DE1266832B - Frequenzmodulierter Oszillator - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

H03c

Deutsche Kl.: 21 a4 -14/01

Nummer: 1 266 832

Aktenzeichen: R 39253IX d/21 a4

Anmeldetag: 13. November 1964

Auslegetag: 25. April 1968

Die Erfindung betrifft einen frequenzmodulierten Oszillator mit mehreren, für den Α-Betrieb vorgespannten Transistoren, die als geschlossene Phasenschieberschleife geschaltet sind, wobei die Gesamtphasenverschiebung über die Schleife so gewählt ist, daß die Anordnung mit einer gegebenen Betriebsfrequenz, die durch Einkoppeln einer Modulationsschwingung in die Schleife veränderbar ist, schwingt.

Es ist ein frequenzmodulierter Transistoroszillator bekannt (USA.-Patentschrift 2 771584), der mit einem einzigen Transistor arbeitet, der mit einer Betriebsfrequenz schwingt, die oberhalb der sogenannten ft-Grenzfrequenz, d. h. desjenigen Frequenzwertes, oberhalb dessen der Stromverstärkungsfaktor <x eines Transistors progressiv abfällt, liegt, wobei die a-Grenzfrequenz durch das Modulationssignal gesteuert wird, so daß sich die Phase des Faktors <x und damit die Schwingfrequenz des Oszillators im Takt der Modulationssignalamplitude verändert. Da die Anordnung mit einer Betriebsfrequenz oberhalb der a-Grenzfrequenz schwingt, bedeutet die Steuerung des a-Grenzfrequenzwertes eine Veränderung des Verstärkungsgrades der Anordnung.

Ferner ist eine frequenzmodulierte Röhrenoszillatorschaltung bekannt (USA.-Patentschrift 2 974 294), bei der die Frequenzmodulation durch Steuern der Reaktanz einer Schwingröhre erfolgt und die Modulationsschwingung jeweils mehreren Frequenzsteuerröhren zugeleitet wird. Dabei ergibt sich das Problem, die auftretenden Modulationsverzerrungen zu beseitigen. Zu diesem Zweck wird bei der bekannten Anordnung der g,„-Wert, die sogenannte Transkonduktanz, der die Frequenzsteuerung besorgenden Röhrenstufen in einem die Modulationsverzerrungen eliminierenden Sinn beeinflußt. Durch Verändern des ^„,-Wertes einer Röhre wird bekanntlich deren Verstärkungsgrad verändert, so daß auch diese Anordnung mit veränderlicher Verstärkung arbeitet.

Schließlich ist eine Röhrenoszillatorschaltung bekannt (deutsche Patentschrift 1 072 277), bei der eine als Kathodenbasisstufe geschaltete, gittergesteuerte Röhre und mehrere jeweils als Gitterbasisstufen geschaltete, gittergesteuerte Röhren als eine geschlossene Phasenschieberschleife geschaltet sind, so daß während des Betriebs die Phasenverschiebung über die Gesamtschleife bei der Betriebsfrequenz derart ist, daß die Kombination eigenerregt ist, wobei die Anoden-Kathoden-Strecken der Röhren in Reihe geschaltet sind und wobei die Anordnung so getroffen ist, daß während des Betriebs die Schwingungsfre*· quenz des Oszillators dadurch geändert wird, daß der Strom durch wenigstens die als Gitterbasisstufen an-Frequenzmodulierter Oszillator

Anmelder:

Radio Corporation of America,

New York, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,

8000 München 23, Dunantstr. 6

Als Erfinder benannt:

