DE2226223C3 - Temperaturstabiler Oszillator - Google Patents

Description

PNP-Transistor ist, und daß die an den ersten (17) und an den dritten (lü) Spannungsversorgungsanschluß angelegten Potentiale ein erstes bzw. zweites positives Potential umfassen, wobei das zweite Potential um einen Betrag größer ist als das erste Potential, der mindestens gleich ist dem Spannungsabfall am Emitter-Kollektor-Übergang des dritten Transistors (40), wenn er gesättigt ist, und am Basis-Emitter-Übergang des vierten Transistors (44) abzüglich des Spannungsabfalls am Kollektor-Emitter-Übergang des vierten Transistors (44), wenn dieser gesättigt ist.

5. Oszillator nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen fünften Widerstand (49), der den zweiten Emitter (46) des vierten Transistors (44) mit der zweiten Verbindung (36) verbindet, wobei der Widerstandswert des fünften Widerstandes (49) wesentlich geringer ist als der Widerstarrdswert des vierten Widerstandes (35) und wobei die Größe des Widerstandswertes des dritten Widerstandes (47) wesentlich geringer ist als die Größe des Widerstandswertes des ersten Widerstandes (31).

6. Oszillator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens der eiste (20). zweite (21). dritte (40) und vierte (44) Transistor und der erste (31), zweite (32), dritte (47) und fünfte Widerstand (49) einen integrierten Schaltkreis bilden und daß der dritte Transistor (40) ein Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistor ist, der einen ersten (41) und einen zweiten (42) Kollektor aufweist, wobei der erste Kollektor (41) mit der Basis des vierten Transistors (44) verbunden ist und wobei der zweite Kollektor (42) mit der Basis des dritten Transistors (40) und dem Kollektor des zweiten Transistors (21) verbunden ist.

7. Oszillator nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Last (49,34,35 oder 47,32) zwischen dem Emitter des vierten Transistors (44) und dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß (14) angeschlossen ist und daß ein Schaltkreis (19) ein sich änderndes Potential an die Basis des dritten Transistors (40) anlegt, um den dritten Transistor (40) in Übereinstimmung damit leitend oder nichtleitend zu machen.

Die Erfindung betrifft einen temperaturstabilen Oszillator mit einem Zeitsteuernetzwerk und einem Schaltnetzwerk, der einen ersten und einen zweiten Spannungsversorgungsanschluß aufweist, sowie einen ersten Schaltkreis, um eine erste Versorgungsgleichspannung zwischen den ersten und zweiten Spannungsversorgungsanschluß zu schalten, einen ersten und einen zweiten Widerstand, die an einer ersten Verbindung miteinander verbunden und in Serie zwischen den ersten und den zweiten Spannungsversorgungsanschluß geschaltet sind, einen ersten und einen zweiten Transistor mit Emitter-, Basis- und Kollektorelektroden, deren Emitter mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß gekoppelt sind, wobei der Kollektor des ersten Transistors mit dem ersten Spannungsversorgungsanschluß und die Basis des zweiten Transistors mit der ersten Verbindung verbunden ist, wobei das Zeitsteuernetzwerk zwischen den zweiten Spannungsversorgungsanschluß und eine zweite Verbindung an der Basis des ersten Transistors geschaltet ist und eine zeitabhän-

gige Steuerspannung liefert.

Oszillatoren dieser Art werden· vielfach angewendet, zum Beispiel bei Taktgeneratoren für Datenübertragungssysteme, in Ablenkoszillatoren bei Fernsehempfängern, aber auch bei Bezugsoszillatoren für die induktionsfreien Dekoder von Stereo-FM-Radioempfängern. Die US-PS 34 32 772 stellt beispielsweise einen derartigen Impulsgenerator dar, der ein ÄC-GIied, einen Differenzverstärker und weitere Transistoren zwischen dem Differenzverstärker und dem Ausgang aufweist.

Auch die US-PS 33 64 441 offenbart einen Impulsgenerator, der als wesentliche Elemente ein ÄC-Glied, einen Differenzverstärker und eine monostabile Kippschaltung aufweist, wobei dieser Oszillator im Frequenzbereich von 1 bis 200 Herz arbeitet.

