DE1541546C - Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung Arbeitsweise solcher Schaltungen durch Betriebszur Verstärkungsregelung und zur Stabilisierung des Spannungsschwankungen beeinträchtigt wird, da Arbeitspunktes des Demodulators für eine ampli- sonst keine einwandfreie Wiedergewinnung der im tudenmodulierte Trägerschwingung gegen Speisespan- empfangenen Signal enthaltenen Information mögnungsschwankungen in einem Funkempfänger, bei 5 Hch ist. Eine Beeinträchtigung des Empfanges kann dem der Trägerfrequenzverstärker eine einer Gleich- beispielsweise stattfinden, wenn der Arbeitspunkt Spannungskomponente überlagerte modulierte Träger- der Demodulatorschaltung durch die Betriebsspanschwingung über eine Gleichspannungskopplung an . nung bestimmt wird und wenn die Schaltung zur den Demodulator liefert und der Demodulator über automatischen Verstärkungsregelung durch die Auseine weitere Gleichspannungskopplung mit einer 10 gangsgleichspannung des Demodulators gesteuert Regelspannungserzeugerschaltung zur Gewinnung wird.

einer der Trägerspannung entsprechenden und dem Der Erfindung liegt also die Aufgabe zugrunde,

Trägerfrequenzverstärker zugeführten Regelspannung eine Empfängerschaltung mit gleichspannungsgekop-

verbunden ist. :; pelten Verstärkerstufen anzugeben, die eine Schal-

Insbesondere handelt es sich um eine in integrierter 15 tungsanordnung zur Stabilisierung der Arbeitsweise Form ausgebildete Schaltungsanordnung. Die Kon- der den Demodulator steuernden Schaltungen gegen struktion integrierter Schaltungen wirft eine ganze Betriebsspannungsschwankungen enthält. Reihe von Problemen auf. So ist es beispielsweise Dies wird bei einer Schaltungsanordnung zur Verziemlich schwierig, ÄC-gekoppelte Verstärker herzu- Stärkungsregelung und zur Stabilisierung des Arbeits-. stellen, da ein Kondensator bei einer integrierten 20 punktes des Demodulators für eine amplitudenmodu-Schaltung eine relativ große Fläche des Halbleiter- lierte Trägerschwingung gegen Speisespannungskörpers oder -plättchens, auf dem die integrierte Schwankungen in einem Funkempfänger, bei dem der Schaltung gebildet ist, einnimmt, auch wenn es sich Trägerfrequenzverstärker eine einer Gleichspannungsum relativ kleine Kapazitätswerte handelt. komponente überlagertemodulierteTrägerschwingung

Die Abmessungen des die integrierte Schaltung 25 über eine Gleichspannungskopplung an den Demoduenthaltenden Plättchens sind jedoch begrenzt. Dem- lator liefert und der Demodulator über eine weitere entsprechend sind auch die Abmessungen der Kon- Gleichspannungskopplung mit einer Regelspannungsdensatoren und die zur Kopplung zweier Stufen zur erzeugerschaltung zur Gewinnung einer der Träger-Verfügung stehende Kapazität Beschränkungen spannung entsprechenden und dem Trägerfrequenzunterworfen. Beschränkungen bezüglich der Abmes- 30 verstärker zugeführten Regelspannung verbunden ist, sung von Kondensatoren beeinträchtigt .aber den erfindungsgemäß erreicht durch eine auf Schwan-Frequenzgang von Verstärkerschaltungen sowohl bei kungen der Speisespannung ansprechende Stabilisieniedrigen als auch bei hohen Frequenzen und damit rungsschaltung, welche ein diesen Schwankungen den bei einer bestimmten Signalfrequenz erreichbaren etwa proportionales Korrektursignal an die Regel-Verstärkungsgrad. Die Hochfrequenzeigenschaften 35 spannungserzeugerschaltung und den Demodulator des Verstärkers werden ferner noch durch Streu- zur Stabilisierung von deren Arbeitspunkten gegen kapazitäten beeinträchtigt, die zwischen den Konden- Auswirkungen der Speisespannungsschwankungen satoren einer integrierten Schaltung und Masse vor- liefert,
handen sind. Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher

Bei dem derzeitigen Stand der Technik zur Her- 40 erläutert, die das Schaltbild eines Empfängers für

stellung von Kondensatoren in integrierten Schal- amplitudenmodulierte hochfrequente Schwingungen

tungen führen die Größenbeschränkungen außerdem zeigt, der eine Schaltungsanordnung gemäß einem

sehr häufig zu Kurzschlüssen zwischen den Konden- Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält,

satorbelägen. Aus allen diesen Gründen ist es wün- Die gestrichelte Linie 100 umschließt eine mono-

schenswert, wenn möglich, zwischen den Verstärker- 45 lithische integrierte Halbleiterschaltung mit a) einem

stufen einer integrierten Schaltung eine galvanische Transistor 102, der einen Teil einer Mischstufe bildet,

oder Gleichspannungskopplung vorzusehen. b) einem dreistufigen gleichspannungsgekoppelten

Die Gleichspannungskopplung von Verstärker- Zwischenfrequenzverstärker 104, 106, 108, c) einem stufen ist jedoch ein Problem für sich. So müssen Vorspannungskreis 110, d) einer Demodulatorstufe beispielsweise im allgemeinen relativ komplizierte 50 112, die ein Tonfrequenzsignal und eine Regelspan-Vorspannungsschaltungen verwendet werden, um die nung liefert, e) einer Regelspannungsverstärkerstufe gewünschten Arbeitspunkte von hintereinander- 114 und f) einer Stromstabilisierungsschaltung 116, geschalteten gleichspannungsgekoppelten Stufen zu die zur Kompensation von Schwankungen in der gewährleisten, da ja die an der Ausgangselektrode Ausgangsgleichspannung des Verstärkers 104, die der einen Stufe auftretende Gleichspannung an der 55 durch die Regelung verursacht werden, dient. Das nächstfolgenden Stufe als Eingangsspannung er- Plättchen, in dem die integrierte Schaltung 100 gescheint. Zur Stabilisierung der verschiedenen Arbeits- bildet ist, hat an seinem Umfang eine Reihe von punkte ist außerdem eine Gleichspannungsgegen- Anschlußkontakten. Die Größe des die integrierte kopplung erforderlich. Wenn mit einer einzigen inte- Schaltung bildenden Halbleiterplättchens kann grierten Schaltung eine hohe Verstärkung. erzielt 60 beispielsweise 1,25 X 1,25 mm oder weniger bewerden soll, besteht dann die Gefahr, daß die Schal- tragen.

tung durch Phasenverschiebungen in der Gegen- Der Transistor 102 bildet einen Teil einer Mischkopplungsschleife instabil wird. stufe, zu der außerdem eine Ferritantenne 118, ein Bei Empfängerschaltungen mit Demodulator und Hochfrequenzkreis 120 und ein Oszillatorkreis 122, Schaltungen zur automatischen Verstärkungsregelung 65 die im Gleichlauf abstimmbar sind, und ein Hochist eine Gleichspannungskopplung hintereinander- frequenzeingangskreis 124 gehören. Die empfangenen geschalteter Verstärkerstufen besonders schwierig. Es Hochfrequenzsignale, die erzeugte Oszillatorschwinmuß insbesondere verhindert werden, daß die gung und eine am Verbindungspunkt zweier Wider-

stände 96, 98, die zwischen eine Klemme +E einer Spannungsquelle und Masse geschaltet sind, werden der Basiselektrode des Transistors 102 über einen Kontaktpunkt 126 der integrierten Schaltung zugeführt.

Die Emitterelektrode des Transistors 102 ist über einen Kontaktfleck 128 und ein Parallel-ÄC-Glied 130 mit Masse verbunden, während die Kollektorelektrode dieses Transistors über einen Kontaktfleck 134, eine Wicklung des Oszillatorkreises 122 und eine Primärwicklung eines Zwischenfrequenztransformators 136 mit einer Betriebsspannungsklemme 132 verbunden ist. Die in der Sekundärwicklung des Transformators 136 induzierte Zwischenfrequenzschwingung wird über einen Kontaktfleck 138 der ersten Stufe 104 eines gleichspannungsgekoppelten Zwischenfrequenzverstärkers zugeführt.

Die erste ZF-Verstärkerstufe 104 enthält drei Transistoren 140, 142, 144, die einen Verstärker in Emitterschaltung bilden, welcher einen Verstärker in Kollektorschaltung steuert, wie es bereits vorgeschlagen worden ist. Die am Kontaktfleck 138 zur Verfügung stehenden ZF-Signale werden der Basiselektrode des Transistors 140 zugeführt, durch die Transistoren 140, 142, 144 verstärkt und dann einer galvanisch angeschlossenen zweiten ZF-Verstärkerstufe 106 zugeführt.