Adam Lochanko, Cherry Hill, N. J. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 19. November 1963
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geordneten Röhren geregelt wird, um eine selbsttätige Frequenzregelung des Oszillators und/oder eine Frequenzmodulation zu bewirken, wobei durch Gittersteuerung der als Kathodenbasisstufe geschalteten Röhre mit dem Regelsignal die Steilheit der als Gitterbasisstufen geschalteten Röhren und somit die auf die Kathodenbasisstufe und die benachbarte Gitterbasisstufe wirkende komplexe Belastungsimpedanz beeinflußt wird. Durch diese effektive Beeinflussung des Stromflusses durch zwei oder mehr Röhren der Schleife ergibt sich eine ziemlich komplizierte Wirkungsweise, bei der die Linearität der Modulation nicht ohne weiteres auf einfache Weise erreicht und gewährleistet werden kann.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung der Nachteile des Standes der Technik eine FM-Oszillatoranordnung zu schaffen, die eine stabile Mittenfrequenz bei linearer Ansprechcharakteristik für breitbandige Modulationssignale aufweist.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem frequenzmodulierten Oszillator der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, daß ein mit der Modulationsschwingung stromgesteuerter Treibertransistor mit seinem Kollektorausgang über eine die Betriebsfrequenz der Schleife sperrende, dagegen für die Modulationsfrequenz durchlässige Stromkopplungsanordnung an die Emittereingangselektrode eines Transistors der in Kaskade geschalteten Transistoren der Schleife angeschlossen ist, der in Basisschaltung mit seinem Emitter an die Ausgangselektrode des vorausgehenden Transistors und mit seinem Kollektor an den nächstfolgenden Transistor in der mit konstantem Verstärkungsgrad 1 arbeitenden Schleife angekoppelt ist, wobei der Emitter dieses einen Tran-

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sistors an eine Betriebsgleichspannungsquelle über und den Verbindungspunkt der Widerstände 20 und den gleichen Widerstand angeschaltet ist, über den 21 geschaltet. Der Kondensator 23 bildet zusammen auch der Treibertransistor mittels der Stromkopp- mit dem Widerstand 21 ein dem .RC-Filter 17, 19 lungsanordnung seinen Strom entnimmt. entsprechendes Entkopplungsfilter. Ein HF-Über-

Es wird also durch den mit dem Modulations- 5 brückungskondensator 24 ist zwischen Masse und signal gesteuerten Treibertransistor der Emitterstrom den Verbindungspunkt der Widerstände 17 und 21 und folglich der Basis-Emitter-Eingangswiderstand geschaltet. Der Kollektor des Transistors 11 liegt des erwähnten Schleifentransistors gesteuert und da- über eine Lastinduktivität 25 an Masse. Die Widerdurch die Phasenverschiebung der in Kaskadenschal- stände 15, 17, 20, 21 und der ohmsche Wert der rung ausgelegten Schleife verändert, was zur Folge io Spule 25 sind so bemessen, daß der Transistor 11 für hat, daß die Oszillatorfrequenz sich entsprechend den Α-Betrieb vorgespannt wird. Die Induktivität der ändert, damit der konstante Verstärkungsgrad 1 beim Spule 25 ist so bemessen, daß sie zusammen mit der Phasenwinkel 360° aufrechterhalten bleibt. Da die Kapazität des Transistors 11 verhindert, daß die Änderung des Basis-Emitter-Eingangswiderstandes Schwingungsamplitude der Oszillatorschleife 10 am des einzigen vom Modulationssignal gesteuerten 15 oberen Ende des Frequenzbandes, in dem die Schleife Schleifentransistors hauptsächlich eine Änderung des 10 arbeitet, abfällt.

Widerstandes der Phasenschieberschleife bedeutet, Der Kollektor des Transistors 11 ist über einen

besteht zwischen der Frequenzänderung des Oszilla- Kondensator 26 mit der Basis des nächsten Trantors und dem Pegel des empfangenen breitbandigen sistors 12 gekoppelt. Der Transistor 12 arbeitet als Modulationssignals eine streng lineare Beziehung. 20 Emitterfolger in Kollektorschaltung. Ein Widerstand Die Anordnung liefert also ein frequenzmoduliertes 27 ist zwischen die Basis des Transistors 12 und Signal mit stabiler Mittenfrequenz bei minimaler Masse geschaltet. Die Basis des Transistors 12 ist Amplituden- und Phasenverzerrung, wobei zum außerdem über einen Widerstand 28, einen Regel-Unterschied von der letztgenannten bekannten An- widerstand 29 und eine HF-Diossel30 mit Klemme Ordnung lediglich ein einziges aktives Element der 25 16 verbunden. Ein HF-Überbrückungskondensator Schleife, in diesem Fall ein Transistor, gesteuert wird. 31 ist zwischen den Verbindungspunkt der Wider-