Der Nachteil dieser bekannten Oszillatoren liegt darin, daß sie gegenüber Schwankungen der Umgebungstemperatur recht empfindlich sinu, insbesondere wenn sie als monolithisch integrierter Baustein aufgebaut werden.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen monolithisch integrierten Oszillator zu schaffen, dessen Betriebseigenschaften im wesentlichen temperaturunabhängig sind.

Erfindungsgemäß wird diese Minimisierung von temperaturbedingten Änderungen der Betriebseigenschaften des Oszillators dadurch erreicht, daß ein zweiter Schaltkreis eine zweite Versorgungsgleichspannung, die größer als die erste Versorgungsgleic.ispannung ist, mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß und einem dritten Spannungsversorgungsanschluß verbindet, daß ein dritter und ein vierter Transistor, die jeweils zumindest eine Emitter-, Basis- und Kollektorelektrode aufweisen, vorgesehen sind, wobei der Kollektor-Emitter-Weg des dritten Transistors zwischen dem dritten Spannungsversorgungsanschluß und der Basis des vierten Transistors liegt, der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des dritten Transistors und der Kollektor des vierten Transistors mit dem ersten Spannungsversorgungsanschluß verbunden ist, daß ein dritter Widerstand zwischen dem Emitter des vierten Transistors und der ersten Verbindung angeschlossen ist und daß ein Bauelement den Emitter des vierten Transistors mit der zweiten Verbindung verbindet.

Durch diese Anordnung wird vorteilhafterweise erreicht, daß die temperaturabhängigen Parameter der Basis-Emitter-Übergänge der in monolithisch integrierten Schaltkreis enthaltenen Transistoren im wesentlichen kompensiert werden. Erreicht wird dies dadurch, daß (s. F i g. 1) nach der Entladung des Kondensators 34 mittels des Transistors 44 dieser Kondensator sehr schnell wieder auf die Spannung VH aufgeladen wird, da der Transistor 44 von dem Transistor 40 getrieben wird, dessen Emitter an einem Versorgungspotential V2 liegt, das höher ist als das am Kollektor des Transistors 44 anliegende Versorgungspotential VI, und zwar mindestens um einen Betrag, der bei Sättigung der Transistoren 40 und 44 gleich dem Spannungsabfall am Emitterübergang des Transistors 40 und am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 44 abzüglich des Spannungsabfalls am Kollektor-Emitter-Übergang des Transistors 44 ist. Infolgedessen wird bei leitendem Transistor 40 der Transistor 44 in die Sättigung getrieben, und das an seinem Emittern 45 und 46 auftretende Potential ist im wesentlichen gleich dem niedrigeren Versorgungspotential Vl. Durch die Verhindunc des Emitters des Transistors 40 mit dem Versorgungspotential V2 und des Kollektors des Transistors 44 mit dem Versorgungspotential Vi können sich temperaturbedingte Änderungen dei Eigenschaften des Basis-Emitter-Überganges des den Ladevorgang des Kondensators 34 steuernden Transrstors 44 nur noch unwesentlich auswirken. Da die Basis der Emitterübergänge des Stromquellen-Transistors 23 und des Transistor-Schalters 19 durch bekannte Maßnahmen temperaturkompensiert sind und das

ίο hochtemperaturstabile ÄC-Glied 34, 35 außerhalb des integrierten Schaltkreis-Chips angeordnet ist, sind die Betriebseigenschaften des gesamten Oszillators weitgehend temperaturabhängig.
Weitere Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Darstellung eines Ausführungsbeispiels sowie aus der folgenden Beschreibung. Es zeigt

Fig. 1 ein detailliertes schematisches Diagramm einer vorzugsweisen Ausfuhrt.'ngsform der Erfindung' und

F i g. 2 und 3 Wellenformen, die an verschiedenen Punkten des Schaltkreises der Fig. 1 erscheinen.

In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäßer Oszillator, der für monolithisch integrierten Aufbau geeignet ist.

dargestellt, wobei der auf einem Chip unterzubringende monolithische Teil innerhalb von gestrichelten Linien eingeschlossen ist

