DE1186115B - Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor - Google Patents

Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor

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DE1186115B
DE1186115B DES87486A DES0087486A DE1186115B DE 1186115 B DE1186115 B DE 1186115B DE S87486 A DES87486 A DE S87486A DE S0087486 A DES0087486 A DE S0087486A DE 1186115 B DE1186115 B DE 1186115B
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Germany
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oscillating mixer
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Horst Pelka
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT Internat. KL: H03d Deutsche KL: 21 a4- 24/01
Nummer: Aktenzeichen: Anmeldetag: Auslegetag:
S87486IXd/21a4
24. September 1963
28. Januar 1965
Bei der Dimensionierung einer selbstschwingenden Mischstufe mit Transistor, welche insbesondere für das UHF-Gebiet Verwendung finden soll, sind unter anderem folgende Bedingungen zu erfüllen:
Erstens soll der Eingang der Mischstufe für die Zwischenfrequenz einen guten Nebenschluß darstellen;
zweitens soll wegen guter thermischer Stabilität und weitgehender Unabhängigkeit von Exemplarstreuungen der Emittervorwiderstand des Transistors möglichst groß sein;
schließlich soll drittens die Zeitkonstante des RC-Gliedes, welche durch den Emittervorwiderstand und den Emittererdungskondensator gebildet wird, möglichst klein gewählt werden, um Pendelschwingungen zu verhindern.
Diese drei Forderungen lassen sich nun nicht gleichzeitig erfüllen, da sich die ersten beiden zusammen und die dritte konträr gegenüberstehen.
Man kommt daher nicht umhin, entweder bestimmte Forderungen auf Kosten der anderen so gut wie möglich zu erfüllen oder aber eine Kompromißlösung, welche allen drei Forderungen mit gewissen Toleranzen gerecht wird, anzustreben.
Erfindungsgemäß wird zur Lösung des Problems im Sinne eines guten Kompromisses in bezug auf alle drei Forderungen eine selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor, insbesondere für das Ultrahochfrequenzgebiet, angegeben, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß im Emitterkreis des Transistors eine Aufspaltung des Emittervorwiderstandes und der diesen Widerstand bei Hochfrequenz überbrückenden Kapazität derart vorgenommen ist, daß im Emitterkreis zwei Zeitkonstanten wirksam sind.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird das erste .RC-Glied mit großer Zeitkonstante durch den Durchführungskondensator für die Emittervorspannung und einen vorgeschalteten Widerstand gebildet; das zweite .RC-Glied mit kleiner Zeitkonstante besteht aus einem weiteren in Reihe zum ersten RC-Glied liegenden Widerstand und einer auf den Widerstand folgenden, gegen Masse geschalteten Kapazität.
An Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert.
Die Figur zeigt in stark vereinfachter Darstellung die selbstschwingende Mischstufe, wobei die Eingangsverstärkerstufe für die empfangene Hochfrequenz und die nachfolgende ZF-Stufe aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht mit dargestellt sind. Die selbstschwingende Mischstufe wird durch den Transistor T gebildet, in dessen Ausgang über die Kapazität C 4 als frequenzbestimmendes Element für die Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor
Anmelder:
Siemens &Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Horst Pelka, München
Oszillatorfrequenz der Leitungskreis Z mit der variablen Kapazität C 3 gegen Erde liegt. Im Eingang (Emitterzuleitung) liegt eine induktive Koppelschleife L und dazu in Reihe die i?C-Glieder R1,
as Cl und Rl, C2. An der Klemme 1 wird die Emittervorspannung zugeführt. Die Basisstromversorgungsschaltung ist, da sie nicht erfindungswesentlich ist, ebenfalls nicht dargestellt.
Das Hochfrequenzsignal wird über die induktive Koppelschleife L eingespeist, was symbolisch durch den Pfeil mit der Bezeichnung HF dargestellt ist. Die Zwischenfrequenz ZF wird über die Drossel DrI auf die ZF-Stufen gegeben.
Durch die erfindungsgemäße Aufspaltung des RC-Gliedes im Emitterkreis werden zwei wirksame Zeitkonstanten erzielt.
Die oben angeführte erste Bedingung, daß der Eingang der Mischstufe für die Zwischenfrequenz einen guten Nebenschluß darstellen soll, wird durch die Kapazität C 2 in Verbindung mit der Induktivität L erfüllt. Die weiterhin erwähnte zweite Bedingung, welche eine gute Temperaturstabilisierung und Eliminierung von Exemplarstreuungen fordert, wird durch die Widerstände R1 und R2 erfüllt. Schließlich wird die dritte Forderung nach einer kleinen Zeitkonstanten aus Emittervorwiderstand und Emittererdungskondensator durch das RC-GliedR2, Cl erfüllt. Die diesem i?C-Glied vorgeschaltete größere Zeitkonstante, welche durch die Kapazität Cl und den Widerstand Rl gebildet wird, schadet jedoch der kleinen Zeitkonstanten nicht, sondern bewirkt eine grobe Einstellung des Arbeitspunktes, während die
409770/275
Feineinstellung durch das Glied mit der kleinen Zeitkonstanten besorgt wird.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor, insbesondere für das Ultrahochfrequenzgebiet, dadurch gekennzeichnet, daß im Emitterkreis des Transistors eine Aufspaltung des Emittervorwiderstandes und der diesen Widerstand bei Hochfrequenz überbrückenden Kapazität derart vorgenommen ist, daß im Emitterkreis zwei Zeitkonstanten wirksam sind.
ι 2. Selbstschwingende Mischstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste i?C-Glied mit großer Zeitkonstante durch den Durchführungskondensator für die Emittervorspannung und einen vorgeschalteten Widerstand gebildet wird.
3. Selbstschwingende Mischstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite ÄC-Glied mit kleiner Zeitkonstante durch einen weiteren in Reihe zum ersten RC-Glied liegenden Widerstand und eine auf den Widerstand folgende, gegen Masse geschaltete Kapazität gebildet wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DES87486A 1963-09-24 1963-09-24 Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor Pending DE1186115B (de)

Priority Applications (6)

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CH821964A CH422909A (de) 1963-09-24 1964-06-23 Selbstschwingende Mischstufe mit Transistor
NL6410439A NL6410439A (de) 1963-09-24 1964-09-08
US397913A US3462690A (en) 1963-09-24 1964-09-21 Self-oscillating transistor mixer having two rc members in emitter circuit
FR989035A FR1409638A (fr) 1963-09-24 1964-09-23 étage changeur de fréquence et oscillateur local à un seul transistor
GB38713/64A GB1074156A (en) 1963-09-24 1964-09-23 Improvements in or relating to frequency changers circuits

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GB (1) GB1074156A (de)
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Also Published As

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US3462690A (en) 1969-08-19
GB1074156A (en) 1967-06-28
CH422909A (de) 1966-10-31
NL6410439A (de) 1965-03-25

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