DE2935919C2 - - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04B3/00—Line transmission systems
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung
mit wenigstens zwei Transistoren, die galvanisch miteinander
gekoppelt sind, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine
derartige Verstärkerschaltung ist bekannt (DE-
Buch "Halbliter-Schaltungstechnik" V. U. Tietze
u. Ch. Schenk, 3. Auflage, 1974, S. 142, 143, insbes.
Abb. 8.2). Der Kollektor des ersten Transistors ist hierbei
mit der Basis des zweiten Transistors gekoppelt, und der Emitter
des zweiten Transistors oder der Emitter eines dem zweiten
Transistor nachgeschalteten Transistors eines Emitterfolgers ist, vorzugsweise
über einen Widerstand, mit der Basis des ersten Transistors verbunden.
Eine Schaltung, die nach diesem Prinzip aufgebaut ist,
ist in Fig 2 der Zeichnung dargestellt. Diese Schaltung hat
die Eigenschaft, daß sich in Folge der stabilisierenden Wirkung
der U BE -Spannungen der Transistoren ein fester Kollektorstrom
durch den zweiten Transistor einstellt, der im wesentlichen unabhängig von
der Höhe der Betriebsspannung der Verstärkerschaltung ist.
Der Aussteuerbereich der Verstärkerschaltung wird am besten
ausgenutzt, wenn die Gleichspannung am Kollektor des zweiten
Transistors etwa die halbe Betriebsspannung beträgt. Die bekannte Schaltung
hat jedoch die Eigenschaft, daß der Spannungsabfall am
Widerstand 7 bei Betriebsspannungsänderungenn sich in Folge
der erwähnten stabilisierenden Wirkung der U BE -Spannungen nicht
ändert. In Folge dessen ist die Aussteuerbarkeit der Verstärkerschaltung
bei unterschiedlichen Betriebsspannungen verschieden.
Der Aussteuerbereich kann daher bei der Anwendung in Geräten
mit schwankender Versorgungsspannung nicht voll ausgeschöpft
werden. Relativ starke Schwankungen der Versorgungsspannung
können beispielsweise bei Geräten mit Batteriestromversorgung
auftreten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die nach dem beschriebenen
Prinzip aufgebaute Verstärkerschaltung so abzuwandeln,
daß der Arbeitspunkt der Schaltung sich unterschiedlichen
Werten der Betriebsspannung angleicht.
Diese Aufgabe wird bei einer Verstärkerschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch die im
Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebene Schaltungsmaßnahme
gelöst. Im folgenden wird die Erfindung an Hand
zweier Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 2 eine in bekannter Weise aufgebaute Verstärkerschaltung
Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung und
Fig. 4 ein Diagramm zur Verdeutlichung der Wirkung der Schaltungen
gemäß Fig. 1 und 3.
Zunächst sei an Hand von Fig. 2 eine Verstärkerschaltung beschrieben,
die in bekannter Weise aufgebaut ist. Der erste
Transistor 1 des Verstärkers ist mit seinem Kollektor mit der
Basis des zweiten Transistors 2 des Verstärkers galvanisch
gekoppelt. Der Transistor 1 hat einen Kollektorwiderstand 5
und einen Emitterwiderstand 6. Das Eingangssignal des Verstärkers
wird von einer Eingangsklemme 10 über einen Kondensator
3 der Basis des Transistors 1 zugeführt. Der Transistor
1 erhält an seiner Basis über einen Widerstand 4 von dem Emitter
des Transistors 2 eine Vorspannung, die der Spannung am Emitterwiderstand
9 des Transistors 2 entspricht. In der Kollektorleitung
des Transistors 2 liegt ein Widerstand 7, von dem über
einen Koppelkondensator 8 das Ausgangssignal zur Ausgangsklemme
11 geleitet wird. Die von einer Batterie gelieferte Versorgungsspannung
U Bat des Verstärkers wird über eine Klemme 12 zugeführt.
Der Widerstand 5 der Schaltung in Fig. 2 hat beispielsweise
den Wert 100 kΩ und der Widerstand 6 den Wert 100 Ω.
Bei der beschriebenen Schaltung gilt in guter Näherung für
die Emitterspannung des Transistors 2 folgende Beziehung:
Darin bedeuten
U BE1
die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 1,
R
E1
der Emitter-Widerstand 6 des Transistors 1 und
R
C1
der Kollektor-Widerstand 5 des Transistors 1.
Es kann angenommen werden, daß der Spannungsabfall am Widerstand
4 in Fig. 2 vernachlässigbar klein ist und die U BE -Spannungen
der Transistoren konstant sind. Der Teil
der obigen Beziehung ist ebenfalls vernachlässigbar
gering, da das Verhältnis
bei üblicher Dimensionierung
gemäß dem obigen Beispiel für diese Widerstände nur etwa 10-3 beträgt. Somit ist die Spannung U E2 als konstant anzusehen.
Sie ist gleich U BE . Infolgedessen ist auch der durch den Widerstand
9 und damit durch den Transistor 2 fließende Strom konstant
und unabhängig von der Batteriespannung U Bat.
Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung unterscheidet sich von
der Schaltung in Fig. 2 nur dadurch, daß zwischen die Versorgungsspannung
und den Emitter des Transistors 1 eine Impedanz
geschaltet ist. Für die Impedanz ist in Fig. 1 ein Widerstand
13 gewählt. Durch diese Maßnahme ergibt sich für die
Emitter-Spannung U E2 des zweiten Transistors folgende neue
Beziehung:
Darin ist R der Wert des Widerstandes 13.
