WO2022243791A1

WO2022243791A1 - 調光プログラム、発光装置、および照明装置

Info

Publication number: WO2022243791A1
Application number: PCT/IB2022/054356
Authority: WO
Inventors: 新宮崇史; 鈴木恒徳; 瀬尾哲史; 片桐治樹; 井上昇; 藤田一彦; 佐々木俊毅; 吉住英子
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-05-21
Filing date: 2022-05-11
Publication date: 2022-11-24
Also published as: KR20240013140A; JPWO2022243791A1; DE112022002727T5; CN117296454A

Abstract

人に安らぎを感じさせることのできる、新規な調光プログラムを提供する１／ｆゆらぎ特性を有する基本データを取得し、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を生成し、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を演算処理することで調光データを生成し、調光データに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる、調光プログラムを提供する。

Description

調光プログラム、発光装置、および照明装置

本発明の一態様は、調光プログラム、発光装置、および照明装置に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

ろうそくおよび暖炉の炎はゆらぎを有し、人に安らぎを感じさせる。このような自然の明かりのゆらぎを模した照明装置が開発されている。例えば、特許文献１には、ろうそくの炎の特定箇所の明るさを数値化することにより設定したデータに基づいて光源の光出力を変化させる照明装置が開示されている。

特開平９−１０６８９１

従来の自然の明かりのゆらぎを模した照明装置では、不自然なちらつきが発生し、安らぎを感じにくい場合があるという課題があった。また、点光源を使用することから、発光にむらが生じるという課題があった。

本発明の一態様は、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な調光プログラムを提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、リラックス効果のある、新規な調光プログラムを提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な発光装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、リラックス効果のある、新規な発光装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な照明装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、リラックス効果のある、新規な照明装置を提供することを課題とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を生成し、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を演算処理することで調光データを生成し、調光データに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる、調光プログラムである。

また、本発明の一態様は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘを生成し、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘと、を下記数式に従って演算処理することで調光データｙを生成し、調光データｙに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる、調光プログラムである。

ただし、上記数式において、ｙ_ｉは、調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸのｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｍａｘは、Ｘの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、Ｘの最小値を表し、ＵＬは、Ｘ成分の所定の上限値を表し、ＬＬは、Ｘ成分の所定の下限値を表し、ｘ_ｍａｘは、ｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、ｘの最小値を表し、Ａは、所定の寄与率を表す。

上記構成の調光プログラムにおいて、第１の平滑化データＸを生成する移動平均処理の区間は、第２の平滑化データｘを生成する移動平均処理の区間より大きいと好ましい。

また、本発明の一態様は、発光デバイスと、調光部を有する発光装置であって、調光部は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を生成し、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を演算処理することで調光データを生成し、調光データに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる機能を有する、発光装置である。

また、本発明の一態様は、発光デバイスと、調光部を有する発光装置であって、調光部は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘを生成し、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を下記数式に従って演算処理することで調光データｙを生成し、調光データｙに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる機能を有する、発光装置である。

上記構成の発光装置において、第１の平滑化データを生成する移動平均処理の区間は、第２の平滑化データを生成する移動平均処理の区間より大きいと好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有すると好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、発光デバイスの電界発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であると好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、発光デバイスの電界発光スペクトルのピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下に位置すると好ましく、より好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下である。また、最大ピーク波長が５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下であるとさらに好ましく、より好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下である。

また、上記各構成の発光装置において、発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅が、７０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であると好ましい。より好ましくは、７５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは８５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは９０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である。

また、上記各構成の発光装置において、発光デバイスのＣＩＥ色度（ｘ、ｙ）のｘが０．５８以上０．６３以下であり、ｙが０．３７以上０．４２以下であると好ましい。より好ましくは、ｘが０．５９以上０．６３以下であり、ｙが０．３７以上０．４１以下である。さらに好ましくはｘが０．５９以上０．６２以下であり、ｙが０．３８以上０．４１以下である。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、シェードと、を有し、シェードは、透光性の材料を有する、照明装置である。

また、本発明の一態様は、発光デバイスを有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

本発明の一態様により、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な調光プログラムを提供することができる。また、本発明の一態様により、リラックス効果のある、新規な調光プログラムを提供することができる。また、本発明の一態様により、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、リラックス効果のある、新規な発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、人に安らぎを感じさせることのできる、新規な照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、リラックス効果のある、新規な照明装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置を説明するフローチャートである。
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄは、本発明の一態様の発光装置が処理するデータを説明する図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、本発明の一態様の発光装置を説明する図である。
図４Ａおよび図４Ｂは、本発明の一態様の照明装置を説明する図である。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図６Ａおよび図６Ｂは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図７は、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図８は、発光装置１の外観写真である。
図９は、発光装置１における１／ｆゆらぎ特性を有する基本データのグラフである。
図１０は、発光装置１における第１の平滑化データおよび第２の平滑化データのグラフである。
図１１は、発光装置１における調光データのグラフである。
図１２は、実施例に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図１３は発光デバイス１および発光デバイス２の輝度−電流密度特性を示す図である。
図１４は発光デバイス１および発光デバイス２の電流効率−輝度特性を示す図である。
図１５は発光デバイス１および発光デバイス２の輝度−電圧特性を示す図である。
図１６は発光デバイス１および発光デバイス２の電流−電圧特性を示す図である。
図１７は発光デバイス１および発光デバイス２の外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図１８は発光デバイス１および発光デバイス２の発光スペクトルを示す図である。
図１９は発光デバイス３の輝度−電流密度特性を示す図である。
図２０は発光デバイス３の電流効率−輝度特性を示す図である。
図２１は発光デバイス３の輝度−電圧特性を示す図である。
図２２は発光デバイス３の電流−電圧特性を示す図である。
図２３は発光デバイス３の外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図２４は発光デバイス３の発光スペクトルを示す図である。
図２５は発光デバイス４の輝度−電流密度特性を示す図である。
図２６は発光デバイス４の電流効率−輝度特性を示す図である。
図２７は発光デバイス４の輝度−電圧特性を示す図である。
図２８は発光デバイス４の電流−電圧特性を示す図である。
図２９は発光デバイス４の外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図３０は発光デバイス４の発光スペクトルを示す図である。
図３１は発光デバイス５および発光デバイス６の輝度−電流密度特性を示す図である。
図３２は発光デバイス５および発光デバイス６の電流効率−輝度特性を示す図である。
図３３は発光デバイス５および発光デバイス６の輝度−電圧特性を示す図である。
図３４は発光デバイス５および発光デバイス６の電流−電圧特性を示す図である。
図３５は発光デバイス５および発光デバイス６の外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図３６は発光デバイス５および発光デバイス６の発光スペクトルを示す図である。
図３７は発光デバイス７の輝度−電流密度特性を示す図である。
図３８は発光デバイス７の電流効率−輝度特性を示す図である。
図３９は発光デバイス７の輝度−電圧特性を示す図である。
図４０は発光デバイス７の電流−電圧特性を示す図である。
図４１は発光デバイス７の外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図４２は発光デバイス７の発光スペクトルを示す図である。
図４３は、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］の^１Ｈ　ＮＭＲチャートである。
図４４は、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］のジクロロメタン溶液における吸収スペクトル及び発光スペクトルである。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の調光プログラム、発光装置、および照明装置について、図１乃至図３を用いて説明する。

図１に、本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置の動作方法を説明するフローチャートを示す。

〔ステップＳ１〕
まず、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘと、を生成する。

本明細書等において、１／ｆゆらぎとは、データのパワースペクトル密度の分布が周波数ｆ（ｆ＞０）に反比例するゆらぎを示す。

１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆを取得する方法は特に限定されない。例えば、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データは、自然物の動きを数値化することにより生成したデータでもよく、計算ソフトを使って人工的に作成したデータでもよい。また、あらかじめ生成し保存しておいたデータを使用してもよく、またはデータの生成と同時に使用してもよい。

自然物の動きを数値化することにより生成したデータとしては、例えば、検知装置を用いて風の強さ、炎の明るさまたは波の動き等を数値化することにより生成したデータを使用することができる。検知装置としては、例えば、加速度センサ、カメラ、照度センサ、またはマイク等を使用することができる。

計算ソフトを使って作る方法としては、セルオートマトン、間欠カオス、または１／２階積分法などの方法を使用することができる。

第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘと、を生成するための移動平均処理としては、例えば、単純移動平均、加重移動平均、指数移動平均、修正移動平均、三角移動平均などを用いることができるが、単純移動平均を用いると簡便であり好ましい。

