BG66933B1 - Микросензор на хол - Google Patents

Микросензор на хол Download PDF

Info

Publication number
BG66933B1
BG66933B1 BG112090A BG11209015A BG66933B1 BG 66933 B1 BG66933 B1 BG 66933B1 BG 112090 A BG112090 A BG 112090A BG 11209015 A BG11209015 A BG 11209015A BG 66933 B1 BG66933 B1 BG 66933B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contact
contacts
pad
central
microsensor
Prior art date
Application number
BG112090A
Other languages
English (en)
Other versions
BG112090A (bg
Inventor
Чавдар РУМЕНИН
Вълчева Лозанова Сия
Сия ЛОЗАНОВА
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG112090A priority Critical patent/BG66933B1/bg
Publication of BG112090A publication Critical patent/BG112090A/bg
Publication of BG66933B1 publication Critical patent/BG66933B1/bg

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Микросензорът на Хол съдържа токоизточник (1) и две правоъгълни полупроводникови подложки с n-тип примесна проводимост - първа (2) и втора (3), разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка (2) последователно и на разстояния един от друг са формирани отляво надясно три правоъгълни омични контакти - първи (4), втори (5) и трети (6), като вторият контакт (5) е централен, а първият (4) и третият (6) са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка (3) са формирани отляво надясно пет правоъгълни омични контакти - първи (7), втори (8), трети (9), четвърти (10) и пети (11). Третият контакт (9) е централен, като първият (7) и петият (11), и съответно вторият (8) и четвъртият (10) са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника (1) са съединени с контактите (5 и 9). Контактът (4) е свързан с петия контакт (11), а третият контакт (6) - с контакта (7). Изход (12) са вторият (8) и четвъртият (10) контакти, като измерваното магнитно поле (13) е успоредно на равнините на подложките (2 и 3) и на дългите страни на контактите (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 и 11).

