AT128567B - Verfahren zur Anreicherung von Gasen an Krypton und Xenon. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Anreicherung von Gasen an Krypton und Xenon. 



   Die schweren Edelgase Krypton und   Xenon (im nachfolgende n zusammenfassend Krypton genannt)     kommen   z. B. in der Luft nur in sehr geringer Konzentration vor. Zur Gewinnung von bzw. Anreicherung an diesen Gasen sind bis jetzt in der Hauptsache drei Verfahren bzw. deren   Kombination vorgeschlage-n   worden : fraktionierte Destillation, Adsorption und Diffusion durch poröse Wände oder durch ein Hilfsgas. Alle diese Verfahren sind aber umständlich und kostspielig durchzuführen, hauptsächlich wagen der zu geringen Konzentration dieser schweren Edelgase. 



   Vorliegende Erfindung befasst sich mit einem Verfahren   zur Anreicherung   von an Krypton   armen   Gasen an diesem, welches von obigen Verfahren völlig verschieden ist. Zum   Anreiehbi'n wird   die Erscheinung der thermischen Diffusion angewendet. Diese Erscheinung besteht darin, dass, wenn in einem mit einem Gasgemisch gefüllten Raume Temperaturdifferenzen vorhanden sind, diese   Konzentra-   tionsdifferenzen hervorbringen. Es wurde festgestellt, dass das Krypton immer zur kälteren Stelle strömt.

   Wenn also ein an Krypton armes Gas der   thermischen   Diffusion ausgesetzt wird und die kältere und die wärmere Fraktion gesondert aufgefangen werden, wird die Konzentration an Krypton in der kälteren Fraktion grosser sein als im ursprünglichen Gasgemisch ; das Gas ist also an Krypton angereichert. Durch Wiederholen dieses Verfahrens, sei es durch öfteres Durchleiten des Gases durch denselben Thermodiffusor oder durch Verwendung von mehreren kaskadenartig geschalteten Thermodiffusoren, kann selbstverständlich ein Gas von beliebigem Gehalt an Krypton hergestellt werden. 



   Für die gewerbsmässige Ausgestaltung des Verfahrens ist es wichtig, dass die thermische Diffusion nicht in geschlossenen Gefässen ausgeführt zu werden braucht, sondern das Gas den Diffusor kontinuierlich durchströmen kann. Der Diffusor muss in diesem Falle so ausgestaltet werden, dass der TemperaturgTadient auf die Strömungsrichtung des Gases senkrecht sei. Eine zweckdienliche Form hiezu ist eine Röhre mit einem Querschnitt in der Form eines   länglichen   Rechteckes, deren zwei parallele Seiten auf entsprechenden Temperaturen gehalten werden. 



   Für die   gewerbsmässige   Ausgestaltung des Verfahrens ist es aber noch wichtig, dass bei der thermisehen Diffusion im Gegensatz zu den üblichen Diffusionsverfahren unter hohem Drucke gearbeitet werden kann und dadurch grosse Gasmengen in   verhältnismässig   kleinen Apparaturen verarbeiete werden können. 
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 gases wie auch von den im Diffusor angewendeten Temperaturen ab. Dabei ist es   zweckmässig, möglichst   grosse Temperaturdifferenzen anzuwenden.

   In einer Ausführung erwies sich 3000 C als höhere   und 200 C     fis   tiefere Temperatur als günstig. 
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 des Vorganges, indem die angereicherte Fraktion im selben oder aber auch in einem andern Diffusor einer neueren thermischen Diffusion unterzogen wird, ein Endprodukt von beliebiger Konzentration gewonnen werden. 



   PATENT-ANSPRÜCHE : 
1. Verfahren zur Anreicherung von Gasen an Krypton und Xenon, dadurch   gekennzeichnet,   dass diese einer thermischen Diffusion unterzogen werden und die angereicherte Fraktion gesondert weggeleitet wird. 

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Claims (1)

1. 2. Ausführungsform des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, dass das anzu- reichende Gas unter einem Gasdruck von über 1 Atmosphäre durch den Thermodiffusor geleitet wird.

   3. Ausführungsform des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, dass das anzureichernde Gas im kontinuierlichen Betriebe durch den Thermodiffusor geleitet wird.

   4. Ausführungsform des Verfahrens nach den Ansprüchen 1, 2 und 3, gekennzeichnet durch kaskadenartige Schaltung von mehreren Thermodiffusoren. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.