単純移動平均の場合、第１の平滑化データＸおよび第２の平滑化データｘは、下記数式（１）および数式（２）に従って求めることができる。

ただし、上記数式（１）および数式（２）において、ｆ_ｉは１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆのｉ番目のデータを示し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸのｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘのｉ番目のデータを表す。また、ｄ_１は、第１の平滑化データを生成する移動平均処理の区間（自然数）を表し、ｄ_２は、第２の平滑化データを生成する移動平均処理の区間（ｄ_１と異なる自然数）を表す。なお、本明細書中、自然数とは１以上の整数を表す。

上記数式（１）および数式（２）において、ｄ_１が、ｄ_２より大きいと好ましい。具体的には、ｄ_２は、ｄ_１の５％以上５０％以下の値であると好ましく、ｄ_１の１０％以上３０％以下の値であるとより好ましい。

ｄ_１をｄ_２より大きくすると、第１の平滑化データＸの波形は、第２の平滑化データｘの波形よりも滑らかで長周期の成分が優位な波形になる。このように、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行った２以上の平滑化データ（周期成分の異なるデータ）を使用して、続くステップＳ３において調光データを生成することにより、人に安らぎを感じさせることのできる、または、リラックス効果のある、新たな１／ｆゆらぎ特性を有する調光データを生成することができる。

なお、ここでは、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆから２つの平滑化データ（第１の平滑化データＸおよび第２の平滑化データｘ）を生成する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。場合によって、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆから３以上の平滑化データを生成してもよい。

〔ステップＳ２〕
次に、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘと、を演算処理することで調光データｙを生成する。

ステップＳ２における演算処理は、例えば、下記数式（３）に従って行うことができる。

ただし、数式（３）において、ｙ_ｉは、調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸ（以降、単にＸと記す）のｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘ（以降、単にｘと記す）のｉ番目のデータを表す。また、Ｘ_ｍａｘは、Ｘの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、Ｘの最小値を表し、ＵＬは、Ｘ成分の所定の上限値（０以上１以下）を表し、ＬＬは、Ｘ成分の所定の下限値（０以上ＵＬより小さい）を表す。また、ｘ_ｍａｘは、ｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、ｘの最小値を表す。また、Ａは、所定の寄与率（０以上１以下、好ましくは０以上０．５以下）を表す。なお、それぞれのＡは互いに異なる値でもよい。

また、ステップＳ２における演算処理は、下記数式（４）に従って行うこともできる。数式（４）は、数式内の複数のＡの一方をＡ’とした点で数式（３）と異なる。

ただし、数式（４）において、ｙ_ｉは、調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸ（以降、単にＸと記す）のｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘ（以降、単にｘと記す）のｉ番目のデータを表す。また、Ｘ_ｍａｘは、第１の平滑化データＸの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、第１の平滑化データＸの最小値を表し、ＵＬは、第１の平滑化データＸ成分の所定の上限値（０以上１以下）を表し、ＬＬは、第１の平滑化データＸ成分の所定の下限値（０以上ＵＬより小さい）を表す。また、ｘ_ｍａｘは、第２の平滑化データｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、第２の平滑化データｘの最小値を表す。また、Ａは０以上１以下、好ましくは０以上０．５以下の任意の値を表し、Ａ’は０以上Ａ以下の任意の値を表す。

また、ステップＳ２における演算処理は、下記数式（５）に従って行うこともできる。

ただし、数式（５）において、ｙ_ｉは、調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸ（以降、単にＸと記す）のｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘ（以降、単にｘと記す）のｉ番目のデータを表す。また、Ｘ_ｍａｘは、第１の平滑化データＸの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、第１の平滑化データＸの最小値を表す。また、ｘ_ｍａｘは、第２の平滑化データｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、第２の平滑化データｘの最小値を表す。また、Ａは、０以上１以下、好ましくは０以上０．５以下の任意の値を表す。また、ＵＬはｙｉの所定の上限値（０以上１以下）を表し、ＬＬは、ｙｉの所定の下限値（０以上ＵＬより小さい）を表す。

上記数式（３）乃至（５）において、ＡおよびＡ’は、調光データｙに対する、第２の平滑化データｘの寄与率を決定する。すなわち、ｄ_１が、ｄ_２より大きい場合、言い換えると、第１の平滑化データＸが、２の平滑化データｘより滑らかで長周期の成分が優位な波形である場合、ＡおよびＡ’を大きく設定することで、調光データｙの揺らぎの短周期成分が大きくなり、ＡおよびＡ’を小さく設定することで、調光データの揺らぎの短周期成分がより小さくなる。

上述のように調光データｙを生成することにより、調光データｙを最適化し、人に安らぎを感じさせることのできる、または、リラックス効果のある、新たな１／ｆゆらぎ特性を有する調光データを生成することができる。

なお、ここでは、２つの平滑化データ（第１の平滑化データＸおよび第２の平滑化データｘ）を演算処理することで調光データｙを生成する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。場合によって、３以上の平滑化データを演算処理することで、調光データを生成してもよい。

〔ステップＳ３〕
次に、調光データｙに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる。

本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置に使用する発光デバイスは、特に限られない。例えば、蛍光灯、白熱灯、ＬＥＤ、または有機ＥＬ素子などの発光デバイスを本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置において使用することができる。

調光データに応じて、発光デバイスの輝度を変化させる方式は、使用する発光デバイスによって適切なものを選択すればよい。例えば、位相制御調光、電流振幅調光、またはＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ　Ｗｉｄｔｈ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御方式などを使用することができる。

位相制御方式の場合、発光デバイスへの電力を直接調節することで、発光デバイスの輝度を制御する。電源線のみで調光制御を行うことができるため、調光部と発光デバイスとの間の配線を２線のみとすることができ、発光装置の製造を簡便にすることができる。

ＰＷＭ制御方式の場合、点灯、消灯の時間的割合（デューティ比）を変えることで発光デバイスの輝度を制御する。電源線２本に加えて、信号線２本が配線として必要となるが、位相制御方式と比較して電源変動の影響を受けにくいため、安定した調光が可能である。また、ＰＷＭ制御方式では、電流振幅調光と比較すると、発光デバイスに流す電流が一定となるため、発光色も一定にすることができる。ＰＷＭ制御方式によって、より広いダイナミックレンジを確保することができる。

また、ＰＷＭ制御方式の場合、より高い周波数に設定することにより、発光デバイスの発光にちらつきが生じるのを抑制することができる。例えば、周波数を約１００Ｈｚ以上とすると、発光デバイスの発光にちらつきが生じるのを抑制することができる。

通常、ＰＷＭ制御方式を使用して輝度を時系列的に変化させると、発光デバイスの発光にちらつきが生じる場合があるが、本発明の一態様の調光プログラムを使用することにより、ちらつきを抑制することができる。従って、より自然に輝度を変化させることが可能である。

なお、ステップＳ２で生成した調光データｙを用いて、数式（６）を用いて新たな調光データＹを生成し、その調光データＹに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させてもよい。

ただし、数式（６）において、ａおよびｂはそれぞれ独立に任意の値を表す。

上述の構成とすることで、人に安らぎを感じさせることのできる、または、リラックス効果のある、調光プログラムおよび発光装置を提供することができる。

図２には、本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置が取得または生成するデータを説明する図を示す。縦軸は各データの強度、横軸はデータの番号を表す。図２Ａは、調光プログラムおよび発光装置が取得する１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆの例を示す。図２Ｂは、調光プログラムおよび発光装置が生成する第１の平滑化データＸの例を示す。図２Ｃは、調光プログラムおよび発光装置が生成する第２の平滑化データｘの例を示す。図２Ｄは、調光プログラムおよび発光装置が生成する調光データｙの例を示す。

図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、第１の平滑化データＸ（図２Ｂ）および第２の平滑化データｘ（図２Ｃ）は、基本データｆ（図２Ａ）と比較して平滑化されている。また、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、第１の平滑化データＸ（図２Ｂは第２の平滑化データｘ（図２Ｃ）と比較して、より強く平滑化されている。

本発明の一態様の調光プログラムおよび発光装置は、このように二種類の平滑化データを組み合わせることによって、図２Ｄに示す、調光データｙを生成することができる。

図３Ａには、本発明の一態様の発光装置３００を説明するブロック図を示す。図３Ａに示すように、発光装置３００は、少なくとも、電源３０１と、調光部３０２と、発光デバイス３０３と、を有する。

調光部３０２は、上述のステップＳ１乃至Ｓ３によって生成された調光データｙに応じて、発光デバイス３０３の輝度を時系列的に変化させる機能を有する。

調光部３０２は、例えば、記憶部を有する。当該記憶部に、本発明の一態様の調光プログラムを搭載することが可能である。または、当該記憶部に、あらかじめ生成した調光データｙを記憶させることが可能である。

