DE1274676C2 - Oszillatorschaltung mit einem Transistor - Google Patents
Oszillatorschaltung mit einem TransistorInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 241001233037 catfish Species 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
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Description
I 274 676
3 4
Pie Aufgabe cjer Erfindung besteht darin, die schalteten SpanmingsteHerkondensataren 63,64 über-
jfTfequenzkohstans!! einer Osziljatarschajtung der ein- brückt. Der KapazitHtswert dieser Kondensatoren ist
gangs erwähnten Art gegenüber Schwankurtgen der viel größer als der Kapazitätswert des Kondensators
Betriebsspannung nut einfachen Mitteln weitgehend 62, so daß die Frequenz in erster Linie von dar Er-
ünäbha'ngig zu machen. s satzinduktlvitHt und -kapatfcat des Kristalls 61 und
Änderungen der Betriebsspannung beeinflussen die des mit diesem in Reihe geschalteten Kondensators
Petrlebsfreqüertz eines Transistoroszillators auf 62 abhängt. Der Kondensator 63 ist außerdem groß,
äjweierjei Welse: Einerseits wirkt pine Erhöhung der verglichen mit den Änderungen der Transistor-Betriebsspannung
im Sinne einer Frequenzernied- eingangskapazität. Der Verbindungspunkt der in jriguRg. da sie die Emitter-Basis-Kapazität des Traa- ι ο Reihe geschalteten Kondensatoren 63,64 bildet einen
sistors, die in die Eingangskapazität der vorliegenden Abgriff, von dem ein Teil der Oszillatorspannung auf
Schaltung eingeht, erhöht. In gleicher Richtung wirkt den Emitter 88 eines Oszülatortransistors 72 rückdie
bei Erhöhung der Betriebsspannung zunehmende gekoppelt wird.
Phasenverzögerung im Basiskreis des Transistors, die Die Basis 71 wird von einer negativen Klemme 74
durch die Änderungen der Basis-Emitter-Kapazität 15 einer Betriebsspannüngsquelle, deren positive Klemme
und des Eingangs-Basenreihenwiderstandes verur- an Masse liegt, über einen Widerstand 81, einen
sacht wird. Die Verringerung des Eingangswider- Potentiometerwiderstand 78 und eine Hoohfrequenz-
ständes wirkt andererseits wegen der Verringerung drossel 79 vorgespannt. Der Widerstand 78 ist mit
der Belastung des frequenzbestimmenden Kreises im dem Widerstand 81 in Reihe zwischen die Klemme
Sinne einer Erhöhung der Betriebsfrequenz. 20 74 und einen Leiter 82 geschaltet, der zur positiven
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Klemme der nicht dargestellten Betriebsspannungs-
dufch geeignete zusätzliche Kompensationsmaßnah- ouelle führt. Ein Widerstand 84 dient als Arbeits-
men erreicht werden kann, daß sich die in entgegen- widerstand für den KolH;tor 86. Der Emitter 88 des
gesetztem Sinne wirkenden Einflüsse von Betriebs- Transistors ist über einen Widerstand 91 und eine
Spannungsänderungen weitestgehend kompensieren, 25 Hochfrequenzdrossel 92 in Flußrichtung bezüglich
so daß die Betriebsfrequenz praktisch unabhängig der Basis 71 vorgespannt. Der Widerstand 91 ist
von Betriebsspannungsschwankungen wird. durch einen Ableitkondensator 94 überbrückt. Die
Bei einer Oszillatorschaltung mit einem Transistor, Ausgangsspannung des Oszillators wird vom KoI-dessen
Basis an den Abgriff eines zwischen zwei lektor über einen Kopplungskondensator 96 abge-Klemmen
einer Betriebsspannungsquelle geschalteten 3° ncmmen. Ein Widerstand 48 und ein Biockkonden-Widerstandsspannungsteilers
Pngeschlossen ist und sator 49 zur Sperrung des Gleichstromes sind so dessen Emitter und Kollektor mit den Enden des geschaltet, daß der Widerstand 48 eine Belastung für
Spannungsteilers galvanisch verbunden sind, ferner den Resonanzkreis bildet. Bei dem in der Zeichnung
mit einem frequenzbestimmenden Resonanzkreis, der dargestellten Oszillatorkreis, der beispielsweise mit