Um die Gleichspannungs-Betriebspotentiale für den Oszillator zu liefern, ist eine primäre Quelle eines positiven Betriebspotentials B + (nicht gezeigt) mn einem Potential V2 an einen Anschluß 10 des integrierten Schaltkreises angeschlossen. Um ein stabilisiertes Potential von dieser Primärquelle zu erhalten, ist ein Spannungsteil in der Form eines Widerstandes 11 und einer Zenerdiode 12 zwischen dem Verbindungsstück 10 und einem Verbindungsstück 14 in Serie angeschlossen, wobei letzteres mit Masse verbunden ist. Das über der Zenerdiode 12 auftretende Potential ist verhältnismäßig konstant bei Veränderungen der Versorgungsspannung, die dem Verbindungsstück 10 zugeführt wird, und der Übergang zwischen dem Widerstand 11 und der Zenerdiode 12 ist mit der Basis einer NPN-Darlington-Emitter-Folgerschaltung 15 verbunden, die dann ein stabilisiertes Betriebspotential Vl an eine Leitung 17 liefert. Das Potential Vl bildet das primäre Betriebspoter lial für den Schaltkreis. Der im Oszillator verwendete primäre Schalter-Schaltkreis ist ein Differentialschalter 19 mit einem Paar von NPN-Transistoren 20 und 21. Der Betriebsstrom für den Differentialschalter 19 wird vor einem NPN-Stromquellen-Transistor 23 geliefert, dessen Kollektor mit den Emittern der Transistoren 20 und 21 verbunden ist und dessen Emitter über einen Emitter-Widerstand 25 mit dem geerdeten Verbindungsstück 14 verbunden iit. Die Basis des Stromquellen-Transistors 23 wird mit einem Vorspannungs-Potential versorgt, das über einer Diode 29 zwischen einem Spannungsteiler erzeugt wird, der aus zwei Transistoren 27 und 28 und der Diode 29 besteht, der in Serie zwischen der Leitung 17 und dem geerdeten Anschlußstück 14 angeschlossen ist. Die Verbindung zwischen der Anode der Diode 29 und dem Widerstand 28 ist mit der Basis des Transistors 23 verbunden, und die Diode 29 liefert ebenfalls eine Temperaturkompensation für den Basis-Emitter-Über gang des Transistors 23 in wohlbekannter Weise.

Der untere Schwellwert oder Schaltpunkt des Differentialschalters 19 wird durch zwei Spannungsteiler-Widerslände 31 und 32 erzeugt, die in Serie zwischen

der Leitung 17 und dem geerdeten Anschlußstück 14 angeschlossen sind, indem die Verbindung zwischen den Widerständen 31 und 32 mit der Basis des Transistors 21 verbunden wird. Das der Basis des Transistors 20 des Schalters 19 zugefiihrte Potential wird von einem Parallel-fiC-Zeitsteuernetzwerk erhalten, das einen Zeitsteuerkondensator 34 und einen Entladewiderstand 35 aufweist, der zwischen einem Verbindungsstück 36, das mit der Basis des Transistors 20 verbunden ist, und Masse angeschlossen ist. Der Kondensator 34 und der Widerstand 35 sind außerhalb des integrierten Schaltkreis-Chips angeordnet und werden so ausgewählt, daß sie hochtemperaturstabil sind.

Wenn es gewünscht wird, die Betriebsfrequenz des Oszillators zu verändern, kann der Widerstand 35 als ein ,₅ veränderlicher Widerstand vorgesehen werden, wie in der Zeichnung angedeutet. Dies ist jedoch nicht notwendig, wenn eine feste Betriebsfrequenz für den Oszillator gewünscht wird. Dann kann der Widerstand 35 einen festen Wert besitzen.

Man nehme an, daß der Kondensator 34 auf einen Wert aufgeladen ist und daß er sich nach Masse über den Widerstand 35 entlädt. In diesem Betriebszustand befindet sich die Spannung VC an dem Verbindungsstück 36 an irgendeinem mittleren Punkt zwischen den Spannungswerten VH und VL auf dem fallenden Abschnitt der in Fig. 2 angedeuteten Spannung. Die Spannung VL, die in Fig. 2 gezeigt ist, ist die untere Schwellspannung, die der Basis des Transistors 21 von dem Spannungsteiler 31, 32 zugeführt wird. Wenn die Spannung VC an diesem mittleren Wert liegt, ist die Spannung an der Basis des Transistors 20 größer als die Bezugsspannung, die der Basis des Transistors 21 zugeführt wird. Dies veranlaßt den Transistor 20, leitend zu werden, und der Transistor 21 ist nicht leitend, und der Schaltkreis verbleibt in diesem Zustand, bis die Spannung VCin die Nähe des Wertes der Spannung VL abfällt, die der Basis des Transistors 21 zugeführt wird. Wenn dieser Betriebszustand erreicht ist, beginnt der Transistor 21 zu leiten.

