BG112090A - Микросензор на хол - Google Patents

Микросензор на хол Download PDF

Info

Publication number
BG112090A
BG112090A BG112090A BG11209015A BG112090A BG 112090 A BG112090 A BG 112090A BG 112090 A BG112090 A BG 112090A BG 11209015 A BG11209015 A BG 11209015A BG 112090 A BG112090 A BG 112090A
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contact
contacts
pad
central
hall
Prior art date
Application number
BG112090A
Other languages
English (en)
Other versions
BG66933B1 (bg
Inventor
Сия ЛОЗАНОВА
Вълчева Лозанова Сия
Чавдар РУМЕНИН
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG112090A priority Critical patent/BG66933B1/bg
Publication of BG112090A publication Critical patent/BG112090A/bg
Publication of BG66933B1 publication Critical patent/BG66933B1/bg

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Микросензорът на Хол съдържа токоизточник (1) и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа (2) и втора (3), разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка (2) последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно три правоъгълни омични контакти - първи (4), втори (5) и трети (6) като вторият контакт (5) е централен, а първият (4) и третият (6) са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка (3) са формирани от ляво на дясно пет правоъгълни омични контакти - първи (7), втори (8), трети (9), четвърти (10) и пети (11). Третият контакт (9) е централен като първият (7) и петият (11), и съответно вторият (8) и четвъртият (10) са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника (1) са съединени с контакти (5) и (9). Контакт (4) е свързан с петия контакт (11), а третият контакт (6) - с контакт (7). Изходът (12) са вторият (8) и четвъртият (10) контакти като измерваното магнитно поле (13) е успоредно на равнините на подложките (2) и (3) и на дългите страни на контактите (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) и (11).

