AT255482B - Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor - Google Patents

Description

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  Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor 
Bei der Dimensionierung einer selbstschwingenden Mischstufe mit Transistor, welche insbesondere für das UHF-Gebiet Verwendung finden soll, sind u. a. folgende Bedingungen zu   erfüllen ;  
Erstens soll der Eingang der Mischstufe für die Zwischenfrequenz einen guten Nebenschluss darstellen, zweitens soll wegen guterthermischer Stabilität und weitgehender Unabhängigkeit von Exemplarstreuungen der Emitterwiderstand des Transistors möglichst gross sein, schliesslich soll drittens die Zeitkonstante des RC-Gliedes, welche durch den Emitterwiderstand und den Emittererdungskondensator gebildet wird, möglichst klein gewählt werden, um Pendelschwingungen zu verhindern. 



   Diese drei Forderungen lassen sich nun nicht gleichzeitig erfüllen, da sich die ersten beiden zusammen und die dritte konträr gegenüberstehen. 



   Man kommt daher nicht umhin, entweder bestimmte Forderungen auf Kosten der andern so gut wie möglich zu erfüllen oder aber eine Kompromisslösung, welche allen drei Forderungen mit gewissenToleranzen gerecht wird, anzustreben. 



   Erfindungsgemäss wird zur Lösung des Problems im Sinne eines guten Kompromisses in bezug auf alle   drei Forderungen eine   selbstschwingende Mischstufe mit einem'Transistor, insbesondere für das Ultrahochfrequenzgebiet, angegeben, bei der eine Aufspaltung des Emitterwiderstandes und der diesen Widerstand hochfrequenzmässigüberbrückenden Kapazität derart vorgenommen ist, dass im Emitterkreis zwei Zeitkonstanten wirksam sind, mit dem Kennzeichen, dass ein erstes RC-Glied mit grosser Zeitkonstante durch den Durchführungskondensator für die Emittervorspannung und einen vorgeschlagenen Widerstand und ein zweites RC-Glied mit kleiner Zeitkonstante durch einen weiteren in Reihe zum ersten RC-Glied liegenden Widerstand und eine auf den Widerstand folgende, gegen Masse geschaltete Kapazität gebildet ist,

   so dass die in Serie geschalteten   RC-Glieder   allein vom Emitterstrom durchflossen sind. 



   An Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. 



   Die Zeichnung zeigt in stark vereinfachter Darstellung die selbstschwingende Mischstufe, wobei die Eingangsverstärkerstufe für die empfangene Hochfrequenz und die nachfolgende ZF-Stufe aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht mit dargestellt sind. Die selbstschwingende Mischstufe wird durch den Transistor T gebildet,   indessenAusgangüberdieKapazität   C4 alsfrequenzbestimmendes   Element für   die Oszil-   latorfrequenzderLeitungskreis   Z   mitdervariablenKapazität   C3 gegen Erde liegt. Im Eingang (Emit- 
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 da sie nicht erfindungswesentlich ist, ebenfalls nicht dargestellt. 



     DasHochfrequenzsignalwirdüberdieinduktiveKoppelschleife   L eingespeist, was symbolisch durch den Pfeil mit der Bezeichnung HF dargestellt ist. Die Zwischenfrequenz ZF wird über die Drossel Dr 1 auf die ZF-Stufen gegeben. 



     Durch die erfindungsgemässe Aufspaltung   des   RC-Gliedes   im Emitterkreis werden zwei wirksame Zeitkonstanten erzielt. 



   Die oben angeführte erste Bedingung, dass der Eingang der Mischstufe für die Zwischenfrequenz einen gutenNebenschluss darstellen soll, wird durch die Kapazität C2 in Verbindung mit der Induktivität L 

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 erfüllt. Die weiterhin erwähnte zweite Bedingung, welche eine gute Temperaturstabilisierung und Eliminierung von Exemplarstreuungen fordert, wird durch die Widerstände Rl und R2 erfüllt. Schliesslich wird die dritte Forderung nach einer kleinen Zeitkonstante aus Emitterwiderstand und EmittererdungskondensatordurchdasRC-Glied R2, C2 erfüllt.

   Diediesem RC-Glied vorgeschaltete grössere Zeitkonstante, welche durch die Kapazität C1 und den Widerstand R1 gebildet wird, schadet jedoch der kleinen Zeitkonstante nicht, sondern bewirkt eine grobe Einstellung des Arbeitspunktes, während die Feineinstellung durch das Glied mit der kleinen Zeitkonstanten besorgt wird.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor, insbesondere für das Ultrahochfrequenzgebiet, bei der im Emitterkreis des Transistors eine Aufspaltung des Emitterwiderstandes und der diesen Widerstand hochfrequenzmässig überbrückende Kapazität derart vorgenommen ist, dass im Emitterkreis zwei Zeitkonstanten wirksam sind, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes RC-Glied mit grosser Zeitkon- stante durch den Durchführungskondensator für die Emittervorspannung und einen vorgeschalteten Widerstand und ein zweites RC-Glied mit kleiner Zeitkonstante durch einen weiteren in Reihe zum ersten RCGlied liegenden Widerstand und eine auf denWiderstand folgende, gegen Masse geschaltete Kapazität gebildet ist, so dass die in Serie geschalteten RC-Glieder allein vom Emitterstrom durchflossen sind.