AT106595B - Gegensprechzeichengebungsanlage mit Hochfrequenzströmen. - Google Patents
Gegensprechzeichengebungsanlage mit Hochfrequenzströmen.Info
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Description
<Desc/Clms Page number 1> EMI1.1 EMI1.2 Hochfrequenzströmen mit Trägerwelleu. Gemäss der Erfindung sind Geber und Empfänger gleichzetig mit einem Hochfrequenzzeichengebungskreis gekoppelt, wobei der Empfänger auf Ströme derjenigen Frequenz abgestimmt ist. die dem Zeichengebungskreis durch den Geber aufgedruckt werden. Der Geber tritt nur dann in Tätigkeit. wenn ihm eine Zeiehengebungsspannung aufgedruckt wird. Zeichengebungs- schwingungen werden durch einen Schwingungskreis erzeugt, der durch eine Impedanzvorrichtung wie EMI1.3 In der Zeichnung ist schematisch eine Schaltung veranschaulicht, die zur Ausführung der Erfindung dienen kann. Die Zeichnung veranschaulicht die Erfindung in ihrer Anwendung auf eine GegensprechTrägerwellenanlage für das Fernspreehen über die Leitung 1. Der Geber umfasst eine Elektronenröhre 2 mit drei Elektroden, welche als Wellenerreger dient, einen Verstärker 3, der zur Verstärkung der vom Rohr 2 erzeugten Wellen dient, ein Modufationsrohr J, EMI1.4 stärkung der vom Fernsprechsender erzeugten Sprechwellen dient und die verstärkten Sprechwellen in den Modulator 4 sendet, und eine Regelungsrohre 7. welche die Wirkung des Wellenerzeugers 2 regelt. Die für den Betrieb der verschiedenen Röhren des Gebers erforderlichen Spannungen werden von einem Generator 8 mit zwei Kollektoren, welcher zwei verschiedene Spannungen @ibt, geli@fert. Die niedrigere d'eser Spannungen wird an die Anoden der Röhren 2 und 5 gelegt, und die höhere an die Anoden der Röhren 3 und 4. Die Rohre 7 ist mit der Anodenzuleitung einer Wellenerzeugungsröhre in Reihenschaltung verbunden. Das Gitter der Röhre 7 liegt mit Hilfe einer Batterie 9 an einer negativen Spannung von solcher Höhe, dass der der Anodeuleitung des Wellenerzeugers 2 zugeführte Strom für gewöhnlich nicht ausreicht, um die Wellenerzeugung zu ermöglichen. EMI1.5 eines Transformators, von denen die erste in der Gitterleitung der Regelungsrohre 7 liegt und die letztere in der Gitterleitung der Modulationsrohre 4. Wird so eine Zeichengebungsspannung von Audionfrequenz der Gitterleitung der Regelungsröhre 7 aufgedrückt, so wird der negative Wert der Gitterspannung verringert und es kann dem Wellenerzeuger hinreichend viel Strom zugeführt werden, um Wellen zu erzeugen. Die erzeugten Wellen werden durch den Koppelungskondensator 'der Gitterleitung der Verstärkungs- röhre 3 zugeführt und die verstärkten Wellen werden durch die Röhre 4 moduliert. durch eine Kopelungs- EMI1.6 ist, ist mit einer abgestimmten Reihenkoppelungsleitung 18 gekoppelt, welche ihrerseits mit der Koppelungsleitung 14 über die Koppelungsspule 19 gekoppelt ist. Um die Empfängerröhre 16 gegen die Einwirkung von Spannungen zu schützen, die ihr durch die Gebereinrichtung aufgedrückt werden könnten, wenn die letztere in Tätigkeit ist, ist von dem Kopplungskreis 18 ein Weg abgezweigt, der für empfangene <Desc/Clms Page number 2> Ströme eine praktisch unendlich grosse Impedanz besitzt, dagegen e'ne verhältnismässig kleine für Ströme, die von der Gebervorrichtung dem Koppelungskreis. 