図３Ｂには、本発明の一態様の照明装置３１０を説明する図を示す。図３Ｂに示すように、照明装置３１０は、シェード３１１と、発光装置３００と、台座３１２と、操作ボタン３１３と、を有する。発光装置３００は、シェード３１１に覆われる。

シェード３１１は、透光性の材料で形成されている。発光装置３００の発する光は、シェード３１１によって散乱されるため、照明装置３１０の発する光をよりやわらかい光とすることができ、リラックス効果を高めることができる。

シェード３１１に使用する、透光性の材料としては、例えば、透明の樹脂材料、乳白色の樹脂材料、拡散材が混ぜられた樹脂材料、ガラス、紙、布、木材、薄く加工した金属、または陶磁器などを用いることができる。なお、シェード３１１に用いることのできる材料はこれらに限られない。透光性を有し、発光装置３００を覆う形状に成形できる材料をシェード３１１に用いることができる。

なお、本明細書等において、シェードという用語は、場合によって、筐体またはカバーと言い換えることが可能である。また、本明細書等において、透光性とは、少なくとも可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の光）の波長領域の光を透過する性質をいう。

図４Ａには、照明装置３１０の変形例である照明装置３１０Ａを示す。図４Ａに示すように、照明装置３１０Ａは、円柱型のシェード３１１を有する。照明装置３１０Ａにおいて、シェード３１１は、透明の樹脂材料からなり、発光装置３００から発せられた光は、シェード３１１の中を全反射しながら通過して、照明装置３１０Ａの上方に光３２０を射出する。このような構成とすることにより、光の射出方向を制御することができる。

また、図４Ｂには、照明装置３１０Ａの変形例である照明装置３１０Ｂを示す。照明装置３１０Ｂは、透明の樹脂材料からなる円柱状のシェード３１１ａを有し、さらに、シェード３１１ａおよび発光装置３００の両方を覆う、シェード３１１ｂを有する。照明装置３１０Ｂにおいて、発光装置３００から発せられた光は、シェード３１１ａの中を全反射しながら通過して、３１１ａの上方に光３２０を射出する。さらに、光３２０は、シェード３１１ｂを通過して、光３２１を射出する。このような構成とすることにより、光の射出方向を制御し、さらに柔らかい光を発する照明装置とすることができる。

また、本発明の一態様の照明装置は、台座３１２が備える操作ボタン３１３に限らず、リモートコントローラによって操作することができる。図４Ｂには、リモートコントローラ３３０を示す。

リモートコントローラ３３０は、複数のボタンを備え、照明装置３１０Ｂの電源のオン、オフに限らず、ゆらぎモードの種類を選択できるようにしてもよい。ゆらぎモードの具体例としては、例えば、本発明の一態様の調光プログラムによって生成することのできるゆらぎと、サイン波と、が挙げられる。また、ゆらぎのない発光モードを選択できるようにしてもよい。また、複数の本発明の一態様の調光プログラムに対しそれぞれ異なる変数を使用することで、ゆらぎを変化させた、複数の１／ｆゆらぎのうち、使用者の好みのものを選択できるようにしてもよい。

また、発光デバイス３０３として、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイス（有機ＥＬ素子）を使用することが好ましい。このような発光デバイスは、面発光を有するため、点発光を有する発光デバイスを使用する場合と比較すると、発光装置３００が発する光を、むらのない、柔らかい光とすることができる。従って、発光装置３００のリラックス効果を高めることができる。なお、発光装置３００に使用することのできる、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイスの一例については、実施の形態２にて詳細に説明する。

なお、発光デバイス３０３として、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイスを使用する場合、当該発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅が、７０ｎｍ以上が好ましく、７５ｎｍ以上であるとより好ましい。これにより、発光装置３００の演色性を高め、自然光により近い発光を得ることができる。また、当該発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅が１２０ｎｍ以下であると好ましい。これにより、後述する通り、ブルーライトを抑制した発光を得ることができる。従って、当該発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅が、７０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは７５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは８５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは９０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である。

また、発光デバイス３０３として、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイスを使用する場合、当該発光デバイスの電界発光スペクトルのピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下に位置すると好ましく、さらに好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下である。これにより、夕日、焚き火、およびろうそくの光などの自然光、並びに白熱電球の光により近い暖色系の発光を呈する発光デバイスを得ることができる。夕日、焚き火、ろうそくの炎および白熱電球などが呈する暖色系の発光は、人の副交感神経を刺激し、リラックス効果をもたらす。従って、電界発光スペクトルのピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下（より好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下）である発光デバイスを用いることにより、使用者にリラックス効果をもたらす発光装置とすることができる。

また特に、当該発光デバイスの電界発光スペクトルの最大ピーク波長が、上述の範囲にあることが特に効果的である。すなわち、発光デバイス３０３として、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイスを使用する場合、当該発光デバイスの電界発光スペクトルの最大ピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下であると特に好ましく、さらに好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下である。これにより、夕日、焚き火、およびろうそくの光などの自然光、並びに白熱電球の光に非常に近い暖色系の発光を呈する発光デバイスを得ることができるのみならず、プロセスのバラつきによって発光色が暖色系からずれるのを防ぐことができるため、安価で量産に適した発光デバイスを得ることができる。なお、夕日、焚き火、ろうそくの炎、および白熱電球などが呈する暖色系の発光は、人の副交感神経を刺激し、リラックス効果をもたらす。従って、電界発光スペクトルの最大ピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下（より好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下）である発光デバイスを用いることにより、使用者に大きなリラックス効果をもたらす発光装置とすることができる。

また、発光デバイス３０３として、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する発光デバイスを使用する場合、当該発光デバイスの電界発光スペクトルに、ブルーライトがほとんど含まれないとより好ましい。具体的には、電界発光スペクトルにおいて、４９５ｎｍ以下の可視光成分の発光強度が、最大ピーク波長における発光強度の１／１００以下であるとより好ましい。

ブルーライトとは、可視光線の中でもエネルギーが高い青色光（波長３６０−４９５ｎｍ）のことをいう。ブルーライトは、膜および水晶体で吸収されずに、網膜まで到達するため、網膜および視神経へのダメージが問題となると言われている。また、夜中にブルーライトにさらされることによる概日リズム（サーカディアン・リズム：Ｃｉｒｃａｄｉａｎ　ｒｈｙｔｈｍ）の乱れの問題もある。ブルーライトの怖さは、その波長域の光に対して人の目の視感度が低いことにある。そのため強いブルーライトに曝されても、人は自覚できないため、ダメージが蓄積されやすい。

そのため、電界発光スペクトルにブルーライトがほとんど含まれない、発光デバイスを使用することにより、使用者の眼精疲労を抑制し、睡眠の質を向上することのできる発光装置とすることができる。このような観点から、ブルーライト成分を抑制するために、発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅は、１２０ｎｍ以下が好ましい。

上記発光デバイス構成を有する発光装置３００は、リラックス効果と睡眠の質を向上させる効果を呈するライトテラピー（光療法）用発光装置として用いることができる。すなわち、本発明の別の一態様は、電界発光スペクトルのピーク波長（もしくは最大ピーク波長）が５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下（より好ましくは５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ以下）であり、電界発光スペクトルの半値幅が７０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下（より好ましくは７５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下）であり、４９５ｎｍ以下の可視光成分の発光強度が、電界発光スペクトルの最大ピーク波長における発光強度の１／１００以下である、光療法用発光装置である。半値幅のより好ましい範囲は８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは８５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは９０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である。

なお、本発明の一態様の発光装置における人の副交感神経を刺激し、リラックス効果をもたらす暖色系の発光は、ある特定の発光色の範囲であることが好ましい。すなわち、上記発光デバイスにおいては、そのＣＩＥ色度（ｘ、ｙ）のｘが０．５８以上０．６３以下であり、ｙが０．３７以上０．４２以下であると好ましい。より好ましくは、ｘが０．５９以上０．６３以下であり、ｙが０．３７以上０．４１以下であることが好ましい。さらに好ましくはｘが０．５９以上０．６２以下であり、ｙが０．３８以上０．４１以下である。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることのできる発光デバイスについて、図５Ａ乃至図５Ｅを用いて説明する。

≪発光デバイスの基本的な構造≫
発光デバイスの基本的な構造について説明する。図５Ａには、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を有する発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造を有する。

また、図５Ｂには、一対の電極間に複数（図５Ｂでは、２層）のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１０６を有する積層構造（タンデム構造）の発光デバイスを示す。

電荷発生層１０６は、第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に電位差を生じさせたときに、一方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図５Ｂにおいて、第１の電極１０１に、第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０６からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。

