AT257688B - Oszillator - Google Patents

Description

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  Oszillator 
 EMI1.1 
 

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   An Hand der Ausführungsbeispiele nach den Fig.   1 - 5,   wird die Erfindung näher erläutert. 



   In   Fig. 1 ist die   Schaltung   eines Transistor-Quarzoszillators gezeigt, in dem die begrenzende Diode   2 dem Kollektorkreis des Transistors 1 parallel geschaltet ist. Der Quarz 3 und der Ziehkondensator 4 liegen im   Rückkopplungsweg   des Oszillators, die Kapazität 5 dient zur Entkopplung. Der Regelstrom IR wird von aussen zugeführt. 



   Fig. 2 zeigt eine Anordnung, bei der zwei Halbleiterdioden 6,7 wechselstrommässig antiparallel geschaltet sind, wodurch gegenüber der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 eine Klirrminderung erreicht wird. 



   Bei den Schaltungsanordnungen nach den Fig.   3 - 5   sind die Begrenzerdioden jeweils über einen Übertrager an den Oszillatorschwingkreis angekoppelt. Diese Schaltungsanordnungen zeigen ausserdem Schaltmöglichkeiten für die Begrenzerdioden auf, wobei der Aufbau der Begrenzerschaltungen jeweils demjenigen von bekannten Gleichrichterschaltungen entspricht. So entspricht beispielsweise der Begrenzerschaltungsanordnung 8 in der Oszillatorschaltung nach Fig. 3 eine Zweiweg-Gleichrichteranordnung und der Begrenzeranordnung 9 nach Fig. 5 die bekannte Graetz-Gleichrichterschaltung. In der Schaltungsanordnung nach Fig. 4 und 5 ist die Mittelanzapfung des in Fig. 3 verwendeten Übertragers 10 nicht erforderlich. Jedoch hat die Schaltungsanordnung nach Fig. 3 den Vorteil, dass der Bauteilebedarf bei ihr am kleinsten ist.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Oszillator mit einem frequenzbestimmenden Element, vorzugsweise einem Schwingquarz, im Rückkopplungsweg und einem Amplitudenbegrenzer, der aus mindestens einer Halbleiterdiode besteht, die von einem ihren dynamischen Widerstand bestimmenden Regelgleichstrom, der von der Ausgangsspannung abgeleitet ist, durchflossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Amplitudenbegrenzer parallel zum Ausgangsschwingkreis geschaltet ist und dass der Oszillator so dimensioniert ist, dass die Schwingbedingung nur für Werte desjenigen dynamischen Widerstandes der Halbleiterdiode erfüllt ist, bei denen der durch die Durchlassträgheit des Halbleiters bedingte Blindwiderstand vernachlässigbar ist.