Vorzugsweise ist der Treibertransistor in Emitter- stände 28, 29 und Masse geschaltet. Ein weiterer, schaltung angeordnet. Es hat vorzugsweise den ent- zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 28, gegengesetzten Leitungstyp wie der von ihm ge- 29 und Masse geschalteter Kondensator 32 bildet zusteuerte Transistor der Schleife, und er ist Vorzugs- 30 sammen mit dem Widerstand 29 ein Entkopplungsweise ebenfalls für den Α-Betrieb vorgespannt. Als filter. Der Transistor 12 ist für den Α-Betrieb vor-Stromkopplungsanordnung kann eine für die Be- gespannt.

triebsfrequenz der Schleife hochohmige HF-Drossel Der Emitter des Transistors 12 ist mit der Basis

in Reihe mit einem Kollektor-Arbeitswiderstand für des nächsten Transistors 13 gleichstromgekoppelt, den Treibertransistor verwendet werden. 35 Der Transistor 13 arbeitet in Emitterschaltung. Die

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung erläu- Basis des Transistors 13 ist über Widerstände 33, 34 tert, deren einzige Figur das Schaltbild einer Ausfüh- und die HF-Drossel 30 mit der Klemme 16 der Berungsform des frequenzmodulierten Oszillators zeigt. triebsspannungsquelle verbunden. Ein Kondensator

Nachstehend ist vorausgesetzt, daß der frequenz- 35 und ein Kondensator 36 sind zwischen Masse und modulierte Oszillator für eine Mittenfrequenz von 40 den Verbindungspunkt der Widerstände 33, 34 ge-70 Megahertz bemessen ist. Man kann aber natürlich schaltet. Der Kondensator 35 dient zur hochfrequenzden Oszillator für den Betrieb bei beliebigen Mitten- mäßigen Erdung des Verbindungspunktes der Widerfrequenzen einrichten. stände 33 und 34. Der Kondensator 36 bildet zusam-

Der Oszillator enthält eine allgemeine mit 10 be- men mit dem Widerstand 34 ein Entkopplungsfilter, zeichnete Phasenschieberschleife, bestehend aus vier 45 Ein HF-Überbrückungskondensator 37 ist an den npn-Siliziumflächentransistoren 11, 12, 13 und 14. Verbindungspunkt der HF-Drossel 30 und 46 ange-Der Transistor 11 arbeitet in Basisschaltung. Die schlossen.

Basis des Transistors 11 ist über einen Widerstand 15 Die Basis des Transistors 13 ist über einen Wider-

mit einem Bezugspotentialpunkt sowie über einen stand 38 mit der Klemme 39 eines Ausgangsklem-Widerstand 17 mit der negativen Klemme 16 einer 50 menpaares 39, 40 verbunden. Es wird daher das Aus-Gleichspannungsquelle von beispielsweise — 24VoIt gangssignal von einem niederohmigen, den Transistoverbunden. Ein kleiner Kondensator 18, beispiels- ren 12 und 13 gemeinsamen Punkt der Phasenschieweise aus Keramik, ist zwischen die Basis des Tran- berschleife 10 abgenommen. Der Emitter des Transistors 11 und Masse geschaltet. Der Kondensator 18 sistors 13 ist über einen Regelwiderstand 42, einen erdet die Basis des Transistors 11 für HF-Energie mit 55 Widerstand 45, eine HF-Drossel 46 und die HF-der Mittenfrequenz des Oszillators. Ein größerer Drossel 30 mit der Klemme 16 verbunden. Ein zwi-Kondensator 19, beispielsweise ein Elektrolytkonden- sehen den Emitter des Transistors 13 und Masse gesator, ist ebenfalls zwischen die Basis des Transistors schalteter HF-Überbrückungskondensator 41 ermög-11 und Masse geschaltet. Der Kondensator 19 bildet licht zusammen mit dem Regelwiderstand 42 eine zusammen mit dem Widerstand 17 ein Tiefpaß- odei 60 Regelung der durch die Transistorstufe 13 eingeführ-Entkopplungsfilter, das niederfrequente Komponen- ten Phasenschiebung und folglich der Linearität der ten aus der Quelle 16 und der angeschlossenen Schal- Phasenschieberschleife 10. Ein zwischen den Vertung von der Basis des Transistors 11 fernhält. bindungspunkt der Widerstände 42, 45 und Masse