なお、電荷発生層１０６は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０６に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０６は、第１の電極１０１および第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。

また、図５Ｃには、本発明の一態様である発光デバイスのＥＬ層１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１０１は陽極として、第２の電極１０２は陰極として機能するものとする。ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。なお、発光層１１３は、発光色の異なる発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を発光する発光物質を含む発光層と、緑色を発光する発光物質を含む発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。ただし、発光層１１３の積層構造は上記に限定されない。例えば、発光層１１３は、発光色の同じ発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を発光する発光物質を含む第１の発光層と、赤色を発光する発光物質を含む第２の発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。発光色の同じ発光層を複数積層した構成の場合、単層の構成よりも信頼性を高めることができる場合がある。また、図５Ｂに示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合は、ＥＬ層１０３の積層順は逆になる。具体的には、陰極である第１の電極１０１上の１１１が、電子注入層、１１２が電子輸送層、１１３が発光層、１１４が正孔（ホール）輸送層、１１５が正孔（ホール）注入層、という構成を有する。

ＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質などの複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる発光層を積層した積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質およびその他の物質のいずれか一方または両方をそれぞれ異なる材料とすればよい。また、図５Ｂに示す複数のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質およびその他の物質のいずれか一方または両方を異なる材料とすればよい。また、発光層１１３を発光色の同じ発光層を積層した積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質およびその他の物質は、それぞれ異なっていてもよく、同じであってもよい。また、図５Ｂに示す複数のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ同じ発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質およびその他の物質は、それぞれ異なっていてもよく、同じであってもよい。

また、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、例えば、図５Ｃに示す第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層１０３に含まれる発光層１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から得られる発光を強めることができる。

なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間の光学距離（膜厚と屈折率の積）がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）またはその近傍となるように調整するのが好ましい。

また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）またはその近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。

このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。

但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１および第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、および所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

図５Ｄに示す発光デバイスは、図５Ｂに示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）が電荷発生層１０６を挟んで積層される構造を有する。なお、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを赤色、緑色または黄色とすることができる。

図５Ｅに示す発光デバイスは、図５Ｂに示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０６ａ、１０６ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを赤色、緑色または黄色、発光層１１３ｃを赤色とすることができる。

なお、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。

また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。

≪発光デバイスの具体的な構造≫
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図５Ｄを用いて説明する。なお、図５Ａおよび図５Ｃに示すシングル構造の発光デバイスについてもＥＬ層の構成については同様とする。また、図５Ｄに示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。

＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。

図５Ｄに示す発光デバイスにおいて、第１の電極１０１が陽極である場合、第１の電極１０１上にＥＬ層１０３ａの正孔注入層１１１ａおよび正孔輸送層１１２ａが真空蒸着法により順次積層形成される。ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０６が形成された後、電荷発生層１０６上にＥＬ層１０３ｂの正孔注入層１１１ｂおよび正孔輸送層１１２ｂが同様に順次積層形成される。

＜正孔注入層＞
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）からＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプタ材料または正孔注入性の高い材料を含む層である。

有機アクセプタ材料は、そのＬＵＭＯ（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位の値とＨＯＭＯ（最高被占有軌道：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位の値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。従って、有機アクセプタ材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。なお、有機アクセプタ材料の中でも特にＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、アクセプタ性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。

また、正孔注入性の高い材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物等）を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。上記の中でも、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。

また、上記材料に加えて低分子化合物である、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。

また、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料と、上述した有機アクセプタ材料（電子受容性材料）を含む混合材料を用いることもできる。この場合、有機アクセプタ材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料と有機アクセプタ材料（電子受容性材料）を含む混合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料と有機アクセプタ材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。

なお、正孔輸送性材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。

また、正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物（例えばカルバゾール誘導体、フラン誘導体、チオフェン誘導体）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

なお、上記カルバゾール誘導体（カルバゾール環を有する有機化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。

また、上記ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。

また、上記カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。

なお、カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。

また、上記フラン誘導体（フラン環を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。

また、上記チオフェン誘導体（チオフェン環を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン環を有する有機化合物等が挙げられる。

また、上記芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−｛４−［（９−フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル］−フェニル｝−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＦＢｉＦＬＰ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＢＢＡ２ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＳＦ_４ＦＡＦ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、ＤＮＴＰＤ、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、ビス−ビフェニル−４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニルアミン（略称：ＹＧＢＢｉ１ＢＰ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン、等が挙げられる。

その他にも、正孔輸送性材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として用いてもよい。

なお、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができるが、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。従って、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）には、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

なお、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と同じ有機化合物を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に同じ有機化合物を用いると、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）から発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）へのホールの輸送が効率よく行えるため、より好ましい。

＜発光層＞
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。

また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。

なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）にホスト材料を複数用いる場合、新たに加える第２のホスト材料として、既存のゲスト材料および第１のホスト材料のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質を用いるのが好ましい。また、第２のホスト材料３の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第１のホスト材料のＳ１準位よりも高く、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、ゲスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。また、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第１のホスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。このような構成とすることにより、２種類のホスト材料による励起錯体を形成することができる。なお、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。また、この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現することができる。

なお、上記のホスト材料（第１のホスト材料および第２のホスト材料を含む）として用いる有機化合物としては、発光層に用いるホスト材料としての条件を満たせば、前述の正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料、後述の電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料、等の有機化合物が挙げられ、複数種の有機化合物（上記、第１のホスト材料および第２のホスト材料）からなる励起錯体であっても良い。なお、複数種の有機化合物で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。また、励起錯体を形成する複数種の有機化合物の組み合わせとしては、例えば一方がπ電子不足型複素芳香環を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香環を有すると好ましい。なお、励起錯体を形成する組み合わせとして、一方にイリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体等の燐光発光物質を用いても良い。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。

≪一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることのできる、一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、以下に示す蛍光を発する物質（蛍光発光物質）が挙げられる。例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン）（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。

また、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。

また、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物、等を用いることができる。上述した中でも特に、プロパンジニトリル化合物は、５９０ｎｍ以上６２０ｎｍにピーク波長を有する電界発光を得るのに好適である。

≪三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
次に、発光層１１３に用いることのできる、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光発光物質）および熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。

燐光発光物質とは、低温（例えば７７Ｋ）以上室温以下の温度範囲（すなわち、７７Ｋ以上３１３Ｋ以下）のいずれかにおいて、燐光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該燐光発光物質としては、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有すると好ましく、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。具体的には遷移金属元素が好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有することが好ましく、中でもイリジウムを有することで、一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができ好ましい。

≪燐光発光物質（４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下：緑色または黄色）≫
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン環を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン環を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］、［２−ｄ_３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ_３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ_３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））、［２−（メチル−ｄ_３）−８−［４−（１−メチルエチル−１−ｄ）−２−ピリジニル−κＮ］ベンゾフロ２，［３−ｂ］ピリジン−７−イル−κＣ］ビス［５−（メチル−ｄ_３）−２−［５−（メチル−ｄ_３）−２−ピリジニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ−ｄ_６）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｉＰｒ−ｄ_４））、［２−ｄ_３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン環を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

≪燐光発光物質（５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下：黄色または赤色）≫
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、（ジピバロイルメタナト）ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ^３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］）のようなピリミジン環を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［２−（５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ）−４，６−ジメチルフェニル−κＣ］（２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン環を有する有機金属錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン環を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン環およびピラジン環のいずれか一方または両方を有する有機金属錯体が、５９０ｎｍ以上６２０ｎｍにピーク波長を有する電界発光を得るのに好適である。また、ピリジン環を有する有機金属錯体の中でも特に、キノリン環を有する有機金属錯体は、５９０ｎｍ以上６２０ｎｍにピーク波長を有する電界発光を得るのに好適である。この中でもさらに、ピリミジン環もしくはピラジン環を有する配位子と、キノリン環を有する配位子の双方を有する有機金属錯体は、４９５ｎｍ以下の発光強度が低く、半値幅が９０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の電界発光スペクトルを得るのに好適である。

≪ＴＡＤＦ材料≫
また、ＴＡＤＦ材料としては、以下に示す材料を用いることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく（好ましくは、０．２ｅＶ以下）、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０^−６秒以上、好ましくは１×１０^−３秒以上である。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン、フラーレン誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４−［４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のπ電子過剰型複素芳香族化合物及びπ電子不足型複素芳香族化合物を有する複素芳香族化合物を用いてもよい。

なお、π電子過剰型複素芳香族化合物とπ電子不足型複素芳香族化合物とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香族化合物のドナー性とπ電子不足型複素芳香族化合物のアクセプタ性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。また、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にあるＴＡＤＦ材料（ＴＡＤＦ１００）を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光素子における高輝度領域での効率低下を抑制することができる。

