AT217096B - Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von einkristallinem HalbleitermaterialInfo
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Description
<Desc/Clms Page number 1>
Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial
EMI1.1
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Sind für den fertigen Stab eine vorbestimmte Anzahl, beispielsweise 10, Zonendurchgänge erforderlich, so wird gewöhnlich mit jedem Zonendurchgang an der mit einer strichpunktierten Linie bezeichneten Stelle 20 am Ende des Impflings begonnen, und es werden 9 Zonendurchgänge ausgeführt. Mit dem letzten Zonendurchgang beginnt man dann an einer etwas höheren Stelle 21 des Stabes, beispielsweise um die Länge eines Stabdurchmessers oberhalb des Impflingsendes. An dieser Stelle 21 wird dann der fertige Stab abgesägt und der nächste zu behandelnde Stab angeschmolzen. Somit wurde der Impfling um dass Stück 22 verlängert. Ein Stück 23 von gleicher Länge kann am unteren Ende des Impflings abgetrennt werden.
EMI2.1
Ende aus einem hochgereinigten einkristallinem Material besteht.
Ferner ergibt dies Verfahren den besonderen Vorteil, dass es auch mit einer auf konstanten Strom regelnden Automatik vollständig durchgeführt werden kann, weil bei diesem Verfahren die Schmelzzone nicht über eine Stelle grösserer Querschnitts änderung des Stabes geführt wird.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen hochgereinigten Halbleiterstabes für elektronische Zwecke aus einem polykristallinen Stab durch tiegelfreies Zonenschmelzen mit Hilfe eines angeschmolzenen Keimkristalles, bei dem die Schmelzzone mehrfach, jeweils beginnend von der Anschmelzstelle des Keimkristalles in einer Richtung durch den Halbleiterstab der Länge nach hindurchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Beginn des letzten Zonendurchganges von der ADschmelzstelle des Keimkristalles weg an eine Stelle des Stabes mit weniger grossen Kristallgitterversetzungen gelegt wird.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Beginn des letzten Zonendurchganges an eine von der Anschmelzstelle des Keimkristalles um den Betrag von etwa einem Stabdurchmesser entfernte Stelle des Stabes gelegt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE217096X | 1959-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT217096B true AT217096B (de) | 1961-09-11 |
Family
ID=5830571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT28360A AT217096B (de) | 1959-04-22 | 1960-01-15 | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT217096B (de) |
-
1960
- 1960-01-15 AT AT28360A patent/AT217096B/de active
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