Der Emitter des Transistors 11 ist über die Wider- geschalteter Kondensator 43 erdet den Verbindungsstände 20 und 21 mit der Klemme 16 verbunden. 65 punkt der Widerstände 42, 45 hochfrequenzmäßig. Über einen Kondensator 22 ist der Verbindungspunkt Ein ebenfalls zwischen den Verbindungspunkt der der Widerstände 20 und 21 hochfrequenzmäßig geer- Widerstände 42, 45 und Masse geschalteter Kondendet. Ein zweiter Kondensator 23 ist zwischen Masse sator 44 bildet zusammen mit dem Widerstand 45'

ein Entkopplungsfilter. Der Kollektor des Transistors 13 ist über einen Widerstand 47 und einen Regelwiderstand 48 geerdet. Der Transistor 13 ist für den Α-Betrieb vorgespannt.

Der Kollektor des Transistors 13 ist über einen Kondensator 49 mit dem Emitter des nächsten Transistors 14 gekoppelt. Der Transistor 14 arbeitet in Basisschaltung. Der Emitter des Transistors 14 ist über einen Widerstand 50, einen Regelwiderstand 53 und die HF-Drosseln 46 und 30 mit der Klemme 16 der Betriebsspannungsquelle verbunden. Ein zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 50, 53 und Masse geschalteter Kondensator 51 erdet diesen Verbindungspunkt für die Mittenfrequenz des Oszillators, und ein zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 50, 53 und Masse geschalteter Kondensator 52 bildet zusammen mit dem Widerstand 53 ein Entkopplungsfilter. Ein HF-Überbrückungskondensator 54 verbindet den Verbindungspunkt des Widerstandes 53 und der HF-Drossel 46 mit Masse.

Die Basis des Transistors 14 ist über einen Widerstand 60, eine HF-Drossel 61 und die HF-Drosseln 46 und 30 mit der Klemme 16 verbunden. Ein den Verbindungspunkt der Basis des Transistors 14 und des Widerstandes 60 mit Masse verbindender Widerstand 59 bildet zusammen mit dem letztgenannten Widerstand einen Spannungsteiler, über den die Basis des Transistors 14 eine entsprechende Vorspannung erhält. Ein NF-Überbrückungskondensator 55 ist zwischen die Basis des Transistors 14 und Masse geschaltet. Ein HF-Überbrückungskondensator 58 ist ebenfalls zwischen die Basis des Transistors 14 und Masse geschaltet. Der Kollektor des Transistors 14 ist über einen Widerstand 56 und einen Regelwiderstand 57 geerdet. Der Transistor 14 ist für den A-Betrieb vorgespannt. Um die Phasenschieberschleife zu schließen, ist der Kollektor des Transistors 14 über eine Leitung 62 und einen veränderlichen Kondensator 63 mit dem Emitter desTransistors 11 verbunden.