Eine positive Rückkopplungs-Schalter-Schaltung mit einem Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistor 40 und einem Dual-Emitter-NPN-Transistor 44 ist in dem Schaltkreis in einer positiven Rückkopplungsschleife mit den Transistoren 20 und 21 verbunden. Genauer gesagt ist der Kollektor des Transistors 21 mit der Basis des Transistors 40 verbunden, und einer der Kollektoren 42 des Transistors 40 ist ebenfalls mit seiner Basis verbunden, um eine Diode zu bilden, die zwischen dem Kollektor des Transistors 21 und dem B 4- - Verbindungsstück 10 angeschlossen ist. Der von dem Kollektor des Transistors 21 gezogene Strom macht den Lateral-PNP-Transistor 40 leitend, und der Kollektor 41 des Transistors 40 ist mit der Basis des Lateral-NPN-Transistors 44 verbunden, um den Transistor 44 in die Leitung zu treiben.

Der Kollektor des Transistors 44 ist mit der Leitung 17 verbunden, auf der die Spannung Vl erscheint, und die Beziehung zwischen den Spannungen Vl und V 2 ist so ausgewählt daß die Spannung V2 höher ist als die ^o Spannung V1 um mindestens einen Betrag, der gleich ist dem Spannungsabfall auf dem Kollektor-Emitter-Weg des Transistors 40. w.enn er gesättigt ist, und dem Basis-Emitter-Spannungsabfall (1 Φ) des Transistors 44 abzüglich dem Spannungsabfall auf dem Kollektor-Emitter-Weg des Transistors 44. wenn er gesättigt ist. Infolgedessen wird der Transistor 44 in die Sättigung getrieben, und das Potential, das an den Emittern 45 und 46 erscheint, ist im wesentlichen gleich der Spannung VI. so daß jede Veränderung in den Betriebseigenschaften des Basis-Emitter-Übergangcs des Transistors 44 von dem Schaltkreis beseitigt wird.

Wenn der Transistor 44 leitend gemacht wird, ist ein Widerstand 47 parallel verbunden mit dem Widerstand 31 über den Kollektor-Emitter-Übergang 45 des Transistors 44. Der Wert des Widerstandes 47 ist wesentlich niedriger als der Wert des Widerstandes 31 so daß bei leitendem Transistor 44 das der Basis des Transistors 21 zugeführte Potential wesentlich erhöht wird, wodurch der Transistor 21 schnell in die volle Leitung getrieben wird und bewirkt, daß der Transistor 20 abgeschaltet wird. Das Potential an der Basis des Transistors 21 mit leitendem Transistor 44 steigt dann auf einen Wert VH, wie in F i g. 2 und 3 gezeigt.

Zur gleichen Zeit erscheint an dem Emitter 46 des Transistors 44 ein Potential, das im wesentlichen gleich V1 ist, und dieses Potential wird über einen Widerstand mit einem verhältnismäßig niedrigen Widerstandswert 49 mit dem Verbindungsstück 36 verbunden, um den Kondensator 34 schnell auf die Spannung Vl zu laden Daher steigt die Spannung VC von einem Wert in der Nähe von VL in der Weise an, wie in dem ansteigenden Teil der Kurve der F i g. 2 gezeigt ist.

Wenn die an dem Verbindungsstück 36 erscheinende Spannung VC den Wert VH erreicht, beginnt der Transistor 20 wiederum zu leiten, und der Transistor 21 wird weniger leitend. Dies wiederum bewirkt, daß die Leitfähigkeit der Transistoren 40 und 44 verminder! wird. Die Verminderung der Leitfähigkeit des Transistors 44 bewirkt, daß das über den Widerstand 47 der Basis des Transistors 21 zugeführte Potential vermin dert wird, was wiederum zu einer regenerativen positiven Rückkopplungswirkung führt, die schnell der Transistor 20 zu voller Leitung bringt und der Transistor 21 nichtleitend macht. Die Betriebsfolge wire dann wiederholt, wenn der Kondensator 34 sich über den Widerstand 35 auf den Wert VL entlädt, der nun an der Basis des Transistors 21 als ein Bezugspotential durch den Spannungsteiler 31, 32 wieder hergestelli worden ist, da der Widerstand 47 an einen offenen Schaltkreis in der Form des nichtleitenden Transistors 44 angeschlossen ist.