zwischen die Basis und das mit dem Emitter ver- 35 einem Transistor des Typs 2N1177 bestückt sein
bundene Ende des Spannungsteilers geschaltet ist, kann, nimmt die Basis-Emitter-Kapazität zu. wenn
und mit zwei miteinander in Reihe und dem Reso- die Spannung zwischen Basis und Masse höhe;
nanzkreis parallelgeschalteten Kondensatoren, deren negativ wird und der Widerstand 48 fehlt. Der Ein-Verbindungspunkt
über einen Mitkopplungszweig mit gangswiderstand, nämlich der Basis-Emitter-Widerdem
Emitter verbunden ist, wird dies gemäß der 4° stand, nimmt ab. Die Erhöhung der Betriebsspannung
Erfindung dadurch erreicht, daß zwischen die Basis hat außer der Erhöhung der Basis-Emittei-Kapazität
und das mit dem Emitter des Transistors verbundene auch eine stärkere Aussteuerung zur Folge. Der
Ende des Spannungsteilers eine Stabilisierungsanord- Kapazitätsanstieg bewirkt ein Absinken der Frequenz,
nung geschaltet ist, die aus einem Blockkondensator da das LC-Produkt des Resonanzkreises größer wird,
und einem mit diesem in Reihe geschalteten Korn- 45 Die Frequenz nimmt außerdem ab, da die Phasenpensationswiderstand
besteht, dessen Widerstands- verzögerung, die dem Basiskreis des Transistors von
wert in Abhängigkeit von dem gewählten Wider- Natur aus anhaftet, zunimmt. Die Phasenverzögerung
standsverhältnis des Spannungsteilers so bemessen wird durch einen Phasenschieber verursacht, der die
ist, daß der Einfluß von durch Befiebsspannungs- Basis-Emitter-Kapazität und den Eingangs-Basisschwankungen
verursachten Änderungen der Emitter- 5° Reihenwiderstand umfaßt. Die Verringerung des EinBasis-Kapazität
des Transistors auf die Schwingungs- gangswiderstandes neigt andererseits dazu, die Frefrequenz
möglicnst vollständig kompensiert wird. quenz zu erhöhen. Bei der dargestellten Oszillator-
Vorzugsweise sind der Abgriff des Spannungs- schaltung weiden der Einfluß der eine Erhöhung des
teilers und der Wert des Kompensationswiderstandeo LC-Produktes bewirkenden Änderung der Basisunabhängig voneinander einstellbar. 55 Emitter-Kapazität und die Vergrößerung der Phasen-
Vorzugsweise enthält der frequenzbestimmende verzögerung im Basiskre's durch eine entsprechende
Kreis in an sich bekannter Weise einen Schwing- Bemessung des Widerstandes 48 und Änderung des
kristall, der mit einem Kondensator in Reihe ge- Eingangswiderstandes weitgehend oder ganz kom-
schaltet ist; es kann jedoch auch ein LC-Kreis ver- pensicrt. Wenn also der Transistoroszillator auf
wendet werden. 6o einem Pegel arbeitet, bei dem sich die Widerstands-
Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeich- und Kapazitätsänderungen gegenseitig aufheben, ist
nung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels ein einwandfreies Arbeiten in einem weiten Bereich
näher erläutert. der Betriebsspannung gewährleistet.
Bei dem in der Zeichnung dargestellten Oszillator Der Widerstand 48 wird also auf einen Wert eindient
ein mit einem Abstimmkondensator 62 in Reihe 65 justiert, bei dem die Oszillatorfrequenz je nach der
geschalteter Kristall 61 als frequenzbestimmender vorgegebenen Einstellung des Potentiometerschleifers
Resonanzkreis. Der Resonanzkreis ist durch einen 76 die geringste Abhängigkeit von der Betriebsspankapazitiven
Spannungsteiler aus zwei in Reihe ge- nung zeigt. In entsprechender Weise läßt sich für
jeden Wert des Widerstandes 48 eine Einstellung des Schleifers 76 finden, bei der die Oszillatorfrequenz
am wenigsten von der Betriebsspannung abhängt. Durch Einjustieren des Potentiometerschleifers 76
und des Widerstandes 48 läßt sich eine gewünschte Oszillatorausgangsspannungsamplitude einstellen und
gleichzeitig eine weitgehende Unabhängigkeit der Frequenz von Betriebsspannungsschwankungen erreichen.
