BG111329A - Полупроводников трикомпонентен магнитометър - Google Patents
Полупроводников трикомпонентен магнитометър Download PDFInfo
- Publication number
- BG111329A BG111329A BG111329A BG11132912A BG111329A BG 111329 A BG111329 A BG 111329A BG 111329 A BG111329 A BG 111329A BG 11132912 A BG11132912 A BG 11132912A BG 111329 A BG111329 A BG 111329A
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contacts
- magnetic field
- component
- orthogonal
- orthogonal component
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 2
- 238000012883 sequential measurement Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Полупроводниковият трикомпонентен магнитометър съдържа n-тип полупроводникова подложка (1) с правоъгълна форма, като на повърхността й има два продълговати омични контакти (3 и 4), които са свързани през източник на постоянен ток (9). Магнитното поле (10) е с произволна посока спрямо подложката (1), а правоъгълната n-подложка (1) е оградена с дълбок p-ринг (2). По дължината на дългите страни на вътрешната зона има още четири еднакви продълговати омични контакти - първи (5), втори (6), трети (7) и четвърти (8), като първият (5) е разположен срещу втория (6), а третият (7) е срещу четвъртия (8). Всички омични контакти (3, 4, 5, 6, 7 и 8) са симетрични спрямо центъра на оградената от p-ринга (2) вътрешна зона. За измерване на първата ортогонална компонента на магнитно поле първият (5) и четвъртият (8), и съответно вторият (6) и третият (7) контакти са свързани помежду си, като вторият (6) и четвъртият (8) контакт са изходът (11) за първата ортогонална компонента. За измерване на втората ортогонална компонента първият (5) и третият (7), и съответно вторият (6) и четвъртият (8) контакт са свързани помежду си, като изходът (12) за втората компонента са двете точки на свързване. За измерване на третата ортогонална компонента на магнитното поле четирите омични контакти (5, 6, 7 и 8) са свързани, като контакти (3 и 4) са съединени през високоомен тример (13), средната точка на който и точката на свързване на контакти (5, 6, 7 и 8) са изходът (14) за третата ортогонална компонента.@
Description
ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТРИКОМПОНЕНТЕН МАГНИТОМЕТЪР
ОБЛАСТ НА ТЕХНИКАТА
Изобретението се отнася до полупроводников трикомпонентен магнитометър, приложимо в областта на сензориката, системното инженерство, роботиката и мехатрониката, микро- и нано-технологиите, включително биоинженерството, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, позиционирането на обекти в пространството, безконтактната автоматика, биомедицинските изследвания, енергетиката и енергийната ефективност, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, военното дело и сигурността, и др.
ПРЕДШЕСТВАЩО СЪСТОЯНИЕ НА ТЕХНИКАТА
Известен е полупроводников трикомпонентен магнитометър, измерващ последователно трите взаимноперпендикулярни компоненти на вектора на тт/члтгтла
ΤΤΤΛ Q D ηΤ.Γ'Κ TTU Λ _ /То Ά • · · * · ’ · · форма, върху едната страна на която откъм късите й сфайи са формиранй пл един продълговат омичен базов контакт - първи и втори. В близост до първия базов контакт и симетрично на него е разположен р-тип емитер. По дължините на дългите страни на правоъгълната п-подложка са формирани по два продълговати с еднакви размери р-тип колектори - първият и вторият са от едната страна, а третият и четвъртаят от другата. Двата базови контакта са свързани през първи токоизточник, емитерът е включен в права посока през втори токоизточник спрямо втория базов контакт. Магнитното поле е с произволна посока спрямо полупроводниковата п-тип подложка. За измерване на първата ортогонална компонента на магнитното поле първият и четвъртият, и съответно вторият и третият р-колектори са свързани помежду си като двете точки на свързване са съединени с по един товарен резистор и през трети токоизточник двойките колектори са включени в обратна посока спрямо втория базов контакт. Изходът за първата ортогонална компонента са двете точки на свързване на колекторите. За измерване на втората ортогонална компонента на ς магнитното поле първият и вторият, и съответно третият и четвъртият рколектори са свързани помежду си като двете точки на свързване са съединени с по един товарен резистор и през третия токоизточник двойките колектори са включени в обратна посока спрямо втория базов контакт. Изходът за втората ортогонална компонента са двете точки на свързване на колекторите. За измерване на третата ортогонална компонента на вектора на магнитното поле първият и третият, и респективно вторият и четвъртият р-колектори са свързани помежду си като точките на свързване са съединени с по един товарен резистор и през третия токоизточник двойките колектори са включени в обратна посока спрямо втория базов контакт. Изходът за третата ортогонална компонента са двете точки на свързване на колекторите, [1-3].
