DE1287127B - Gegen Eigenschwingungsneigung stabilisierter Stromuebernahmeschalter - Google Patents
Gegen Eigenschwingungsneigung stabilisierter StromuebernahmeschalterInfo
- Publication number
- DE1287127B DE1287127B DEJ30781A DEJ0030781A DE1287127B DE 1287127 B DE1287127 B DE 1287127B DE J30781 A DEJ30781 A DE J30781A DE J0030781 A DEJ0030781 A DE J0030781A DE 1287127 B DE1287127 B DE 1287127B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- emitter
- transfer switch
- resistance
- partial
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/603—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
- H03K19/086—Emitter coupled logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft einen gegen Eigenschwin- Widerstandes herabgesetzt. Eine andere vorteilhafte
gungsneigung stabilisierten Stromübernahmeschalter, Weiterbildung der Erfindung besteht aber darin,
bestehend aus zwei emittergekoppelten Transistoren, daß der eine Teilwiderstand an einem ersten Pol
deren Emitterelektroden über einen gemeinsamen und die Serienschaltung an einem zweiten Pol der
Widerstand mit einem Pol einer Spannungsquelle 5 Betriebsspannungsquelle liegt. In diesem Falle wirkt
verbunden sind und an denen eine kapazitive Last, dann beim Leitendwerden des Kondensators ein
insbesondere aus Streukapazitäten bzw. dem Emitter- Spannungsteiler über der Betriebsspannungsquelle,
Basis-Übergang des jeweils gesperrten Transistors so daß hierdurch ebenfalls der Wert des Emitterresultierend,
liegt und deren Basiselektroden an Widerstandes herabgesetzt wird. Beim Aufbau der
eine streuinduktivitätsbehaftete Zuführungsleitung der io genannten Serienschaltung aus dem anderen Teil-Eingangsimpulse
bzw. an Vergleichspotential an- widerstand und dem Kondensator ist es lediglich geschlossen sind. von untergeordneter Bedeutung, ob der Kondensator
Solche Schaltungen, die allgemein auch als Tran- oder der andere Teilwiderstand jeweils unmittelbar
sistorverstärker in Kollektorschaltung bezeichnet wer-. mit der Emitterelektrode verbunden ist.
den, besitzen den wesentlichen Nachteil, daß sie 15 Eine vorteilhafte Anwendung der Erfindung ist
in einem bestimmten Frequenzbereich unstabil sind beim Aufbau eines Stromübernahmeschalters gegeben,
und somit Schwingneigung besitzen. Es hat sich der in an sich bekannter Weise aus zwei Transistoren
nämlich gezeigt, daß die Eingangsimpedanz einer besteht, deren Emitter miteinander verbunden sind
solchen Schaltung in diesem Frequenzbereich eine und über einen Emitterwiderstand an eine Betriebsnegative
reelle Widerstandskomponente besitzt, die 20 Spannungsquelle angeschlossen sind. Jeder Kollektorbeim
Vorhandensein der obengenannten Streureak- elektrode ist dabei ein Kollektorwiderstand zutanzen
und deren Resonanz die Oszillatorwirkung geordnet, während die Basis des einen Transistors
herbeiführt. auf festem Potential und die Basiselektrode des
Dieser Effekt wirkt sich insbesondere dann nach- anderen Transistors am Signaleingang liegt. Bei
teilig aus, wenn der Verstärker in Kollektorschaltung 25 dieser bekannten Schaltung sind auf Grund ihres
als Impulsschalter, wie z. B. Stromübernahmeschalter Aufbaus die Emitter kapazitätsbelastet, so daß die
oder logisches Schaltglied, Verwendung findet, weil oben beschriebene nachteilige Wirkung bei Verunter
diesen Voraussetzungen die Verwendung bei stärkern in Kollektorschaltung auch hier auftritt.