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до микросензор на Хол, приложимо в областта на сензориката, роботиката и роботизираните безпилотни летателни апарати, електромобилите и хибридните превозни средства, микро- и нанотехнологиите, мехатрониката и когнитивните интелигентни системи, енергетиката и енергийната ефективност, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, контролноизмервателната техника и слабополевата магнитометрия, военното дело и сигурността.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две еднакви правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на всяка от подложките последователно и на разстояния един от друг са формирани отляво надясно по пет правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти и пети. Третите контакти са централни като първите и петите, и съответно вторите и четвъртите са симетрично разположени спрямо тях. Всички първи и пети контакти са свързани помежду си. Вторият контакт от първата подложка е съединен с четвъртия от втората, а четвъртият контакт от първата - с втория контакт от втората подложка. Изводите на токоизточника са свързани с втория и четвъртия контакт от първата подложка. Диференциалният изход на микросензора на Хол са двата централни контакта като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнините на подложките, така и на дългите страни на контактите [1, 2, 3].
Недостатък на този микросензор на Хол е понижената му магниточувствителност, тъй като в полупроводниковите подложки се използва само половината от общия ток през съответните захранващи контакти за генериране на еднакви по стойност и противоположни по знак потенциали на Хол върху двата изходни контакта.
Недостатък е също усложнената конструкция на микросензора, съдържащ общо десет омични контакта и множество връзки между тях.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде микросензор на Хол с висока магниточувствителност и опростена конструкция с редуциран брой контакти и връзки между тях.
Тази задача се решава с микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно три правоъгълни омични контакти - първи, втори и трети като вторият контакт е централен, а първият и третият са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка са формирани от ляво на дясно пет правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти и пети. Третият контакт е централен като първият и петият, и съответно вторият и четвъртият са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника са съединени с централните контакти. Първият контакт от първата подложка е свързан с петия контакт от втората, а третият контакт от първата - с първия контакт от втората подложка. Диференциалният изход на микросензора на Хол са вторият и четвъртият контакт от втората подложка, като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнините на подложките, така и на дългите страни на контактите.
Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на генериране от целия захранващ ток през централния контакт на първата подложка на напрежение на Хол върху първия и третия контакт, което се сумира с напрежението на Хол, получено върху втория и четвъртия изходни контакти от втората подложка.
Предимство е също опростената конструкция на микросензора, съдържащ общо осем, вместо десет омични контакта и две връзки между тях вместо пет.
Предимство е още повишената метрологична точност и резолюция от високото ниво сигнал/шум, поради съществената магниточувствителност на микросензора.
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.1/16.09.2019
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява е едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1, представляваща напречното му сечение.
Примери за изпълнение на изобретението
Микросензорът на Хол съдържа токоизточник 1 и две правоъгълни полупроводникови подложки е п-тип примесна проводимост - първа 2 и втора 3, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка 2 последователно и на разстояния един от друг са формирани отляво надясно три правоъгълни омични контакти - първи 4, втори 5 и трети 6, като вторият контакт 5 е централен, а първият 4 и третият 6 контакт са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка 3 са формирани отляво надясно пет правоъгълни омични контакти - първи 7, втори 8, трети 9, четвърти 10 и пети 11. Третият контакт 9 е централен, като първият 7 и петият 11, и съответно вторият 8 и четвъртият контакт 10 са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника 1 са съединени е централните контакти 5 и 9. Първият контакт 4 от първата подложка 2 е свързан е петия контакт 11 от втората подложка 3, а третият контакт 6 от първата подложка 2 - е първия контакт 7 от втората подложка 3. Диференциалният изход 12 на микросензора на Хол са вторият 8 и четвъртият 10 контакт от втората подложка 3, като измерваното магнитно поле 13 е успоредно както на равнините на подложките 2 и 3, така и на дългите страни на контактите 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 и 11.
Действието на микросензора на Хол, съгласно изобретението, е следното.
При включване на централните контакти 5 и 9 към токоизточника 1, в обема на подложките 2 и 3 протичат по две противоположно насочени токови компоненти - между централните 5 и 9 и крайните захранващи контакти 4 и 6, и съответно 7 и 11 (Фигура 1). Траекториите на тези токове са криволинейни [4]. Дълбочината на проникване на токовите линии при фиксирана концентрация на легиращите донорни примеси ND в подложките 2 и 3 зависи от съотношението М между ширината I на централните контакти 5 и 9 и разстоянието / между тях и крайните 4 и 6, и съответно 7 и 11 електроди, М = / // Максималната стойност на дълбочината на проникване при ND « 1015 cm-3 съставлява около 40 μηι. В триконтактния елемент на Хол (подложката 2 е контактите 4, 5 и 6) токът I през контакта 5 е подложен на отклоняващото действие на силата на Лоренц FL като върху крайните електроди 4 и 6 се генерира напрежение на Хол VH4 6(В). Произходът на това напрежение е от вътрешните съпротивления Rg 7 и R9 п между централния 9 и крайните контакти 7 и 11 (петконтактният елемент на Хол от подложката 3). Съпротивленията R97 и R9 п трансформират в триконтактния сензор измененията на токовете Δ74(Β) и АД/В) в поле В 13 в напрежение на Хол VH46(B). Тъй като съотношението М е оптимизирано да е максимално, сигналът VH4 6(В) е резултат на целия захранващ ток 15, а не на една втора от него. В петконтактния равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, реализиран върху втората подложка 3, напрежението на Хол VHg 10(В) върху контактите 8 и 10, обаче, се генерира от половината от тока 19/2 през контакта 9. Основната причина е, че собствените размери на изходните контакти 8 и 10, разположени между централния 9 и крайните контакти 7 и 11 увеличават общия линеен размер / на този елемент на Хол и съотношението М = Д//2 е понижено. При това токът/9 през контакти 9 се разделя определено на две равни компоненти/7 и/п, т.е. само една втора от тока /,/2 активно генерира потенциалите на Хол VHg(B) и V (В) върху контактите 8 и 10. Такава е ситуацията и в известното решение [1, 2, 3], поради което чувствителността на петконтактните елементи е понижена. В новото решение на Фигура 1, съдържащо интегрирани триконтактен и петконтактен преобразувател на Хол са постигнати следните нови положителни качества. Напрежението на Хол VH4 6(В) върху контактите 4 и 6 се подава върху контактите 7 и 11 на петконтактната структура 3. Така в магнитното поле В ψ 0 13 потенциалите върху контактите 7 и 11 се променят в сравнение със случая В - 0. Напрежението VH4 6(В) въздейства и върху изходните електроди 8 и 10 - техните потенциали също се отместват полярно единият нараства, а другият намалява е една и съща стойност. Освен това в петконтактния елемент от подложката 3 проявата на ефекта на Хол е активна от протичането на двете противоположно насочени компонентии -7 Следователно, Ходовите потенциали върху изходните контакти 8 и 10 нарастват още повече. Двете напрежения на Хол VH46(B) и VHg (В) действат синфазно, т.е. те се сумират като
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.1/16.09.2019 магниточувствителността на изхода 11 нараства съществено, V (В) = VH46(B) + V (В). Новият микросензор съдържа осем, а не десет омични контакти, което опростява конструкцията му, Фигура
1. Връзките между контактите са две, а не пет.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава в оригиналната конструкция и нестандартното свързване на контактите 4-11 и 6-7 на двете структури 2 и 3. Освен това захранването може да бъде в режим генератор на ток и генератор на напрежение, разширявайки схемотехническите възможности. Интегрираното действие на триконтактен и петконтактен елемент на Хол, освен че повишава магниточувствителността, но и подобрява отношението сигнал/шум и резолюцията за детектиране на минимална магнитна индукция В^.
Микросензорът на Хол може да се реализира с CMOS, BiCMOS или микромашининг технологии, като преобразувателните зони представляват дълбоки п-тип силициеви джобове 2 и 3. Чрез формиране на дълбоки ограничителни р-тип рингове или на обратно поляризирани р+-п ринг-диоди около правоъгълните омични контакти 4, 5, 6 и съответно 7, 8, 9, 10 и 11 се постига по-дълбоко проникване на токовете в обема на подложките 2 и 3, респективно по-ефективно е въздействието на силата на Лоренц Fl върху токовите компоненти. Функционирането на микросензора е в широк температурен интервал, включително при криогенна среда. За още по-висока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия, контратероризма и навигацията, подложките 2 и 3 могат да се разположат между два еднакви концентратора на полето В 13 от ферит или μ-метал.