Für die dargestellte Schaltung kann ein Transistor des Typs 2N1177 verwendet werden. Es handelt
sich dabei um einen Drifttransistor. Die erfindungsgemäßen Oszillatorschaltungen können bei verhältnismäßig
hohen Frequenzen arbeiten, z. B. im Bereich zwischen 12 und 14,5 MHz. Die Frequenzschwankungen
eines Oszillators mit den angegebenen Parametern bleiben bei Betriebsspannungsänderungen von
± 15°/o kleiner als ± 0,00002%. Diese Stabilitätsangabe gilt auch für preiswerte Drifttransistoren,
die sich hinsichtlich ihrer Leistungsverstärkung und ao ihres Sättigungsstromes eignen. Schwankungen infolge
von Kristallen hoher und niedriger Güte sind ebenfalls in diesen Stabilitätswert eingeschlossen.
Beim Abgleich des Kompensationswiderstandes 48 zur Verringerung von Frequenzänderungen, die durch as
Betriebsspannungsschwankungen verursacht werden, geht man im allgemeinen folgendermaßen vor:
1. Die Oszillatorparameter werden ohne den Kompensationswiderstand
48 in bekannter Weise auf eine gewünschte Frequenz und Ausgangsleistung abgeglichen;
2. die Frequenzänderung JZ1 für eine bestimmte
Betriebsspannung wird gemessen;
3. man schaltet nun als Widerstand 48 einen Belastungswiderstand
R0 ein und mißt erneut wie unter 2. die Frequenzabweichung, die nun Af2
ist;
4. der richtige Wert Rd des Widerstandes 48 ist
dann näherungsweise:
Afx - Al2
5. vorzugsweise wird das oben beschriebene Interpolationsverfahren
ein oder mehrmals wiederholt, um eine genauere Kompensation zu erreichen.
Das Vorzeichen von Af1 kann anfänglich für eine
bestimmte Richtung der Betriebsspannungsänderuing
positiv gewählt werden. Für dieselbe Richtung dci Vor Spannungsänderung wird dann das Vorzeicher
von -*/2 positiv gewählt, wenn sich die Frequenz iii
derselben Richtung ändert wie Af1, und negativ fiii
eine Frequenzänderung im entgegengesetzten Sinn.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Oszillatorschaltung mit einem Transistor, parallel zum Emitterwiderstand abgenommen (USA,-dessen
Basis an den Abgriff eines zwischen zwei 5 Patentschrift 2 930 002), .
Klemmen einer Betriebsspannungsquelle gescbal- Es ist auch bereits bekannt, asu cue öetneosteten Widerstandsspannungsteilers angeschlossen frequenz eines Transistoroszulators der obengenannist und dessen Emitter und Kollektor mit den ten Art durch Betriebsspannungsschwankungen be-Enden des Spannungsteilers galvanisch verbun- einflußt wird, wenn nicht besondere Maßnahmen den sind, ferner mit einem frequenzbestimmen- io getroffen werden. Bei der obenerwähnten bekannten den Resonanzkreis, der zwischen die Bas|s upd 0§zillatorf)Ch;aJtun.g soll eine möglichst weitgehende das mit dem Emitter verbundene Ende des Späh- Unabhängigkeit der Betriebsfrequenz des Oszillators nungsteijers geschaltet ist, und mit zwei mitein- dadurch erreicht werden, daß der Kapazitatswert des ander in Reihe und dem Resonanzkreis parallel- kapazitiven Spannungsteilers im Vergleich zur Eingeschalteten Kondensatoren, deren Verbindungs- 15 kapazität des Transistors relativ hoch gewählt und punkt über einen Mitkopplungszweig mit dem ein nur reelle Widerstände enthaltender, frequenz-Emitter verbunden ist, dadurch gekeftn- abhängiger Mitkopplungszweig verwendet wird, zeichnet, daß zwischen die Basis (71) und Durch die Erhöhung der Kapazität des die Mitkoppdas mit dem Emitter (88) des Transistorb (72) lungsspannung liefernden kapazitiven Spannungsverbundene Ende des Spannungsteilers (78, 81) ao teilers werden aber die Güte des frequenzbestimmeneine Stabilisierungsanordnung geschaltet ist, die den Kreises und die Ausgangsspannung in uneraus einem lackkondensator (49) und einem mit wünschter Weise herabgesetzt.