また、上記の他に、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体が挙げられる。特に金属ハロゲンペロブスカイト類のナノ構造体がこのましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）において、上述した発光物質（ゲスト材料）と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料等）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。

≪蛍光発光用ホスト材料≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が蛍光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物、または蛍光量子収率が高い有機化合物を用いるのが好ましい。したがって、このような条件を満たす有機化合物であれば、本実施の形態で示す、正孔輸送性材料（前述）、電子輸送性材料（後述）等を用いることができる。

一部上述した具体例と重複するが、発光物質（蛍光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料）としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。

なお、蛍光発光物質と組み合わせて用いることが好ましい有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝−アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（略称：α、βＡＤＮ）、２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ジベンゾフラン、２−（１０−フェニル−９−アントラセニル）−ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１−［４−（１０−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−９−アントラセニル）フェニル］−２−エチルー１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。

≪燐光発光用ホスト材料≫
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が燐光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、および第２のホスト材料（またはアシスト材料）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。

このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成しやすいものが良く、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

なお、一部上述した具体例と重複するが、発光物質（燐光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）としては、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）、カルバゾール誘導体（カルバゾール環を有する有機化合物）、ジベンゾチオフェン誘導体（ジベンゾチオフェン環を有する有機化合物）、ジベンゾフラン誘導体（ジベンゾフラン環を有する有機化合物）、オキサジアゾール誘導体（オキサジアゾール環を有する有機化合物）、トリアゾール誘導体（トリアゾール環を有する有機化合物）、ベンゾイミダゾール誘導体（ベンゾイミダゾール環を有する有機化合物）、キノキサリン（キノキサリン環を有する有機化合物）誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体（ジベンゾキノキサリン環を有する有機化合物）、ピリミジン誘導体（ピリミジン環を有する有機化合物）、トリアジン誘導体（トリアジン環を有する有機化合物）、ピリジン誘導体（ピリジン環を有する有機化合物）、ビピリジン誘導体（ビピリジン環を有する有機化合物）、フェナントロリン誘導体（フェナントロリン環を有する有機化合物）、フロジアジン誘導体（フロジアジン環を有する有機化合物）、亜鉛、アルミニウム系の金属錯体、等が挙げられる。

なお、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、芳香族アミン、およびカルバゾール誘導体の具体例としては、上述した正孔輸送性材料の具体例と同じものが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、ジベンゾチオフェン誘導体、およびジベンゾフラン誘導体の具体例としては、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども好ましいホスト材料として挙げられる。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）、などのポリアゾール環を有する複素芳香環を含む有機化合物、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２−（１，３−フェニレン）ビス［９−フェニル−１，１０−フェナントロリン］（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）などのピリジン環を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−｛４−［９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、ピリジン誘導体、ジアジン誘導体（ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体を含む）、トリアジン誘導体、フロジアジン誘導体の具体例として、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−タ−フェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、などのジアジン環を有する複素芳香環を含む有機化合物、などが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、金属錯体の具体例としては、亜鉛系またはアルミニウム系の金属錯体である、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）の他、キノリン環またはベンゾキノリン環を有する金属錯体等が、挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物などもホスト材料として好ましい。

さらに、正孔輸送性の高い有機化合物であり、かつ電子輸送性の高い有機化合物である、バイポーラ性の９−フェニル−９’−（４−フェニル−２−キナゾリニル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＱｚ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、１１−（４−［１，１’−ニフェニル］−４−イル−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン環を有する有機化合物等をホスト材料として用いることもできる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、後述する電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）によって第２の電極１０２および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から注入された電子を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層でも機能するが、２層以上の積層構造としてもよい。なお、上記の混合材料は、耐熱性を有するため、これを用いた電子輸送層上でフォトリソ工程を行うことにより、熱工程によるデバイス特性への影響を抑制することができる。

≪電子輸送性材料≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料としては、電子輸送性の高い有機化合物を用いることができ、例えば複素芳香族化合物を用いることができる。なお、複素芳香族化合物とは、環の中に少なくとも２種類の異なる元素を含む環式化合物である。なお、環構造としては、３員環、４員環、５員環、６員環等が含まれるが、特に５員環、または、６員環が好ましく、含まれる元素としては、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物が好ましい。特に窒素を含む複素芳香族化合物（含窒素複素芳香族化合物）が好ましく、含窒素複素芳香族化合物、またはこれを含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を用いることが好ましい。

複素芳香族化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有する有機化合物である。

なお、複素芳香環は、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、またはポリアゾール環、オキサゾール環、またはチアゾール環等のいずれか一を有する。また、ジアジン環を有する複素芳香環には、ピリミジン環、ピラジン環、またはピリダジン環などを有する複素芳香環が含まれる。また、ポリアゾール環を有する複素芳香環には、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環を有する複素芳香環が含まれる。

また、複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を含む。なお、縮合複素芳香環としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、などが挙げられる。

なお、複素芳香族化合物としては、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、５員環構造を有する複素芳香族化合物としては、イミダゾール環を有する複素芳香族化合物、トリアゾール環を有する複素芳香族化合物、オキサゾール環を有する複素芳香族化合物、オキサジアゾール環を有する複素芳香族化合物、チアゾール環を有する複素芳香族化合物、ベンゾイミダゾール環を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。

また、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、６員環構造を有する複素芳香族化合物としては、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環などを含む）、トリアジン環、ポリアゾール環などの複素芳香環を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。なお、ピリジン環が連結した構造である複素芳香族化合物に含まれるが、ビピリジン構造を有する複素芳香族化合物、ターピリジン構造を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。

さらに、上記６員環構造を一部に含む縮環構造を有する複素芳香族化合物としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環（フロジアジン環のフラン環に芳香環が縮合した構造を含む）、ベンゾイミダゾール環などの縮合複素芳香環を有する複素芳香族化合物、などが挙げられる。

上記、５員環構造（ポリアゾール環（イミダゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環を含む）、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾイミダゾール環など）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４）−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などが挙げられる。

上記、６員環構造（ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環などを有する複素芳香環を含む）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、などのピリジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−ターフェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、ｍＦＢＰＴｚｎなどのトリアジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−８−（ナフタレン−２−イル）−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８βＮ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）などのジアジン（ピリミジン）環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、などが挙げられる。なお、上記複素芳香環を含む芳香族化合物には、縮合複素芳香環を有する複素芳香族化合物を含む。

その他にも、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：６，６’（Ｐ−Ｂｑｎ）２ＢＰｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ、６−（１，１’　−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、などのジアジン（ピリミジン）環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２，４，６−トリス（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン（略称：２Ｐｙ３Ｔｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジル）−５−（９−フェナントリル）フェニル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、などのトリアジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、等が挙げられる。

上記、６員環構造を一部に含む縮環構造を有する複素芳香族化合物（縮環構造を有する複素芳香族化合物）の具体例としては、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２−（１，３−フェニレン）ビス［９−フェニル−１，１０−フェナントロリン］（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ、などのキノキサリン環を有する複素芳香族化合物、等が挙げられる。

電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）には、上記に示す複素芳香族化合物の他にも下記に示す金属錯体を用いることができる。トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ_３）、Ａｌｍｑ_３、８−キノリノラトリチウム（Ｉ）（略称：Ｌｉｑ）、ＢｅＢｑ_２、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）等のキノリン環またはベンゾキノリン環を有する金属錯体、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等のオキサゾール環またはチアゾール環を有する金属錯体等が挙げられる。

また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を電子輸送性材料として用いることもできる。

また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、第２の電極１０２からの電子の注入効率を高めるための層であり、第２の電極１０２に用いる材料の仕事関数の値と、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に用いる材料のＬＵＭＯ準位の値とを比較した際、その差が小さい（０．５ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。従って、電子注入層１１５には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）、イッテルビウム（Ｙｂ）のような希土類金属化合物を用いることができる。なお、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）には、上記の材料を複数種混合して形成しても良いし、上記の材料のうち複数種を積層させて形成しても良い。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる混合材料を用いてもよい。このような混合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（金属錯体、複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。また、これらの材料を複数、積層して用いても良い。

その他にも、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と金属とを混合してなる混合材料を用いても良い。なお、ここで用いる有機化合物としては、ＬＵＭＯ（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、非共有電子対を有する材料が好ましい。