Es besteht somit eine Oszillatorschleife mit vier Transistorstufen 11, 12, 13 und 14. Eine Phasenverschiebung von 360° wird erzeugt, wobei die Schleife mit einer dieser Phasenverschiebung entsprechenden Frequenz schwingt. Jede der Transistorstufen 11, 12, 13 und 14 steuert einen bestimmten Anteil der Gesamtphasenverschiebung der Schleife 10 bei. Der jeweilige Phasenschiebungsanteil der einzelnen Transistorstufen 11, 12, 13, 14 wird dadurch bestimmt, daß man die entsprechenden Schaltungskomponenten so bemißt, daß durch entsprechende Vorspannung der Transistor jeweils bei dem entsprechenden Pegel leitet. Die Schwingungsfrequenz oder Mittenfrequenz der Schleife 10 wird hauptsächlich durch die Kondensatoren 26, 49, 63 sowie die Eingangs- und Ausgangswiderstände der Transistoren 11,12,13 und 14 bestimmt.

Eine Treiberstufe 70 wird dazu verwendet, die Frequenz des Oszillators 10 entsprechend einem an der Eingangsklemme 71 empfangenen breitbandigen Modulationssignal zu modulieren. Die Eingangsklemme

71 ist mit der einen Seite eines Koppelkondensators

72 und der einen Seite eines Widerstandes 73 verbunden. Die andere Seite des Widerstandes 73 liegt an Masse. Die andere Seite des Kondensators 72 ist über eine HF-Drossel 74 mit der Basis eines pnp-Germaniumflächentransistors 75 verbunden. Die Basis des Transistors 75 ist außerdem über einen Widerstand 77, einen Widerstand 79 und die HF-Drosseln 61, 46 und 30 mit der Klemme 16 der Betriebsspannungsquelle verbunden. Ein den Verbindungspunkt der Basis des Transistors 75 und des Widerstandes 77 mit Masse verbindender Widerstand 76 bildet zusammen mit diesem Widerstand 77 und dem Widerstand 79 einen Spannungsteiler, der die Vorspannung für die Basis des Transistors 75 bestimmt. Ein zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 77, 79 und Masse geschalteter Kondensator 78 bildet zusammen mit dem Widerstand 79 ein Entkopplungsfilter. Ein HF-Überbrückungskondensator 80 verbindet den Verbindungspunkt des Widerstandes 79 und der HF-Drossel 61 mit Masse.

Der Emitter des Transistors 75 liegt über Widerstände 81 und 82 an Masse, so daß der Transistor 75 in Emitterschaltung arbeitet. Ein Überbrückungskondensator 83 ist zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 81, 82 und Masse geschaltet. Ein Teil des Emitterwiderstandes des Transistors 75 ist unüberbrückt, um eine Gegenkopplung für den Betrieb des Transistors 75 zu erhalten. Der Kollektor des Transistors 75 ist über eine HF-Drossel 84 und einen Widerstand 85 gleichstrommäßig mit dem Emitter des Transistors 14 verbunden. Die HF-Drossel 84 ist so bemessen, daß sie die Schwingungsfrequenz der Phasenschieberschleife 10 von der Treiberstufe 70 fernhält, jedoch das Modulationssignal von der Treiberstufe 70 zum Emitter des Transistors 14 durchläßt. Der Transistor 75 ist für den Α-Betrieb- vorgespannt. Der Widerstand 85 und der Emitter-Basis-Eingangswiderstand des Transistors 14 bilden eine modulationsfrequente Last für den Kollektor des Transistors 75.

Die HF-Drossel 30, 46, 61 und die Kondensatoren 24, 37, 54, 80 verhindern eine Verkopplung von mittenfrequenter HF-Streuenergie zwischen den einzelnen Transistorstufen 11, 12, 13, 14 und 75. Für die HF-Drosseln 30, 46, 61 verwendet man vorzugsweise Ferritspulen mit hohem HF-Widerstand. Die HF-Überbrückungskondensatoren 18, 22, 24, 31, 37, 35, 43, 51, 54, 54, 58 und 80 sowie die Filterkondensatoren 19, 23, 32, 36, 44, 52 und 78 können jeweils gleich bemessen und gleich ausgebildet sein.

Im Betrieb erhält die Anordnung über die Klemme 16 ihre Betriebsspannung. Die Phasenschieberschleife 10 schwingt mit der Mittenfrequenz, die durch die 360°-Phasenverschiebung der Schleife bestimmt ist und im vorliegenden Fall 70 Megahertz beträgt. Der Eingangsklemme 71 wird ein Modulationssignal zugeleitet. Das Modulationssignal kann die Form einer Sinusschwingung, einer Rechteckwelle oder irgendeine andere komplexe Form haben. Beispielsweise sei angenommen, daß der Eingangsklemme 71 ein amplitudenmoduliertes Eingangssignal mit einer Bandbreite von bis zu 4 Megahertz oder mehr zugeleitet werde.

Der Transistor 14 entnimmt über die Widerstände 53 und 50 Strom, während der Transistor 75 über die Widerstände 53, 50 und 85 Strom entnimmt. Da der vom Transistor 75 entnommene Strom vom Pegel des ihm von der Eingangsklemme 71 zugeleiteten Modulationssignals abhängt, wird der Emitterstrom und folglich der Basis-Emitter-Widerstand des Transistors 14 ebenfalls eine Funktion des Pegels des empfangenen Modulationssignals. Durch Änderung dieses Widerstandes wird der Phasenverschiebungsanteil der Transistorstufe 14 verändert, was eine ent-

sprechende Veränderung der Phasenverschiebung der Schleife 10 zur Folge hat. Um den Verstärkungsgrad 1 um 360° Phasendrehung aufrechtzuerhalten, muß die Schwingungsfrequenz sich ändern. Der Transistor 14 wirkt effektiv als Phasenmodulator. Die Änderung der durch den Transistor 14 in den Schwingungsvorgang auf Grund des am Emitter injizierten Modulationssignals eingeführten Phasenverschiebung bewirkt eine entsprechende Änderung der „,^ Schwingungsfreqüenz der Schleife derart, daß die Beziehung der mit 360° Phasenverschiebung rückgekoppelten Spannung wiederhergestellt wird.

Der gesteuerte Basis-Emitter-Eingangswiderstand des Siliziumtransistors 14 hat hauptsächlich ohmschen Charakter. Indem der Kollektor des Germaniumtransistors 75 und der Emitter des Transistors 14 gleichstrommäßig zusammengeschaltet sind, ändert sich dieser vorwiegend ohmsche Widerstand direkt proportional zum empfangenen Modulationssignal in einer von der Pegeländerung des empfangenen Modulationssignals abhängigen Richtung. Wird beispielsweise der Pegel des Modulationssignals positiver, so wird der Kollektorstrom des Transistors 75 kleiner. Entsprechend wird der Emitterstrom des Transistors 14 Meiner, und der Transistor 14 leitet weniger stark, so daß der durch den Transistor 14 in die Schleife 10 eingebrachte Widerstand (und Phasenschiebungsanteil) entsprechend ansteigt. Dadurch ergibt sich ein entsprechender Anstieg der Schwingungsfrequenz. Bei Absinken des Pegels des empfangenen Modulationssignals werden der Kollektorstrom des Transistors 75 und der Emitterstrom des Transistors 14 größer. Der Transistor 14 leitet stärker, so daß der durch den Transistor 14 in die Schleife 10 eingeführte Widerstand (und Phasenschiebungsanteil) sich entsprechend verringert. Die Folge ist ein entsprechendes Absinken der Schwingungsfrequenz.