hohen Arbeitsgeschwindigkeiten nicht mehr möglich Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Maßnahme wird
ist. 30 aber, wie gezeigt, dieser Nachteil behoben, so daß
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, diese Schaltung, die sich mehr und mehr in der
einen Stromübernahmeschalter bereitzustellen, bei Rechenmaschinentechnik durchgesetzt hat, auch bei
dem mit einfachen Mitteln in den in Betracht korn- höheren Arbeitsgeschwindigkeiten als bisher eingesetzt
menden Frequenzbereichen eine Schwingneigung werden kann.
gänzlich unterdrückt wird. Diese Kompensations- 35 Eine weitere vorteilhafte Anwendung ergibt sich
mittel sollen dabei so ausgelegt sein, daß sie selbst beim Aufbau von logischen Schaltgliedern, bei denen
im wesentlichen ebenfalls ohne Einfluß auf die mehrere Transistoren in Kollektorschaltung mit ihren
Arbeitsgeschwindigkeit des Stromübernahmeschalters Emitterelektroden zusammengeschaltet sind, wobei
sind. den Basiselektroden der Transistoren die Eingangs-
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, 4° variablen zugeführt werden. Auch Schaltungen dieser
daß der Emitterwiderstand aus zwei Teilwiderständen Art lassen sich mit Hilfe der erfindungsgemäßen
besteht,· von denen mindestens einer an einen Kon- Maßnahmen bei wesentlich höheren Arbeitsgeschwindensator
hinreichend geringer Kapazität in der Weise digkeiten als bisher betreiben. angeschlossen ist, daß im Frequenzbereich, in dem Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus
auf Grund der Streuinduktivitäten und -kapazitäten 45 der nachfolgenden Beschreibung, die an Hand von
Schwingneigung der Verstärkerschaltung herrscht, Ausführungsbeispielen mit Hilfe der unten aufgeführten
der ohmsche Wert des Emitterwiderstandes auf Zeichnungen die Erfindung näher erläutert, und aus
Grund des in diesem Frequenzbereich ebenfalls den Patentansprüchen. Es zeigt abgesunkenen kapazitiven Widerstandes des Kon- F i g. 1 einen Stromübernahmeschalter bekannter
densators herabgesetzt wird. 5° Bauart,
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfin- F i g. 2 den Verlauf der Eingangsimpedanz des
dung ist einer der Teilwiderstände mit dem Konden- Stromübernahmeschalters gemäß F i g. 1 in Absator
parallel geschaltet. Hierbei ist es also unbeachi- hängigkeit von der Frequenz, dargestellt in einer
Hch, ob der unmittelbar an die Emitterelektrode komplexen Zahlenebene,
angeschlossene Teilwiderstand oder der an die Poten- 55 F i g. 3 die Schaltung eines Stromübernahmeschaltialquelle
angeschlossene Teilwiderstand durch diesen ters gemäß der Erfindung,
Kondensator überbrückt ist. F i g. 4 eine Kurvenschar in einer komplexen
Gemäß einem anderen Erfindungsgedanken kann Zahlenebene zur Darstellung der Frequenzabhängigauch
die Emitterelektrode sowohl über den einen keit der Eingangsimpedanz des erfindungsgemäßen
Teilwiderstand als auch über eine Serienschaltung, (>0 Stromübernahmeschalters,
bestehend aus dem anderen Teilwiderstand und F i g. 5 das Schaltbild des erfindungsgemäßen
dem Kondensator, an die Betriebsspannungsquelle Stromübernahmeschalters in gegenüber vorher abangeschlossen
sein. Liegt ein gemeinsamer Anschluß-. gewandelter Form,
punkt der Serienschaltung und des einen Teilwider- F i g. 6 eine andere Ausführungsform der Schalstandes
nur an einem Pol der Betriebsspannungs- 6S iunganordriung eines erfindungsgemäßen Stromüberquelle,
dann wird beim Leitendwerden des Konden- nahmeschalters.
sators die Parallelschaltung der beiden Teilwider- In der bekannten Schaltungsanordnung nach
stände wirksam und damit der Wert des Emitter- F i g. 1 bilden die Transistoren IO und 12 die aktiven
Schaltelemente des Stromübernahmeschalters. Die Emitterelektroden beider Transistoren 10 und 12
sind dabei über einen gemeinsamen Emitterwiderstand 14 an die negative Klemme einer Spannungsquelle 16 angeschlossen. Die Spannungsquelle 16 und
der Emitterwiderstand 14 wirken so zusammen, daß sich im wesentlichen eine Urstromquelle ergibt.