Diese Beziehung läßt erkennen, daß die Emitter-Spannung U E2
jetzt wesentlich von der Größe der Versorgungsspannung U Bat
abhängt. Die Wirkung der Impedanz 13 auf das Verhalten der
Schaltung ist in Fig. 4 verdeutlicht. Dort ist die Abhängigkeit
der Emitter-Spannung U E2 des zweiten Transistors 2 von
der Versorgungsspannung U Bat wiedergegeben. Es ist zwischen
Fällen a bis d unterschieden. Im Fall a ist die Schaltung
gemäß Fig. 2 zugrunde gelegt. Man erkennt, daß die Emitter-
Spannung U E2 sich nicht mit der Versorgungsspannung ändert.
Im Fall b ist - die Schaltung nach Fig. 1 zugrunde gelegt - der Teil
mit 0,1 und im Fall c mit
0,5 angenommen. Im Fall b erhöht sich bei
einer Verdopplung von U Bat von 6 auf 12 V die Spannung U E2
um das 1,46-fache und im Falle c um das 1,81-fache. Angestrebt
ist eine proportionale Änderung mit der Versorgungsspannung,
weil dann die Kollektorspannung des Transistors 2
auf den halben Wert der Versorgungsspannung gehalten wird.
Gegenüber der Schaltung nach Fig. 2 weist die Schaltung nach
Fig. 1 jedoch, wie die genannten Beispiele zeigen, Vorteile
auf.
Besonders vorteilhaft ist eine Schaltung, bei der gemäß Fig. 3
die Impedanz durch eine Reihenschaltung aus einem Widerstand
15 und einem spannungsstabilisierenden Element, z. B. einer
Zenerdiode 14, gebildet wird.
Die Zenerspannung der Zenerdiode 14 wird mit Vorteil so gewählt,
daß die Impedanz bei Versorgungsspannungen unterhalb
der niedrigsten auftretenden Versorgungsspannung nicht wirksam
ist. Bis zu dieser niedrigsten Spannung bleibt die Zenerdiode
14 bei dieser Bemessung gesperrt, so daß die Emitter-
Spannung U E2 noch nicht beeinflußt wird. Bei der niedrigsten
Versorgungsspannung ist U E2 entsprechend dem Fall a in Fig. 4
gleich dem Wert U BE . Für die Emitter-Spannung U E 2 gilt bei der
Schaltung nach Fig. 3 folgenden Beziehung:
Durch bestimmte Wahl des Wertes für den Widerstand 15 in Fig.
3 und der Zenerspannung der Zenerdiode 14 kann erreicht werden,
daß sich die Emitter-Spannung U E2 proportional mit der Versorgungsspannung
ändert. Im folgenden sei ein Bemessungsbeispiel
angegeben, bei dem dieses Ziel erreicht wird. Es ist
vorausgesetzt, daß die Versorgungsspannung sich zwischen 6 V
und 12 V ändern kann.
Widerstand 6:100 Ω
Widerstand 15:ca. 750 Ω
Zenerspannung:6,0 V
Für U BE wird eine konstante Spannung von 0,7 V angenommen.
Bei dieser Bemessung ändert sich, wie die zugehörige Gerade
d in Fig. 4 erkennen läßt, die Spannung U E2 gerade proportional
zur Versorgungsspannung. Damit ist auch gewährleistet, daß
die Kollektorspannung U C2 sich proportional mit der Versorgungsspannung
ändert, wodurch bei allen vorkommenden Versorgungsspannungen
eine optimale Aussteuerbarkeit erreicht wird. Zur
Unterdrückung des Eigenrausches der Zenerdiode 14 ist letztere
mit einem Kondensator 16 überbrückt.
Claims (4)
1. Verstärkerschaltung mit mindestens zwei galvanisch gekoppelten Transistoren,
bei welcher der Kollektor des ersten Transistors mit der
Basis des zweiten Transistors galvanisch gekoppelt ist
und bei welcher der Basis des ersten Transistors eine Vorspannung
vom Emitter des zweiten oder eines nachfolgenden
Transistors zugeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Impedanz (13) von einem Schaltungspunkt (U Bat ), dessen Potential
sich mit der Betriebsspannung der Verstärkerschaltung
ändert, zum Emitter des ersten Transistors (1) geschaltet
ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Impedanz durch eine
Reihenschaltung aus einem Widerstand (15) und einem stabilisierenden
Element (14) gebildet ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das stabilisierende Element
eine Zenerdiode (14) ist.
4. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Impedanz so dimensioniert
ist, daß bei Batteriespannungsänderungen der Strom
durch den zweiten Transistor sich im wesentlichen proportional
zur Betriebsspannung verhält.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792935919 DE2935919A1 (de) | 1979-09-06 | 1979-09-06 | Verstaerkerschaltung mit direkt gekoppelten transistoren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792935919 DE2935919A1 (de) | 1979-09-06 | 1979-09-06 | Verstaerkerschaltung mit direkt gekoppelten transistoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2935919A1 DE2935919A1 (de) | 1981-09-10 |
DE2935919C2 true DE2935919C2 (de) | 1988-06-01 |
Family
ID=6080128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792935919 Granted DE2935919A1 (de) | 1979-09-06 | 1979-09-06 | Verstaerkerschaltung mit direkt gekoppelten transistoren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2935919A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2484171A1 (fr) | 1980-06-04 | 1981-12-11 | Commissariat Energie Atomique | Amplificateur lineaire hybride ultra-rapide |
-
1979
- 1979-09-06 DE DE19792935919 patent/DE2935919A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2935919A1 (de) | 1981-09-10 |
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Legal Events
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