Description

МИКРОСЕНЗОР НА ХОЛ
ОБЛАСТ НА ТЕХНИКАТА
Изобретението се отнася до микросензор на Хол, приложимо в областта на сензориката, роботиката и роботизираните безпилотни летателни апарати, електромобилите и хибридните превозни средства, микро- и нано-технологиите, мехатрониката и когнитивните интелигентни системи, енергетиката и енергийната ефективност, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, контролно-измервателната техника и слабополевата магнитометрия, военното дело и сигурността.
ПРЕДШЕСТВАЩО СЪСТОЯНИЕ НА ТЕХНИКАТА
Известен е микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две еднакви правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на всяка от подложките последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно по пет правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти и пети. Третите контакти са централни като първите и петите, и съответно вторите и четвъртите са симетрично разположени спрямо тях. Всички първи и пети контакти са свързани помежду си. Вторият контакт от първата подложка е съединен с четвъртия от втората, а четвъртият контакт от първата - с втория контакт от втората подложка. Изводите на токоизточника са свързани с втория и четвъртия контакт от първата подложка. Диференциалният изход на микросензора на Хол са двата централни контакта като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнините на подложките, така и на дългите страни на контактите, [1, 2, 3].
Недостатък на този микросензор на Хол е понижената му магниточувствителност, тъй като в полупроводниковите подложки се използва само половината от общия ток през съответните захранващи контакти за генериране на еднакви по стойност и противоположни по знак потенциали на Хол върху двата изходни контакта.
Недостатък е също усложнената конструкция на микросензора, съдържащ общо десет омични контакта и множество връзки между тях.
ТЕХНИЧЕСКА СЪЩНОСТ
Г Задача на изобретението е да се създаде микросензор на Хол с висока магниточувствителност и опростена конструкция с редуциран брой контакти и връзки между тях.
Тази задача се решава с микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно три правоъгълни омични контакти - първи, втори и трети като вторият контакт е централен, а първият и третият са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка са формирани от ляво на дясно пет правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти и пети. Третият контакт е централен като първият и петият, и съответно вторият и четвъртият са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника са съединени с централните контакти. Първият контакт от първата подложка е свързан с петия контакт от втората, а третият контакт от първата - с първия контакт от втората подложка. Диференциалният изход на микросензора на Хол са вторият и четвъртият контакти от втората подложка като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнините на подложките, така и на дългите страни на контактите.
Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на генериране от целия захранващ ток през централния контакт на първата подложка на напрежение на Хол върху първия и третия контакт, което се сумира с напрежението на Хол, получено върху втория и четвъртия изходни контакти от втората подложка.
Предимство е също опростената конструкция на микросензора, съдържащ общо осем, вместо десет омични контакта и две връзки между тях вместо пет.
Предимство е още повишената метрологична точност и резолюция от високото ниво сигнал/шум, поради съществената магниточувствителност на микросензора.
ОПИСАНИЕ НА ПРИЛОЖЕНИТЕ ФИГУРИ
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената Фигура 1, представляваща напречното му сечение.
ПРИМЕРИ ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ
Микросензорът на Хол съдържа токоизточник 1 и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа 2 и втора 3, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на първата подложка 2 последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно три правоъгълни омични контакти - първи 4, втори 5 и трети 6 като вторият контакт 5 е централен, а първият 4 и третият 6 са симетрични спрямо него. Върху едната страна на втората подложка 3 са формирани от ляво на дясно пет правоъгълни омични контакти - първи 7, втори 8, трети 9, четвърти 10 и пети 11. Третият контакт 9 е централен като първият 7 и петият 11, и съответно вторият 8 и четвъртият 10 са симетрични спрямо него. Изводите на токоизточника 1 са съединени с централните контакти 5 и 9. Първият контакт 4 от първата подложка 2 е свързан с петия контакт 11 от втората 3, а третият контакт 6 от първата 2 с първия контакт 7 от втората подложка 3. Диференциалният изход 12 на микросензора на Хол са вторият 8 и четвъртият 10 контакти от втората подложка 3 като измерваното магнитно поле 13 е успоредно както на равнините на подложките 2 и 3, така и на дългите страни на контактите 4, 5,6, 7, 8, 9, 10 и 11.
Действието на микросензора на Хол, съгласно изобретението, е следното. При включване на централните контакти 5 и 9 към токоизточника 1, в обема на подложки 2 и 3 протичат по две противоположно насочени токови компоненти - между централните 5 и 9 и крайните захранващи контакти 4 и 6, и съответно 7 и 11, Фигура 1. Траекториите на тези токове са криволинейни, [4]. Дълбочината на проникване на токовите линии при фиксирана концентрация на легиращите донорни примеси ND в подложките 2 и 3 зависи от съотношението М между ширината 1\ на централните контакти 5 и 9 и разстоянието Ζ2 между тях и крайните 4 и 6, и съответно 7 и 11 електроди, Μ = Ζι/Ζ2. Максималната стойност на дълбочината на проникване при ND ~ 1015 cm'3 съставлява около 40 pm. В триконтактния елемент на Хол (подложка 2 с контакти 4, 5 и 6) токът Д през контакт 5 е подложен на отклоняващото действие на силата на Лоренц FL като върху крайните електроди 4 и 6 се генерира напрежение на Хол ЕН4.б(В). Произходът на това напрежение е от вътрешните съпротивления R97 и R9jh между централния 9 и крайните контакти 7 и 11 (петконтактният елемент на Хол от подложка 3). Съпротивленията R9.7 и R9>11 трансформират в триконтактния сензор измененията на токовете Δ/4(Β) и Δ/6(Β) в поле В 13 в напрежение на Хол Ун4,б(^). Тъй като съотношението М е оптимизирано да е максимално, сигналът Ун4?б(В) е резултат на целия захранващ ток 15, а не на една втора от него. В петконтактния равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, реализиран върху втората подложка 3, напрежението на Хол VH,8.10(F) върху контакти 8 и 10 обаче се генерира от половината от тока /9/2 през контакт 9. Основната причина е, че собствените размери на изходните контакти 8 и 10, разположени между централния 9 и крйните 7 и 11 увеличават общия линеен размер Z2 на този елемент на Хол и съотношението Μ = Ζ/Ζ2 е понижено. При това токът Ζ9 през контакт 9 се разделя определено на две равни компоненти /7 и Ζπ, т.е. само една втора от тока /9/2 активно генерира потенциалите на Хол Vhs(F) и Vhio(B) върху контакти 8 и 10. Такава е ситуацията и в известното решение [1, 2, 3], поради което чувствителността на петконтактните елементи е понижена. В новото решение на Фигура 1, съдържащо интегрирани триконтактен и петконтактен преобразувател на Хол са постигнати следните нови положителни качества. Напрежението на Хол Vh4,6(B) върху контакти 4 и 6 се подава върху контакти 7 и 11 на петконтактната структура 3. Така в магнитно поле В / 0 13 потенциалите върху контакти 7 и 11 се променят в сравнение със случая В = 0. Напрежението Ун4,б(в) въздейства и върху изходните електроди 8 и 10 техните потенциали също се отместват полярно - единият нараства, а другият намалява с една и съща стойност. Освен това в петконтактния елемент от подложката 3 проявата на ефекта на Хол е активна от протичането на двете противоположно насочени компоненти /7 и -7ц.
Следователно Холовите потенциали върху изходните контакти 8 и 10 нарастват още повече. Двете напрежения на Хол Ун4,б(^) и Vh8,io(#) действат синфазно, т.е. те се сумират като магниточувствителността на изхода 11 нараства съществено, VnufB) = Ун4,б(В) + УнвдоФ). Новият микросензор съдържа осем, а не десет омични контакти, което опростява конструкцията му, Фигура 1. Връзките между контактите са две, а не пет.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава в оригиналната конструкция и нестандартното свързване на контактите 4-11и6-7на двете структури 2 и 3. Освен това захранването 1 може да бъде в режим генератор на ток и генератор на напрежение, разширявайки схемотехническите възможности. Интегрираното действие на триконтактен и петконтактен елемент на Хол, освен че повишава магниточувствителността, но и подобрява отношението сигнал/шум и f4 резолюцията за детектиране на минимална магнитна индукция Вт1П.
Микросензорът на Хол може да се реализира с CMOS, BiCMOS или микромашининг технологии като преобразувателните зони представляват дълбоки п-тип силициеви джобове 2 и 3. Чрез формиране на дълбоки ограничителни р-тип рингове или на обратно поляризирани р+-п рингдиоди около правоъгълните омични контакти 4, 5, 6 и съответно 7, 8, 9, 10 и 11 се постига по-дълбоко проникване на токовете в обема на подложките 2 и 3, респективно по-ефективно е въздействието на силата на Лоренц FL върху токовите компоненти. Функционирането на микросензора е в широк температурен интервал, включително при криогенна среда. За още повисока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия, контратероризма и навигацията, подложките 2 и 3 могат да се разположат между два еднакви концентратора на полето В 13 от ферит или μ-метал.
г ПРИЛОЖЕНИЕ: една фигура
ЛИТЕРАТУРА
[1] Т. Kaufmann, “On the offset and sensitivity of CMOS-based five-contact vertical Hall devices”, in “MEMS Technology and Engineering”, v. 21, Der Andere Verlag, 2013, p. 147.
[2] R. Popovic, “Integrated Hall element”, US Patent 4 782 375/01.11.1988.
[3] A.M.J. Huiser, H.P. Baltes, “Numerical modeling of vertical Hall-effect devices”, IEEE Electron Device Letters, 5(9) (1984) pp. 482-484.
[4] Ch. Roumenin, “Microsensors for magnetic field”, Ch. 9, in „MEMS - a practical guide to design, analysis and applications”, ed. by J. Korvink and 0. Paul, William Andrew Publ., USA, 2006, pp. 453-523; ISBN: 0-8155-1497-2.

