6(В), VH910(В) и - VH7 g(B). Първите две са еднакви по стойност и са с един и същ знак, а третото напрежение - VH7 g(B) е два пъти по-голямо от тях и е с противоположна полярност. Следва да се отбележи, че по принцип към тези изходни сигнали се добавят алгебрично паразитните офсети VH5 6(0), νΗ910(0) и νΗ7 8(0) в отсъствие на магнитно поле В 16, В = 0 за съответните три конфигурации на Хол 5-2-6, 7-3-8 и 9-4-10. Предвид обаче, високата прецизност на интегралните микроелектронни технологии и симетрията на сензорната конфигурация, Фигура 1, офсетите са твърде ниски по стойThe inclusion of a tangential (lateral) to the long sides of the rectangular contacts 2,3 and 4 magnetic field B 16, ie. perpendicular to their long sides, leads to lateral and directional Lorentz deflection of the vertical current components 1 2 and I under contacts 2 and 4, generated by the Lorentz force F L = qV di x B, where q is the elementary electron load, a is the vector of the average drift velocity of the carriers. The current 1 3 below the middle contact 3 under the action of the Lorentz force F L also deviates, but in the opposite direction. Therefore, Hall potentials are generated on the surface of the substrate 1 in the areas around the side contacts 5 and 6, 7 and 8, and 9 and 10. Through the Hall effect, generalized for all types of solid crystal structures, including those with planar magnetic sensitivity [2,3,4], on the surface of the substrate 1 arise three Hall voltages V H5 6 (B), V H910 ) and - V H7 g (B). The first two are the same value and have the same sign, and the third voltage - V H7 g (B) is twice as large as them and has the opposite polarity. It should be noted that, in principle, the algebraically parasitic offsets V H5 6 (0), ν Η910 (0) and ν Η7 8 (0) are added algebraically to these output signals in the absence of a magnetic field B 16, B = 0 for the respective three Hall configurations 5-2-6, 7-3-8 and 9-4-10. However, given the high precision of integrated microelectronic technologies and the symmetry of the sensor configuration, Figure 1, the offsets are too low in cost.
103103
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2019 ност. Иновативният способ, приложен в новото техническо решение е последователното свързване на двете Холови архитектури с тангенциална чувствителност, формирани чрез захранващите контакти 2 и 4, и съответно страничните терминали 5-6 и 9-10, т.е. съединяването на контакти 6 и 9. Осъществено е сумиране на двете еднакви напрежения на Хол VH5 6(В) и VH910(В), VH5 6(В) + VH910(В). По този начин върху страничните контакти 5 и 10 възниква сумарно напрежение на Хол VH510(В), равно по стойност на напрежението - VH7 8(В), конфигурирано чрез централния контакт 3 и страничните електроди 7 и 8. Важна особеност е, че тези две напрежения на Хол са с противоположен знак. Подаването на сигналите V510(В) и - V7g(B) на входовете на двата измервателни усилвателя 12 и 13 осъществява схемно развързване на изходите на така формираните две сензорни архитектури, минимизирайки драстично взаимното им влияние. Също така е възможно с измервателните усилватели 12 и 13 да се усилят напреженията V510(В) и -V 8(В). Условието първият 5 и третият 7 странични контакти да са съединени едновременно само с неинвертиращите или съответно само с инвертиращите входове на усилвателите и 13 е продиктувано от изискването за еднозначно запазване на полярностите на напреженията на изходите на усилватели 12 и 13 с тези на Холовите сигнали V510(В) и -V (В), подадени на техните входове. Чрез диференциалния усилвател 14 напреженията от двата усилвателя 12 и 13 се изваждат:Descriptions of issued patents for inventions № 09.2 / 30.09.2019. The innovative method applied in the new technical solution is the serial connection of the two Hall architectures with tangential sensitivity, formed by the supply contacts 2 and 4, and the side terminals 5-6 and 9-10, respectively. the connection of contacts 6 and 9. The summation of the two identical Hall voltages V H5 6 (B) and V H910 (B), V H5 6 (B) + V H910 (B) was performed . In this way, a total Hall voltage V H510 (B) appears on the side contacts 5 and 10, equal in voltage value - V H7 8 (B), configured by the central contact 3 and the side electrodes 7 and 8. An important feature is that these two Hall voltages have opposite signs. The supply of the signals V 510 (B) and - V 7g (B) at the inputs of the two measuring amplifiers 12 and 13 performs circuit disconnection of the outputs of the thus formed two sensor architectures, drastically minimizing their mutual influence. It is also possible to increase the voltages V 510 (B) and -V 8 (B) with the measuring amplifiers 12 and 13. The condition that the first 5 and third 7 side contacts are connected simultaneously only to the non-inverting or only to the inverting inputs of the amplifiers and 13 is dictated by the requirement for unambiguous preservation of the polarities of the output voltages of amplifiers 12 and 13 with those of Hall signals V 510 (B) and -V (B) filed at their inputs. Through the differential amplifier 14 the voltages from the two amplifiers 12 and 13 are subtracted:
\10 - V78 = (V510(В)) - (- v7 g(B)) = 2VH(B); V510 = VH5 6(В) + VH910(В)\ 10 - V 78 = (V 510 (B)) - (- v 7 g (B)) = 2V H (B); V 510 = V H5 6 (B) + V H910 (B)