Недостатък на този полупроводников трикомпонентен магнитометър е твърде усложнената конструкция, изискваща три отделни токоизточника и товарни резистори.
Недостатък е също редуцираното отношение сигнал/щум и резолюцията на отделните изходни канали при измерване на магнитната индукция в резултат на повишения собствен шум от биполярното транзисторно действие на този магнитометър.
ТЕХНИЧЕСКА СЪЩНОСТ
Задача на изобретението е да се създаде полупроводников трикомпонентен магнитометър с опростена конструкция, високи резолюция и отношение сигнал/шум.
Тази задача се решава с полупроводников трикомпонентен магнитометър, съдържащ п-тип полупроводникова подложка, върху едната страна на която е формиран дълбок правоъгълен р-ринг; на повърхността на оградената от този ринг вътрешна зона и в близост до късите й страни има два продълговати омични контакти - първи и втори; по дължината на дългите страни на ηα^ατ,τ.,οτη п/лгто nun ΛΤΤΤ6» цртипи РППЯККИ ппопълговати омични контакти — срещу четвъртия като всички омични контакти са симетричйи’ едряла’ ценрьра ’ на оградената от /2-ринга вътрешна зона. Захранващите контакти са свързанУ* през източник на постоянен ток. Магнитното поле е с произволна посока в пространството спрямо полупроводниковата к-тип подложка. За измерване на първата ортогонална компонента на магнитно поле първият и четвъртият, и съответно вторият и третият контакти, разположени по дължината на дългите страни на вътрешната зона са свързани помежду си като вторият и четвъртият контакти са изходът за първата ортогонална компонента. За измерване на втората ортогонална компонента на магнитното поле първият и третият, и съответно вторият и четвъртият контакти, разположени по дължината на дългите страни на вътрешната зона са свързани помежду си като изходът за втората ортогонална компонента са двете точки на свързване на днойките контакти. За измерване на третата ортогонална компонента на вектора на магнитното поле четирите омични контакти, разположени по дължината на дългите страни на вътрешната зона са свързани като първият и вторият захранващи контакти са съединени през високоомен тример, средната точка на който и точката на свързване на четирите контакти са изходът за третата ортогонална компонента.
Предимство на изобретението е опростената конструкция поради отпадането на два от трите захранващи токоизточника и на товарните резистори, а също така общият брой контакти е намален с един.
Предимство е също повишеното отношение сигнал/шум и резолюцията на отделните изходни канали при измерване на магнитната индукция поради отсъствието на биполярно транзисторно действие, заменено със стабилния и еднозначен като сензорен механизъм на функциониране ефект на Хол и за трите канала.
Предимство е още редуцираното паразитно междуканално влияние при последователното измерване на магнитните компоненти в резултат на подобрената структурна и електрическа симетрия на магнитометъра.
w
ОПИСАНИЕ НА ПРИЛОЖЕНИТЕ ФИГУРИ
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложените фигури: Фигура 1 представлява неговата принципна конструкция и Фигура 2 (а), (б) и (в) - трите последователни свързвания на четирите продълговати контакти по дължината на дългите страни на вътрешната правоъгълна п-тип зона на подложката за последователното измерване на трите ортогонални компоненти на вектора на магнитното поле.
ПРИМЕРИ ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ
Полупроводниковият трикомпонентен магнитометър съдържа п-тип полупооводникова подложка 1, върху едната страна на която е формиран /ЛШ.З вътрешна зона и в близост до късите й страни има два^проДълглратй όΜίτπφ* контакти - първи 3 и втори 4; по дължината на дългите страни на вътрешната’ зона има още четири еднакви продълговати омични контакти - първи 5, втори 6, трети 7 и четвърти 8, първият 5 е разположен срещу втория 6, а третият 7 е срещу четвъртия 8 като всички омични контакти 3, 4, 5, 6, 7 и 8 са симетрични спрямо центъра на оградената от /?-ринга 2 вътрешна зона. Захранващите контакти 3 и 4 са свързани през източник на постоянен ток 9. Магнитното поле 10 е с произволна посока в пространството спрямо полупроводниковата й-тип подложка 1. За измерване на първата ортогонална компонента на магнитно поле първият 5 и четвъртият 8, и съответно вторият 6 и третият 7 контакти са свързани помежду си като вторият 6 и четвъртият 8 контакти са изходът И за първата ортогонална компонента. За измерване на втората ортогонална компонента на магнитното поле първият 5 и третият 7, и съответно вторият 6 и четвъртият 8 контакти са свързани помежду си като изходът 12 за втората ортогонална компонента са двете точки на свързване на двойките контакти 5 и 7, и съответно 6 и 8. За измерване на третата ортогонална компонента на вектора на магнитното поле четирите омични контакти 5, 6, 7 и 8 са свързани като първият 3 и вторият 4 захранващи контакти са съединени през високоомен тример 13, средната точка на който и точката на свързване на четирите контакти 5,6, 7 и 8 са изходът 14 за третата ортогонална компонента.