Die Kollektorelektroden der Transistoren 10 und 12 sind über einen jeweiligen Kollektorwiderstand 18
und 20 an die positiven Klemmen einer jeweiligen weiteren Spannungsquelie 19 und 21 angeschlossen.
Die Ausgänge des Stromübernahmeschalters werden durch an die jeweiligen Kollektorelektroden angeschlossene
Leitungen 22 und 24 gebildet. Die Basiszuführungsleitung 25 des Transistors 12 liegt
an Erde als Bezugspotential, und die Basisanschlußleitung
26 des Transistors 10 dient als Eingangsleitimg des Stromübernahmeschalters.
Wird bei Betrieb eine positive Spannung an die Basiszuführungsleitung 26 angelegt, dann wird der
Transistor 10 leitend, so daß das Emitterpotential nahezu gleich wird dem Kollektorpotential. Dieser
Potentialanstieg blockiert den Emitter-Basis-übergang des Transistors 12, so daß der durch den Emitterwiderstand
14 fließende Strom vollständig vom Transistor 10 übernommen wird. Wird hingegen ein niedriges
bzw. negatives Potential an die Basisanschlußleitung 26 angelegt, dann wird der Transistor 10
nichtleitend, so daß dann der Emitter-Basis-Ubergang des Transistors 12 in Vorwärtsrichtung vorgespannt
wird, da dann an seinem Emitter das negative Potential der Spannungsquelle 16 wirksam wird. In diesem
Falle übernimmt der Transistor 12 den Gesamtanteil des durch den Emitterwiderstand 14 fließenden Stroms.
Ist der Transistor 12 nichtleitend, dann wirkt der
Emitter-Basis-Ubergang dieses Transistors als virtuelle.
Kapazität, was durch den gestrichelt gezeichneten Kondensator 28 sowie seine Anschlußleitungen in
ίο F i g. 1 angedeutet wird. Diese virtuelle Kapazität 28
belastet den Emitter des Transistors 10. Wird unter diesen Voraussetzungen die Schaltung nach F i g. 1
untersucht, dann ergibt sich, daß sie im wesentlichen die Eigenschaft einer Kollektorschaltung besitzt.
Weiterhin kann bei nichtleitendem Transistor 12 die Eingangsimpedanz des Stromübernahmeschalters
nach F i g. 1 als komplexer Zahlenwert ausgedrückt werden. In der Literatur, speziell in dem Buch von
H unter, »Handbook of Semiconductor Eiectronies«,
2. Auflage, McGraw-Hill, S. 15 bis 21 (15. 30),
ist die Gleichung für diesen Eingangswiderstand angegeben. Wird nämlich angenommen, daß der
Einitterbahnwiderstand, d. h. der Wechselstromdurchlaßwiderstand
der Emitterdiode des Transistors 10, im Verhältnis zum Emitterwiderstand 14 sehr klein
ist und unter der zulässigen Annahme, daß der Stromverstärkungsfaktor des Transistors 10 (aj'b) etwa 1 ist,
läßt sich die oben zitierte Gleichung wie folgt schreiben:
- RC)
<^R£\
">tfb J
">tfb J
Hierin ist r,, der Basisbahnwiderstand des Transistors 10, in die Kreisfrequenz, O3111, die «-Grenzfrequenz
im Winkelmaß, R der Wert des Emitterwiderstands 14 und C der Wert der Streukapazität 28.
Aus obenstehender Gleichung ergibt sich, daß der zweite Faktor des Realteils negativ wird, wenn
τ- < RC. Ist der somit sich ergebende Faktor
("Vi,)
größer als die Summe des Basisbahnwiderstandus und Emitierbasiswiderstandes (/·,, + /·,.), dann ergibt
sich für die Eingangsimpedanz der Schaltung ein negativer Realteil für einen bestimmten Frequenzbereich.