Claims (1)

  1. ПАТЕНТНИ ПРЕТЕНЦИИ ^Микросензор на Хол, съдържащ токоизточник и две правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга, върху едната страна на подложките са формирани правоъгълни омични контакти като върху втората подложка от ляво на дясно те са пет - първи, втори, трети, четвърти и пети, третият контакт е централен, а първият и петият, и съответно вторият и четвъртият са симетрични спрямо него, диференциалният изход на микросензора са вторият и четвъртият контакти от втората подложка, а измерваното магнитно поле е успоредно на равнините на подложките и на дългите страни на контактите, ХАРАКТЕРИЗИРАЩ СЕ с това, че върху първата подложка (2) последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно три контакта - първи (4), втори (5) и трети (6) като вторият контакт (5) е централен, а първият (4) и третият (6) са симетрични спрямо него, изводите на токоизточника (1) са съединени с двата централни контакта (5) и (9), първият контакт (4) от първата подложка (2) е свързан с петия контакт (11) от втората (3), а третият контакт (6) от първата (2) - с първия контакт (7) от втората подложка (3).
BG112090A 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол BG66933B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG112090A true BG112090A (bg) 2017-03-31
BG66933B1 BG66933B1 (bg) 2019-08-15

Family

ID=59012193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG112090A BG66933B1 (bg) 2015-09-02 2015-09-02 Микросензор на хол

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66933B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG66933B1 (bg) 2019-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG112090A (bg) Микросензор на хол
BG67038B1 (bg) Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол
BG67250B1 (bg) Полупроводниково устройство на хол
BG112436A (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG67386B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG113488A (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор на хол
BG112091A (bg) Равнинно-магниточувствителен преобразувател на хол
BG112385A (bg) Двуосен микросензор за магнитно поле
BG112485A (bg) Микросензор на хол
BG113272A (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор
BG112445A (bg) Магниточувствителен сензор
BG67249B1 (bg) Интегрален микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG112804A (bg) 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG111840A (bg) Интегрален 3d микросензор за магнитно поле
BG113027A (bg) Елемент на хол
BG112007A (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент на хол
BG67380B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
BG112808A (bg) Микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67551B1 (bg) Двуосен магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на хол
BG113018A (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG112694A (bg) Двуосен интегрален сензор за магнитно поле
BG112442A (bg) Микросензор на хол
BG112109A (bg) 2-d полупроводпиков магнитометър
BG67643B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор на хол
BG112991A (bg) Електронно устройство с равнинна магниточувствителност