Die zweite ZF-Verstärkerstufe 106 enthält drei Transistoren 146, 148, 150, die wie die Transistoren der ersten ZF-Verstärkerstufe 104 geschaltet sind. Die zweite ZF-Verstärkerstufe ist galvanisch mit der dritten ZF-Verstärkerstufe 108 gekoppelt. Auch die Stufe 108 enthält drei Transistoren 152, 154, 156, die wie die Transistoren der anderen beiden Stufen geschaltet sind. Die drei hintereinandergeschalteten ZF-Verstärkerstufen 104, 106, 108 bilden den Zwischenfrequenzteil des dargestellten AM-Empfängers.

Das verstärkete Signal am Ausgang der dritten ZF-Verstärkerstufe 108, d. h. an der Emitterelektrode des Transistors 156, wird dem Eingang der Demodulatorstufe 112 direkt zugeführt. Diese Stufe enthält zwei Transistoren 158, 160, die in einer als »Darlington-Schaltung« bekannten Kollektorschaltung arbeiten. Die beiden Transistoren sind für einen nicht linearen Betrieb vorgespannt, ihr Arbeitspunkt liegt knapp unterhalb des Knicks der Strom-Spannungs-Kennlinie, so daß eine Demodulation der zugeführten Zwischenfrequenzschwingung bewirkt wird. .

Genauer gesagt wird das Ausgangssignal der ZF-Verstärkerstufe 108 durch die Transistoren 158, 160 gleichgerichtet und gefiltert, wobei ein demoduliertes Wechselspannungssignal entsteht, dessen Auswanderungen der Schwankungen der Intensität des empfangenen Hochfrequenzsignals entspricht. Ferner liefert diese Stufe ein Gleichspannungssignal, dessen Größe der Summe der Ausgangsspannung der Demodulatorstufe 112 bei fehlendem Eingangssignal (im folgenden kurz als »Ruhespannung« bezeichnet) und dem Mittelwert des erzeugten Wechselspannungssignals entspricht.

Das Wechselspannungssignal am Ausgang der Demodulatorstufe 112, das das Tonfrequenz-Nutzsignal darstellt, tritt an einem Zwischenfrequenz-Abieitkondensator 162 auf, der über einen Kontaktfleck 164 zwischen die Emitterelektrode des Transistors 160 und Masse geschaltet ist. Das Tonfrequenzsignal wird dann über einen Kondensator 166 einem zur Einstellung der Lautstärke dienenden Potentiometer 168 zugeführt, an dessen Schleifer ein Tonfrequenzverstärker 170 angeschlossen ist, der einen Lautsprecher 172 speist.

Das Ausgangssignal der Demodulatorstufe 112 wird durch einen Reihenwiderstand 174 und einen Parallelkondensator 175 integriert und der Regelspannungsverstärkerstufe 114 zugeführt: Die Stufe 114 enthält zwei Transistoren 176, 180, die einen

ίο emittergekoppelten Verstärker bilden, wobei das integrierte Gleichspannungs-Ausgangssignal von der Demodulatorstufe 112 der Basiselektrode des Transistors 180 zugeführt ist.

An der Kollektorelektrode des Transistors 180 entsteht eine Regelgleichspannung, deren Amplitude eine Funktion der Empfangsfeldstärke ist. Die Regelspannung wird zur Regelung des Verstärkungsgrades der Basiselektrode des Transistors 140 in der ersten ZF-Verstärkerstufe 104 über einen Kontaktfleck 184, die Sekundärwicklung des ZF-Transformators 136 und den Kontaktfleck 138 zugeführt, so daß also der Verstärkungsgrad der Stufe 104 in Abhängigkeit von der Empfangsfeldstärke geregelt wird.

Die Regelspannung, die durch den Transistor 180 im Regelspannungsverstärker 114 erzeugt wird, wird außerdem der Stromstabilisierungsschaltung 116 direkt zugeführt. Diese Schaltung 116 enthält zwei Transistoren 188, 190; die einen emittergekoppelten Verstärker bilden, dem die Regelspannung von der Regelspannungsverstärkerstufe 114 über die Basiselektrode des Transistors 188 zugeführt ist. Wie an anderer Stelle vorgeschlagen ist, wird jede durch die Regelung des Transistors 140 verursachte Änderung des vom Transistor 142 durch einen Arbeitswiderstand 216 fließenden Gleichstromes durch eine entgegengesetzte, dem Betrag nach jedoch gleiche Änderung des vom Transistor 188 in der Schaltung 116 durch den Arbeitswiderstand 216 fließenden Stromes kompensiert. Die an der Kollektorelektrode des Transistors 142 herrschende Gleichspannung bleibt also praktisch konstant, so daß eine Beeinträchtigung der Vorspannungen der folgenden ZF-Verstärkerstufen 106, 108 vermieden wird.