Действието на полупроводниковия трикомпонентен магнитометър, съгласно изобретението, Фигура 1, е следното. При включване на двата контакта 3 и 4 към източника 9, между тях протича постоянен захранващ ток /34 = const, ефективната траектория на който е криволинейна. Тя стартира и завършва върху нискоомните планарни контакти 3 и 4 като в областите под тях траекторията първоначално е перпендикулярна на горната повърхност на пподложката 1. Нискоомните захранващи контакти 3 и 4 представляват еквипотенциални равнини, към които в отсъствие на външно магнитно поле В 10 токвите линии /314 са винаги перпендикулярни. Ефективната траектория на тока /314 в останалата част от обема на «-подложката 1 е успоредна на горната й страна. Важна особеност е, че посоките на тока /3;4 под контакти 3 и 4 са противоположни, 73 = |- /4| = /3>4. Дълбокият р-ринг 2, ограждащ достатъчно близко омичните контакти 3, 4, 5, 6, 7 и 8 драстично редуцира разтичането на тока Z3>4 по повърхността на подложката 1. Предвид избраната структурна симетрия на всички омични контакти 3,4, 5, 6, 7 и 8 по отншение на центъра на вътрешната правоъгълна п-тип зона (точката на пресичане на диагоналите на тази област), траекторията на захранващия ток /3,4 е също симетрична спрямо този център в равнината х-у, Фигура 1.
Външното магнитно поле В 10, което е с произволна ориентация в пространството спрямо подложката 1, чрез трите си взаимноперпендикулярни компоненти Вх, Ву и В2 води до възникване на три латерално отклоняващи движещите се електрони /3;4 сили на Лоренц, Fl = gVdr х където q е елементарният товар на електрона, a Vdr е векторът на средната дрейфова скорост на носителите по оста у [3]. В резултат на тази Лоренцова дефлекция в равнината, в повърхностните зони, там където са разположени контакти 5,6,7 и q ™ ТТЛТТТ.ГГПГТТАТШ14 рпектпически товаои от ефекта на Хол, Фигура 1.
трите взаимно ортогонални компоненти на вектора на магнийютд дод& 8 10 4; В, и Вг както следва: V^BJ и |- V7,1'57('В,) и |- V6.8(By)|, и Последователното във времето свързване по определен начин на Ходовите контакти 5, 6, 7 и 8 цели селективно извличане на метрологична информация за трите отделни ортогонални компоненти Вх, Ву и Bz на магнитния вектор В 10.
В поле Вх силата на Лоренц FL = gvdr>y х Вх въздейства върху вертикалните компоненти на дрейфовата скорост vdr>y на електроните, Фигура 1. При съединяване на четирите еднакви контакти 5, 6, 7 и 8 накръстно, Фигура 2(a), се осъществява връзка на контакти, чиито потенцали, генерирани в магнитно поле Вх от ефекта на Хол са с един и същ знак и са равни по стойност, VsX^x) = I ^6,7(^χ)|· В този случай диференциалният изход V6>8(BX) 11 между контакти 6 и 8 дава метрологична информация за ортогоналната магнитна компонента Вх.
В поле В у силата на Лоренц FL = 6/vdr,x х Вх въздейства върху вертикалните компоненти на дрейфовата скорост vdr>x на електроните, Фигура 1 .Паралелното свързване на контакти 5 и 7, и съответно 6 и 8 осъществява връзка на контакти, чиито потенцали, генерирани в магнитно поле Ву от ефекта на Хол са с един и същ знак и са равни по стойност, /5,7(^) = V^By)], Фигура 2(6).