Dies ergibt sich aus dem Kurvenverlauf in der komplexen Zahlenebene nach F i g. 2, bei der
die Eingangsimpedanz der Schaltung nach F i g. 1 in ihrer Variation in Abhängigkeit von der Frequenz
dargestellt ist. Offensichtlich ist hier die Eingangsimpedanz zwischen den Frequenzen ,.J1 und m2 in
ihrem Realteil negativ. Ist nun eine Schaltung mit diesen Eigenschaften in einem Bauteil eingebaut,
dessen Zuführungsleitungen eine nicht zu vernachlässigende Induktivität besitzen, dann wirkt diese
Schaltung als Oszillator, dessen Frequenz durch die Streuinduktivität und die wirksame Bekistungskapaziläl
bestimmt wird.
Bisherige Versuche, um die hierdurch bedingten Schwierigkeiten zu umgehen, haben darin bestanden,
ilen Einfluß des sich ergebenden negativen ohmschen Widerstandes durch Vergrößerung der Widerstände
in der Basisziifiihrung und in der Emitterzuführung
zn kompensieren. Durch diese Maßnahmen wird aber die Arbeitsgeschwindigkeit, d. h. die Schallgeschwindigkeit
der Schaltung nach F i g. 1 erheblich herabgesetzt.
Es hat sich nun gezeigt, daß eine Schaltung dieser Art erfolgreich stabilisiert werden kann, wenn es gclirti, den Wert des Emitterwiderstandes 14 in dem Frequenzbereich, bei dem die obengenannten Schwingungen auftreten, herabzusetzen. Lim dieses Ziel zu erreichen, wird gemäß dem Erfindungsgedanken ein Teil des Emitterwiderstandes 14 mit einer frequenzabhängigen Impedanz überbrückt, die im Frequenzbereich zwischen ^1 bis m, im wesentlichen eine Kurzschlußeigenschaft aufweist. Hierdurch wird nämlich das Produkt RC in der obenstehenden Gleichung herabgesetzt und damit verhindert, daß der Realteil dieser Gleichung im in Betracht kommenden Frequenzbereich negativ wird. Ein Schaltungsbeispiel, das diese Aufgabe erfüllen kann, ist in F i g. 3 dargestellt, das der Schahungsanordnung nach F i g. 1 gleicht, mit der Ausnahme allerdings, daß der Fmitterwiderstand aus den Teilwidersiänden 32 und 34 besieht, wobei der Teilwiderstand 34 durch den Kondensator 36 überbrückt ist. Der Kapazitätswert des Kondensators 36 ist
Es hat sich nun gezeigt, daß eine Schaltung dieser Art erfolgreich stabilisiert werden kann, wenn es gclirti, den Wert des Emitterwiderstandes 14 in dem Frequenzbereich, bei dem die obengenannten Schwingungen auftreten, herabzusetzen. Lim dieses Ziel zu erreichen, wird gemäß dem Erfindungsgedanken ein Teil des Emitterwiderstandes 14 mit einer frequenzabhängigen Impedanz überbrückt, die im Frequenzbereich zwischen ^1 bis m, im wesentlichen eine Kurzschlußeigenschaft aufweist. Hierdurch wird nämlich das Produkt RC in der obenstehenden Gleichung herabgesetzt und damit verhindert, daß der Realteil dieser Gleichung im in Betracht kommenden Frequenzbereich negativ wird. Ein Schaltungsbeispiel, das diese Aufgabe erfüllen kann, ist in F i g. 3 dargestellt, das der Schahungsanordnung nach F i g. 1 gleicht, mit der Ausnahme allerdings, daß der Fmitterwiderstand aus den Teilwidersiänden 32 und 34 besieht, wobei der Teilwiderstand 34 durch den Kondensator 36 überbrückt ist. Der Kapazitätswert des Kondensators 36 ist
(•ο dabei so gewählt, daß sein kapazitiver Widerstand
in dem Frequenzbereich, bei dem Schwingungen auftreten können, wesentlich geringer ist als der
Wert des Widerstandes 34, Um in der Praxis die gewünschte Wirkung zu erzielen, sollte die Reaktanz
dieses Kondensators 36 vorzugsweise geringer sein als ein Fünfte! des Wertes des Widerstandes 34,
und zwar bei der geringsten Frequenz, bei der Schwingungen auftreten können. Durch die Parallelschaltung
des Kondensators 36 mit dem Teilwiderstand 34 wird der wirksame Emitterwiderstand des Transistors 10
wesentlich reduziert, so daß ein negativer ohmscher Widerstandsanteil der Eingangsimpedanz nicht mehr
auftreten kann.