Da die Regelung andererseits die Kollektorströme der Transistoren 140, 142 beeinflußt, steuert sie dadurch den Verstärkungsgrad der ersten ZF-Verstärkerstufe 104 derart, daß die der Demodulatorstufe 112 zugeführten Zwischenfrequenzsignale wenigstens annähernd konstant gehalten wird.

Die in dem Halbleiterplättchen der integrierten Schaltung 100 enthaltene Vorspannungsschaltung 110 liefert die erforderlichen Vorspannungen für die ZF-Verstärkerstüfen 104, 106, 108, für die Regelspannungsverstärkerstufe 114 und die Stromstabilisierungsschaltung 116. Die Vorspannungsschaltung 110 enthält zwei Transistoren 192, 194, die in Emitterschaltung bzw. Kollektorschaltung arbeiten. Die Ausgangsgleichspannung an der Emitterelektrode des Transistors 194 wird über einen Widerstand 196 der Basiselektrode des Transistors 154 in der dritten ZF-Verstärkerstufe 108 zugeführt. Außerdem wird diese Gleichspannung der Basiselektrode des Transistors 140 in der ersten ZF-Verstärkerstufe durch eine Reihenschaltung zugeführt, die einen Widerstand 198, den Kontaktfleck 184, die Sekundärwicklung des ZF-Transformators 136 und den Kontaktfleck 138 enthält. Ein in den Kollektorkreis des Transistors 192 geschalteter Widerstand 200 hat

wenigstens annähernd den gleichen Widerstandswert tungselement in einer Verstärkerschaltung od. dgl.

wie ein Widerstand 202, der im Emitterkreis dieses arbeitet. Für Siliciumtransistoren sind diese beiden

Transistors liegt. Spannungen jeweils etwa 0,7 Volt, was in dem für

Wenn, wie gleichzeitig an anderer Stelle vorge- eine Klasse-A-Verstärkung erforderlichen Bereich

schlagen wird, die Widerstände 200,202 so bemessen 5 Hegt. Da die Transistoren 154, 156 zur gleichen inte-

sind, ist die Ausgangsgleichspannung an der Emitter- grierten Schaltung 100 gehören, bestehen sie aus

elektrode des Transistors 194 gleich der Hälfte der dem gleichen Halbleitermaterial, und ihre F_6(?-Span-

Speisespannung, die zwischen einem zur Zuführung nungen sind gleich.

der Speisespannung dienenden Kontaktfleck 204 und Es sei nun angenommen, daß sich die Speise-

einem auf Bezugspotential, z. B. Masse, liegenden io spannung um einen Betrag Δ e ändert. Die durch die

Kontaktfleck 206 herrscht. Vorspannungsschaltung 110 an der Emitterelektrode

Wenn die Widerstände 196, 198 den gleichen des Transistors 194 erzeugte Spannung ändert sich

Widerstandswert haben, sind die Vorspannungen, dann ebenfalls, der Betrag dieser Änderung ist je-

die der Basiselektrode des Transistors 140 in der doch gleich Λ eil, wie an anderer Stelle bezüglich

ersten ZF-Verstärkerstufe 104 und der Basiselektrode 15 dieser Schaltung näher ausgeführt ist. Diese Poten-

des Transistors 154 in der dritten ZF-Verstärkerstufe tialänderung bewirkt, daß sich die Spannung an der

108 zugeführt werden, gleich. Basiselektrode des Transistors 154 um Δ eil ändert,

Um ein symmetrisches Arbeiten der drei ZF-Ver- daß in der Gleichstromkomponente des an der stärkerstufen 104, 106, 108 zu gewährleisten, wird Emitterelektrode des Transistors 156 erzeugten Sieine an der Emitterelektrode des Transistors 156 der 20 gnals eine entsprechende Änderung um Δ eil eintritt Stufe 108 entstehende Gleichspannung über einen und daß dementsprechend die Arbeitspunkte der Widerstand 208 auf die Basiselektrode des Transi- Transistoren 158, 160 in der Demodulatorstufe verstors 148 und weiterhin über einen Widerstand 210 schoben werden.

