AT237683B - Verfahren zum epitaktischen Herstellen dünner einkristalliner Schichten aus halbleitenden Verbindungen - Google Patents
Verfahren zum epitaktischen Herstellen dünner einkristalliner Schichten aus halbleitenden VerbindungenInfo
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Description
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Verfahren zum epitaktischen Herstellen dünner einkristalliner
Schichten aus halbleitenden Verbindungen
EMI1.1
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erreicht, wenn gleichzeitig mit den genannten Substanzen ein kleiner Anteil von elementarem Selea ver- dampft wird. Hiefür ist ein dritter Verdampfer mit der genannten Substanz vorgesehen, der auf Tempera-
EMI2.1
2000CPATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zum epitaktischenHerstellen dünner einkristalliner Schichten aus halbleitenden Verbindungen, deren Komponenten im geschmolzenen Zustand einen wesentlich verschiedenen Dampfdruck aufweisen, durch gleichzeitiges Aufdampfen der einzelnen Komponenten auf einen Träger, dadurch gekennzeichnet, dass als Träger ein Einkristall vorgesehen ist, dessen Gitterkonstante mit derjenigen der aufzubringenden Substanz übereinstimmt oder in einem ganzzahligen Verhältnis steht, dass die Temperatur des Trägers zwischen der Kondensationstemperatur der leichtflüchtigen Komponenten einerseits und der schwer- flüchtigen Komponente und der Verbindung anderseits gewählt wird.
und dass dieEinfallsdichte des Dampfstrahles der leichtflüchtigen Komponenten so bemessen wird, dass über dem Träger ein Überschuss an der leichtflüchtigen Komponente vorliegt.
Claims (1)
- 2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Erzielen verschiedener Dotierungen während des Bedampfungsvorganges vorgegebene Mengen eines dritten, die Dotierung bewirkenden Elementes aus einem getrennten Tiegel innerhalb gewisser Zeiten mitverdampft werden. EMI2.2
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