Wie die graphische Darstellung nach F i g. 4 zeigt, wird durch die Wirkung des Uberbrückungskondensators
36 im Emitterkreis des Transistors 10 die Eingangsimpedanz in dem in Betracht kommenden
Frequenzbereich zwischen W1 und ω2 in einen positiven
Quadranten verschoben. Weiterhin zeigt sich aber, daß bei niedrigeren Frequenzen, d. h. unterhalb W1,
weiterhin ein negativer Realteil der Eingangsimpedanz existiert. Da aber bei diesen Frequenzen die Induktanz
der Zuführungsleitungen unzureichend ist, um irgendwelche Schwingungen auftreten zu lassen, kann dieser
negative Impedanzbereich unbeachtet bleiben.
Bei der Wahl der Werte der in F i g. 3 gezeigten Kompensationsmittel ist es zweckmäßig, sicherzustellen,
daß die .RC-Zeitkonstante, die sich mit dem Teilwiderstand 32 und dem Kondensator 36 ergibt,
groß ist gegenüber den Anstiegs- und Abfallzeiten der Eingangssignale. Hierdurch wird erreicht, daß
während einer Anstiegs- oder Abfallzeit des in Betracht kommenden Impulses eine vernachlässigbare Änderung
in der Ladung des Kondensators 36 auftritt, so daß die Arbeitsgeschwindigkeit des Stromübernahmeschalters
im wesentlichen nicht herabgesetzt wird.
In der Abwandlung des Stromübernahmeschalters gemäß der Erfindung, wie sie sich aus der Schaltung
nach F i g. 5 ergibt, ist der Uberbrückungskondensator 36 parallel zum Teilwiderstand 32 geschaltet.
,Im Betrieb bei niedrigen Frequenzen sind beide Arten des erfindungsgemäßen Stromübernahmeschalters
von gleicher Wirkung, da nämlich dann die Reaktanz des Kondensators 36 sehr groß ist und
der Emitterwiderstand durch die beiden Teilwiderstände 32 und 34 bestimmt wird. Bei höheren Frequenzen,
bei denen der negative Realteil der Eingangsimpedanz auftritt, wirkt der Kondensator 36
im wesentlichen als Kurzschluß in bezug auf den Teilwiderstand 32. Das hat zur Folge, daß der
Wechselstromwiderstand im Emitterkreis der Transistoren 10 und 12 hauptsächlich durch den Wert
des Teilwiderstandes 34 bestimmt wird.
Eine weitere Abwandlung des erfindungsgemäßen Stromübernahmeschalters ist in F i g. 6 gezeigt, bei
der der gemeinsame Emitterwiderstand durch einen einzigen Widerstand 38 gebildet wird, der dann durch
die Hintereinanderschaltung eines Kompensationswiderstandes 40 mit dem Uberbrückungskondensator
42 überbrückt ist. Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 6 ist im wesentlichen
die gleiche wie die der vorher beschriebenen Schaltungen mit der Ausnahme allerdings, daß bei höheren
Frequenzen, wo der negative Realteil der Eingangsimpedanz auftritt, der wirksame Wechselstromwiderstand
im Emitterkreis der Transistoren 10 und 12 durch die Parallelschaltung der Widerstände 38
und 40 bestimmt ist. Genau wie vorher stellt aber der Uberbrückungskondensator 42 im wesentlichen
einen Kurzschluß im betrachteten Frequenzbereich dar.
