AT25295B - Verfahren zur Herstellung künstlicher Gebisse. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung künstlicher Gebisse.

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AT25295B
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Wilhelm Schmidt
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Wilhelm Schmidt
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   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 
 EMI1.2 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 platte b mit einem Metall e von niederem Schmelzpunkt ausgegossen, ohne dass es nötig wäre, die Zähne mit Schutzplatten oder sonstigen Bcfcstigungsmitteln zu versehen. Der letzte Block der Zahnreihe wird-in dieser Weise befestigt, dass an seine Stelle etwas mehr Metall wie zu den vorhergehenden   gegeben wird.   Dieses wird sodann in Verbindung mit 
 EMI2.2 
 hioboi an den Rändern heraus und diese worden dann   anpoliert.   Durch nachfolgendes Schleifen und Polieren erhält sodann das in obiger Weise   voliendeto Stuck seine Fertig-   gestalt.

     Bei Oberstucken,   die im wesentlichen in genau derselben Weise wie die   Unterstucke   hergestellt werden, lässt man zur Gewichtsverminderung   Hohlräume   frei. 



   Die so hergestellten Gebisse zeichnen sich, neben den eingangs erwähnten Eigenschaften, durch   grosse   Dauerhaftigkeit aus, da ein Verbiegen oder Zerbrechen derselben infolge der Bogenspannkraft der Goldplatten ausgeschlossen erscheint.

Claims (1)

  1. PATENT-ANSPRUCH : Verfahren zur Herstellung künstlicher Gebisse, dadurch gekennzeichnet, dass durch EMI2.3 versehene Doppelplatte hergestellt wird, in welcher die Riockzähne nacheinander durch Einsetzen und Hintergiessen mit einem leicht schmelzbaron Bindemittel befestigt werden. EMI2.4
AT25295D 1905-09-11 1905-09-11 Verfahren zur Herstellung künstlicher Gebisse. AT25295B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19838148B4 (de) * 1997-11-21 2007-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19838148B4 (de) * 1997-11-21 2007-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

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