Claims (1)

1. Микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга, като върху едната страна на подложките са формирани правоъгълни омични контакти, при което върху втората подложка отляво надясно контактите са пет - първи, втори, трети, четвърти и пети, като третият контакт е централен, а първият и петият, и съответно вторият и четвъртият контакт са симетрични спрямо него, а диференциален изход на микросензора са вторият и четвъртият контакт от втората подложка, като измервано магнитно поле е успоредно на равнините на подложките и на дългите страни на контактите, характеризиращ се с това, че върху първата подложка (2) последователно и на разстояния един от друг са формирани отляво надясно три контакта - първи (4), втори (5) и трети (6), като вторият контакт (5) е централен, а първият (4) и третият (6) контакт са симетрични спрямо него, а изводите на токоизточника (1) са съединени с двата централни контакта (5 и 9), като първият контакт (4) от първата подложка (2) е свързан с петия контакт (11) от втората подложка (3), а третият контакт (6) от първата подложка (2) - с първия контакт (7) от втората подложка (3).
BG112090A 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол BG66933B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG112090A BG112090A (bg) 2017-03-31
BG66933B1 true BG66933B1 (bg) 2019-08-15

Family

ID=59012193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66933B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG112090A (bg) 2017-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252355B2 (en) Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor
BG66933B1 (bg) Микросензор на хол
BG67038B1 (bg) Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол
BG67386B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67250B1 (bg) Полупроводниково устройство на хол
BG67039B1 (bg) Двуосен микросензор за магнитно поле
BG66885B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент на хол
BG67249B1 (bg) Интегрален микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67643B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор на хол
BG67134B1 (bg) Микросензор на хол
BG112445A (bg) Магниточувствителен сензор
BG67380B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
BG66985B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен преобразувател на хол
BG112804A (bg) 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67210B1 (bg) Двуосен интегрален сензор за магнитно поле
BG66714B1 (bg) Трикомпонентен микросензор за магнитно поле
BG67551B1 (bg) Двуосен магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на хол
BG66790B1 (bg) X-, y- и z-компонентен магнитометър
BG66704B1 (bg) Двумерен полупроводников магнитометър
BG67071B1 (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG112808A (bg) Микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG66624B1 (bg) Двумерен магнитометър
BG66711B1 (bg) Сензор на хол с тангенциална ос на магниточувствителност
BG111414A (bg) Интегрален сензор на хол с паралелна ос на магниточувствителност
BG111329A (bg) Полупроводников трикомпонентен магнитометър