18 abgedruckt werden. Dieser Weg besteht aus einer Elektronenröhre 20, deren Anode von der Batterie 21 eine kleine negative Ladung erhält. Werden Zeichenströme empfangen so ist die Impedanz der Röhre 20 praktisch unendlich gross. Es wird daher die Tätigkeit des Empfängers in keiner Weise beeinflusst. Ist dagegen der Geber in Tätigkeit und wird der Koppelungsleitung eine hohe Spannung aufgedruckt, so wird die Anode der Röhre 20 positiv und infolgedessen wird ihre Impedanz stark herabgedrückt. Daher wird ein grosser Teil der auf die Koppelungsleitung übertragenen Energie durch das Rohr 20 gehen, wodurch die Abstimmung der Koppelungsleitung teilweise geändert und ihre Impedanz vergrössert wird. Dadurch wird die der Empfängerröhre 16 aufgedrückte EMI2.1 geschützt und ist stets empfangsbereit und bereit, einlangende Zeichen wahrnehmbar zu machen, sobald der Geber ausser Tätigkeit tritt. Es ist im Vorstehenden bloss die Einrichtung für ein Ende der-Gegensprechzeichengebungsanlage beschrieben, die am andern Ende ist genau dieselbe. Die beschriebene Anlage eignet sich für jede Form EMI2.2 Empfänger, die gleichzeitig mit einer Zeichengebungsleitung gekuppelt sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Empfänger auf die Frequenz der von der Zeichengebungsleitung durch den Geber zugeführten Ströme EMI2.3 bindungen vorgesehen ist, welche auf eine Zeichengebungsspannung anspricht, um den Strom im Anodenkreis des Wellenerzeugers hinreichend weit zu verstärken, um die Erzeugung von Wellen zu ermöglichen.
Claims (1)
- 2. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Verbindungen vorgesehen sind, um dem Gitter der Regelungsvorrichtung eine Zeichengebungsspannung aufzudrücken, wodurch der Strom des Wellenerzeugers hinreichend weit gesteigert wird, um Wellen zu erzeugen.3. Anlage nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verstärkerröhre vorgesehen ist, um die vom Wellenerzeuger erzeugten Wellen zu verstärken.4. Anlage nach Anspruch l bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine l\1odu]ationsröhre vorgesehen ist, um die verstärkten Wellen zu modulieren.5. Anlage nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungen vorgesehen sind, um gleichzeitig eine Zeichengebungsspannung dem Gitter der Regelungsvonichtung und dem Gitter EMI2.4 stärkten Wellen moduliert werden können.6. Anlage nach Anspruch 1 bzw. 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Empfänger gegen Be- schädigung durch vom Geber ausgehenden Strom, durch eine Schutzvorrichtung gesichert ist, die eine hohe Impedanz Spannungen von der Grössenordnung entgegensetzt, auf welche der Empfänger ansprechen soll, dagegen e'ne verhältnismässig niedrige Impedanz den vom Geber ausgehenden Spannungen entgegensetzt.7. Anlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung eine im Nebenschluss liegende Elektronenröhre mit einer kleinen negativen Spannung an der Anode gegenüber der Kathode umfasst, wodurch sie eine hohe Impedanz aufweist, wenn der Geber nicht arbeitet, und eine verhältnismässig geringe Impedanz, wenn der Geber arbeitet.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US106595XA | 1924-11-25 | 1924-11-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT106595B true AT106595B (de) | 1927-06-10 |
Family
ID=21746780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT106595D AT106595B (de) | 1924-11-25 | 1925-09-28 | Gegensprechzeichengebungsanlage mit Hochfrequenzströmen. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT106595B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE767308C (de) * | 1936-05-15 | 1952-06-13 | Lorenz A G C | Verstaerker fuer eine Entfernungsmessanordnung |
-
1925
- 1925-09-28 AT AT106595D patent/AT106595B/de active
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| DE767308C (de) * | 1936-05-15 | 1952-06-13 | Lorenz A G C | Verstaerker fuer eine Entfernungsmessanordnung |
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