したがって、上記の混合材料に用いる有機化合物としては、電子輸送層に用いることができるとして上述した、複素芳香族化合物を金属と混合してなる混合材料を用いてもよい。複素芳香族化合物としては、５員環構造（イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、ベンゾイミダゾール環など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造（ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環などを含む）、トリアジン環、ビピリジン環、ターピリジン環など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造を一部に含む縮環構造（キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環など）を有する複素芳香族化合物などの非共有電子対を有する材料が好ましい。具体的な材料については、上述したため、ここでの説明は省略する。

また、上記の混合材料に用いる金属としては、周期表における第５族、第７族、第９族または第１１族に属する遷移金属、または第１３族に属する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、またはＩｎ等が挙げられる。また、この時、有機化合物は、遷移金属との間で半占有軌道（ＳＯＭＯ：Ｓｉｎｇｌｙ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）を形成する。

なお、例えば、発光層１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１０２と、発光層１１３ｂとの光学距離が、発光層１１３ｂが呈する光の波長λの１／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１４ｂまたは電子注入層１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。

また、図５Ｄに示す発光デバイスのように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）の間に電荷発生層１０６を設けることにより、複数のＥＬ層が一対の電極間に積層された構造（タンデム構造ともいう）とすることもできる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプタ）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。

また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

なお、図５Ｄでは、ＥＬ層１０３が２層積層された構成を示したが、異なるＥＬ層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上のＥＬ層の積層構造としてもよい。

＜基板＞
本実施の形態で示した発光デバイスは、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。

なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。

なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの気相法、スピンコート法、インクジェット法などの液相法を用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスのＥＬ層に含まれる様々な機能を有する層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

なお、上記塗布法、印刷法などの成膜方法を適用する場合において、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。

本実施の形態で示す発光デバイスのＥＬ層１０３を構成する各層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５）は、本実施の形態において示した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。

なお、本明細書等において、「層」という用語と「膜」という用語は適宜入れ換えて用いることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置における発光装置の構成について、図６により説明する。なお、図６Ａは、図６Ｂに示す照明装置の上面図における線分ｅ−ｆの断面図である。

本実施の形態における発光装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態２における第１の電極１０１に相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。

第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態２におけるＥＬ層１０３の構成に相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。

ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態２における第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。

以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す発光装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図６Ｂでは図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置または照明装置の応用例について、図７を用いて説明する。

室内の照明装置としては、シーリングライト８００１として応用できる。シーリングライト８００１には、天井直付型、天井埋め込み型等がある。なお、このような照明装置は、発光装置をシェード、筐体またはカバーと組み合わせることにより構成される。その他にもコードペンダント型（天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。

また、足元灯８００２は、床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる。例えば、寝室、階段、通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さおよび構造に応じて適宜サイズおよび形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせて構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。

また、シート状照明８００３は、薄型のシート状の照明装置である。壁面に張り付けて使用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易である。なお、曲面を有する壁面に用いることもできる。

また、光源からの光が所望の方向のみに制御された照明装置８００４を用いることもできる。

また、電気スタンド８００５は、光源８００６を有し、光源８００６としては、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することができる。

なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、本発明の一態様である発光装置または照明装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

本実施例では、実施の形態１で説明した、本発明の一態様の発光装置を実際に作製し、その動作特性を調査した結果を説明する。

図８には、実際に作製した発光装置１の外観写真を示す。図９には、発光装置１における１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆのグラフを示す。図１０には、発光装置１における第１の平滑化データＸおよび第２の平滑化データｘのグラフを示す。図１１には、発光装置１における調光データｙのグラフを示す。図９乃至図１１において、縦軸は各データの強度、横軸はデータの番号を表す。

図８に示す通り、発光装置１は、発光デバイスと、筐体とを有する。発光デバイスとしては、発光部面積１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）の有機ＥＬ素子を使用した。なお、本実施例で使用した発光デバイスの構成については実施例２にて説明する。

図９乃至図１１を用いて発光装置１の調光方法について説明する。

まず、表計算ソフトによって、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆを作成した（図９）。

次に、図９に示す１／ｆゆらぎ特性を有する基本データｆに対して、それぞれ区間の異なる移動平均処理（単純移動平均）を行うことで、図１０に示す第１の平滑化データＸおよび第２の平滑化データｘを生成した。第１の平滑化データＸを生成する移動平均処理の区間ｄ_１を３０とし、第２の平滑化データｘを生成する移動平均の区間ｄ_２を５とした。

図１０より、ｄ_１をｄ_２より大きくすることにより、第１の平滑化データの波形が第２の平滑化データの波形よりも滑らかになったことがわかる。

次に、図１０に示す第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘと、を演算処理することで図１１に示す調光データｙを生成した。演算処理は、下記数式に従って行った。

ただし、上記数式において、ｙ_ｉは、調光データｙのｉ番目のデータ（０以上１以下）を表し、Ｘ_ｉは、第１の平滑化データＸのｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、第２の平滑化データｘのｉ番目のデータを表す。また、Ｘ_ｍａｘは、Ｘの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、Ｘの最小値を表し、ＵＬは、Ｘ成分の所定の上限値を表し、ＬＬは、Ｘ成分の所定の下限値を表す。また、ｘ_ｍａｘは、ｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、ｘの最小値を表す。また、Ａは、所定の寄与率を表す。本実施例では、ＵＬを０．９、ＬＬを０．６、Ａを０．１として演算処理を行った。

図１１より、上記数式に従って演算処理を行うことで、第１の平滑化データＸと第２の平滑化データｘを組み合わせて、十分な滑らかさを持ちつつ、新たな１／ｆゆらぎ特性を有する調光データｙを生成することができたとわかる。

発光装置１では、ＰＷＭ制御方式（１００Ｈｚ）を採用し、このように生成した調光データに従って、発光デバイス１の輝度を時系列的に変化させた。

本実施例では、実施例１で説明した発光装置に使用することのできる有機ＥＬ素子である、発光デバイス１乃至発光デバイス３について、素子構造、およびその特性について説明する。発光デバイス１乃至発光デバイス３の具体的な構成について下記表に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、本実施例で示す発光デバイス１乃至発光デバイス３の発光部面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）であるが、発光部面積１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）の発光デバイスについても同様の方法で作製することができる。

≪発光デバイス１の作製≫
本実施例で示す発光デバイス１は、図１２に示すように基板９００上に形成された第１の電極９０１上に正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０３が積層された構造を有する。

まず、基板９００上に第１の電極９０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。また、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、７０ｎｍの膜厚で成膜して形成した。

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極９０１上に正孔注入層９１１を形成した。正孔注入層９１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ−００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、正孔注入層９１１上に正孔輸送層９１２を形成した。正孔輸送層９１２は、ＰＣＢＢｉＦを用い、膜厚が１４０ｎｍになるよう蒸着した後、上記構造式（ｉｉ）で表されるＮ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミン（略称：ＰＣＢＦＦ）を用い、８５ｎｍ蒸着して形成した。

次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。発光層９１３は、上記構造式（ｉｉｉ）で表される２−［３−（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、ＰＣＢＢｉＦと、上記構造式（ｉｖ）で表されるビス［２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ^３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）＝０．８：０．２：０．１５となるように、５０ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、発光層９１３上に電子輸送層９１４を形成した。電子輸送層９１４は、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）を用い、膜厚が１０ｎｍになるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）で表される２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジニル）−５−（９−フェナントレニル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）と、上記構造式（ｖｉｉ）で表される８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）とを、ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ：Ｌｉｑ＝１：１となるように２５ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、電子輸送層９１４上に電子注入層９１５を形成した。電子注入層９１５は、Ｌｉｑを用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着して形成した。

次に、電子注入層９１５上に第２の電極９０３を形成した。第２の電極９０３は、アルミニウムを蒸着法により、膜厚が２００ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の電極９０３は、陰極として機能する。

以上の工程により、基板９００上に一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光デバイス１を形成した。なお、上記工程で説明した正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、電子注入層９１５は、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。

作製した発光デバイス１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、及び８０℃にて１時間熱処理）。

≪発光デバイス２の作製≫
発光デバイス２は、発光デバイス１とは発光層９１３における各材料の混合比が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス２は、発光層９１３として２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）＝０．８：０．２：０．２となるように共蒸着した他は、発光デバイス１と同様に作製した。

≪発光デバイス３の作製≫
発光デバイス２は、発光デバイス１とは発光層９１３に用いた発光材料および各材料の混合比が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス３は、発光層９１３として２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）とを共蒸着する代わりに、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される（ジイソブチリルメタノ）ビス（４，６−（ジ−５−メチルフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）＝０．８：０．２：０．１となるように共蒸着した他は、発光デバイス１と同様に作製した。