Nachstehend werden als Beispiel für einen Aufbau " einer Schaltung gemäß der Erfindung die Werte der
verwendeten Bauelemente angegeben, wobei aber zu berücksichtigen ist, daß die exakten Werte der
Emitterwiderstände und des Uberbrückungskondensators sich je nach verwendetem Transistor, Leitungsführung des Schaltungsaufbaus, insbesondere im Hinblick
auf deren Streuinduktivität und Streukapazität, angelegter Betriebsspannung und Eigenschaft der
zugeführten Eingangssignale ändern können:
Transistoren 10,12
= NPN-Transistoren,
Kollektorwiderstände 18,20 = | 50 Ohm, |
Kollektor-Betriebspotential = | 1,2 Volt, |
Emitter-Betriebspotential = | -3VoIt, |
Teilwiderstand 32 = | 40 Ohm, |
Teilwiderstand 34 = | 110 Ohm, |
Uberbrückungskonden | |
sator 36 = | 100 Picofarad. |
Während die gezeigten Ausführungsbeispiele mit NPN-Transistoren bestückt sind, ist es ohne weiteres
auch möglich, daß andere Halbleiterbauelemente zu diesem Zweck verwendet werden können, die in
geeigneter Weise durch Eingangssignale gesteuert werden. Die Erfindung ist im Zusammenhang mit
einem Stromübernahmeschalter erläutert worden. Es versteht sich aber von selbst, daß die Kompensationsmaßnahmen gemäß der Erfindung ganz allgemein
bei Transistoren in Kollektorschaltung angewendet werden können. So kann z. B. der mit geerdeter
Basis betriebene Transistor 12 durch einen oder mehrere Transistoren in Kollektorschaltung ersetzt
werden, die parallel zu dem Transistor 10 betrieben werden, so daß eine logische Schaltung mit Transistoren
in Kollektorschaltung entsteht.
Claims (4)
1. Gegen Eigenschwingungsneigung stabilisierter • Stromübernahmeschalter, bestehend aus zwei emittergekoppelten
Transistoren, deren Emitterelektroden über einen gemeinsamen Widerstand mit einem Pol einer Spannungsquelle verbunden sind
und an denen eine kapazitive Last, insbesondere aus Streukapazitäten bzw. dem Emitter-Basis-Ubergang
des jeweils gesperrten Transistors resultierend, liegt und deren Basiselektroden an eine
streuinduktivitätsbehaftete Zuführungsleitung der Eingangsimpulse bzw. an Vergleichspotential angeschlossen
sind,dadurch gekennzeichnet,
daß der Emitterwiderstand aus zwei Teilwiderständen (32, 34) besteht, von denen mindestens
einer an einem Kondensator (36) hinreichend geringer Kapazität in der Weise angeschlossen
ist, daß im Frequenzbereich, in dem auf Grund der Streuinduktivitäten und -kapazitäten
Schwingneigung der Verstärkerschaltung herrscht, der ohmsche Wert des Emitterwiderstandes
auf Grund des in diesem Frequenzbereich ebenfalls abgesunkenen kapazitiven Widerstandes
des Kondensators (36) herabgesetzt wird.
2. Stromübernahmeschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Teilwiderstände
(32, 34) mit dem Kondensator (36) parallel geschaltet ist.
3. Stromübernahmeschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode
sowohl über den einen Teilwiderstand (38) als auch über eine Serienschaltung, bestehend aus
dem anderen Teilwiderstand (40) und dem Kondensator (42), an die Betriebsspannungsquelle (16)
angeschlossen ist.