Диференциалният изход V5>8(By) 12 между контакти 5 и 8 дава метрологична информация за ортогоналната магнитна компонента Ву.
Магнитно поле Вг въздейства върху латералната дрейфова скорост vdrA и вертикалната компонента на скоростта vdr>y, Фигура 1. Така съответната сила на Лоренц FL премества траекторията /3)4 в средната област на подложкага 1 в равнината х-у или към горната й повърхност или към обема й (в зависимост от посоките на тока /3;4 и магнитното поле Bz), т.е. силата на Лоренц FL “свива” или “удължава” ефективната токова траектория /3)4 в равнината х-у. Свързването на всички Холови контакти 5, 6, 7 и 8 осъществява сумиране на равни по стойност потенциали, генерирани от ортогоналната магнитна компонента Bz, Фигура 2(в). Така върху всички контакти 5, 6, 7 и 8, в зависимост от посоката на полето Bz се генерира едновременно линеен и полярен (нечетен) Холов потенциал ± %,6,7,8(^z) и квадратичен и четен от магнитното поле Bz магниторезистивен сигнал MR ~ В г. Пълното компенсиране на паразитното, в нашия случай, квадратично магнитосъпротивление (квадратичното напрежение върху тези Холови контакти 5, 6, 7 и 8 от магнитната индукция В7 10) се осъществява с включения към захранващи контакти 3 и 4 и токоизточника 9 високоомен тример г 13. Тъй като захранването на магнитометъра е в режим на постоянен ток Тз>4 = const, квадратичното магниторезистивно напрежение Узд^х) ~ В Ί върху захранващите контакти 3 и 4 се разпределя в средната точка на делителя (тримера г 13) съобразно стойностите на съпротивленията на двете части на тримера г 13. Така потенциалът върху средната точка на тримера г 13 съвпада с генерирания в поле Βζ квадратичен потенциал ^5,6,7,8 върху непосредствено свързаните контакти 5, 6, 7 и 8, върху които също възниква квадратично напрежение от ефекта на магнитосъпротивление, Фигура 2(в). Пълната компенсация на това паразитно квадратично напрежение се постига с нулиране на изхода 14 в отсъствие на магнитно поле Bz = 0. Тогава на изход 14 остава линейното и полярно напрежение на Хол V5,6,7,8(BZ) ~ Bz, носител на инбоомапията за тпетата оотогонална магнитна компонента В7.
Важна особеност е че, всяка една от трите после^©вада1ни,ко11([шгур^ции· на свързване на контактите 5, 6, 7 и 8, Фигура 2, съответстваща за конкретна ортогонална магнитна компонента осъществява потискане на изхода напреженията от другите две компоненти на вектора В 10. Тези сигнали се явяват синфазни добавки в съответния диференциален изход и там се компенсират. Структурната симетрия на новия З-D магнитометър минимизира съществено паразитното междуканално влияние - един от основните проблеми на векторната магнитометрия. Абсолютната стойност на вектора на магнитното поле В 10 се дава с израза: |В| = (Вх 2 + Ву2 + BZ2)1/2 [3],
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава във възможността само с шест омични контакти, един и същ захранващ ток /3 4 (един токоизточник 9) и три различни способа на включване на четирите контакти 5, 6, 7 и 8, осъществени последователно, Фигура 2 (а), (б) и (в), да се извлече информация за пълния магнитен вектор В 10. Понеже сензорният механизъм за конвертране на магнитното поле В 10 в електрически сигнал е стабилният и еднозначен като действие ефект на Хол, отношението С сигнал/шум и резолюцията на новия З-D магнитометър са високи. Дълбокият рринг 2 минимизира повърхностното разтичане на тока /3>4 и подобрява ортогоналността на токове 73 и /4 през двата захранващи контакта 3 и 4 спрямо горната равнина на подложката 1 в отсъствие на магнитно поле В 10. Така токовите линии /3;4 проникват дълбоко в обема на «-полупроводниковата подложка 1 и върху тях по-ефективно действат латералните отклоняващи сили на Лоренц. Следователно въздействието на компоненти Вх и В7 на магнитното поле В 10 чрез силите на Лоренц FL върху токове /3 и Ц е значително повишено, и чувствителността на тези канали също.
З-D магнитометърът може да се реализира с стандартна CMOS технология или микромашининг и може да се интегрира заедно с обработващата сигналите от него периферна електроника. Последователното реализиране на трите конфигурации на свързване на контакти 5, 6, 7 и 8, Фигура 2 (а), (б) и (в), се осъществява чрез мултиплексор.