Durch die Verwendung der differentiell verbundener Transistoren 20 und 21 in dem Schalter 19 besitzen die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 20 und 21 Eigenschaften, die mit der Temperatur wandern, so daC die Schalteigenschaften des Schalters 19 temperatur kompensiert sind mittels der angepaßten Differential-Transistoren 20 und 21. Eine Verbindung des Emitter« des Transistors 40 mit der Versorgungsspannung V2 und die Verbindung des Kollektors des Transistors 44 mit der Versorgungsspannung Vl verhindert, daC Veränderungen der Basis-Emitter-Übergangseigen schäften des Transistors 44 mit der Temperatur der Betrieb des Schaltkreises beeinflussen. Da die Konden sator-Entladezeit durch den Widerstand 35 so ausge wählt ist, daß sie viel langer ist als die Ladezeit durch den Widerstand V? 3. ist der Wert des Widerstandes R 2 klein verglichen mit dem Widerstandswert des Wider Standes 35. Infolgedessen wird die Oszillatorfrequen/ wirksam von dem Kondensator 34 und dem Widerstanc 35 bestimmt die als externe hochstabile Bauteil« ausgewählt sind, ohne das Auftreten von übermäßiger Temperaturabhängigkeiten, die von dem Wert de: inneren Widerstandes 49 verursacht würde. Wenn dei Widerstand 49 einen großen Wert hätte, könnter

Veränderungen in den Widerstandswert des Widerstandes 49 bei Veränderungen in der Umgebungstemperatur ein bedeutsamer Faktor für die Betriebsfrequenz des Schaltkreises sein, und es müßte dann irgendeine Kompensation vorgesehen werden.

Sowohl der untere wie auch der obere Schaltschwellwert VY/b/w. VL werden von den Widerstandsverhaltnissen bestimmt, die von den Werten der Widerslände 31, 32 und 47 bestimmt werden, und diese Schwellwerte sind feste Bruchteile der Versorgungsspannung Vl. Infolgedessen ist die Betriebsfrequenz des Oszillators im wesentlichen unabhängig von der an der Versorgungsleitung 17 erscheinenden Versorgungsspannung, so dab sogar bei Veränderungen dieser Spannung die Ausgangsfrequenz des Oszillators am Emitter des Transistors 45 im wesentlichen konstant ist. Die Ausgangswellenform, die an diesem Punkt in dem Schaltkreis an einem Ausgangsverbindungsstück 50 erscheint, ist in F i g. 3 gezeigt.

Die von dem Kollektor 42 des Transistors 40 gebildete Diode, die mit der Basis des Transistors verbunden ist, erzeugt einen bestimmten Stromgewinn für den Schaltkreis, der eine verhältnismäßig stabile Festlegung der Frequenzeigenschaften des Oszillators ermöglicht. Wenn diese wünschenswerten Eigenschaften, die von dieser Diode geliefert werden, im Schaltkreis nicht gewünscht werden, kann die Diode von dem Schaltkreis beseitigt werden. Durch die Verwendung eines Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistors kann eine derartige Diode jedoch leicht erreicht werden. Weiterhin ist durch Anwendung eines Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistors für den Transistor 40, wobei die zwei Kollektoren 41 und 42 so angeschlossen sind, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, und wobei der Kollektor 41 derartig ist, daß er einen größeren Strom führt als der Kollektor 42. ist ein erhöhter Antrieb für die Basis des Transistors möglich, während gleichzeitig eine ausreichende Frequenzantwort des Schaltkreises über den Transistor 4( aufrechterhalten wird. Diese Technik (Kollektor 4 größer als Kollektor 42) erlaubt, daß die Ströme in dei Eingangs-Transistoren 20 und 21 geringer sind, als e: nötig wäre, wenn die zwei Kollektoren 41 und 42 gleicl waren oder wenn der Transistor 40 ersetzt würde durct einen Transistor mit einem einzigen Kollektor und mi einer getrennten aber angepaßten Diode, die über den Basis-Emitter-Übergang angeschlossen ist, um einei Stromverstärkungsfaktor von Eins zu definieren.