≪発光デバイス１乃至発光デバイス３の動作特性≫
発光デバイス１および発光デバイス２の輝度−電流密度特性を図１３に、電流効率−輝度特性を図１４に、輝度−電圧特性を図１５に、電流−電圧特性を図１６に、外部量子効率−輝度特性を図１７に、発光スペクトルを図１８にそれぞれ示す。また、発光デバイス３の輝度−電流密度特性を図１９に、電流効率−輝度特性を図２０に、輝度−電圧特性を図２１に、電流−電圧特性を図２２に、外部量子効率−輝度特性を図２３に、発光スペクトルを図２４にそれぞれ示す。また、発光デバイス１乃至発光デバイス３の１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主な特性を下記表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。

図１３乃至図２４及び上記表に示す結果より、本発明の一態様である発光デバイス１乃至発光デバイス３は、良好な動作特性を示すことがわかった。

また、図１８より、発光デバイス１および発光デバイス２の発光スペクトルの最大ピーク波長は、それぞれ、６１４ｎｍおよび６１４ｎｍであった。また、発光デバイス１の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。発光デバイス２の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。また、発光デバイス１および発光デバイス２の発光スペクトルの半値幅は、それぞれ９１ｎｍおよび９０ｎｍであった。

また、図２４より、発光デバイス３の発光スペクトルの最大ピーク波長は、６１２ｎｍであった。また、発光デバイス３の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。また、発光デバイス３の発光スペクトルの半値幅は、７９ｎｍであった。

すなわち、発光デバイス１乃至発光デバイス３は、自然光により近い発光を有し、かつ、ブルーライトが抑制されており、使用者にリラックス効果をもたらすことができる。従って、発光デバイス１乃至発光デバイス３を本発明の一態様の発光装置に使用することで、本発明の一態様の発光装置のリラックス効果を高めることができることがわかった。

本実施例では、実施例１で説明した発光装置に使用することのできる有機ＥＬ素子である、発光デバイス４乃至発光デバイス６について、素子構造、およびその特性について説明する。発光デバイス４乃至発光デバイス６の具体的な構成について下記表に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、本実施例で示す発光デバイス４乃至発光デバイス６の発光部面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）であるが、発光部面積１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）の発光デバイスについても同様の方法で作製することができる。

≪発光デバイス４の作製≫
発光デバイス４は、実施例２にて示した発光デバイス１とは発光層９１３に用いた発光材料および各材料の混合比が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス４は、発光層９１３として２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）とを共蒸着する代わりに、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、上記構造式（ｉｘ）で表される（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．２となるように共蒸着した他は、実施例２で示した発光デバイス１と同様に作製した。

≪発光デバイス５の作製≫
発光デバイス５は、実施例２にて示した発光デバイス１と発光層９１３に用いた発光材料および各材料の混合比並びに電子輸送層９１４に用いた材料が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス５は、発光層９１３として２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）とを共蒸着する代わりに、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、上記構造式（ｘ）で表される（ジピバロイルメタノ）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）＝０．８：０．２：０．１となるように共蒸着した。また、電子輸送層９１４として、ｍＦＢＰＴｚｎの代わりに２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを用いた。また、電子輸送層９１４として、ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎとＬｉｑとを共蒸着する代わりに、上記構造式（ｘｉ）で表される２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を蒸着した。その他は、実施例２で示した発光デバイス１と同様に作製した。

≪発光デバイス６の作製≫
発光デバイス６は、発光デバイス５とは発光層９１３における各材料の混合比が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス６は、発光層９１３として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）＝０．８：０．２：０．３となるように共蒸着した他は、発光デバイス５と同様に作製した。

≪発光デバイス４乃至発光デバイス６の動作特性≫
発光デバイス４の輝度−電流密度特性を図２５に、電流効率−輝度特性を図２６に、輝度−電圧特性を図２７に、電流−電圧特性を図２８に、外部量子効率−輝度特性を図２９に、発光スペクトルを図３０にそれぞれ示す。また、発光デバイス５および発光デバイス６の輝度−電流密度特性を図３１に、電流効率−輝度特性を図３２に、輝度−電圧特性を図３３に、電流−電圧特性を図３４に、外部量子効率−輝度特性を図３５に、発光スペクトルを図３６にそれぞれ示す。また、発光デバイス４乃至発光デバイス６の１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主な特性を下記表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。

図２５乃至図３６及び上記表に示す結果より、本発明の一態様である発光デバイス４乃至発光デバイス６は、良好な動作特性を示すことがわかった。

また、図３０より、発光デバイス４の発光スペクトルの最大ピーク波長は、５９７ｎｍであった。また、発光デバイス４の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。また、発光デバイス４の発光スペクトルの半値幅は、７１ｎｍであった。

また、図３６より、発光デバイス５および発光デバイス６の発光スペクトルの最大ピーク波長は、それぞれ、５９７ｎｍおよび６００ｎｍであった。また、発光デバイス５および発光デバイス６の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、それぞれ最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。また、発光デバイス５および発光デバイス６の発光スペクトルの半値幅は、それぞれ７２ｎｍおよび７３ｎｍであった。

すなわち、発光デバイス４乃至発光デバイス６は、自然光により近い発光を有し、かつ、ブルーライトが抑制されており、使用者にリラックス効果をもたらすことができる。従って、発光デバイス４乃至発光デバイス６を本発明の一態様の発光装置に使用することで、本発明の一態様の発光装置のリラックス効果を高めることができることがわかった。

本実施例では、実施例１で説明した発光装置に使用することのできる有機ＥＬ素子である、発光デバイス７について素子構造、およびその特性について説明する。発光デバイス７の具体的な構成について表３に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、発光デバイス７の構造は、実施例２で説明した発光デバイス３と同様である。また、発光デバイス７の発光部面積は、１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）である。

≪発光デバイス７の作製≫
上述のとおり、本実施例で示す発光デバイス７は、実施例２にて示した発光デバイス３と同様の積層構造を有し、発光部の面積が異なる発光デバイスである。すなわち、発光デバイス７は、基板９００上に、面積１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）の第１の電極９０１を形成した他は、発光デバイス３と同様に作製した。

≪発光デバイス７の動作特性≫
発光デバイス７の輝度−電流密度特性を図３７に、電流効率−輝度特性を図３８に、輝度−電圧特性を図３９に、電流−電圧特性を図４０に、外部量子効率−輝度特性を図４１に、発光スペクトルを図４２にそれぞれ示す。また、発光デバイス７の１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主な特性を下記表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。

図３７乃至図４２及び上記表に示す結果より、本発明の一態様である発光デバイス７は、良好な動作特性を示すことがわかった。

また、図４２より、発光デバイス７の発光スペクトルの最大ピーク波長は、６１０ｎｍであった。また、発光デバイス７の発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下であった。また、発光デバイス７の発光スペクトルの半値幅は、７８ｎｍであった。

すなわち、発光デバイス７は、自然光により近い発光を有し、かつ、ブルーライトが抑制されており、使用者にリラックス効果をもたらすことができる。また、発光デバイス７は、発光部面積１１４２．７５ｍｍ^２（３５ｍｍ×３２．６５ｍｍ）と、大面積の面発光を有するため、より柔らかい光を発することができる。従って、リラックス効果がより高まることが期待される。

（参考合成例）
本合成例では、実施例２において発光装置の一部に用いた金属錯体である、ビス［２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ^３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］）の合成方法について説明する。［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］の構造式を以下に示す。

＜ステップ１：２−フェニルキノリン（略称：Ｈｐｑｎ）の合成＞
２−ブロモキノリン７．８ｇ（３８ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸５．５ｇ（４５ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液１１３ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）１２５ｍＬを、３００ｍＬ三口フラスコに入れフラスコ内を窒素置換した。この混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で３．５時間加熱還流した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然ろ過してろ液を得た。このろ液を濃縮して固体を得た。この固体をトルエンに溶解し、セライト／アルミナ／セライトの順に積層したものに通して吸引ろ過した。ろ液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより生成した。展開溶媒には、トルエンを用いた。得られたフラクションを濃縮して、白色固体を７．３ｇ、収率９５％で得た。ステップ１の合成スキームを下記式（ａ−１）に示す。

＜ステップ２：ジ−μ−クロロ−テトラキス［２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２Ｃｌ］_２］）の合成＞
上記ステップ１の合成法で得られたＨｐｑｎ　３ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ　１．９７ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール８１ｍＬ、水２７ｍＬを、三口フラスコに入れフラスコ内をアルゴン置換した。この混合物に４００Ｗ、１００℃の条件でマイクロ波を１時間照射し、加熱することで反応を進行させた。所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、固体を水、エタノールで洗浄した。得られたろ液は濃縮し、水、次いでエタノールで洗浄し固体を得た。二度の吸引ろ過で得られた固体を合わせてトルエンで洗浄し、橙色固体を２．２ｇ、収率５３％で得た。ステップ２の合成スキームを下記式（ａ−２）に示す。