Der Transistor 14 ist so vorgespannt, daß er bei am Emitter injizierten Modulationssignal über die gesamte, durch das breitbandige Modulationssignal bewirkte Änderung des Basis-Emitter-Widerstandes in einem linearen Teil seiner Kennlinie arbeitet. Da die Änderung des durch den Transistor 14 in die Schleife 10 eingeführten Widerstandes weitgehend linear mit den Änderungen des empfangenen Modulationssignals verknüpft werden kann, erhält man eine nahezu perfekt lineare Beziehung zwischen der Frequenzausweichung des Oszillators und dem Pegel der eingegebenen Modulationsspännung und damit ein frequenzmoduliertes Trägersignal mit sehr geringer Phasen- und Amplitudenverzerrung. An den Ausgangsklemmen 39, 40 erscheint ein frequenzmoduliertes Signal von 70 Megahertz ± 4 Megahertz, das man einer Verbraucherschaltung zuleiten kann.

Die Regelwiderstände 29, 48, 42, 57 und 53 ermöglichen eine Abstimmung des frequenzmodulierten Oszillators. Der im Emitterkreis des Transistors liegende Widerstand 53 beeinflußt im erheblichen Maß die Mittenfrequenz des Oszillators und kann so bemessen werden, daß die Mittenfrequenz über ungefähr ± 1 Megahertz verstellt werden kann. Durch Verstellen der Widerstände 29, 48, 42, 57 und des Kondensators 63 kann man auf maximale Linearität und minimale Gruppenlaufzeit ebenso wie auf die gewünschte Mittenfrequenz abstimmen.

Die Temperaturstabilisierung wird durch Verwendung der gleichstromgekoppelten, komplementären Anordnung der Transistoren 14 und 75 erhalten. Eine etwaige Änderung in der Leistung der Siliziumtransistoren 11, 12, 13 und 14 infolge von Änderungen der Betriebstemperatur äußert sich als Änderung der Mittenfrequenz der Schleife 10. Bei der gleichen Änderung der Betriebstemperatur findet eine Änderung der Kollektorstromentnahme des Germaniumtransistors 75 statt. Indem man die Transistoren 14, hinsichtlich der Temperaturabhängigkeit ihrer Leistungskurven einander anpaßt, kann man die temperaturbedingte Abwanderung der Mittenfrequenz der Schleife 10 minimal klein machen.

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Frequenzmodulierter Oszillator mit mehreren, für den Α-Betrieb vorgespannten Transistoren, die als geschlossene Phasenschieberschleife geschaltet sind, wobei die Gesamtphasenverschiebung über die Schleife so gewählt ist, daß die Anordnung mit einer gegebenen Betriebsfrequenz, die durch Einkoppeln einer Modulationsschwingung in die Schleife veränderbar ist, schwingt, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit der Modulationsschwingung stromgesteuerter Treibertransistor (75) mit seinem Kollektorausgang über eine die Betriebsfrequenz der Schleife sperrende, dagegen für die Modulationsfrequenz durchlässige Stromkopplungsanordnung (84, 85) an die Emittereingangselektrode eines Transistors (14), der in Kaskade geschalteten Transistoren (11 bis 14) der Schleife angeschlossen ist, der in Basisschaltung mit seinem Emitter an die Ausgangselektrode des vorhergehenden Transistors (13) und mit seinem Kollektor an den nächstfolgenden Transistor (11) in der mit konstantem Verstärkungsgrad 1 arbeitenden Schleife angekoppelt ist, wobei der Emitter dieses einen Transistors (14) an eine Betriebsgleichspannungsquelle über den gleichen Widerstand (50) angeschaltet ist, über den auch der Treibertransistor mittels der Stromkopplungsanordnung seinen Strom entnimmt.

2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransistor (75) in Emitterschaltung angeordnet ist.

3. Oszillator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransistor (75) vom entgegengesetzten Leitungstyp (pnp) ist wie der Transistor (14) der Schleife.

4. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromkopplungsanordnung eine für die Betriebsfrequenz der Schleife hochohmige HF-Drossel (84) in Reihe mit einem Kollektorarbeitswiderstand (85) für den Treibertransistor (75) enthält.

5. Oszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransistor (75) ebenfalls für den A-Betrieb vorgespannt ist.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1072 277; USA.-Patentschriften Nr. 2771584, 2974294.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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