Ein zusätzlicher Stromquellen-Transistor 51 is vorgesehen, wobei sein Kollektor mit der Verbindunj des Kollektors 41 des Transistors 40 mit der Basis de: Transistors 44 verbunden ist und dessen Emitter übe einen Emitter-Widerstand 52 mit dem geerdetet Verbindungsstück 14 verbunden ist. Das Basis-Vorspan nungspotential für den Transistor 51 wird von de Verbindung der Diode 29 mit dem Widerstand 2) erhalten, und der Transistor 51 liefert einen Abschalt strom an die Basis des Transistors 44. Die unlere Tabelli liefert eine Liste der Bauteilwerte, die in einen zufriedenstellend arbeitenden Schaltkreis verwende wurden:

Bauteil	Wert
Kondensator 34	68OpF
Widerstand 25	500 Ohm
Widerstand 31	6 Kiloohm
Widerstand 32	2 Kiloohm
Widerstand 35	15 Kiloohm
Widerstand 47	250 0hm
Widerstand 49	500 0hm
Widerstand 52	4.5 Kiloohm

Die Werte der obigen Bauteile sind lediglich zui Illustration gegeben. Es sind auch andere Werte möglich.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

609 640/159

Claims (4)

Patentansprüche: 22

1. Temperaturstabiler Oszillator mit einem Zeitsteuernetzwerk, und einem Schaltnetzwerk, tier einen ersten und einen zweiten Spannungsversorgungsanschluß aufweist, sowie einen ersten Schaltkreis, um eine erste Versorgungs-Gleichspannung zwischen den ersten und zweiten Span.iungsversorgungsanschluß zu schalten, einen eisten und einen zweiten Widerstand, die an einer ersten Verbindung miteinander verbunden und in Serie zwischen den ersten und den zweiten Spannungsversorgungsanschluß geschaltet sind, einen ersten und einen zweiten Transistor mit Emitter-, Basis- und Kolleklorclektroden, deren Emitter mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß gekoppelt sind, wobei der Kollektor des ersten Transistors mit dem «rsten Spannungsversorgungsanschluß und die Basis lies zweiten Transistors mit der ersten Verbindung verbunden ist, wobei das Zeitsteuernetzwerk zwitchen den zweiten Spannungsversorgungsanschluß Und eine zweite Verbindung an der Basis des ersten Transistors geschaltet ist und eine zeitabhängige Steuerspannung liefert, dadurch gekenn-K eich net, daß ein zweiter Schaltkreis (11, 12) «ine zweite Versorgungs-Gleichspannung, die größer als die erste Versorgungs-Gleichspannung ist. Wit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß f 14) und einem dritten Spannungsversorgungsan-Schluß (10) verbindet, daß ein dritter (40) und ein vierter Transistor (44), die jeweils zumindest eine Emitter-, Basis- und Kollektorelektrode aufweisen, vorgesehen sind, wobei der Kollektor-Emitter-Weg des dritten Transistors (<0) zwischen dem dritten Spannungsversorgungsanschluß (10) und der Basis des vierten Transistors (44) liegt, der Kollektor des zweiten Transistors (21) mit der Basis des dritten Transistors (40) und der Kollektor des vierten Transistors (44) mit dem ersten Spannungsversorgungsanschluß (17) verbunden ist, daß ein dritter Widerstand (47) zwischen dem Emitter (45) des vierten Transistors (44) und der ersten Verbindung angeschlossen ist und daß ein Bauelement (49) den Emitter (46) des vierten Transistors (44) mit der zweiten Verbindung (36) verbindet.

2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste (20), zweite (2)) und vierte (44) Transistor von einem LeitfähigkeitMyp sind und daß der dritte Transistor (40) von einem gegensätzlichen Leitfähigkeitstyp ist und daß das Zeitsteuernetzwerk (34,35) einen zeitsteuernden Kondensator (34) enthält, der parallel mit einem vierten Widerstand (35) zwischen dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß (14) und der zweiten Verbindung (36) angeschlossen ist.

3. Oszillator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der vierte Transistor (44) ein Dual-Emitter-Transistor ist, der einen ersten (45) und einen zweiten (46) Emitter aufweist, wobei der erste Emitter (45) durch den dritten Widerstand (47) mit der ersten Verbindung und der zweite Emitter (46) (über 49) mit der zweiten Verbindung verbunden ist.

4. Oszillator nach einem der Ansprüche I bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erst;' (20), zweite (21) und vierte (44) Transistor N PN Transistoren sind und daß der dritte Transistor (40) ein 223