с
ПРИЛОЖЕНИЕ, две фигури
Claims (1)
- ПАТЕНТНИ ПРЕТЕНЦИИПолупроводников трикомпонентен магнитометър, съдържащ л-тип полупроводникова подложка, на повърхността й има два продълговати омични контакти - първи и втори, които са захранващи и са свързани през източник на постоянен ток като магнитното поле е с произволна посока в пространството спрямо подложката, ХАРАКТЕРИЗИРАЩ СЕ с това, че върху едната страна на п-тип подложката (1), е формиран дълбок правоъгълен р-тип ринг (2), във вътрешната й зона в близост до късите страни са разположени двата захранващи контакта (3) и (4), по дължината на дългите страни на тази вътрешна зона има още четири еднакви продълговати омични контакти - първи (5), втори (6), трети (7) и четвърти (8), първият (5) е разположен срещу втория (6), а третият (7) е ς срещу четвъртия (8) като всички омични контакти (3), (4), (5), (6), (7) и (8) са симетрични спрямо центъра на оградената от р-ринга (2) вътрешна зона; за измерване на първата ортогонална компонента на магнитно поле първият (5) и четвъртият (8), и съответно вторият (6) и третият (7) контакти са свързани помежду си като вторият (6) и четвъртият (8) контакти са изходът (11) за първата ортогонална компонента; за измерване на втората ортогонална компонента на магнитно поле първият (5) и третият (7), и съответно вторият (6) и четвъртият (8) контакти са свързани помежду си като изходът (12) за втората ортогонална компонента са двете точки на свързване на двойките контакти (5) и (7), и съответно (6) и (8); за измерване на третата ортогонална компонента на вектора на магнитното поле четирите омични контакти (5), (6), (7) и (8) са свързани като първият (3) и вторият (4) захранващи контакти са съединени през високоомен тример (13), средната точка на който и точката на свързване на четирите контакти (5), (6), (7) и (8) са изходът (14) за третата ортогонална компонента.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG111329A BG66640B1 (bg) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Полупроводников трикомпонентен магнитометър |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG111329A BG66640B1 (bg) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Полупроводников трикомпонентен магнитометър |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BG111329A true BG111329A (bg) | 2014-04-30 |
BG66640B1 BG66640B1 (bg) | 2018-02-15 |
Family
ID=51454402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BG111329A BG66640B1 (bg) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Полупроводников трикомпонентен магнитометър |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BG (1) | BG66640B1 (bg) |
-
2012
- 2012-10-29 BG BG111329A patent/BG66640B1/bg unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BG66640B1 (bg) | 2018-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2624001B1 (en) | Hall sensor and sensor arrangement | |
CN106164691B (zh) | 低偏移和高灵敏度垂直霍尔效应传感器 | |
BG111329A (bg) | Полупроводников трикомпонентен магнитометър | |
BG66954B1 (bg) | 2-d полупроводников магнитометър | |
BG66714B1 (bg) | Трикомпонентен микросензор за магнитно поле | |
BG111840A (bg) | Интегрален 3d микросензор за магнитно поле | |
BG112804A (bg) | 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66624B1 (bg) | Двумерен магнитометър | |
BG67038B1 (bg) | Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол | |
BG67134B1 (bg) | Микросензор на хол | |
BG67380B1 (bg) | Двумерен микросензор за магнитно поле | |
BG67039B1 (bg) | Двуосен микросензор за магнитно поле | |
BG67250B1 (bg) | Полупроводниково устройство на хол | |
BG112090A (bg) | Микросензор на хол | |
BG66433B1 (bg) | Двумерен векторен магнитометър | |
BG66704B1 (bg) | Двумерен полупроводников магнитометър | |
BG113014A (bg) | Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66790B1 (bg) | X-, y- и z-компонентен магнитометър | |
BG67210B1 (bg) | Двуосен интегрален сензор за магнитно поле | |
BG67249B1 (bg) | Интегрален микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66884B1 (bg) | Комбиниран микросензор | |
BG67010B1 (bg) | Интегрален магнитометър | |
BG112436A (bg) | Равнинно-магниточувствително устройство на хол | |
BG66404B1 (bg) | Полупроводников елемент на хол с паралелна ос на чувствителност | |
BG66660B1 (bg) | Интегрален сензор на хол с паралелна ос на магниточувствителност |