Съгласно този резултат, чрез изваждане на генерираните сигнали V5 и - V7 от Холовите архитектури напрежението на изхода V15(B) 15 на диференциалния усилвател 14 е удвоено 2VH(B), (приема се, че коефициентите на усилване на усилвателите 12 и 13 са идентични и равни на 1). Следователно магниточувствителността на микросензора на Хол е удвоена в сравнение с известното решение, едновременно с увеличаване на измервателната точност. При това ако има евентуални паразитни офсети, те също се изваждат, но тъй като са с един и същ знак остатъчният офсет Vff(0) на изхода 15 е драстично редуциран. Предвид силното редуциране на офсетите, собственият 1//(фликер) шум на двата канала V510 и - V7g се намалява и се повишава отношението сигнал/шум на изхода 15. Така резолюцията за детектиране на минимална магнитна индукция В нараства.According to this result, by subtracting the generated signals V 5 and - V 7 from the Hall architectures, the output voltage V 15 (B) 15 of the differential amplifier 14 is doubled 2V H (B),, it is assumed that the gain of the amplifiers 12 and 13 are identical and equal to 1). Therefore, the magnetic sensitivity of the Hall microsensor is doubled compared to the known solution, while increasing the measurement accuracy. In this case, if there are any parasitic offsets, they are also removed, but because they have the same sign, the residual offset V ff (0) at the output 15 is drastically reduced. Given the strong reduction of the offsets, the intrinsic 1 // (flicker) noise of the two channels V 510 and - V 7g decreases and the signal-to-noise ratio of the output 15 increases. Thus, the resolution for detecting the minimum magnetic induction B increases.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е както оригиналната му конструкция, така и че с един и същ захранващ ток се генерират три отделни напрежения на Хол, две от които сумирани дават точно стойността на третото, но с противоположен знак. Чрез усилвателите 12, и 14 се извлича цялата възможна метрологична информация, генерирана от измерваното магнитно поле В 16 чрез ефекта на Хол, повишавайки точността.The unexpected positive effect of the new technical solution is both its original design and the fact that with the same supply current three separate Hall voltages are generated, two of which when summed give the exact value of the third, but with the opposite sign. Amplifiers 12 and 14 extract all possible metrological information generated by the measured magnetic field B 16 by the Hall effect, increasing accuracy.
Интегралната микроелектронна технология позволява всички елементи, свързани с новия микросензор на Хол, включително усилвателите 12,13 и 14 да се реализират върху общ силициев чип, формирайки интелигентна микросистема (MEMS), [4]. Функционирането на предложения микропреобразувател е осъществимо в широк температурен интервал, включително при криогенни температури. За още повисока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия и сигурността, сензорът се разполага между два еднакви продълговати концентратори на магнитното поле В 16 от ферит или μ-метал.Integrated microelectronic technology allows all elements associated with the new Hall microsensor, including amplifiers 12, 13 and 14 to be implemented on a common silicon chip, forming an intelligent microsystem (MEMS), [4]. The operation of the proposed microconverter is feasible in a wide temperature range, including at cryogenic temperatures. For even higher sensitivity for low-field magnetometry and security purposes, the sensor is located between two identical elongated concentrators of the magnetic field B 16 of ferrite or μ-metal.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112115A BG66955B1 (en) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | ) hall effect microsensor with tangential sensitivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112115A BG66955B1 (en) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | ) hall effect microsensor with tangential sensitivity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BG112115A BG112115A (en) | 2017-04-28 |
| BG66955B1 true BG66955B1 (en) | 2019-08-30 |
Family
ID=59012356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BG112115A BG66955B1 (en) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | ) hall effect microsensor with tangential sensitivity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG66955B1 (en) |
-
2015
- 2015-10-14 BG BG112115A patent/BG66955B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BG112115A (en) | 2017-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BG66955B1 (en) | ) hall effect microsensor with tangential sensitivity | |
| BG67558B1 (en) | Hall effect microsensor with multiple outputs | |
| BG67383B1 (en) | In-plane magnetosensitive hall effect device | |
| BG67248B1 (en) | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity | |
| BG67509B1 (en) | Magnetic field sensing device | |
| BG112687A (en) | Magneto-sensitive element | |
| BG112935A (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG113275A (en) | Planar magnetically sensitive element | |
| BG67250B1 (en) | Hall effect semiconductor device | |
| BG67134B1 (en) | Hall effect microsensor | |
| BG112091A (en) | A surface-magnetically sensitive hall transformer | |
| BG66843B1 (en) | Two-axle hall effect magnetometer | |
| BG113625A (en) | Integral hall sensor with planar sensitivity | |
| BG67550B1 (en) | Planar magnetosensitive sensor | |
| BG112808A (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG66714B1 (en) | Three-component magnetic field microsensor | |
| BG66840B1 (en) | Hall effect sensor with a planar magnetic sensitivity | |
| BG112694A (en) | Integrated two-axis magnetic field sensor | |
| BG67386B1 (en) | Integrated hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG112991A (en) | Electronic device with planar magnetic sensitivity | |
| BG109868A (en) | Hall-effect micro converter | |
| BG112426A (en) | A plane magneto-sensitive microsystem of hall effect sensor | |
| BG66830B1 (en) | In-plane magnetosensitive sensor device | |
| BG111840A (en) | Integral 3d microsensor for magnetic field | |
| BG112771A (en) | Hall sensor configuration with planar magnetic sensitivity |