4. Stromübernahmeschalter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Teilwiderstand
(38) an einem ersten Pol und die Serienschaltung (40, 42) an einem zweiten Pol der
Betriebsspannungsquelle (16) liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
909 503/1520
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US455911A US3405285A (en) | 1965-05-14 | 1965-05-14 | Stabilization circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1287127B true DE1287127B (de) | 1969-01-16 |
Family
ID=23810727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ30781A Withdrawn DE1287127B (de) | 1965-05-14 | 1966-05-07 | Gegen Eigenschwingungsneigung stabilisierter Stromuebernahmeschalter |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3405285A (de) |
CH (1) | CH447286A (de) |
DE (1) | DE1287127B (de) |
FR (1) | FR1480728A (de) |
GB (1) | GB1145874A (de) |
NL (1) | NL158041B (de) |
SE (1) | SE327729B (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3593031A (en) * | 1968-09-30 | 1971-07-13 | Siemens Ag | Output switching amplifier |
USRE31819E (en) * | 1973-04-27 | 1985-01-29 | General Mills, Inc. | Chip separating from a fried ribbon |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2663765A (en) * | 1949-03-07 | 1953-12-22 | Phillips Petroleum Co | Noise suppression device |
US2964652A (en) * | 1956-11-15 | 1960-12-13 | Ibm | Transistor switching circuits |
US3079567A (en) * | 1959-06-04 | 1963-02-26 | Philips Corp | Wideband transistor amplifier |
-
1965
- 1965-05-14 US US455911A patent/US3405285A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-04-20 GB GB17227/66A patent/GB1145874A/en not_active Expired
- 1966-04-20 NL NL6605239.A patent/NL158041B/xx not_active IP Right Cessation
- 1966-05-07 DE DEJ30781A patent/DE1287127B/de not_active Withdrawn
- 1966-05-10 FR FR7809A patent/FR1480728A/fr not_active Expired
- 1966-05-11 CH CH691866A patent/CH447286A/de unknown
- 1966-05-12 SE SE06516/66A patent/SE327729B/xx unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3405285A (en) | 1968-10-08 |
FR1480728A (fr) | 1967-05-12 |
CH447286A (de) | 1967-11-30 |
SE327729B (de) | 1970-08-31 |
NL158041B (nl) | 1978-09-15 |
NL6605239A (de) | 1966-11-15 |
GB1145874A (en) | 1969-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0096944B1 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren, durch aktive Schaltungen gebildeten Signalpfaden | |
DE69224677T2 (de) | Programmierbarer Verstärker | |
DE2323478A1 (de) | Datenuebertragungsanordnung | |
DE3713107A1 (de) | Polarisationsschaltung fuer in mos-technologie ausgefuehrte integrierte anordnungen insbesondere des gemischt digital-analogen typs | |
DE1812292A1 (de) | Geregelte Verstaerkerschaltung | |
DE2213484C3 (de) | Hochfrequenter Breitbandverstärker | |
DE2425918A1 (de) | Komplementaertransistorverstaerker mit automatischer vorspannung | |
DE1487396A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer Steuer- oder Kompensationsspannung | |
DE3017669A1 (de) | Regelverstaerker | |
DE19620839C2 (de) | Operationsverstärker | |
DE2529966B2 (de) | Transistorverstärker | |
DE2526119A1 (de) | Verbindungstransistorschaltung | |
DE2946952C2 (de) | ||
DE1274676C2 (de) | Oszillatorschaltung mit einem Transistor | |
DE1287127B (de) | Gegen Eigenschwingungsneigung stabilisierter Stromuebernahmeschalter | |
DE69114227T2 (de) | Differenzeingangsschaltung. | |
DE2635574B2 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE3127889C2 (de) | Schaltungsanordnung aus mindestens zwei Verstärkern | |
DE3145771C2 (de) | ||
DE2317253A1 (de) | Eimerkettenschaltung | |
DE68910238T2 (de) | Verstärkerschaltung, insbesondere zum Verstärken eines digitalen Signals. | |
DE1487395B2 (de) | ||
DE2908741A1 (de) | Hf-breitbandverstaerker | |
DE1815203A1 (de) | Schaltungsanordnung zur UEbertragung von Signalen zwischen unterschiedlichen Gleichspannungspegeln | |
DE1814887A1 (de) | Transistorverstaerkerschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |