DE1766734C - Oszillatorschaltung für den UHF Bereich mit einem Transistor - Google Patents
Oszillatorschaltung für den UHF Bereich mit einem TransistorInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Oszillatorschaltung für den UHF-Bereich (500 bis 900MHz)
mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor mit einer Rückkopplung vom Ausgang auf den Eingang,
einem mittels einer ersten Kapazitätsdiode abstimmbaren Ausgangskreis und einer im Eingangskreis
wirksamen zweiten Kapazitätsdiode, die durch die Abstimmspannung im gleichen Sinne beeinflußt
wird wie die erste Kapazitätsdiode.
Wegen der bei niedrigeren Frequenzen geringeren Güte der Kapazitätsdioden haben derartige Schaltungen
am oberen Ende des Frequenzbereiches ein anderes Schwingverhalten als am unteren Ende. Daher
oszilliert eine solche Schaltung nicht bei 500 MHz, obwohl sie bei 900 MHz gut schwingt; wenn die
Schaltung jedoch so ausgelegt ist — bei kapazitiver Rückkopplung beispielsweise dadurch, daß parallel
zum Transistoreingang ein Kondensator von einigen pF geschaltet ist —, daß sie bei 500 MHz schwingt,
treten bei 900 MHz Überrückkopplungseffekte oder zumindest eine starke Temperaturabhängigkeit der
Oszillatorfrequenz auf.
Man hat die Überrückkopplungseffekte schon zu umgehen versucht, indem man die Spannung vom
Ausgang auf den Eingang über eine Kapazitätsdiode rückkoppelte, die in gleicher Weise wie die Kapazitätsdiode
im Ausgangskreis gesteuert wurde, so daß bei niedrigeren Frequenzen ein größerer Teil der Ausgangsspannung
rückgekoppelt wurde. Die Kapazität der Diode kann jedoch nicht beliebig groß gemacht
werden, weil sie dann zusammen mit dem induktiven Transistoreingang in den Bereich der Serienresonanz
gelangen könnte. Es kann daher auch bei dieser Schaltung nicht auf einen Kondensator von 1 bis 2 pF
parallel zum Basis-Emitter-Eingang verzichtet werden. Auch hierbei besteht eine starke Temperaturabhängigkeit
der höheren Oszillatorfrequenzen. Desgleichen wirken sich Streuungen der Transistorparameter
stark auf die Oszillatorfrequenz aus, so daß diese Schaltung für die Serienfertigung ungeeignet ist.
Die Schaltung nach der Erfindung soll bei annähernd gleichmäßigem Schwingverhalten weitgehend
temperaturunabhängig sein. Die Lösung dieser Aufgabe gemäß der Erfindung ist gekennzeichnet durch
eine solche Bemessung des Eingangskreises, daß der Eingangsleitwert der Oszillatorschaltung stets induktiv
bleibt.
Es sei bemerkt, daß bereits eine Verstärkerschaltung bekannt ist, bei der die Kollektor-Basis-Diode
eines in Basisschaltung betriebenen Transistors zur Abstimmung des Ausgangsresonanzkreises benutzt
wird. Da auch bei dieser Schaltung bei tieferen Frequenzen eine größere Dämpfung des Ausgangsresonanzkreises
auftritt, ist parallel zum Eingang eine direkt mit dem Emitter verbundene Kapazitätsdiode
eingeschaltet, deren Vorspannung gegensinnig zu derjenigen der Kollektor-Basis-Diode geändert wird.
Dadurch ändert sich auch ihre Dämpfung gegensinnig zur Dämpfung der Kollektor-Basis-Diode, so
daß die Verstärkung in etwa konstant bleibt. Bei einem UHF-Oszillator ist es nicht möglich, eine
Kapazitätsdiode in der beschriebenen Weise parallel zum Eingang zu schalten, weil dann die am Eingang
wirksame Kapazität bei höheren Frequenzen vergrößert wird, so daß die eingangs erwähnten unerwünschten
Effekte womöglich noch in verstärktem Maße auftreten.
Es ist weiterhin bekannt, bei einem Oszillator je einen auf die gleichen Frequenzen abgestimmten
Eingangs- und Ausgangskreis vorzusehen, die bei der Abstimmung gleichsinnig abgestimmt werden, wobei
die Resonanzfrequenzen der beiden Kreise gleichbleiben. Demgegenüber ist bei der Erfindung der
Eingangskreis so bemessen, daß der resultierende Eingangsleitwert stets induktiv bleibt, d. h., daß die
Resonanzfrequenz des Eingangskreises stets höher ist als die jeweilige Oszillatorfrequenz.
ίο Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels
näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Schaltung gemäß der Erfindung,
F i g. 2 einen Vierpol (α) bzw. ein Vierpol-Ersatz-Schaltbild (b), mit dessen Hilfe ein für die Erläuterung
der Erfindung geeignetes Stabilitätskriterium abgeleitet wird,
F i g. 3 ein Stabilitätsdiagramm, mittels dessen die Wirkung der erfindungsgemäßen Schaltung mit dem
Stand der Technik verglichen wird.
In Fig. 1 ist eine selbstschwingende Mischstufe gemäß der Erfindung zum Empfang von Fernsehsignalen
im UHF-Bereich von 470 bis 860 MHz dargestellt. Da die Zwischenfrequenz für diese Zwecke
»5 ungefähr 35 MHz beträgt, muß die Schaltung im Bereich von etwa 500 bis etwa 900 MHz schwingen.
Die Schaltung arbeitet mit einem pnp-Transistor 1 vom Typ AF 239, dessen Basis an einen zwischen
den Pluspol der Versorgungsspannung (+12V) und Erde geschalteten Spannungsteiler mit den Widerständen
3 und 4 von 2,2 bzw. 8,2 kQ angeschlossen ist und dessen Emitter über einen Widerstand 2 von
1,2 kQ mit dem Pluspol verbunden ist, während der Kollektor über eine zur Entnahme der ZF bestimmte,
für Gleichstrom durchlässige Impedanz 5 an Erde liegt. Die Basis des Transistors ist durch einen Kondensator
6 von 820 pF für die auftretenden Wechselspannungen geerdet (Basisschaltung).
Die empfangenen UHF-Schwingungen werden der Mischschaltung über eine mit dem nicht näher dargestellten
Topfkreis der Vorstufe magnetisch gekoppelte Koppelschleife 7 zugeführt, die zwischen den
Emitter des Transistors 1 und den für Wechselspannungen durch einen Kondensator 8 von 1000 pF
kurzgeschlossenen Emitterwiderstand 2 eingeschaltet ist.
Der Kollektor des Transistors ist über eine Kapazität 9 von 3,9 pF mit einem am anderen Ende geerdeten,
als Topfkreis ausgebildeten Parallelresonanzkreis verbunden, dessen einer Zweig einen Kondensator
10 von 12 pF und dessen anderer Zweig die Serienschaltung einer Induktivität 11 und einer Kapazitätsdiode
12 vom Typ BB 105 enthält. Die Induktivität 11 kann durch den Anschlußdraht der Kapazitätsdiode 12 gebildet werden, wie das etwa in
dem deutschen Gebrauchsmuster 1 981 340 beschrieben ist. Die Kapazität der Diode wird durch die positive
Abstimmspannung gesteuert, die an einem Potentiometer 13 von 50 kß liegt, dessen für Wechselspannungen
durch einen Kondensator 14 von 820 pF geerdeter Abgriff über einen Widerstand 15 von 100 kQ
mit der Kathode der Kapazitätsdiode 12 verbunden ist. Am Verbindungspunkt der Kondensatoren 9 und
10 ist ein Rückkopplungskondensator 16 von 0,8 pF angeschlossen, dessen anderes Ende unmittelbar mit
dem Emitter verbunden ist. Die Schaltung schwingt daher annähernd mit der Resonanzfrequenz des Parallelresonanzkreises
10,11,12.
Der Emitter des Transistors 1 ist außerdem noch über einen Kondensator 17 von 15 pF mit der Kathode
einer weiteren Kapazitätsdiode 18 verbunden, deren anderes Ende geerdet ist. Die Kapazität der
Diode 18 wird durch die Abstimmspannung, die ihrer Kathode über einen Widerstand 19 zugeführt
wird, zwischen 0,8 und 4 pF gesteuert. Dadurch, daß die Abstimmspannung sowohl an der Abstimmdiode
12 als auch an der im Eingangskreis wirksamen Diode 18 anliegt, wird erreicht, daß die Kapazitäten
in gleichem Sinne gesteuert werden.
Die Wirkung der Diode 18 wird an Hand eines Stabilitätskriteriums erläutert, dessen Voraussetzungen
nachstehend kurz abgeleitet werden:
F i g. 2 a zeigt einen Vierpol, für den bekanntlich die Beziehungen
Z1 = F11M1 + Y12U2
I2 = Y2iMi ~f~ ^22Μ2
gelten.
Ein solcher Vierpol kann daher durch ein Ersatzschaltbild gemäß F i g. 2 b ersetzt werden. Bei dieser
Ersatzschaltung wird durch die Rückwirkung über Y12 im Eingang ein Strom
erzeugt. Bei Leerlauf am Ausgang (Z2 = 0) ist
U2= -U1- Y21ZY22. '
Da U1 = J1 / Y11 ist, ergibt sich
(2)
U2=-I1-Y21ZYn-S2. (2')
Gleichung (2^ eingesetzt in Gleichung (1) ergibt
(3)
'ι · yi2 ■ y2i! Yu
'i R
Wenn der Faktor
Wenn der Faktor
Y · Y IY · Y > ι
1 12 ' 21' l 11 ' 22 <-
(4)
ist, ist I1 R > I1, und somit schwingt die Schaltung.
Wenn, wie bei der Schaltung gemäß F i g. 2, der Ausgangsleitwert Y22 praktisch durch einen Parallelresonanzkreis
gebildet wird, ist
Y22= G2-(1 + /VQ),
wobei G2 der Resonanzleitwert, ν die relative Verstimmung und Q die Güte des Parallelresonanzkreises
sind. Damit wird die Bedingung (4) zu
Y12- Y21ZG2-(I + /vß)> Y11. (4')
Der linke Term dieser Ungleichung stellt in der komplexen Leitwertebene einen Kreis mit dem Vektor
Y12Y2JG2 als Durchmesser dar. Die Schaltung
schwingt, wenn Y11 mit seiner Spitze innerhalb des Kreises oder auf dem Kreisumfang liegt.
In F i g. 3 sind derartige Kurven für eine Schaltung gemäß F i g. 1 — allerdings ohne den Zweig mit
dem Kondensator 17 und der Kapazitätsdiode 18 — bei 500 und bei 900MHz dargestellt; dabei gelten
die mit den Bezugsziffern 20 bis 24 versehenen Teile des Diagramms für 500 MHz, während die mit 30
bis 34 bezeichneten Teile für 900MHz gelten. Die Kurve 20 entspricht dem Kreis für 500 MHz. Der
Vektor 21 des Eingangsleitwertes Y11 liegt außerhalb des Kreises; die Schaltung schwingt also nicht. Der
Kreis 30 für 900 MHz hat einen größeren Durchmesser als der Kreis 20, obwohl Y21 (die Steilheit)
bei 900 MHz kleiner als bei 500 MHz ist. Dafür ist aber bei dieser Frequenz der Resonanzleitwert G2
und der Rückwirkungsleitwert Y12, der praktisch durch die (negative) Impedanz des Rückkopplungskondensators gegeben ist. größer als bei 500MHz.
Außerdem ist der Kreis 30 gegenüber dem Kreis 20 in Richtung auf die negativ-imaginäre Achse verschoben,
weil der Vektor Y21 sich um den gleichen Winkel gedreht hat. Auch der Vektor 31 des Eingangsleitwertes
Y11 ist gegenüber dem Vektor 21 gedreht und außerdem kleiner als dieser. Seine Spitze
ίο liegt daher innerhalb des Kreises 30, und daher schwingt die Schaltung mit einer Frequenz, die etwa
dem Schnittpunkt des (verlängerten) Vektors 31 mit dem Kreis 30 entspricht.
An dieser Stelle sei bemerkt, daß die Darstellung der Bedingung (4') durch ein Diagramm gemäß
F i g. 3 nur dann exakt ist, wenn am Ausgang tatsächlich ein Parallelresonanzkreis liegt und wenn die
Leitwerte Y11, Y12 und Y21 frequenzunabhängig sind.
Der Resonanzkreis 10, 11, 12 der Schaltung gemäß F i g. 1 verhält sich jedoch nur in der Umgebung der
Parallelresonanzfrequenz wie ein Parallelresonanzkreis, und die Vierpol-Leitwerte hängen stark von
der Frequenz ab. Das Stabilitätsdiagramm in F i g. 3 ist daher nur bei kleinen Verstimmungen ν (ζ. Β. bei
as ν = ± 1 °/o, was bei 900 MHz einer Frequenzabweichung von 4,5 MHz entspricht) eine gute Näherung.
Wenn in diesem Falle die Kreisgüte Q = 100 ist, ist Q- ν = +1, was auf den Kreisen 20 bzw. 30
den Punkten 22, 22' bzw. 32, 32' entspricht. Zumindest zwischen den Punkten 22 und 22' bzw. 32 und
32' ist also die Darstellung gemäß F i g. 3 hinreichend genau.
Wenn dem Eingang des Transistors ein Kondensator parallel geschaltet wird, verschiebt sich die
Spitze des Vektors 21 für den Eingangsleitwert parallel zur imaginären Achse nach oben. Dadurch kann
zwar erreicht werden, daß der Vektor des Eingangsleitwertes innerhalb des 500-MHz-Kreises 20 liegt
(vgl. Vektor 23), jedoch wird durch den Kondensator am Transistoreingang der Vektor für den 900-MHz-Eingangswert
noch stärker verschoben (vgl. Vektor 33), weil der Blindleitwert ja proportional mit der
Frequenz wächst. Der Vektor 33 ist dabei so kurz, daß Uberrückkopplungseffekte auftreten.
Diese Effekte werden zwar bei der bekannten Schaltung vermieden, bei der der Rückkopplungskondensator durch eine Kapazitätsdiode ersetzt ist,
denn dabei wird mit steigender Frequenz die Rückkopplungskapazität verringert, so daß auch Y12 und
damit der Kreis 30 kleiner werden, wie das in F i g. 3 durch den gestrichelten Kreis 30' angedeutet ist. Der
Kreis 30' wird jedoch verhältnismäßig weit außerhalb der Resonanz des Ausgangsschwingkreises von
der Verlängerung des Vektors 33 geschnitten. Tn diesem Bereich ist aber der Abstand zweier Punkte
mit einem bestimmten Frequenzunterschied auf dem Kreisbogen wesentlich kleiner als im Bereich der Resonanzfrequenz
/0. Das bedeutet, daß sich die Oszillatorfrequenz verhältnismäßig stark ändert, wenn der
Eingangsleitwert — bedingt beispielsweise durch Temperaturänderungen — seine Phasenlage etwas
ändert bzw. wenn der Vektor 33 etwa gedreht wird, so daß er die Lage 33' einnimmt. Dieser Effekt wird
noch wesentlich infolge der Tatsache verstärkt, daß der Leitwert · eines Parallelresonanzkreises — der
zum Eingang parallele Kondensator bildet ja zusammen mit dem induktiven Leitwert der Koppelschleife
und des Transistoreinganges ebenfalls einen Parallel-
resonanzkreis — bei Änderung eines seiner frequenzbestimmenden Elemente seine Phase um so stärker
ändert, je kleiner sein Phasenwinkel ist. So wird beispielsweise die Phase eines komplexen Leitwertes
mit einem Phasenwinkel von 30° durch Änderung des Blindleitwertes dreimal so stark beeinflußt wie
bei 60° (bei gleicher Größe des Realteils des Leitwertes).
Bei Temperaturschwankungen, bei denen stets auch der Blindleitwert des Eingangskreises geringfügig
schwankt, ändert sich wegen der geschilderten Effekte die Oszillatorfrequenz in einem nicht vertretbaren
Ausmaß. (Diese starke Temperaturabhängigkeit im Bereich der höheren Oszillatorfrequenzen
besteht natürlich auch bei der bekannten Schaltung mit festem Rückkopplungskondensator; hier tritt sie
jedoch hinter den Uberrückkopplungseffekten zurück.) Außerdem ist diese Schaltung bei der Serienfertigung
stark den Streuungen der Transistorparameter unterworfen.
Bei der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der die Rückkopplungskapazität konstant, dafür aber die
parallel zum Eingang wirksame Kapazität veränderlich ist, ist bei niedrigeren Frequenzen der kapazitive
Eingangsblindleitwert größer als bei höheren Frequenzen. Der Vektor 21 wird daher parallel zur
imaginären Achse um einen größeren Betrag nach oben verschoben (resultierender Vektor: 24) als der
Vektor 31 (resultierender Vektor: 34), dessen Winkel mit der reellen Achse daher verhältnismäßig groß
bleibt. Die Schaltung schwingt bei 500MHz also, ohne bei 900MHz die geschilderte Temperaturabhängigkeit
oder gar Überrückkopplungseffekte zu zeigen.
Obwohl die Erfindung an Hand einer Schaltung mit kapazitiver Rückkopplung erläutert wurde, ist es
auch möglich, statt dessen eine induktive Rückkopplung vorzusehen. Ebenso ist es möglich, den Ausgangskreis,
bei dem eine feste Kapazität parallel zu der Serienschaltung einer Induktivität und einer
Kapazitätsdiode geschaltet ist (sogenannte A/2-Technik), durch einen Ausgangskreis zu ersetzen, bei
dem die Induktivität der Serienschaltung einer festen Kapazität und einer Kapazitätsdiode parallel geschaltet
ist (sogenannte 2/4-Technik), wobei bei kapazitiver Rückkopplung die Spannung über der Kapazitätsdiode
auf den Eingang rückgeführt wird. Gegebenenfalls könnte auch der Rückkopplungskondensator
wie bei der bekannten Schaltung durch eine Kapazitätsdiode ersetzt werden.
Claims (3)
1. Oszillatorschaltung für den UHF-Bereich mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor
mit einer Rückkopplung vom Ausgang auf den Eingang, einem mittels einer ersten Kapazitätsdiode
abstimmbaren Ausgangskreis und einer im Eingangskreis wirksamen zweiten Kapazitätsdiode,
die durch die Abstimmspannung im gleichen Sinne beeinflußt wird wie die erste Kapazitätsdiode, gekennzeichnet durch
eine solche Bemessung des Eingangskreises, daß der Eingangsleitwert der Oszillatorschaltung stets
induktiv bleibt.
2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Ausgangskreis
und den Emitter des Transistors (1) eine Kapazitätsdiode geschaltet ist, die so gesteuert
ist, daß ihr Blindleitwert mit steigender Frequenz abnimmt.
3. Selbstschwingende Mischstufe mit einer Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das zu mischende Signal über eine mit dem Eingang verbundene Koppelschleife
(7) zugeführt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1766734A DE1766734B1 (de) | 1968-07-11 | 1968-07-11 | Oszillatorschaltung fur den UHF Bereich mit einem Transistor |
DK368569AA DK123197B (da) | 1968-07-11 | 1969-07-08 | Oscillatorkredsløb. |
SE9688/69A SE344857B (de) | 1968-07-11 | 1969-07-08 | |
AT656969A AT287087B (de) | 1968-07-11 | 1969-07-09 | Oszillatorschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1766734C true DE1766734C (de) | 1973-02-01 |
Family
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