Klemmen einer Betriebsspannungsquelle gescbal- Es ist auch bereits bekannt, asu cue öetneosteten Widerstandsspannungsteilers angeschlossen frequenz eines Transistoroszulators der obengenannist und dessen Emitter und Kollektor mit den ten Art durch Betriebsspannungsschwankungen be-Enden des Spannungsteilers galvanisch verbun- einflußt wird, wenn nicht besondere Maßnahmen den sind, ferner mit einem frequenzbestimmen- io getroffen werden. Bei der obenerwähnten bekannten den Resonanzkreis, der zwischen die Bas|s upd 0§zillatorf)Ch;aJtun.g soll eine möglichst weitgehende das mit dem Emitter verbundene Ende des Späh- Unabhängigkeit der Betriebsfrequenz des Oszillators nungsteijers geschaltet ist, und mit zwei mitein- dadurch erreicht werden, daß der Kapazitatswert des ander in Reihe und dem Resonanzkreis parallel- kapazitiven Spannungsteilers im Vergleich zur Eingeschalteten Kondensatoren, deren Verbindungs- 15 kapazität des Transistors relativ hoch gewählt und punkt über einen Mitkopplungszweig mit dem ein nur reelle Widerstände enthaltender, frequenz-Emitter verbunden ist, dadurch gekeftn- abhängiger Mitkopplungszweig verwendet wird, zeichnet, daß zwischen die Basis (71) und Durch die Erhöhung der Kapazität des die Mitkoppdas mit dem Emitter (88) des Transistorb (72) lungsspannung liefernden kapazitiven Spannungsverbundene Ende des Spannungsteilers (78, 81) ao teilers werden aber die Güte des frequenzbestimmeneine Stabilisierungsanordnung geschaltet ist, die den Kreises und die Ausgangsspannung in uneraus einem lackkondensator (49) und einem mit wünschter Weise herabgesetzt.
diesem in Reihe geschalteten Kompensation- Aus der deutschen Auslegeschrift 1 056 198 ist es
widerstand (48) besteht, dessen Widerstandswert bekannt, in die Kollektorleitung des Transistors einer
in Abhängigkeit von dem gewählten Widerstands- as abgestimmten Verstärkerstufe einen Widerstand einverhältnis
des Spannungsteilers (78, 81) so be- zufügen, welcher den Einfluß der Kollektor-Basismessen
ist, daß der Einfluß von durch Betriebs- Kapazität, und zwar insbesondere von der Kollektorspannungsschwankungen
verursachten Änderun- Wechselspannung abhängige dynamische Kapazitätsgen der Emitter-Basis-Kapazität des Transistors änderungen, beseitigen soll. Bei einer Umrechnung
(72) auf die Schwingungsfrequenz möglichst voll- 30 der Reihenschaltung dieser Kapazität mit dem einständig
kompensiert wird. gefügten Widerstand in eine äquivalente i?C-Parallel-
2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, da- schaltung, die ^chaltungsmäßig parallel zu dem
durch gekennzeichnet, daß der Resonanzkreis frequenzbestimmenden Schwingkreis liegt, zeigt sich,
einen Schwingkristall (61), dem ein Kondensator daß die errechnete und damit am Schwingkreis wirk-(62)
in Reihe geschaltet ist, en hält. 35 same Parallelkapazität sich prozentual weit weniger
als die tatsächliche Kollektor-Basis-Kapazität ändert,
wenn man den in die Kollektorleitung eingefügten
Widerstand als geometrisches Mittel aus den beiden kapazitiven Impedanzen bestimmt, welche den bei-
Die Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung mit 40 den Grenzwerten der Kollekte; -Basis-Kapazität bei
einem Transistor, dessen Basis an den Abgriff eines maximaler und minimaler Aussteuerung entsprechen,
zwischen zwei Klemmen einer Betriebsspannungs- Eine Anwendung dieser bekannten Lehre auf das
quelle geschalteten Widerstandsspannungsteilers an- der Erfindung zugrunde liegende Problem, die
geschlossen ist und dessen Emitter und Kollektor mit Schwingfrequenz eines Transistoroszillators der einden
Enden des Spannungsteilers galvanisch verbun- 45 gangs erwähnten Art gegen Betriebsspannungsden
sind, ferner mit einem frequenzbestimmenden Schwankungen zu stabilisieren, welche Veränderun-Resonanzkreis,
der zwischen die Basis und das mit gen der Basis-Emitter-Kapazität des Transistors zur
dem Emitter verbundene Ende des Spannungsteilers Folge haben, die ihrerseits für die Schwingfrequenz
geschaltet ist, und mit zwei miteinander in Reihe und mitbestimmend ist, würde zur Einfügung eines Widerdem