＜ステップ３：ビス［２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ^３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］）の合成＞
上記ステップ２で得られた［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２Ｃｌ］_２　２．２ｇ（１．７３ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン２００ｍＬを三口フラスコに入れ、トリフルオロメタンスルホン酸銀０．８９ｇ（３．５ｍｍｏｌ）とメタノール１５ｍＬの混合溶液を滴下し、室温で１６時間撹拌した。所定時間経過後、得られた混合物をセライトに通してろ過し、ろ液を濃縮して、深赤色固体２．３２ｇを得た。得られた固体と２，６−ジフェニルピリミジン（略称：Ｈｄｐｐｍ）１．２ｇ（５．１９ｍｍｏｌ）、エタノール１３０ｍＬを三口フラスコに入れ、２５時間加熱還流した。得られた混合物を濃縮し、エタノールを３ｍＬ加えて吸引ろ過した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはジクロロメタンを用いた。さらに得られた固体０．７９ｇを高速液体クロマトグラフィーにより精製した。移動相の溶媒にはクロロホルムを用いた。得られた固体をヘキサンにて洗浄し、赤色固体を０．６８０ｇ、収率２４％で得た。得られた赤色固体０．５９ｇを、トレインサブリメーション法により２回昇華精製した。昇華精製条件は、圧力１．５~１．７×１０^−３Ｐａにて、アルゴン流量０ｍＬ／ｍｉｎ、２８５~２９５℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の赤色固体を収率２４％で得た。ステップ３の合成スキームを下記式（ａ−３）に示す。

上記ステップ３で得られた赤色固体のプロトン（^１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図４３に示す。このことから、本合成例において、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤ_２Ｃｌ_２）：６．４４（ｄ，１Ｈ），６．５５（ｔ，２Ｈ），６．７２−６．７７（ｍ，４Ｈ），６．８３（ｔ，１Ｈ），６．９４−６．９９（ｍ，２Ｈ），７．０４（ｔ，１Ｈ），７．２５−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．４９（ｍ，３Ｈ），７．６６（ｄ，１Ｈ），７．３３−７．７８（ｍ，３Ｈ），７．９２（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｄ，１Ｈ），８．０５−８．１０（ｍ，４Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８．２０（ｄ，１Ｈ），８．２５−８．２９（ｍ，２Ｈ），８．３４（ｓ，１Ｈ）．

次に、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製　Ｖ５５０型）を用いた。ジクロロメタン溶液（０．０１２３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を行った。なお、吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０１２３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いて示した。発光スペクトルの測定には、絶対ＰＬ量子収率測定装置（（株）浜松ホトニクス製　Ｃ１１３４７−０１）を用いた。グローブボックス（（株）ブライト製　ＬＡＢｓｔａｒＭ１３（１２５０／７８０）にて、窒素雰囲気下でジクロロメタン脱酸素溶液（０．０１２３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、密栓し、室温で測定を行った。

吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図４４に示す。なお、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。

図４４に示す通り、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］は、６０６ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは赤橙色の発光が観測された。また、［Ｉｒ（ｐｑｎ）_２（ｄｐｐｍ）］の発光スペクトルの半値幅は、１０４ｎｍであった。

１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３：ＥＬ層、１０３ａ：ＥＬ層、１０３ｂ：ＥＬ層、１０３ｃ：ＥＬ層、１０６：電荷発生層、１０６ａ：電荷発生層、１０６ｂ：電荷発生層、１１１：正孔注入層、１１１ａ：正孔注入層、１１１ｂ：正孔注入層、１１２：正孔輸送層、１１２ａ：正孔輸送層、１１２ｂ：正孔輸送層、１１３：発光層、１１３ａ：発光層、１１３ｂ：発光層、１１３ｃ：発光層、１１４：電子輸送層、１１４ａ：電子輸送層、１１４ｂ：電子輸送層、１１５：電子注入層、１１５ａ：電子注入層、１１５ｂ：電子注入層、３００：発光装置、３０１：電源、３０２：調光部、３０３：発光デバイス、３１０：照明装置、３１０Ａ：照明装置、３１０Ｂ：照明装置、３１１：シェード、３１１ａ：シェード、３１１ｂ：シェード、３１２：台座、３１３：操作ボタン、３２０：光、３２１：光、３３０：リモートコントローラ、４００：基板、４０１：第１の電極、４０３：ＥＬ層、４０４：第２の電極、４０５：シール材、４０６：シール材、４０７：封止基板、４１２：パッド、４２０：ＩＣチップ、９００：基板、９０１：第１の電極、９０３：第２の電極、９１１：正孔注入層、９１２：正孔輸送層、９１３：発光層、９１４：電子輸送層、９１５：電子注入層、８００１：シーリングライト、８００２：足元灯、８００３：シート状照明、８００４：照明装置、８００５：電気スタンド、８００６：光源

Claims

　１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を生成し、
　前記第１の平滑化データと、前記第２の平滑化データと、を演算処理することで調光データを生成し、
　前記調光データに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる、調光プログラム。
　１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘを生成し、
　前記第１の平滑化データＸと、前記第２の平滑化データｘと、を下記数式に従って演算処理することで調光データｙを生成し、

　前記調光データｙに応じて、発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる、調光プログラム。
　（ただし、上記数式において、ｙ_ｉは、前記調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、前記第１の平滑化データＸのｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、前記第２の平滑化データｘのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｍａｘは、Ｘの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、Ｘの最小値を表し、ＵＬは、Ｘ成分の所定の上限値を表し、ＬＬは、Ｘ成分の所定の下限値を表し、ｘ_ｍａｘは、ｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、ｘの最小値を表し、Ａは、所定の寄与率を表す。）
　請求項２において、
　前記第１の平滑化データＸを生成する移動平均処理の区間は、前記第２の平滑化データｘを生成する移動平均処理の区間より大きい、調光プログラム。
　発光デバイスと、調光部を有する発光装置であって、
　前記調光部は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データと、第２の平滑化データと、を生成し、前記第１の平滑化データと、前記第２の平滑化データと、を演算処理することで調光データを生成し、前記調光データに応じて、前記発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる機能を有する、発光装置。
　発光デバイスと、調光部を有する発光装置であって、
　前記調光部は、１／ｆゆらぎ特性を有する基本データに対し、それぞれ区間の異なる移動平均処理を行うことで、第１の平滑化データＸと、第２の平滑化データｘを生成し、前記第１の平滑化データＸと、前記第２の平滑化データｘと、を下記数式に従って演算処理することで調光データｙを生成し、

　前記調光データｙに応じて、前記発光デバイスの輝度を時系列的に変化させる機能を有する、発光装置。
　（ただし、上記数式において、ｙ_ｉは、前記調光データｙのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｉは、前記第１の平滑化データＸのｉ番目のデータを示し、ｘ_ｉは、前記第２の平滑化データｘのｉ番目のデータを表し、Ｘ_ｍａｘは、Ｘの最大値を表し、Ｘ_ｍｉｎは、Ｘの最小値を表し、ＵＬは、Ｘ成分の所定の上限値を表し、ＬＬは、Ｘ成分の所定の下限値を表し、ｘ_ｍａｘは、ｘの最大値を表し、ｘ_ｍｉｎは、ｘの最小値を表し、Ａは、所定の寄与率を表す。）
　請求項５において、
　前記第１の平滑化データＸを生成する移動平均処理の区間は、前記第２の平滑化データｘを生成する移動平均処理の区間より大きい、発光装置。
　請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
　前記発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層と、を有する、発光装置。
　請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
　前記発光デバイスの電界発光スペクトルの４９５ｎｍ以下における発光強度は、最大ピーク波長における発光強度の１％以下である、発光装置。
　請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
　前記発光デバイスの電界発光スペクトルのピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下に位置する、発光装置。
　請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
　前記発光デバイスの電界発光スペクトルの最大ピーク波長が、５９０ｎｍ以上６２５ｎｍ以下である、発光装置。
　請求項４乃至請求項１０のいずれか一において、
　前記発光デバイスの電界発光スペクトルの半値幅が、７５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である、発光装置。
　請求項４乃至１１のいずれか一において、
　前記発光デバイスのＣＩＥ色度（ｘ、ｙ）のｘが０．５９以上０．６３以下であり、ｙが０．３７以上０．４１以下である、発光装置。
　請求項４乃至請求項１２のいずれか一に記載の発光装置と、シェードと、を有し、
　前記シェードは、透光性の材料を有する、照明装置。