auf die Basiselektrode des Transistors 124 in der Wenn diese Verschiebung zu groß ist, wird die Stufe 104 rückgekoppelt. Ein symmetrischer Betrieb 25 Demodulation beeinträchtigt, und es treten Verzerist gewährleistet, wenn der Widerstand 208 im rungen im demodulierten Signal auf. Die Arbeitswesentlichen denselben Widerstandswert hat wie der punktverschiebung hat, unabhängig von ihrem BeWiderstand 210 und diese beiden Widerstände den trag, außerdem eine Änderung der Ausgangsgleichgleichen Widerstandswert wie die Widerstände 196, spannung der Demodulatorstufe 112, insbesondere 198 haben. 30 des Transistors 160, zur Folge, und hierdurch wird

Die Rückkopplung bewirkt, daß bei fehlendem auch der Arbeitspunkt des Regelspannungsverstär-Eingangssignal den Basiselektroden der beiden Tran- kers 114 verschoben, da die Emitterelektrode des sistorcn der emittergekoppelten Verstärkerschal- Transistors 160 und die Basiselektrode des Transitung in den ZF-Stufen 104, 106, 108 gleiche Vor- stors 180 über einen Widerstand miteinander gespannungen zugeführt werden. 35 koppelt sind. Die Schwankungen der Speisespannung

Der zur Zuführung der Betriebsspannung dienende können also auch die Regelung beeinträchtigen.
Kontaktfleck 204 und der auf Bezugspotential Zur Vermeidung dieser nachteiligen Einflüsse von liegende Kontaktfleck 206 sind über Leiter 212, 214 Speisespannungsschwankungen enthält die dargemit den verschiedenen Stufen der integrierten stellte Schaltungsanordnung eine Stabilisierungs-Schaltung 100 verbunden. 40 schaltung gemäß der Erfindung, die nachteilige Ein-

Es soll nun kurz die Arbeitsweise der Demodu- flüsse von Speisespannungsschwankungen auf die

latorstufe 112 und der Regelspannungsverstärker- , Stufen 112, 114 verhindert. Als erstes ist der Wider-

stufe 114 betrachtet werden, wenn die Demodulator- stand 218 über eine Leitung 222 mit dem Verbin-

stufc mit Masse verbunden ist. Dies wäre z. B. der dungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren

Fall, wenn der Widerstand 218 über einen gestrichelt 45 176, 180 verbunden. Zweitens ist die Basiselektrode

dargestellten Leiter 220 zwischen die Emitterelek- des Transistors 176 über eine Leitung 224 direkt an

trode des Transistors 160 und den auf Masse liegen- die Emitterelektrode des Transistors 192 angeschlos-

den Kontaktfleck 206 geschaltet wäre. sen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, sie mit-

Das auf die Basiselektrode des Transistors 158 tels des gestrichelt gezeichneten Leiters 226 mit dem gekoppelte Signal enthält eine Wechselspannungs- 50 Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Trankomponente, die die Intensitätsschwankungen der sistoren 188, 190 zu verbinden,
empfangenen Hochfrequenzsignale wiedergibt, und Bei der ersten Alternative hat eine Schwankung eine Gleichspannungskomponente entsprechend der der Speisespannung um den Betrag J e folgende Wir-Ruhespannung an der Emitterelektrode des Tran- kungen: Wie bereits erwähnt worden war, ändert sich sistors 156. 55 das Gleichspannungspotential an der Emitterelek-

Die Ruhespannung ist etwa gleich der Vorspan- trode des Transistors 194 und der Emitterelektrode

nung an der Basiselektrode des Transistors 154, da des Transistors 156 dann um Je/2. Diese Gleich-

dic Gleichspannung an der Kollektorelektrode 154 Spannungsänderung um den Betrag Λ e/2 an der

um V_1n. höher (positiver) ist als die Gleichspannung Emitterelektrode des Transistors 194 wird praktisch

an der Basiselektrode während die Gleichspannung 60 unverändert durch den Basis-Emitter-Übergang des

an der Emitterelektrode des Transistors 156 um V_he Transistors 192, die Leitung 224, den Basis-Emitter-

klciner (negativer) ist als die Gleichspannung an Übergang des Transistors 176, die Leitung 222 und

seiner Basiselektrode, und da die Kollektorelektrodc den Widerstand 218 zur Emitterelektrode des Tran-

dcs Transistors 154 mit der Basiselektrode des Tran- sistors 160 übertragen.

sistors 156 direkt verbunden ist. Unter »V/,,.« soll 65 Man erreicht dadurch also, daß die Spannung an

hier sowohl die mittlere Basis-Emitter-Spannung als der Emitterelektrode des Transistors 160 der Gleich-

aiich die mittlere Kollektor-Basis-Spannung eines spannung an der Basiselektrode des Transistors 158

Transistors verstanden werden, der als aktives Schal- folgt, was zur Folge hat, daß die Vorspannung an

Claims (6)

1. 7 8

   den in Reihe geschalteten Basis-Emitter-Strecken dene Tonfrequenz-Nutzsignal die Regelung nicht

   der Transistoren 158, 160 der Demodulatorstufe beeinträchtigen kann.

   konstant gehalten wird. Wenn keine Hochfrequenzsignale empfangen

   Ähnliche Verhältnisse liegen auch bei der anderen werden, ist die an der Kollektorelektrode des Tran-Schaltungsmöglichkeit vor. Hier wird nun die an der 5 sistors 180 herrschende Gleichspannung im wesent-Emitterelektrode des Transistors 194 auftretende liehen gleich der halben Speisespannung. Die Gleich-Spannungsänderung des Betrages ΔεΙ2 praktisch un- spannung an der Emitterelektrode des Transistors verändert über den Widerstand 228 (der wenigstens 180 ist um 2 V_be niedriger (negativer) als diese Spanannähernd den gleichen Widerstandswert hat. wie nung, und die Gleichspannung an der Basiselektrode der Widerstand 198) zur Basiselektrode des Tran- io ist um 0,3 Volt größer (positiver) als die Gleichsistors 190, durch den Basis-Emitter-Übergang des spannung an der Emitterelektrode. Im signallosen Transistors 190, die Leitung 226, den Basis-Emitter- Zustand ist der Transistor 180 der Regelspannungs-Ubergang des Transistors 176, den Leiter 222 und verstärkerstufe 114 praktisch gesperrt,
   den Widerstand 218 zur Emitterelektrode des Tran- Der Transistor 180 bleibt auch bei Empfang eines sistors 160 übertragen. 15 Nutzsignals gesperrt, bis die Gleichspannungskompo-

   Dadurch, daß die Demodulatorstufe 112 auf ein nente des demodulierten Signals an der Emitter-Potential bezogen wird, das sich mit der Speisespan- elektrode des Transistors 160 genügend groß genung in der angegebenen. Weise ändert, werden die worden ist, um die Gleichspannung an der Basis-Arbeitspunkte der Transistoren 158, 160 der Demo- elektrode des Transistors 180 so weit ansteigen zu dulatorstufe im nicht linearen Kennlinienbereich fest- 20 lassen, daß dieser Transistor zu leiten beginnt; In gehalten. Die Funktion der Demodulatorstufe wird diesem Falle und beim weiteren Anstieg der Gleichdaher durch Speisespannungsschwankungen nicht Spannungskomponente des demodulierten Signals beeinträchtigt. tritt ein Abfall der Gleichspannung an der Kollektor-

   Die Gleichspannungsänderung des Betrages AeIl elektrode des Transistors 180 auf, also eine Regelan der Emitterelektrode des Transistors 160 wird 25 spannung, die in gleicher Weise zur Basiselektrode außerdem praktisch unverändert durch den Wider- des Transistors 140 in der ersten ZF-Verstärkerstufe stand 174 auf die Basiselektrode des Transistors 180 104 und zur Basiselektrode des Transistors 188 in gekoppelt. Die Gleichspannung an der Basiselektrode der Stromstabilisierungsschaltung 116 übertragen des Transistors 180 folgt dadurch der Gleichspan- wird.

   nüngan der Emitterelektrode dieses Transistors, so 30 In der ZF-Verstärkerstufe 104 hat die negativer

   daß auch die Vorspannung des Regelspannungsver- werdende Gleichspannung an der Basiselektrode des

   stärkers unabhängig von Speisespannungsschwan- Transistors 140 eine Verringerung des Stromflusses

   kungen ist und die Regelung durch solche Schwan- durch den Widerstand 230, eine Erhöhung der Vor-

   kungen nicht beeinträchtigt wird. spannung des Transistors 142 und eine Erhöhung

   Aus dem Schaltbild ist ersichtlich, daß zwischen 35 des vom Transistor 142 durch den Widerstand 216 der Emitterelektrode des Transistors 156 und dem fließenden Gleichstromes zur Folge. Wenn der Tran-Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Tran- sistor 142 ursprünglich auf einen Arbeitspunkt vorsistoren 176, 180 eine Potentialdifferenz von 2 F_6e gespannt worden war, bei dem eine Erhöhung des herrscht, da am Transistor 176 und am Transistor Gleichstromes von einer Verringerung der Steilheit 192 oder 190 (je nachdem, welche der beiden Alter- 40 begleitet ist, wird der Verstärkungsgrad der Stufe 104 nativmöglichkeiten für den Anschluß der Basis- durch die beschriebene Regelung wie erwünscht elektrode des Transistors 176 gewählt wurde) jeweils herabgesetzt,
   ein Spannungsabfall von V_be auftritt. In der Stromstabilisierungsschaltung 116 bewirkt

   Der Widerstandswert des Widerstandes 218 wird die Abnahme der Gleichspannung an der Basis-

   so gewählt, daß der an ihm auftretende Spannungs- 45 elektrode des Transistors 188 eine Verringerung des

   abfall ausreicht, um die Transistoren 158, 160 in den Gleichstromes, der von diesem Transistor durch den

   nicht linearen Bereich ihrer Arbeitskennlinie vorzu- Widerstand 216 fließt. Da die Regelspannungssignale,

   spannen. Bei einem Ausführungsbeispiel der Erffrir die den Transistoren 140, 188 zugeführt worden

   dung wurde der Widerstand 218 so bemessen, daß sind, praktisch gleich sind, kann die Stromabnahme

   an ihm ein Spannungsabfall von 0,3 Volt auftrat 50 im Transistor 180 praktisch gleich der Stromzunahme

   und eine Potentialdifferenz von ungefähr 1,1 Volt im Transistor 142 gemacht werden, indem man; den

   zwischen der Basiselektrode des Transistors 158 und Widerstand 232 in der Stufe 116 gleich dem Wider-

   der Emitterelektrode des Transistors 160 herrschte, stand 230 in der ZF-Verstärkerstufe 104 macht. Man

   was etwa 0,55 Volt für den Basis-Emitter-Übergang kann also auf diese Weise erreichen, daß.der den

   jedes dieser Transistoren entspricht. Eine solche 55 Widerstand 216 durchfließende Gleichstrom unab-

   Potentialdifferenz bewirkt, daß die Transistoren 158, hängig von der Regelung konstant bleibt und die

   160 etwas leiten und die verwendeten Siliciumtran- Vorspannungen der folgenden ZF-Verstärkerstufen

   sistoren in dem für eine Demodulation erforderlichen 106, 108, die deren Arbeitspunkte bestimmen, nicht

   Kennlinienbereich arbeiten. Es zeigt sich, daß der geändert werden.

   Widerstand 218, wenn er in der oben angegebenen 60 ^

   Weise bemessen ist, sehr viel größer ist als der Patentansprüche:
   effektive Widerstand am Verbindungspunkt der

   Emitterelektroden der Transistoren 176, 180. Aus 1. Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregc-

   diesem Grunde braucht an den Verbindungspunkt lung und zur Stabilisierung des Arbeitspunktes

   der Emitterelektroden der Transistoren 176,180 kein 65 des Demodulators für eine amplitiidenmodulicrte

   Abieilkondensator angeschlossen /u werden, da auch Triigerschwingung gegen Speisespanmmgssehwan-

   ohne einen solchen Kondensator das an der Emitter- klingen in einem Funkempfängcr, bei dem der

   elektrode des Demodulator-Transistors 160 vornan- Trügerfrequenzverstärker eine einer Glcich-

   Spannungskomponente überlagerte modulierte Trägerschwingung über eine Gleichspannungskopplung an den Demodulator liefert und der Demodulator über eine weitere Gleichspannungskopplung mit einer Regelspannungserzeuger- schaltung zur Gewinnung einer der Trägerspannung entsprechenden und dem Trägerfrequenzverstärker zugeführten Regelspannung verbunden ist, gekennzeichnet durch eine auf • Schwankungen der Speisespannung ansprechende Stabilisierungsschaltung (110), welche ein diesen Schwankungen etwa proportionales Korrektursignal an die Regelspannungserzeugerschaltung (114) und den Demodulator (112) zur Stabilisierung von deren Arbeitspunkten gegen Auswir-,15 kungen der Speisespannungsschwankungen liefert.
2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Demodulator (112) mindestens einen Transistor (158 oder 160) enthält, dessen Basis die Trägerfrequenzschwingung und dessen Emitter das Korrektursignal zugeführt wird und dessen Kollektor mit der Speisespannungsquelle verbunden ist.
3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Demodulator (112) an Stelle eines einzigen Transistors zwei in Darlington-Schaltung zusammengeschaltete Transistoren (158, 160) enthält.
4. 4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stabilisierungsschaltung (HO) einen Transistor (194) enthält, dessen Kollektor an der Speisespannung liegt, dessen Emitter mit dem Korrektursignaleingang des Demodulators (112) gekoppelt und dessen Basis mit einer zweiten Gleichspannungsquelle (Kollektor des Transistors 192) gekoppelt ist, welche eine Spannung liefert, die um(N—l)V_be Volt kleiner ist als die Gleichspannungskomponente der Trägerschwingung im signallosen Zustand, wobei N die Anzahl der Transistoren im Demodulator (112) und V_be der mittlere Basis-Emitter-Spannungsabfall des als Verstärker geschalteten Transistors ist.
5. 5. Schaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerfrequenzverstärker (104,106,108), der Demodulator (112) und die Stabilisierungsschaltung (110) als integrierte Schaltung (100) aufgebaut sind.
6. 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerfrequenzverstärker (104, 106, 108) als Gleichspannungsverstärker ausgebildet ist und mindestens einen ersten, zweiten und dritten Transistor (140, 142, 144) enthält, daß der Demodulator (112) einen vierten und fünften Transistor (158, 160) enthält, daß die Stabilisierungsschaltung einen sechsten Transistor (176) enthält, daß eine Gleichstromverbindung zwischen den Kollektorelektroden des ersten, dritten, vierten, fünften und sechsten Transistor zu einer ersten Potentialklemme (204) besteht, daß eine Gleichstrom- ; Verbindung von der Kollektorelektrode des zweiten Transistors (142) zur Basiselektrode des dritten Transistors (144) mit der Basiselektrode des vierten Transistors (158) gleichstromgekoppelt ist, daß die Emitterelektrode des vierten Transistors (158) mit der Basiselektrode des fünften Transistors (160) gleichstromgekoppelt ist, daß die Basiselektrode des sechsten Transistors (176) mit einer dritten Potentialklemme (Emitterelektrode des Transistors 192) gekoppelt ist, daß ein erster Widerstand (230) zwischen die Emitterelektroden des ersten und zweiten Transistors (140, 142) und eine zweite Potentialklemme (206) geschaltet ist, daß ein zweiter Widerstand (216) zwischen die Kollektorelektrode des zweiten Transistors (142) und die erste Potentialklemme (204) geschaltet ist, daß ein dritter Widerstand zwischen die Emitterelektrode des dritten Transistors (144) und die zweite Potentialklemme (206) geschaltet ist, daß ein vierter Widerstand zwischen die Emitterelektrode des sechsten Transistors (166) und die zweite Potentialklemme (206) geschaltet ist, daß ein fünfter Widerstand (218) zwischen die Emitterelektrode des sechsten Transistors (176) und die Emitterelektrode des fünften Transistors (160) geschaltet ist, daß ein sechster Widerstand zwischen die Basiselektrode des zweiten Transistors (142) und eine vierte Potentialklemme geschaltet ist, daß der ersten Potentialklemme (204) eine Betriebsspannung (+) zuführbar ist, daß .der zweiten Potentialklemme (206) eine Bezugsspannung zuführbar ist, daß der dritten Potentialklemme (Emitter des Transistors 192) ein Potential zuführbar ist, das etwa gleich der Hälfte der Betriebsspannung abzüglich des Basis-Emitter-Spannungsabfalles des 'vierten oder fünften Transistors (158, 160), wenn diese als aktive Bauelemente in einer Verstärkerschaltung arbeiten, ist, daß der vierten Potentialklemme ein Potential zuführbar ist, das im wesentlichen gleich der Hälfte der Betriebsspannung ist, und daß der Basiselektrode des ersten Transistors (140) ein Eingangssignal zuführbar ist, das eine Wechselspannungskomponente enthält, die einer Gleichspannungskomponente überlagert ist, welche wenigstens annähernd die gleiche Spannung hat, wie sie an der Basiselektrode des zweiten Transistors (142) hat.

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