Resonanzkreis parallelgeschalteten Kondensato- 50 Standes in die Basisleitung des Transistors, und damit
ren, deren Verbindungspunkt über einen Mitkopp- zu einer unerwünschten Begrenzung des Steuerstroms
lungszweig mit dem Emitter verbunden ist. dieses Transistors, oder zu einer Einfügung in die
Bei einem bekannten Transistoroszillator dieser Emitterleitung, und damit zu einer unerwünschten
Art arbeitet der Transistor in Kollektorschaltung, zusätzlichen Gegenkopplung, führen,
und die Basisvorspannung wird durch einen Wider- 55 Ferner ist aus der deutschen Patentschrift 1 103 993 Standsspannungsteiler erzeugt, der zwischen Kollek- eine Oszillatorschaltung bekannt, bei welcher ein tor- und Emitterelektrode des Transistors liegt. Die Schwingquarz im Rückkopplungskreis vom Emitter Emitterelektrode ist über einen Arbeitswiderstand eines in Kollektorgrundschaltung betriebenen Tranmit der einen Klemme einer Betriebsspannungsquelle sistors auf den Emitter eines diesem vorgeschalteten, verbunden, während die andere Klemme der Span- 60 in Basisgrundschaltung betriebenen Transistors genungsquelle direkt an den Kollektor angeschlossen führt ist. Zur Amplitudenregelung des Schwingstromes ist. Die Basiselektrode ist über einen Blockkonden- ist ein Regelkreis vorgesehen, über den ein gleichsator mit einer Klemme eines frequenzbestimmenden gerichteter Anteil des am Ausgang des Oszillators Kreises verbunden, dessen andere Klemme an der auftretenden Schwingstromes auf einen zwischen emitterseitigenBetriebsspannungsquellenklemme liegt. 65 Emitter und Basis des vorgeschalteten Transistors Dem frequenzbestimmenden Kreis, der einen befindlichen nichtlinearen Widerstand rückgekoppelt Schwingquarz oder eine Induktivität enthalten kann, wird. Dieser Regelkreis verbessert gleichzeitig die ist ein kapazitiver Spannungsteiler aus zwei in Reihe Frequenzkonstanz.
und die Basisvorspannung wird durch einen Wider- 55 Ferner ist aus der deutschen Patentschrift 1 103 993 Standsspannungsteiler erzeugt, der zwischen Kollek- eine Oszillatorschaltung bekannt, bei welcher ein tor- und Emitterelektrode des Transistors liegt. Die Schwingquarz im Rückkopplungskreis vom Emitter Emitterelektrode ist über einen Arbeitswiderstand eines in Kollektorgrundschaltung betriebenen Tranmit der einen Klemme einer Betriebsspannungsquelle sistors auf den Emitter eines diesem vorgeschalteten, verbunden, während die andere Klemme der Span- 60 in Basisgrundschaltung betriebenen Transistors genungsquelle direkt an den Kollektor angeschlossen führt ist. Zur Amplitudenregelung des Schwingstromes ist. Die Basiselektrode ist über einen Blockkonden- ist ein Regelkreis vorgesehen, über den ein gleichsator mit einer Klemme eines frequenzbestimmenden gerichteter Anteil des am Ausgang des Oszillators Kreises verbunden, dessen andere Klemme an der auftretenden Schwingstromes auf einen zwischen emitterseitigenBetriebsspannungsquellenklemme liegt. 65 Emitter und Basis des vorgeschalteten Transistors Dem frequenzbestimmenden Kreis, der einen befindlichen nichtlinearen Widerstand rückgekoppelt Schwingquarz oder eine Induktivität enthalten kann, wird. Dieser Regelkreis verbessert gleichzeitig die ist ein kapazitiver Spannungsteiler aus zwei in Reihe Frequenzkonstanz.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US250267A US3256496A (en) | 1963-01-09 | 1963-01-09 | Circuit for substantially eliminating oscillator frequency variations with supply voltage changes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1274676B DE1274676B (de) | 1968-08-08 |
DE1274676C2 true DE1274676C2 (de) | 1974-08-01 |
Family
ID=22947042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1964R0036939 Expired DE1274676C2 (de) | 1963-01-09 | 1964-01-09 | Oszillatorschaltung mit einem Transistor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3256496A (de) |
BE (1) | BE642158A (de) |
DE (1) | DE1274676C2 (de) |
GB (1) | GB1034592A (de) |
NL (1) | NL151584B (de) |
SE (1) | SE325933B (de) |
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1964
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