CN117296454A - 调光程序、发光装置以及照明装置 - Google Patents

调光程序、发光装置以及照明装置 Download PDF

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濑尾哲史
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佐佐木俊毅
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Abstract

提供一种能够让人感到安静的新颖调光程序。提供一种调光程序,其中获得具有1/f波动特性的基本数据,对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理,由此生成第一平滑化数据及第二平滑化数据,对第一平滑化数据和第二平滑化数据进行运算处理,由此生成调光数据,并且根据调光数据以时间序列的方式改变发光器件的亮度。

Description

调光程序、发光装置以及照明装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种调光程序、发光装置以及照明装置。注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外,本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此,具体而言,作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
背景技术
蜡烛及火炉的火焰具有摇曳,让人感到安静。模拟这种自然光的摇曳的照明装置被进行开发。例如,专利文献1公开了一种照明装置,其中基于通过使蜡烛的火焰的指定个处的亮度数值化来设定的数据改变光源的光输出。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第平9-106891
发明内容
发明所要解决的技术问题
现有的模拟自然光的摇曳的照明装置有出现不自然的闪烁而有时不易让人感到安静的问题。另外,因为使用点光源,所以还有发光产生不均匀的问题。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够让人感到安静的新颖调光程序。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有放松效果的新颖调光程序。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够让人感到安静的新颖发光装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有放松效果的新颖发光装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够让人感到安静的新颖照明装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有放松效果的新颖照明装置。
注意,这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。此外,本发明的一个方式并不需要具有所有上述目的。注意,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种调光程序,其中,对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据及第二平滑化数据,对第一平滑化数据和第二平滑化数据进行运算处理来生成调光数据,并且,根据调光数据以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
另外,本发明的一个方式是一种调光程序,其中,对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x,根据下述算式对第一平滑化数据X和第二平滑化数据x进行运算处理来生成调光数据y,并且,根据调光数据y以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
[算式1]
注意,在上述算式中,yi表示调光数据y的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x的第i个数据,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值,LL表示X成分的指定下限值,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值,A表示指定贡献率。
在具有上述结构的调光程序中,生成第一平滑化数据X的移动平均处理的区间优选大于生成第二平滑化数据x的移动平均处理的区间。
另外,本发明的一个方式是一种发光装置,包括发光器件以及调光部,其中,调光部具有如下功能:对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据及第二平滑化数据;对第一平滑化数据和第二平滑化数据进行运算处理来生成调光数据;以及根据调光数据以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
另外,本发明的一个方式是一种发光装置,包括发光器件以及调光部,其中,调光部具有如下功能:对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x;根据下述算式对第一平滑化数据和第二平滑化数据进行运算处理来生成调光数据y;以及根据调光数据y以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
[算式2]
注意,在上述算式中,yi表示调光数据y的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x的第i个数据,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值,LL表示X成分的指定下限值,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值,A表示指定贡献率。
在具有上述各结构的发光装置中,生成第一平滑化数据的移动平均处理的区间优选大于生成第二平滑化数据的移动平均处理的区间。
在具有上述各结构的发光装置中,发光器件优选包括第一电极、第二电极及EL层。
在具有上述各结构的发光装置中,发光器件的电致发光光谱的495nm以下的发光强度优选为最大峰值波长的发光强度的1%以下。
在具有上述各结构的发光装置中,发光器件的电致发光光谱的峰值波长优选位于590nm以上且625nm以下,更优选位于590nm以上且620nm以下。另外,更优选的是,最大峰值波长为590nm以上且625nm以下,优选为590nm以上且620nm以下。
在具有上述各结构的发光装置中,发光器件的电致发光光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下,更优选为75nm以上且120nm以下,进一步优选为80nm以上且120nm以下,更进一步优选为85nm以上且120nm以下,还进一步优选为90nm以上且120nm以下。
在具有上述各结构的发光装置中,优选的是,发光器件的CIE色度(x,y)的x为0.58以上且0.63以下,y为0.37以上且0.42以下。更优选的是,x为0.59以上且0.63以下,y为0.37以上且0.41以下。进一步优选的是,x为0.59以上且0.62以下,y为0.38以上且0.41以下。
另外,本发明的一个方式是一种照明装置,包括具有上述各结构的发光装置以及灯罩,其中灯罩具有透光性材料。
此外,本发明的一个方式不仅包括具有发光器件的发光装置,而且还包括具有发光装置的照明装置。因此,本说明书中的发光装置是指图像显示器件或光源(包括照明装置)。此外,发光装置还包括如下模块:发光装置安装有连接器诸如FPC(Flexible printedcircuit:柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package:载带封装)的模块;在TCP端部设置有印刷线路板的模块;或者IC(集成电路)通过COG(Chip On Glass:玻璃覆晶封装)方式直接安装到发光器件的模块。
在本说明书中,晶体管所具有的源极和漏极的名称根据晶体管的极性及施加到各端子的电位的高低互相调换。一般而言,在n沟道型晶体管中,将被施加低电位的端子称为源极,而将被施加高电位的端子称为漏极。另外,在p沟道型晶体管中,将被施加低电位的端子称为漏极,而将被施加高电位的端子称为源极。在本说明书中,尽管为方便起见在一些情况下假定源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系,但是实际上,源极和漏极的名称根据上述电位关系而相互调换。
在本说明书中,晶体管的源极是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区域或与上述半导体膜连接的源电极。与此同样,晶体管的漏极是指上述半导体膜的一部分的漏区域或与上述半导体膜连接的漏电极。另外,栅极是指栅电极。
在本说明书中,晶体管串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中只有一个只与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接的状态。另外,晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。
在本说明书中,连接是指电连接,相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此,连接状态不一定必须是指直接连接的状态,而在其范畴内还包括能够供应或传送电流、电压或电位的通过布线、电阻、二极管、晶体管等的电路元件间接地连接的状态。
即使在本说明书中电路图上独立的构成要素彼此连接时,实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况,例如布线的一部分用作电极的情况等。本说明书中的连接的范畴内包括这种一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。
发明效果
根据本发明的一个方式,可以提供一种能够让人感到安静的新颖调光程序。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种具有放松效果的新颖调光程序。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种能够让人感到安静的新颖发光装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种具有放松效果的新颖发光装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种能够让人感到安静的新颖照明装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种具有放松效果的新颖照明装置。
注意,这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意,本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
附图简要说明
图1是说明本发明的一个方式的调光程序及发光装置的流程图。
图2A、图2B、图2C及图2D是说明本发明的一个方式的发光装置所处理的数据的图。
图3A及图3B是说明本发明的一个方式的发光装置的图。
图4A及图4B是说明本发明的一个方式的照明装置的图。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。
图6A及图6B是说明根据实施方式的电子设备的图。
图7是说明根据实施方式的电子设备的图。
图8是发光装置1的外观照片。
图9是发光装置1的具有1/f波动特性的基本数据的图表。
图10是发光装置1的第一平滑化数据及第二平滑化数据的图表。
图11是发光装置1的调光数据的图表。
图12是说明根据实施例的发光器件的结构的图。
图13是示出发光器件1及发光器件2的亮度-电流密度特性的图。
图14是示出发光器件1及发光器件2的电流效率-亮度特性的图。
图15是示出发光器件1及发光器件2的亮度-电压特性的图。
图16是示出发光器件1及发光器件2的电流-电压特性的图。
图17是示出发光器件1及发光器件2的外部量子效率-亮度特性的图。
图18是示出发光器件1及发光器件2的发射光谱的图。
图19是示出发光器件3的亮度-电流密度特性的图。
图20是示出发光器件3的电流效率-亮度特性的图。
图21是示出发光器件3的亮度-电压特性的图。
图22是示出发光器件3的电流-电压特性的图。
图23是示出发光器件3的外部量子效率-亮度特性的图。
图24是示出发光器件3的发射光谱的图。
图25是示出发光器件4的亮度-电流密度特性的图。
图26是示出发光器件4的电流效率-亮度特性的图。
图27是示出发光器件4的亮度-电压特性的图。
图28是示出发光器件4的电流-电压特性的图。
图29是示出发光器件4的外部量子效率-亮度特性的图。
图30是示出发光器件4的发射光谱的图。
图31是示出发光器件5及发光器件6的亮度-电流密度特性的图。
图32是示出发光器件5及发光器件6的电流效率-亮度特性的图。
图33是示出发光器件5及发光器件6的亮度-电压特性的图。
图34是示出发光器件5及发光器件6的电流-电压特性的图。
图35是示出发光器件5及发光器件6的外部量子效率-亮度特性的图。
图36是示出发光器件5及发光器件6的发射光谱的图。
图37是示出发光器件7的亮度-电流密度特性的图。
图38是示出发光器件7的电流效率-亮度特性的图。
图39是示出发光器件7的亮度-电压特性的图。
图40是示出发光器件7的电流-电压特性的图。
图41是示出发光器件7的外部量子效率-亮度特性的图。
图42是示出发光器件7的发射光谱的图。
图43是[Ir(pqn)2(dppm)]的1H NMR谱。
图44是[Ir(pqn)2(dppm)]的二氯甲烷溶液中的吸收光谱及发射光谱。
实施发明的方式
参照附图对实施方式进行详细说明。但是,本发明不局限于以下说明,所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是本发明的方式及详细内容在不脱离其宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意,在以下说明的发明的结构中,在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略其重复说明。
(实施方式1)
在本实施方式中,参照图1至图3说明本发明的一个方式的调光程序、发光装置及照明装置。
图1是说明本发明的一个方式的调光程序及发光装置的工作方法的流程图。
〔步骤S1〕
首先,对具有1/f波动特性的基本数据f进行区间互不相同的移动平均处理,由此生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x。
在本说明书等中,1/f波动是指数据的功率谱密度分布与频率f(f>0)成反比的波动。
对具有1/f波动特性的基本数据f的获取方法没有特别的限制。例如,具有1/f波动特性的基本数据可以是使自然物的运动数值化来生成的数据,也可以是用计算软件人工生成的数据。此外,可以使用预先生成而储存的数据,也可以生成并使用该数据。
作为使自然物的运动数值化来生成的数据,例如可以使用利用检测装置使风强度、火焰亮度或波浪运动等数值化来生成的数据。作为检测装置,例如可以使用加速度传感器、照相机、照度传感器或麦克风等。
作为用计算软件生成数据的方法,可以利用元胞自动机、间歇混沌或1/2阶积分法(integral of order 1/2)等方法。
作为用来生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x的移动平均处理例如可以采用简单移动平均、加权移动平均、指数移动平均、修正移动平均、三角移动平均等,在采用简单移动平均时处理简单,所以是优选的。
当采用简单移动平均时,可以根据下述算式(1)及算式(2)求出第一平滑化数据X及第二平滑化数据x。
[算式3]
注意,在上述算式(1)及算式(2)中,fi表示具有1/f波动特性的基本数据f的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x的第i个数据。d1表示生成第一平滑化数据的移动平均处理的区间(自然数),d2表示生成第二平滑化数据的移动平均处理的区间(与d1不同的自然数)。注意,在本说明书中,自然数是1以上的整数。
在上述算式(1)及算式(2)中,d1优选大于d2。具体而言,d2优选为d1的5%以上且50%以下的值,更优选为d1的10%以上且30%以下的值。
当使d1大于d2时,第一平滑化数据X的波形成为与第二平滑化数据x的波形相比平滑且长周期成分占优势的波形。如此,通过使用进行了区间互不相同的移动平均处理的两个以上的平滑化数据(周期成分不同的数据)在下一个步骤S3中生成调光数据,可以生成能够让人感到安静或者具有放松效果的新的具有1/f波动特性的调光数据。
注意,在此示出从具有1/f波动特性的基本数据f生成两个平滑化数据(第一平滑化数据X及第二平滑化数据x)的例子,但是本发明的一个方式不局限于此。根据情况也可以从具有1/f波动特性的基本数据f生成三个以上的平滑化数据。
〔步骤S2〕
接着,对第一平滑化数据X和第二平滑化数据x进行运算处理,由此生成调光数据y。
步骤S2的运算处理例如可以根据下述算式(3)进行。
[算式4]
注意,在算式(3)中,yi表示调光数据y的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X(以下简单地记为X)的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x(以下简单地记为x)的第i个数据。此外,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值(0以上且1以下),LL表示X成分的指定下限值(0以上且小于UL)。此外,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值。此外,A表示指定贡献率(0以上且1以下,优选为0以上且0.5以下)。各A也可以是互不相同的值。
另外,步骤S2的运算处理也可以根据下述算式(4)进行。在算式(4)中多个A中的一方为A’,这点上算式(4)与算式(3)不同。
[算式5]
注意,在算式(4)中,yi表示调光数据y的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X(以下简单地记为X)的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x(以下简单地记为x)的第i个数据。此外,Xmax表示第一平滑化数据X的最大值,Xmin表示第一平滑化数据X的最小值,UL表示第一平滑化数据X成分的指定上限值(0以上且1以下),LL表示第一平滑化数据X成分的指定下限值(0以上且小于UL)。此外,xmax表示第二平滑化数据x的最大值,xmin表示第二平滑化数据x的最小值。此外,A表示0以上且1以下、优选为0以上且0.5以下的任意值,A’表示0以上且A以下的任意值。
步骤S2的运算处理也可以根据下述算式(5)进行。
[算式6]
注意,在算式(5)中,yi表示调光数据y的第i个数据,Xi表示第一平滑化数据X(以下简单地记为X)的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x(以下简单地记为x)的第i个数据。此外,Xmax表示第一平滑化数据X的最大值,Xmin表示第一平滑化数据X的最小值。此外,xmax表示第二平滑化数据x的最大值,xmin表示第二平滑化数据x的最小值。此外,A表示0以上且1以下、优选为0以上且0.5以下的任意值。此外,UL表示yi的指定上限值(0以上且1以下),LL表示yi的指定下限值(0以上且小于UL)。
在上述算式(3)至(5)中,A及A’决定第二平滑化数据x对调光数据y的贡献率。也就是说,在d1大于d2的情况下,即第一平滑化数据X具有与第二平滑化数据x相比平滑且长周期成分占优势的波形的情况下,在作为A及A’设定较大的值时调光数据y的波动的短周期成分大,在作为A及A’设定较小的值时调光数据的波动的短周期成分更小。
通过如上所述生成调光数据y,可以使调光数据y最优化而生成能够让人感到安静或者具有放松效果的新的具有1/f波动特性的调光数据。
注意,在此示出对两个平滑化数据(第一平滑化数据X和第二平滑化数据x)进行运算处理来生成调光数据y的例子,但是本发明的一个方式不局限于此。根据情况也可以对三个以上的平滑化数据进行运算处理来生成调光数据。
〔步骤S3〕
接着,根据调光数据y以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
对用于本发明的一个方式的调光程序及发光装置的发光器件没有特别的限制。例如,可以将荧光灯、白炽灯、LED或有机EL元件等发光器件用于本发明的一个方式的调光程序及发光装置。
作为根据调光数据改变发光器件的亮度的方式,可以根据所用的发光器件选择合适的方式。例如,可以采用移相控制调光、电流振幅调光或PWM(Pulse Width Modulation:脉冲宽度调制)控制方式等。
在采用移相控制方式时,直接调节对发光器件的电力来控制发光器件的亮度。由于可以仅用电源线进行调光控制,所以调光部与发光器件之间的布线可以仅为两个,而可以将发光装置的制造变得简单。
在采用PWM控制方式时,改变点亮和关灯的时间上的比例(占空比)来控制发光器件的亮度。虽然除了两个电源线之外还需要两个信号线作为布线,但是与移相控制方式相比不易受电源变动的影响,因此可以进行稳定的调光。此外,与电流振幅调光相比,在PWM控制方式中,流过发光器件的电流为固定的,因此发光颜色也可以为固定的。通过采用PWM控制方式,可以确保更宽的动态范围。
另外,在采用PWM控制方式时,通过设定更高的频率,可以抑制发光器件的发光中产生闪烁。例如,在将频率设定为约100Hz以上时,可以抑制发光器件的发光中产生闪烁。
通常,在采用PWM控制方式以时间序列的方式改变亮度时,有时发光器件的发光中产生闪烁,但是通过使用本发明的一个方式的调光程序,可以抑制闪烁。因此,可以更自然地改变亮度。
此外,也可以使用步骤S2中生成的调光数据y而用算式(6)生成新的调光数据Y,并且根据该调光数据Y以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
[算式7]
Y=a×y+b(6)
注意,在算式(6)中a和b分别独立地表示任意值。
通过采用上述结构,可以提供能够让人感到安静或者具有放松效果的调光程序及发光装置。
图2是说明由本发明的一个方式的调光程序及发光装置获取或生成的数据的图。纵轴表示各数据的强度,横轴表示数据号码。图2A示出调光程序及发光装置所获取的具有1/f波动特性的基本数据f的例子。图2B示出调光程序及发光装置所生成的第一平滑化数据X的例子。图2C示出调光程序及发光装置所生成的第二平滑化数据x的例子。图2D示出调光程序及发光装置所生成的调光数据y的例子。
如图2A、图2B及图2C所示,第一平滑化数据X(图2B)及第二平滑化数据x(图2C)与基本数据f(图2A)相比被平滑化。此外,如图2B及图2C所示,第一平滑化数据X(图2B与第二平滑化数据x(图2C)相比进一步被平滑化。
在本发明的一个方式的调光程序及发光装置中,通过如此组合两种平滑化数据,可以生成图2D所示的调光数据y。
图3A是说明本发明的一个方式的发光装置300的方框图。如图3A所示,发光装置300至少包括电源301、调光部302及发光器件303。
调光部302具有根据通过上述步骤S1至S3生成的调光数据y以时间序列的方式改变发光器件303的亮度的功能。
调光部302例如包括存储部。本发明的一个方式的调光程序可以安装于该存储部。或者,可以使该存储部储存预先生成的调光数据y。
图3B示出说明本发明的一个方式的照明装置310的图。如图3B所示,照明装置310包括灯罩311、发光装置300、台座312及操作按钮313。发光装置300被灯罩311覆盖。
灯罩311用透光性材料形成。发光装置300所发的光通过灯罩311散射,由此可以使照明装置310所发的光更加柔和,而可以提高放松效果。
作为用于灯罩311的透光性材料,例如可以使用透明树脂材料、乳白色树脂材料、混合有扩散材料的树脂材料、玻璃、纸、布、木材、加工成薄片的金属或者陶瓷等。注意,可用于灯罩311的材料不局限于此。具有透光性并能够成形为覆盖发光装置300的形状的材料可以用于灯罩311。
注意,在本说明书等中,根据情况也可以将“灯罩”称为“外壳”或“盖”。此外,在本说明书等中,“透光性”是指至少透过可见光(波长为400nm以上且750nm以下的光)的波长区域的光的性质。
图4A示出作为照明装置310的变形例子的照明装置310A。如图4A所示,照明装置310A包括圆柱型灯罩311。在照明装置310A中,灯罩311用透明树脂材料形成,发光装置300所发的光以全反射的方式经过灯罩311,向照明装置310A的上方发射光320。通过采用这种结构,可以控制光发射方向。
图4B示出作为照明装置310A的变形例子的照明装置310B。照明装置310B包括用透明树脂材料形成的圆柱状灯罩311a以及覆盖灯罩311a和发光装置300的双方的灯罩311b。在照明装置310B中,发光装置300所发的光以全反射的方式经过灯罩311a,向311a的上方发射光320。并且,光320经过灯罩311b而发射光321。通过采用这种结构,可以控制光发射方向,并可以实现发射更柔和的光的照明装置。
另外,本发明的一个方式的照明装置不但用台座312所包括的操作按钮313操作,还可以用遥控器操作。图4B中示出遥控器330。
遥控器330也可以包括多个按钮而设定为除了照明装置310B的电源的开启、关闭之外还可以选择选择摇曳模式种类。作为摇曳模式的具体例子,例如可以举出能够通过本发明的一个方式的调光程序生成的摇曳以及正弦波。另外,也可以设定为可以选择没有摇曳的发光模式。另外,也可以设定为使用者可以从多个1/f波动中选择喜欢的1/f波动,在该多个1/f波动中对多个本发明的一个方式的调光程序分别使用不同变数而使其波动互不相同。
此外,作为发光器件303,优选使用包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件(有机EL元件)。这种发光器件具有面发光,所以与使用具有点发光的发光器件的情况相比,发光装置300所发的光可以为没有不均匀的柔和的光。因此,可以提高发光装置300的放松效果。注意,将在实施方式2中详细说明可用于发光装置300的包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件的一个例子。
在作为发光器件303使用包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件的情况下,该发光器件的电致发光光谱的半宽优选为70nm以上,更优选为75nm以上。由此,可以提高发光装置300的显色性而得到更接近自然光的发光。另外,该发光器件的电致发光光谱的半宽优选为120nm以下。由此,如后面所述,可以得到抑制高能短波蓝光的发光。因此,该发光器件的电致发光光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下,更优选为75nm以上且120nm以下,进一步优选为80nm以上且120nm以下,更进一步优选为85nm以上且120nm以下,还进一步优选为90nm以上且120nm以下。
此外,在作为发光器件303使用包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件的情况下,该发光器件的电致发光光谱的峰值波长优选位于590nm以上且625nm以下,更优选位于590nm以上且620nm以下。由此,可以得到呈现更接近夕阳、篝火及蜡烛的光等自然光以及白炽灯的光的暖色系发光的发光器件。夕阳、篝火、蜡烛的火焰以及白炽灯等所呈现的暖色系发光刺激人的副交感神经而给人带来放松效果。因此,通过使用电致发光光谱的峰值波长为590nm以上且625nm以下(更优选为590nm以上且620nm以下)的发光器件,可以实现给使用者带来放松效果的发光装置。
尤其有效的是,该发光器件的电致发光光谱的最大峰值波长在于上述范围内。也就是说,在作为发光器件303使用包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件的情况下,该发光器件的电致发光光谱的最大峰值波长尤其优选为590nm以上且625nm以下,更优选为590nm以上且620nm以下。由此,不但可以得到呈现非常接近夕阳、篝火及蜡烛的光等自然光以及白炽灯的光的暖色系发光的发光器件,而且可以防止因工艺不均匀导致发光颜色偏离暖色系颜色,因此可以得到廉价且适于量产的发光器件。夕阳、篝火、蜡烛的火焰以及白炽灯等所呈现的暖色系发光刺激人的副交感神经而给人带来放松效果。因此,通过使用电致发光光谱的最大峰值波长为590nm以上且625nm以下(更优选为590nm以上且620nm以下)的发光器件,可以实现给使用者带来放松效果的发光装置。
另外,在作为发光器件303使用包括第一电极、第二电极及EL层的发光器件的情况下,更优选的是,该发光器件的电致发光光谱中几乎不包含高能短波蓝光。具体而言,更优选的是,在电致发光光谱中,495nm以下的可见光成分的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1/100以下。
高能短波蓝光是指可见光线中能量较高的蓝色光(波长360nm至495nm)。据说,高能短波蓝光不被膜及晶状体吸收而到达视网膜,所以导致损伤视网膜及视神经的问题。另外,还有因在深夜里暴露于高能短波蓝光而导致生理节律(Circadian rhythm)变乱的问题。高能短波蓝光的可怕之处是人眼对于其波长区域的光的光视效能低。因此,人即使被暴露于较强的高能短波蓝光也不能意识到,所以易于积累损伤。
因此,通过使用电致发光光谱中几乎不包含高能短波蓝光的发光器件,可以实现抑制使用者的眼睛疲劳而提高睡眠质量的发光装置。从上述观点来看,为了抑制高能短波蓝光成分,发光器件的电致发光光谱的半宽优选为120nm以下。
具有上述发光器件结构的发光装置300可以被用作产生放松效果和提高睡眠质量的效果的光疗法(light therapy)用发光装置。也就是说,本发明的另一个方式是一种光疗法用发光装置,其中电致发光光谱的峰值波长(或者最大峰值波长)为590nm以上且625nm以下(更优选为590nm以上且620nm以下),电致发光光谱的半宽为70nm以上且120nm以下(更优选为75nm以上且120nm以下),并且495nm以下的可见光成分的发光强度为电致发光光谱的最大峰值波长的发光强度的1/100以下。半宽的范围更优选为80nm以上且120nm以下,进一步优选为85nm以上且120nm以下,更进一步优选为90nm以上且120nm以下。
此外,在本发明的一个方式的发光装置中,刺激人的副交感神经而给人带来放松效果的暖色系发光优选在于特定发光颜色的范围内。也就是说,优选的是,上述发光器件的CIE色度(x,y)的x为0.58以上且0.63以下,y为0.37以上且0.42以下。更优选的是,x为0.59以上且0.63以下,y为0.37以上且0.41以下。进一步优选的是,x为0.59以上且0.62以下,y为0.38以上且0.41以下。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中,参照图5A至图5E说明可用于本发明的一个方式的发光装置的发光器件。
<<发光器件的基本结构>>
对发光器件的基本结构进行说明。图5A示出一对电极间包括具有发光层的EL层的发光器件。具体而言,在第一电极101与第二电极102之间包括EL层103。
图5B示出在一对电极间包括多个(图5B中两层)EL层(103a、103b)且在EL层之间包括电荷产生层106的叠层结构(串联结构)的发光器件。
电荷产生层106具有如下功能:在第一电极101与第二电极102之间产生电位差时,对一个EL层(103a或103b)注入电子并对另一个EL层(103b或103a)注入空穴。由此,在图5B中,当以使第一电极101的电位比第二电极102高的方式施加电压时,电荷产生层106将电子注入到EL层103a中并将空穴注入到EL层103b中。
此外,从光提取效率的观点来看,电荷产生层106优选对可见光具有透光性(具体而言,电荷产生层106的可见光透射率为40%以上)。此外,即使电荷产生层106的电导率比第一电极101及第二电极102低也发挥功能。
图5C示出本发明的一个方式的发光器件的EL层103的叠层结构。注意,在此情况下,第一电极101被用作阳极,第二电极102被用作阴极。EL层103具有第一电极101上依次层叠有空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114以及电子注入层115的结构。注意,发光层113也可以层叠发光颜色不同的多个发光层。例如,也可以隔着或不隔着包含载流子传输性材料的层层叠包含发射红色光的发光物质的发光层、包含发射绿色光的发光物质的发光层。注意,发光层113的叠层结构不局限于上述结构。例如,发光层113也可以层叠发光颜色相同的多个发光层。例如,也可以隔着或不隔着包含载流子传输性材料的层层叠包含发射红色光的发光物质的第一发光层、包含发射红色光的发光物质的第二发光层。在层叠发光颜色相同的多个发光层时,有时与单层相比可以提高可靠性。此外,在图5B所示的串联结构包括多个EL层时,各EL层从阳极一侧如上那样依次层叠。此外,在第一电极101为阴极且第二电极102为阳极时,EL层103的叠层顺序相反。具体而言,阴极的第一电极101上的111为电子注入层,112为电子传输层,113为发光层,114为空穴传输层,115为空穴注入层。
EL层(103、103a及103b)中的发光层113适当地组合发光物质等多个物质而能够获得呈现所希望的发光颜色的荧光发光或磷光发光。此外,发光层113也可以具有发光颜色不同的发光层的叠层结构。在此情况下,作为用于层叠的各发光层的发光物质和其他物质中的任一方或双方可以使用不同材料。此外,也可以采用从图5B所示的多个EL层(103a及103b)获得不同发光颜色的结构。在此情况下,作为用于各发光层的发光物质和其他物质中的一方或双方可以使用不同材料。此外,发光层113也可以具有发光颜色相同的发光层的叠层结构。在此情况下,用于层叠的各发光层的发光物质和其他物质可以是不同的,也可以是相同的。此外,也可以采用从图5B所示的多个EL层(103a及103b)获得相同发光颜色的结构。在此情况下,用于各发光层的发光物质及其他物质可以是不同的,也可以是相同的。
此外,在本发明的一个方式的发光器件中,例如,通过使图5C所示的第一电极101为反射电极、使第二电极102为半透射-半反射电极并采用光学微腔谐振器(微腔)结构,可以使从EL层103中的发光层113得到的光在上述电极之间发生谐振,从而可以增强穿过第二电极102得到的光。
在发光器件的第一电极101为由具有反射性的导电材料和具有透光性的导电材料(透明导电膜)的叠层结构构成的反射电极的情况下,可以通过控制透明导电膜的厚度来进行光学调整。具体而言,优选以如下方式进行调整:在从发光层113获得的光的波长为λ时,第一电极101与第二电极102的电极间的光学距离(厚度与折射率之积)为mλ/2(注意,m为自然数)或其附近值。
此外,为了使从发光层113获得的所希望的光(波长:λ)放大,优选调整为如下:从第一电极101到发光层113中的能够获得所希望的光的区域(发光区域)的光学距离及从第二电极102到发光层113中的能够获得所希望的光的区域(发光区域)的光学距离都成为(2m’+1)λ/4(注意,m’为自然数)或其附近值。注意,在此说明的“发光区域”是指发光层113中的空穴与电子的再结合区域。
通过进行上述光学调整,可以使能够从发光层113获得的特定的单色光的光谱变窄,由此获得色纯度良好的发光。
此外,在上述情况下,严格地说,第一电极101和第二电极102之间的光学距离可以说是从第一电极101中的反射区域到第二电极102中的反射区域的总厚度。但是,因为难以准确地决定第一电极101及第二电极102中的反射区域的位置,所以通过假定第一电极101及第二电极102中的任意的位置为反射区域可以充分得到上述效果。此外,严密地说,第一电极101和可以获得所希望的光的发光层之间的光学距离可以说是第一电极101中的反射区域和可以获得所希望的光的发光层中的发光区域之间的光学距离。但是,因为难以准确地决定第一电极101中的反射区域及可以获得所希望的光的发光层中的发光区域的位置,所以通过假定第一电极101中的任意的位置为反射区域且可以获得所希望的光的发光层的任意的位置为发光区域,可以充分得到上述效果。
图5D所示的发光器件是图5B所示的串联结构的发光器件的一个例子,如附图所示,具有两个EL层(103a、103b)夹着电荷产生层106而层叠的结构。两个EL层(103a、103b)分别包括发光层(113a、113b),并且可以自由地组合各发光层的发光颜色。例如,发光层113a可以呈现红色,并且发光层113b可以呈现红色、绿色或黄色。
图5E所示的发光器件是图5B所示的串联结构的发光器件的一个例子,如附图所示,具有三个EL层(103a、103b、103c)夹着电荷产生层(106a、106b)而层叠的结构。三个EL层(103a、103b、103c)分别包括发光层(113a、113b、113c),并且可以自由地组合各发光层的发光颜色。例如,发光层113a可以呈现红色,发光层113b可以呈现红色、绿色或黄色,并且发光层113c可以呈现红色。
此外,在上述本发明的一个方式的发光器件中,第一电极101和第二电极102中的至少一个为具有透光性的电极(透明电极、半透射-半反射电极等)。在具有透光性的电极为透明电极的情况下,透明电极的可见光透射率为40%以上。此外,在该电极为半透射-半反射电极的情况下,半透射-半反射电极的可见光反射率为20%以上且80%以下,优选为40%以上且70%以下。此外,这些电极的电阻率优选为1×10-2Ωcm以下。
此外,在上述本发明的一个方式的发光器件中,在第一电极101和第二电极102中的一个为具有反射性的电极(反射电极)的情况下,具有反射性的电极的可见光反射率为40%以上且100%以下,优选为70%以上且100%以下。此外,该电极的电阻率优选为1×10-2Ωcm以下。
<<发光器件的具体结构>>
接着,说明本发明的一个方式的发光器件的具体结构。此外,这里参照具有串联结构的图5D进行说明。注意,图5A及图5C所示的具有单结构的发光器件也具有同样的EL层的结构。此外,在图5D所示的发光器件具有微腔结构的情况下,作为第一电极101形成反射电极,作为第二电极102形成半透射-半反射电极。由此,可以单独使用所希望的电极材料或者使用多个电极材料以单层或叠层形成上述电极。此外,第二电极102在形成EL层103b之后,与上述同样地选择材料而形成。
<第一电极及第二电极>
作为形成第一电极101及第二电极102的材料,只要可以满足上述两个电极的功能就可以适当地组合下述材料。例如,可以适当地使用金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言,可以举出In-Sn氧化物(也称为ITO)、In-Si-Sn氧化物(也称为ITSO)、In-Zn氧化物、In-W-Zn氧化物。除了上述以外,还可以举出铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)、钕(Nd)等金属以及适当地组合它们的合金。除了上述以外,可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素(例如,锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr))、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属、适当地组合它们的合金以及石墨烯等。
在图5D所示的发光器件中第一电极101为阳极的情况下,通过真空蒸镀法在第一电极101上依次层叠EL层103a的空穴注入层111a及空穴传输层112a。在形成EL层103a及电荷产生层106之后,与上述同样,在电荷产生层106上依次层叠EL层103b的空穴注入层111b及空穴传输层112b。
<空穴注入层>
空穴注入层(111、111a、111b)为将空穴从阳极的第一电极101或电荷产生层(106、106a、106b)注入到EL层(103、103a、103b)的层,并包含有机受体材料或空穴注入性高的材料。
有机受体材料可以通过与其LUMO(最低未占据分子轨道:Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)能级的值接近于HOMO(最高占据分子轨道:Highest OccupiedMolecular Orbital)能级的值的其他有机化合物之间发生电荷分离,来在该有机化合物中产生空穴。因此,作为有机受体材料可以使用醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂三亚苯衍生物等具有吸电子基团(卤基、氰基等)的化合物。例如,可以使用7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称:F4-TCNQ)、3,6-二氟-2,5,7,7,8,8-六氰基对醌二甲烷、氯醌、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(简称:HAT-CN)、1,3,4,5,7,8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称:F6-TCNNQ)、2-(7-二氰基亚甲基-1,3,4,5,6,8,9,10-八氟-7H-芘-2-亚基)丙二腈等。在有机受体材料中,吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如HAT-CN等的受体性较高,膜质量具有热稳定性,所以是尤其优选的。除此以外,包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基、氰基等)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高所以是优选的,具体而言,可以使用:α,α’,α”-1,2,3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2,3,5,6-四氟苯乙腈]、α,α’,α”-1,2,3-环丙烷三亚基三[2,6-二氯-3,5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α,α’,α”-1,2,3-环丙烷三亚基三[2,3,4,5,6-五氟苯乙腈]等。
作为空穴注入性高的材料,可以使用属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物(钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等过渡金属氧化物等)。具体而言,可以举出氧化钼、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钨、氧化锰、氧化铼。其中尤其是氧化钼在大气中稳定,吸湿性低,并且容易处理,因此是优选的。除了上述以外,可以使用酞菁类化合物如酞菁(简称:H2Pc)、铜酞菁(CuPc)。
此外,除了上述材料以外还可以使用如下低分子化合物的芳香胺化合物等,诸如4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(简称:TDATA)、4,4',4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称:MTDATA)、4,4'-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称:DPAB)、N-N’-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(简称:DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称:DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCA1)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCN1)等。
此外,可以使用高分子化合物(低聚物、枝状聚合物或聚合物等),诸如聚(N-乙烯基咔唑)(简称:PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称:PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称:PTPDMA)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺](简称:Poly-TPD)等。或者,还可以使用添加有酸的高分子化合物,诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称:PEDOT/PSS)、聚苯胺/聚(简称:苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。
作为空穴注入性高的材料,也可以使用包含空穴传输性材料及上述有机受体材料(电子受体材料)的混合材料。在此情况下,由有机受体材料从空穴传输性材料抽出电子而在空穴注入层111中产生空穴,空穴通过空穴传输层112注入到发光层113中。此外,空穴注入层111可以采用由包含空穴传输性材料及有机受体材料(电子受体材料)的混合材料构成的单层,也可以采用分别使用空穴传输性材料及有机受体材料(电子受体材料)形成的层的叠层。
作为空穴传输性材料,优选使用电场强度[V/cm]的平方根为600时的空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。此外,只要是空穴传输性高于电子传输性的物质,可以使用上述以外的物质。
作为空穴传输性材料,优选使用具有富π电子杂芳环的化合物(例如,咔唑衍生物、呋喃衍生物、噻吩衍生物)、芳香胺(包含芳香胺骨架的有机化合物)等空穴传输性高的材料。
作为上述咔唑衍生物(具有咔唑环的有机化合物),可以举出联咔唑衍生物(例如,3,3’-联咔唑衍生物)、具有咔唑基的芳香胺等。
作为上述联咔唑衍生物(例如,3,3’-联咔唑衍生物),具体而言,可以举出3,3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称:PCCP)、9,9’-双(联苯-4-基)-3,3’-联-9H-咔唑(简称:BisBPCz)、9,9’-双(1,1’-联苯-3-基)-3,3’-联-9H-咔唑(简称:BismBPCz)、9-(1,1’-联苯-3-基)-9’-(1,1’-联苯-4-基)-9H,9’H-3,3’-联咔唑(简称:mBPCCBP)、9-(2-萘基)-9’-苯基-9H,9’H-3,3’-联咔唑(简称:βNCCP)等。
此外,作为具有咔唑基的芳香胺,具体而言,可以举出4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBA1BP)、N-(4-联苯)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称:PCBiF)、N-(1,1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称:PCBBiF)、4,4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBANB)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(简称:PCA1BP)、N,N’-双(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(简称:PCA2B)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(简称:PCA3B)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称:PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9’-二芴-2-胺(简称:PCBASF)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCA1)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzPCN1)、3-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzDPA1)、3,6-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzDPA2)、3,6-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-(1-萘基)氨基]-9-苯基咔唑(简称:PCzTPN2)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]螺-9,9’-二芴(简称:PCASF)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(简称:YGA1BP)、N,N’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基芴-2,7-二胺(简称:YGA2F)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称:TCTA)等。
注意,作为咔唑衍生物,除了上述以外,还可以举出3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称:PCPPn)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称:PCPN)、1,3-双(N-咔唑基)苯(简称:mCP)、4,4’-二(N-咔唑基)联苯(简称:CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称:CzTP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称:TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称:CzPA)等。
作为上述呋喃衍生物(具有呋喃环的有机化合物),具体而言,可以举出4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称:DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称:mmDBFFLBi-II)等。
作为上述噻吩衍生物(具有噻吩环的有机化合物),具体而言,可以举出具有噻吩环的有机化合物,诸如4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称:DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称:DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称:DBTFLP-IV)等。
作为上述芳香胺,具体而言,可以举出4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称:NPB或α-NPD)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(简称:TPD)、4,4’-双[N-(螺-9,9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称:BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称:BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称:mBPAFLP)、N-(4-联苯)-N-{4-[(9-苯基)-9H-芴-9-基]-苯基}-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称:FBiFLP)、N,N,N’,N’-四(4-联苯)-1,1-联苯-4,4’-二胺(简称:BBA2BP)、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称:SF4FAF)、N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基]-9H-芴-7-基}苯基胺(简称:DFLADFL)、N-(9,9-二甲基-2-二苯基氨基-9H-芴-7-基)二苯基胺(简称:DPNF)、2-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]螺-9,9’-二芴(简称:DPASF)、2,7-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-螺-9,9’-二芴(简称:DPA2SF)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称:1’-TNATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(简称:TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称:m-MTDATA)、N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺(简称:DTDPPA)、4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称:DPAB)、DNTPD、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称:DPA3B)、N-(4-联苯)-6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-胺(简称:BnfABP)、N,N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-胺(简称:BBABnf)、4,4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯基胺(简称:BnfBB1BP)、N,N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-6-胺(简称:BBABnf(6))、N,N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-胺(简称:BBABnf(8))、N,N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃-4-胺(简称:BBABnf(II)(4))、N,N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-p-三联苯(简称:DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称:ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’,4”-二苯基三苯基胺(简称:BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’,4”-二苯基三苯基胺(简称:BBAβNBi)、4,4’-二苯基-4”-(6;1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称:BBAαNβNB)、4,4’-二苯基-4”-(7;1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称:BBAαNβNB-03)、4,4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称:BBAPβNB-03)、4,4’-二苯基-4”-(6;2’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称:BBA(βN2)B)、4,4’-二苯基-4”-(7;2’-联萘基-2-基)-三苯基胺(简称:BBA(βN2)B-03)、4,4’-二苯基-4”-(4;2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称:BBAβNαNB)、4,4’-二苯基-4”-(5;2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称:BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称:TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称:mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称:TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯基胺(简称:αNBA1BP)、4,4’-双(1-萘基)三苯基胺(简称:αNBB1BP)、4,4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称:YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1,1’-联苯-4-基)胺(简称:YGTBi1BP-02)、4-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称:YGTBiβNB)、双-联苯-4’-(咔唑-9-基)联苯胺(简称:YGBBi1BP)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9,9'-螺双[9H-芴]-2-胺(简称:PCBNBSF)、N,N-双([1,1'-联苯]-4-基)-9,9’-螺双[9H-芴]-2-胺(简称:BBASF)、N,N-双([1,1’-联苯]-4-基)-9,9’-螺双[9H-芴]-4-胺(简称:BBASF(4))、N-(1,1’-联苯-2-基)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双[9H-芴]-4-胺(简称:oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称:FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称:mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称:BPAFLBi)、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-4-胺、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-3-胺、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-2-胺、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-1-胺等。
除此以外,作为空穴传输性材料,可以使用高分子化合物(低聚物、枝状聚合物、聚合物等),诸如聚(N-乙烯基咔唑)(简称:PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称:PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称:PTPDMA)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺](简称:Poly-TPD)等。或者,还可以使用添加有酸的高分子化合物,诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称:PEDOT/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。
注意,空穴传输性材料不局限于上述材料,可以将已知的各种材料中的一种或多种的组合作为空穴传输性材料。
注意,空穴注入层(111、111a、111b)可以利用已知的各种成膜方法形成,例如可以利用真空蒸镀法形成。
<空穴传输层>
空穴传输层(112、112a、112b)是将从第一电极101由空穴注入层(111、111a、111b)注入的空穴传输到发光层(113、113a、113b)中的层。此外,空穴传输层(112、112a、112b)是包含空穴传输性材料的层。因此,作为空穴传输层(112、112a、112b),可以使用能够用于空穴注入层(111、111a、111b)的空穴传输性材料。
注意,在作为本发明的一个方式的发光器件中,可以将与空穴传输层(112、112a、112b)相同的有机化合物用于发光层(113、113a、113b)。在空穴传输层(112、112a、112b)和发光层(113、113a、113b)使用相同的有机化合物时,可以高效地将空穴从空穴传输层(112、112a、112b)传输到发光层(113、113a、113b),因此是优选的。
<发光层>
发光层(113、113a、113b)是包含发光物质的层。对于可用于发光层(113、113a、113b)的发光物质,可以适当地使用呈现绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等发光颜色的物质。此外,在包括多个发光层时通过在各发光层中分别使用不同的发光物质,可以成为呈现不同发光颜色的结构。再者,也可以采用一个发光层包含不同的发光物质的叠层结构。
此外,发光层(113、113a、113b)除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料等)。
注意,在发光层(113、113a、113b)中使用多个主体材料时,作为新加的第二主体材料,优选使用具有比现有的客体材料及第一主体材料的能隙大的能隙的物质。此外,优选的是,第二主体材料3的最低单重激发能级(S1能级)比第一主体材料的S1能级高,第二主体材料的最低三重激发能级(T1能级)比客体材料的T1能级高。此外,优选的是,第二主体材料的最低三重激发能级(T1能级)比第一主体材料的T1能级高。通过采用上述结构,可以由两种主体材料形成激基复合物。注意,为了高效地形成激基复合物,特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。此外,通过采用上述结构,可以同时实现高效率、低电压以及长寿命。
注意,作为用作上述主体材料(包括第一主体材料及第二主体材料)的有机化合物,只要满足用于发光层的主体材料的条件,就可以使用如可以用于上述空穴传输层(112、112a、112b)的空穴传输性材料、可以用于后述电子传输层(114、114a、114b)的电子传输性材料等有机化合物,也可以使用由多种有机化合物(上述第一主体材料及第二主体材料)形成的激基复合物。此外,以多种有机化合物形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有可以将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。作为形成激基复合物的多种有机化合物的组合,例如,优选的是,一个具有缺π电子杂芳环,另一个具有富π电子杂芳环。此外,作为形成激基复合物的组合中的一个,也可以使用铱、铑、铂类有机金属配合物或金属配合物等的磷光发光物质。
对可用于发光层(113、113a、113b)的发光物质没有特别的限制,可以使用将单重激发能转换为可见光区域的光的发光物质或将三重激发能转换为可见光区域的光的发光物质。
<<将单重激发能转换为发光的发光物质>>
作为能够用于发光层(113、113a、113b)的将单重激发能转换为发光的发光物质,可以举出以下的发射荧光的物质(荧光发光物质)。例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。尤其是芘衍生物的发光量子产率高,所以是优选的。尤其是芘衍生物的发光量子产率高,所以是优选的。作为芘衍生物的具体例子,可以举出N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(简称:1,6mMemFLPAPrn)、(N,N’-二苯基-N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1,6-二胺)(简称:1,6FLPAPrn)、N,N’-双(二苯并呋喃-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(简称:1,6FrAPrn)、N,N’-双(二苯并噻吩-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(简称:1,6ThAPrn)、N,N’-(芘-1,6-二基)双[(N-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-6-胺](简称:1,6BnfAPrn)、N,N’-(芘-1,6-二基)双[(N-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称:1,6BnfAPrn-02)、N,N’-(芘-1,6-二基)双[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称:1,6BnfAPrn-03)等。
此外,可以使用5,6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2,2’-联吡啶(简称:PAP2BPy)、5,6-双[4’-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2,2’-联吡啶(简称:PAPP2BPy)、N,N’-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(简称:YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称:YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称:2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称:PCAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBAPA)、4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称:PCBAPBA)、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-(叔丁基)二萘嵌苯(简称:TBP)、N,N”-(2-叔丁基蒽-9,10-二基二-4,1-亚苯基)双[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](简称:DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称:2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(简称:2DPAPPA)等。
此外,可以使用N-[9,10-双(1,1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称:2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(简称:2DPAPA)、N-[9,10-双(1,1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(简称:2DPABPhA)、9,10-双(1,1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称:2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(简称:DPhAPhA)、香豆素545T、N,N'-二苯基喹吖啶酮(简称:DPQd)、红荧烯、5,12-双(1,1’-联苯-4-基)-6,11-二苯基并四苯(简称:BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称:DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称:DCM2)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5,11-二胺(简称:p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊并[1,2-a]荧蒽-3,10-二胺(简称:p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称:DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称:DCJTB)、2-(2,6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称:BisDCM)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称:BisDCJTM)、1,6BnfAPrn-03、3,10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2,3-b;6,7-b’]双苯并呋喃(简称:3,10PCA2Nbf(IV)-02)、3,10-双[N-(二苯并呋喃-3-基)-N-苯氨基]萘并[2,3-b;6,7-b’]双苯并呋喃(简称:3,10FrA2Nbf(IV)-02)等。尤其是,可以使用1,6FLPAPrn、1,6mMemFLPAPrn、1,6BnfAPrn-03等芘二胺化合物等。上述中,丙二腈化合物尤其适合于获得在590nm以上且620nm具有峰值波长的电致发光。
<<将三重激发能转换为发光的发光物质>>
接着,作为能够用于发光层113的将三重激发能转换为发光的发光物质,例如可以举出发射磷光的物质(磷光发光物质)及呈现热活化延迟荧光的热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence:TADF)材料。
磷光发光物质是指在低温(例如77K)以上且室温以下的温度范围(即,77K以上且313K以下)的任一温度下发射磷光而不发射荧光的化合物。该磷光发光物质优选包含自旋轨道相互作用大的金属元素,可以使用有机金属配合物、金属配合物(铂配合物)、稀土金属配合物等。具体而言,优选包含过渡金属元素,尤其优选包含铂族元素(钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)或铂(Pt)),特别优选包含铱。铱可以提高单重基态与三重激发态之间的直接跃迁的概率,所以是优选的。
<<磷光发光物质(495nm以上且590nm以下:绿色或黄色)>>
作为呈现绿色或黄色且其发射光谱的峰波长为495nm以上且590nm以下的磷光发光物质,可以举出如下物质。
例如,可以举出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称:[Ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称:[Ir(tBuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称:[Ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称:[Ir(tBuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降莰基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(简称:[Ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(简称:[Ir(mpmppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双{4,6-二甲基-2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}铱(III)(简称:[Ir(dmppm-dmp)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4,6-二苯基嘧啶)铱(III)(简称:[Ir(dppm)2(acac)])等具有嘧啶环的有机金属铱配合物;(乙酰丙酮根)双(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称:[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称:[Ir(mppr-iPr)2(acac)])等具有吡嗪环的有机金属铱配合物;三(2-苯基吡啶根-N,C2’)铱(III)(简称:[Ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称:[Ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-N,C2’)铱(III)(简称:[Ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(pq)2(acac)])、双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC][2-(4-苯基-2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称:[Ir(ppy)2(4dppy)])、双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC][2-(4-甲基-5-苯基-2-吡啶基-κN)苯基-κC]、[2-d3-甲基-8-(2-吡啶基-κN)苯并呋喃[2,3-b]吡啶-κC]双[2-(5-d3-甲基-2-吡啶基-κN2)苯基-κC]铱(III)(简称:Ir(5mppy-d3)2(mbfpypy-d3))、[2-(甲基-d3)-8-[4-(1-甲基乙基-1-d)-2-吡啶基-κN]苯并呋喃并2,[3-b]吡啶-7-基-κC]双[5-(甲基-d3)-2-[5-(甲基-d3)-2-吡啶基-κN]苯基-κC]铱(III)(简称:Ir(5mtpy-d6)2(mbfpypy-iPr-d4))、[2-d3-甲基-(2-吡啶基-κN)苯并呋喃并[2,3-b]吡啶-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称:Ir(ppy)2(mbfpypy-d3))、[2-(4-甲基-5-苯基-2-吡啶基-κN)苯基-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称:Ir(ppy)2(mdppy))等具有吡啶环的有机金属铱配合物;双(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(dpo)2(acac)])、双{2-[4’-(全氟苯基)苯基]吡啶-N,C2’}铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(p-PF-ph)2(acac)])、双(2-苯基苯并噻唑-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(bt)2(acac)])等有机金属配合物、三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称:[Tb(acac)3(Phen)])等稀土金属配合物。
<<磷光发光物质(570nm以上且750nm以下:黄色或红色)>>
作为呈现黄色或红色且其发射光谱的峰波长为570nm以上且750nm以下的磷光发光物质,可以举出如下物质。
例如,可以举出(二异丁酰甲烷根)双[4,6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称:[Ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4,6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊酰甲烷)铱(III)(简称:[Ir(5mdppm)2(dpm)])、(二新戊酰甲烷)双[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根]铱(III)(简称:[Ir(d1npm)2(dpm)])、双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称:[Ir(pqn)2(dppm)])等具有嘧啶环的有机金属配合物;(乙酰丙酮)双(2,3,5-三苯基吡嗪)铱(III)(简称:[Ir(tppr)2(acac)])、双(2,3,5-三苯基吡嗪)(二新戊酰甲烷)铱(III)(简称:[Ir(tppr)2(dpm)])、双{4,6-二甲基-2-[3-(3,5-二甲基苯基)-5-苯基-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2,6-二甲基-3,5-庚二酮-κ2O,O’)铱(III)(简称:[Ir(dmdppr-P)2(dibm)])、双{4,6-二甲基-2-[5-(4-氰-2,6-二甲基苯基)-3-(3,5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮-κ2O,O’)铱(III)(简称:[Ir(dmdppr-dmCP)2(dpm)])、双[2-(5-(2,6-二甲基苯基)-3-(3,5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN)-4,6-二甲基苯基-κC](2,2’,6,6’-四甲基-3,5-庚二酮根-κ2O,O’)铱(III)(简称:[Ir(dmdppr-dmp)2(dpm)])、(乙酰丙酮)双[2-甲基-3-苯基喹喔啉合(quinoxalinato)]-N,C2’]铱(III)(简称:[Ir(mpq)2(acac)])、(乙酰丙酮)双(2,3-二苯基喹喔啉合(quinoxalinato)-N,C2’]铱(III)(简称:[Ir(dpq)2(acac)])、(乙酰丙酮)双[2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉合(quinoxalinato)]铱(III)(简称:[Ir(Fdpq)2(acac)])等具有吡嗪环的有机金属配合物;三(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)(简称:[Ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称:[Ir(piq)2(acac)])、双[4,6-二甲基-2-(2-喹啉-κN)苯基-κC](2,4-戊二酮根-κ2O,O’)铱(III)(简称:[Ir(dmpqn)2(acac)])等具有吡啶环的有机金属配合物;2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂(II)(简称:[PtOEP])等铂配合物;三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(简称:[Eu(DBM)3(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3,3,3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称:[Eu(TTA)3(Phen)])等稀土金属配合物。上述中,具有嘧啶环和吡嗪环中的任一方或双方的有机金属配合物适合于获得在590nm以上且620nm具有峰值波长的电致发光。此外,具有吡啶环的有机金属配合物中具有喹啉环的有机金属配合物尤其适合于获得在590nm以上且620nm具有峰值波长的电致发光。其中,包含具有嘧啶环或吡嗪环的配体和具有喹啉环的配体的双方的有机金属配合物在495nm以下的发光强度低,更适合于获得半宽为90nm以上且120nm以下的电致发光光谱。
<<TADF材料>>
此外,作为TADF材料,可以使用如下材料。TADF材料是指S1能级与T1能级之差小(优选为0.2eV以下)且能够利用微小的热能量将三重激发态上转换(up-convert)为单重激发态(逆系间窜越)并高效率地发射来自单重激发态的发光(荧光)的材料。可以高效率地获得热活化延迟荧光的条件为如下:三重激发能级和单重激发能级之间的能量差为0eV以上且0.2eV以下,优选为0eV以上且0.1eV以下。TADF材料所发射的延迟荧光是指具有与一般的荧光同样的光谱但寿命非常长的发光。其寿命为1×10-6秒以上,优选为1×10-3秒以上。
作为TADF材料,例如可以举出富勒烯、富勒烯衍生物、普鲁黄素等吖啶衍生物、伊红等。此外,可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为含金属卟啉,例如,也可以举出原卟啉-氟化锡配合物(简称:SnF2(ProtoIX))、中卟啉-氟化锡配合物(简称:SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(简称:SnF2(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(简称:SnF2(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化锡配合物(简称:SnF2(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(简称:SnF2(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(简称:PtCl2OEP)等。
[化学式1]
除了上述以外,也可以使用2-(联苯-4-基)-4,6-双(12-苯基吲哚并[2,3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(简称:PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5,10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4,5-二苯基-1,2,4-三唑(简称:PPZ-3TPT)、3-(9,9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称:ACRXTN)、双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜(简称:DMAC-DPS)、10-苯基-10H,10’H-螺[吖啶-9,9’-蒽]-10’-酮(简称:ACRSA)、4-(9’-苯基-3,3’-联-9H-咔唑-9-基)苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:4PCCzBfpm)、4-[4-(9’-苯基-3,3’-联-9H-咔唑-9-基)苯基]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:4PCCzPBfpm)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-联-9H-咔唑(简称:mPCCzPTzn-02)等具有富π电子杂芳族化合物及缺π电子杂芳族化合物的杂芳族化合物。
此外,在富π电子杂芳族化合物和缺π电子杂芳族化合物直接键合的物质中,富π电子杂芳族化合物的供体性和缺π电子杂芳族化合物的受体性都强,单重激发态与三重激发态之间的能量差变小,所以是尤其优选的。此外,作为TADF材料,也可以使用单重激发态和三重激发态间处于热平衡状态的TADF材料(TADF100)。这种TADF材料由于发光寿命(激发寿命)短,所以可以抑制发光元件的高亮度区域中的效率降低。
[化学式2]
另外,除了上述以外,作为具有能够将三重激发能转换为发光的功能的材料,可以举出具有钙钛矿结构的过渡金属化合物的纳米结构体。金属卤素钙钛矿类纳米结构体是特别优选的。作为该纳米结构体,纳米粒子和纳米棒是优选的。
在发光层(113、113a、113b、113c)中,作为组合上述发光物质(客体材料)的有机化合物(主体材料等),可以使用选择一种或多种其能隙比发光物质(客体材料)大的物质。
<<荧光发光主体材料>>
在用于发光层(113、113a、113b、113c)的发光物质是荧光发光物质的情况下,作为与发光物质组合而使用的有机化合物(主体材料),优选使用其单重激发态的能级大且其三重激发态的能级小的有机化合物或荧光量子产率高的有机化合物。因此,只要是满足上述条件的有机化合物就可以使用在本实施方式中示出的空穴传输性材料(上述)、电子传输性材料(后述)等。
虽然一部分内容与上述具体例子重复,但是从与发光物质(荧光发光物质)的优选组合的观点来看,作为有机化合物(主体材料)可以举出蒽衍生物、并四苯衍生物、菲衍生物、芘衍生物、(chrysene)衍生物、二苯并[g,p]/>衍生物等稠合多环芳香化合物。
作为优选与荧光发光物质组合而使用的有机化合物(主体材料)的具体例子,可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称:PCzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称:DPCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称:PCPN)、9,10-二苯基蒽(简称:DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称:CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称:DPhPA)、YGAPA、PCAPA、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(简称:PCAPBA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称:2PCAPA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基N,N,N’,N’,N”,N”,N”’,N”’-八苯基二苯并[g,p]/>-2,7,10,15-四胺(简称:DBC1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称:CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称:cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(简称:2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)联苯-4’-基}蒽(简称:FLPPA)、9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽(简称:DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称:DNA)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(简称:t-BuDNA)、9-(1-萘基)-10-(2-萘基)蒽(简称:α,βADN)、2-(10-苯基蒽-9-基)二苯并呋喃、2-(10-苯基-9-蒽基)-苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃(简称:Bnf(II)PhA)、9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称:αN-βNPAnth)、9-(2-萘基)-10-[3-(2-萘基)苯基]蒽(简称:βN-mβNPAnth)、1-[4-(10-[1,1’-联苯]-4-基-9-蒽基)苯基]-2-乙基-1H-苯并咪唑(简称:EtBImPBPhA)、9,9’-联蒽(简称:BANT)、9,9’-(二苯乙烯-3,3’-二基)二菲(简称:DPNS)、9,9’-(二苯乙烯-4,4’-二基)二菲(简称:DPNS2)、1,3,5-三(1-芘)苯(简称:TPB3)、5,12-二苯基并四苯、5,12-双(联苯-2-基)并四苯等。
<<磷光发光主体材料>>
在用于发光层(113、113a、113b、113c)的发光物质是磷光发光物质的情况下,作为与发光物质组合而使用的有机化合物(主体材料),选择其三重激发能(基态和三重激发态之间的能量差)大于发光物质的三重激发能的有机化合物即可。注意,当为了形成激基复合物,组合多个有机化合物(例如,第一主体材料及第二主体材料(或辅助材料)等)与发光物质而使用时,优选与磷光发光物质混合而使用这些多个有机化合物。
通过采用这样的结构,可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer:激基复合物-三重态能量转移)的发光。作为多个有机化合物的组合,优选使用容易形成激基复合物的组合,特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。
虽然一部分内容与上述具体例子重复,但是从与发光物质(磷光发光物质)的优选组合的观点来看,作为有机化合物(主体材料、辅助材料)可以举出芳香胺(具有芳香胺骨架的有机化合物)、咔唑衍生物(具有咔唑环的有机化合物)、二苯并噻吩衍生物(具有二苯并噻吩环的有机化合物)、二苯并呋喃衍生物(具有二苯并呋喃环的有机化合物)、噁二唑衍生物(具有噁二唑环的有机化合物)、三唑衍生物(具有三唑环的有机化合物)、苯并咪唑衍生物(具有苯并咪唑环的有机化合物)、喹喔啉(具有喹喔啉环的有机化合物)衍生物、二苯并喹喔啉衍生物(具有二苯并喹喔啉环的有机化合物)、嘧啶衍生物(具有嘧啶环的有机化合物)、三嗪衍生物(具有三嗪环的有机化合物)、吡啶衍生物(具有吡啶环的有机化合物)、联吡啶衍生物(具有联吡啶环的有机化合物)、菲咯啉衍生物(具有菲咯啉环的有机化合物)、呋喃二嗪衍生物(具有呋喃二嗪环的有机化合物)、锌类、铝类金属配合物等。
注意,在上述有机化合物中,作为空穴传输性高的有机化合物的芳香胺及咔唑衍生物的具体例子,可以举出与上述空穴传输性材料的具体例子相同的材料,这些材料优选用作主体材料。
此外,作为在上述有机化合物中空穴传输性高的有机化合物的二苯并噻吩衍生物以及二苯并呋喃衍生物的具体例子,可以举出4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称:mmDBFFLBi-II)、4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称:DBF3P-II)、DBT3P-II、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称:DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称:DBTFLP-IV)、4-[3-(三亚苯-2-基)苯基]二苯并噻吩(简称:mDBTPTp-II)等,这些材料优选用作主体材料。
除此之外,作为优选的主体材料还可以举出双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称:ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称:ZnBTZ)等具有噁唑基类配体、噻唑类配体的金属配合物等。
此外,在上述有机化合物中,作为电子传输性高的有机化合物的噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹唑啉衍生物、菲咯啉衍生物等的具体例子,可以举出2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称:PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称:OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称:CO11)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称:TAZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称:TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称:mDBTBIm-II)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(简称:BzOs)等包含具有多唑环的杂芳环的有机化合物、红菲绕啉(简称:Bphen)、浴铜灵(简称:BCP)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(简称:NBphen)、2,2-(1,3-亚苯)双[9-苯基-1,10-菲咯啉](简称:mPPhen2P)等包含具有吡啶环的杂芳环的有机化合物、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mCzBPDBq)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:7mDBTPDBq-II)及6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:6mDBTPDBq-II)、2-{4-[9,10-二(2-萘基)-2-蒽基]苯基}-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称:ZADN)、2-[4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-3,1’-联苯-1-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mpPCBPDBq)等,这些材料优选用作主体材料。
在上述有机化合物中,作为电子传输性高的有机化合物的吡啶衍生物、二嗪衍生物(包含嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、哒嗪衍生物)、三嗪衍生物、呋喃二嗪衍生物的具体例子,可以举出4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称:4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称:4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶)(简称:4,6mCzP2Pm)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:PCCzPTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-联-9H-咔唑(简称:mPCCzPTzn-02)、3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称:35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶)苯基]苯(简称:TmPyPB)、9,9’-[嘧啶-4,6-二基双(联苯-3,3’-二基)]双(9H-咔唑)(简称:4,6mCzBP2Pm)、2-[3’-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-1,1’-联苯-3-基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mFBPTzn)、8-(1,1’-联苯-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:8BP-4mDBtPBfpm)、9-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’,2’:4,5]呋喃并[2,3-b]吡嗪(简称:9mDBtBPNfpr)、9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-4-基]萘并[1’,2’:4,5]呋喃并[2,3-b]吡嗪(简称:9pmDBtBPNfpr)、5-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-7,7-二甲基-5H,7H-茚并[2,1-b]咔唑(简称:mINc(II)PTzn)、2-[3’-(三亚苯基-2-基)-1,1’-联苯-3-基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mTpBPTzn)、2-[(1,1’-联苯)-4-基]-4-苯基-6-[9,9’-螺二(9H-芴)-2-基]-1,3,5-三嗪(简称:BP-SFTzn)、2,6-双(4-萘-1-基苯基)-4-[4-(3-吡啶基)苯基]嘧啶(简称:2,4NP-6PyPPm)、9-[4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-2-二苯并噻吩基]-2-苯基-9H-咔唑(简称:PCDBfTzn)、2-[1,1’-联苯]-3-基-4-苯基-6-(8-[1,1’:4’,1”-三联苯]-4-基-1-二苯并呋喃基)-1,3,5-三嗪(简称:mBP-TPDBfTzn)、6-(1,1’-联苯-3-基)-4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基嘧啶(简称:6mBP-4Cz2PPm)、4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基-6-(1,1’-联苯-4-基)嘧啶(简称:6BP-4Cz2PPm)等包含具有二嗪环的杂芳环的有机化合物等,这些材料优选用作主体材料。
在上述有机化合物中,作为电子传输性高的有机化合物的金属配合物的具体例子,可以举出:锌类或铝类金属配合物的三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称:Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称:Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称:BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称:BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称:Znq);具有喹啉环或苯并喹啉环的金属配合物等,这些材料优选用作主体材料。
除此以外,作为优选的主体材料还可以使用聚(2,5-吡啶二基)(简称:PPy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](简称:PF-Py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(2,2’-联吡啶-6,6’-二基)](简称:PF-BPy)等高分子化合物等。
再者,空穴传输性高的有机化合物且电子传输性高的有机化合物的双极性的9-苯基-9’-(4-苯基-2-喹唑啉基)-3,3’-联-9H-咔唑(简称:PCCzQz)、2-[4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-3,1’-联苯-1-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mpPCBPDBq)、5-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-7,7-二甲基-5H,7H-茚并[2,1-b]咔唑(简称:mINc(II)PTzn)、11-(4-[1,1’-联苯]-4-基-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-11,12-二氢-12-苯基-吲哚[2,3-a]咔唑(简称:BP-Icz(II)Tzn)、7-[4-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)喹唑啉-2-基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称:PC-cgDBCzQz)等具有二嗪环的有机化合物等也可以被用作主体材料。
<电子传输层>
电子传输层(114、114a、114b)是将从第二电极102及电荷产生层(106、106a、106b)由后述的电子注入层(115、115a、115b)注入的电子传输到发光层(113、113a、113b)中的层。作为用于电子传输层(114、114a、114b)的电子传输性材料,优选为在电场强度[V/cm]的平方根为600时具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。此外,只要是电子传输性高于空穴传输性的物质,就可以使用上述以外的物质。此外,电子传输层(114、114a、114b)即使是单层也起作用,但是也可以采用两层以上的叠层结构。注意,由于上述混合材料具有耐热性,所以通过使用在使用该混合材料的电子传输层上进行光刻工序,可以抑制因热工序导致的器件特性受到的影响。
<<电子传输性材料>>
作为能够用于电子传输层(114、114a、114b)的电子传输性材料,可以使用电子传输性高的有机化合物,例如可以使用杂芳族化合物。注意,杂芳族化合物是指环中包含至少两种不同的元素的环式化合物。注意,作为环结构,包括三元环、四元环、五元环、六元环等,尤其优选为五元环或六元环,作为所包含的元素除了碳以外优选为氮、氧和硫等中的任一个或多个的杂芳族化合物。尤其优选为包含氮的杂芳族化合物(含氮杂芳族化合物),优选使用含氮杂芳族化合物或包含该含氮杂芳族化合物的缺π电子杂芳族化合物等的电子传输性高的材料(电子传输性材料)。
杂芳族化合物为具有至少一个杂芳环的有机化合物。
注意,杂芳环具有吡啶环、二嗪环、三嗪环、多唑环、噁唑环和噻唑环等中的任一个。此外,具有二嗪环的杂芳环包含具有嘧啶环、吡嗪环或哒嗪环等的杂芳环。此外,具有多唑环的杂芳环包含具有咪唑环、三唑环或噁二唑环的杂芳环。
杂芳环包含具有稠环结构的稠合杂芳环。作为稠合杂芳环,可以举出喹啉环、苯并喹啉环、喹喔啉环、二苯并喹喔啉环、喹唑啉环、苯并喹唑啉环、二苯并喹唑啉环、菲咯啉环、呋喃二嗪环、苯并咪唑环等。
注意,作为杂芳族化合物,例如在除了碳以外还包含氮、氧和硫等中的任一个或多个的杂芳族化合物中,作为具有五元环结构的杂芳族化合物,可以举出具有咪唑环的杂芳族化合物、具有三唑环的杂芳族化合物、具有噁唑环的杂芳族化合物、具有噁二唑环的杂芳族化合物、具有噻唑环的杂芳族化合物、具有苯并咪唑环的杂芳族化合物等。
例如,在除了碳以外还包含氮、氧和硫等中的任一个或多个的杂芳族化合物中,作为具有六元环结构的杂芳族化合物,可以举出吡啶环、二嗪环(包含嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环等)、三嗪环、多唑环等具有杂芳环的杂芳族化合物等。注意,可以举出具有联吡啶结构的杂芳族化合物、具有三联吡啶结构的杂芳族化合物等,它们包括在吡啶环连接的杂芳族化合物的例子中。
再者,作为具有其一部分包含上述六元环结构的稠环结构的杂芳族化合物,可以举出具有喹啉环、苯并喹啉环、喹喔啉环、二苯并喹喔啉环、菲咯啉环、呋喃二嗪环(包括呋喃二嗪环的呋喃环与芳香环稠合的结构)、苯并咪唑环等稠合杂芳环的杂芳族化合物等。
作为上述具有五元环结构(多唑环(包括咪唑环、三唑环、噁二唑环)、噁唑环、噻唑环、苯并咪唑环等)的杂芳族化合物的具体例子,可以举出2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称:PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称:OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称:CO11)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称:TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(简称:p-EtTAZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称:TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称:mDBTBIm-II)、4,4’-双(5-甲基苯噁唑-2-基)二苯乙烯(简称:BzOs)等。
作为上述具有六元环结构(包含具有吡啶环、二嗪环、三嗪环等的杂芳环)的杂芳族化合物的具体例子,可以举出3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称:35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称:TmPyPB)等包含具有吡啶环的杂芳环的杂芳族化合物;2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:PCCzPTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-联-9H-咔唑(简称:mPCCzPTzn-02)、5-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-7,7-二甲基-5H,7H-茚并[2,1-b]咔唑(简称:mINc(II)PTzn)、2-[3’-(三亚苯-2-基)-1,1’-联苯-3-基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mTpBPTzn)、2-[(1,1’-联苯)-4-基]-4-苯基-6-[9,9’-螺二(9H-芴)-2-基]-1,3,5-三嗪(简称:BP-SFTzn)、2,6-双(4-萘-1-基苯基)-4-[4-(3-吡啶基)苯基]嘧啶(简称:2,4NP-6PyPPm)、9-[4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-2-二苯并噻吩基]-2-苯基-9H-咔唑(简称:PCDBfTzn)、2-[1,1’-联苯]-3-基-4-苯基-6-(8-[1,1’:4’,1”-三联苯]-4-基-1-二苯并呋喃基)-1,3,5-三嗪(简称:mBP-TPDBfTzn)、2-{3-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mDBtBPTzn)、mFBPTzn等包含具有三嗪环的杂芳环的杂芳族化合物;4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称:4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称:4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简称:4,6mCzP2Pm)、4,6mCzBP2Pm、6-(1,1’-联苯-3-基)-4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基嘧啶(简称:6mBP-4Cz2PPm)、4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基-6-(1,1’-联苯-4-基)嘧啶(简称:6BP-4Cz2PPm)、4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-8-(萘-2-基)-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:8βN-4mDBtPBfpm)、8BP-4mDBtPBfpm、9mDBtBPNfpr、9pmDBtBPNfpr、3,8-双[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(简称:3,8mDBtP2Bfpr)、4,8-双[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:4,8mDBtP2Bfpm)、8-[3’-(二苯并噻吩-4-基)(1,1’-联苯-3-基)]萘并[1’,2’:4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:8mDBtBPNfpm)、8-[(2,2’-联萘)-6-基]-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称:8(βN2)-4mDBtPBfpm)等包含具有二嗪(嘧啶)环的杂芳环的杂芳族化合物等。注意,包含上述杂芳环的芳香化合物包含具有稠合杂芳环的杂芳族化合物。
除此以外,可以举出2,2’-(吡啶-2,6-二基)双(4-苯基苯并[h]喹唑啉)(简称:2,6(P-Bqn)2Py)、2,2’-(2,2’-联吡啶-6,6’-二基)双(4-苯基苯并[h]喹唑啉)(简称:6,6’(P-Bqn)2BPy)、2,2’-(吡啶-2,6-二基)双{4-[4-(2-萘基)苯基]-6-苯基嘧啶}(简称:2,6(NP-PPm)2Py、6-(1,1’-联苯-3-基)-4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基嘧啶(简称:6mBP-4Cz2PPm)等包含具有二嗪(嘧啶)环的杂芳环的杂芳族化合物;2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(简称:TmPPPyTz)、2,4,6-三(2-吡啶基)-1,3,5-三嗪(简称:2Py3Tz)、2-[3-(2,6-二甲基-3-吡啶基)-5-(9-菲基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mPn-mDMePyPTzn)等包含具有三嗪环的杂芳环的杂芳族化合物等。
作为上述具有其一部分包含六元环结构的稠环结构的杂芳族化合物(具有稠环结构的杂芳族化合物)的具体例子,可以举出红菲咯啉(简称:Bphen)、浴铜灵(简称:BCP)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(简称:NBphen)、2,2-(1,3-亚苯)双[9-苯基-1,10-菲咯啉](简称:mPPhen2P)、2,2’-(吡啶-2,6-二基)双(4-苯基苯并[h]喹唑啉)(简称:2,6(P-Bqn)2Py)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mCzBPDBq)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:7mDBTPDBq-II)及6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:6mDBTPDBq-II)、2mpPCBPDBq等具有喹喔啉环的杂芳族化合物等。
电子传输层(114、114a、114b)除了上述杂芳族化合物以外还可以使用下述的金属配合物。作为该金属配合物可以举出三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称:Alq3)、Almq3、8-羟基喹啉锂(I)(简称:Liq)、BeBq2、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称:BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称:Znq)等具有喹啉环或苯并喹啉环的金属配合物、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称:ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称:ZnBTZ)等具有噁唑环或噻唑环的金属配合物等。
此外,作为电子传输性材料,还可以使用聚(2,5-吡啶二基)(简称:PPy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](简称:PF-Py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(2,2’-联吡啶-6,6’-二基)](简称:PF-BPy)等高分子化合物。
此外,电子传输层(114、114a、114b)可以为单层,也可以为包含上述物质的两层以上的叠层。
<电子注入层>
电子注入层(115、115a、115b)是包含电子注入性高的物质的层。此外,电子注入层(115、115a、115b)是用来提高从第二电极102注入电子的效率的层,优选使用用于第二电极102的材料的功函数的值与用于电子注入层(115、115a、115b)的材料的LUMO能级的值之差小(0.5eV以下)的材料。因此,作为电子注入层115,可以使用锂、铯、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)、8-(羟基喔啉)锂(简称:Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称:LiPP)、2-(2-吡啶基)-3-羟基吡啶(pyridinolato)锂(简称:LiPPy)、4-苯基-2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称:LiPPP)、锂氧化物(LiOx)、碳酸铯等碱金属、碱土金属或者它们的化合物。此外,可以使用氟化铒(ErF3)、镱(Yb)等稀土金属化合物。注意,电子注入层(115、115a、115b)既可以混合上述材料中的多种形成,也可以层叠上述材料中的多种形成。此外,也可以将电子化合物用于电子注入层(115、115a、115b)。作为电子化合物,例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。此外,也可以使用如上所述的构成电子传输层(114、114a、114b)的物质。
此外,也可以将混合有机化合物与电子供体(供体)而成的混合材料用于电子注入层(115、115a、115b)。这种混合材料因为通过电子供体在有机化合物中产生电子而具有优异的电子注入性和电子传输性。在此情况下,有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料,具体而言,例如,可以使用用于如上所述的电子传输层(114、114a、114b)的电子传输性材料(金属配合物、杂芳族化合物等)。作为电子供体,只要是对有机化合物呈现电子供给性的物质即可。具体而言,优选使用碱金属、碱土金属及稀土金属,可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。此外,优选使用碱金属氧化物及碱土金属氧化物,可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。此外,还可以使用氧化镁等路易斯碱。此外,也可以使用四硫富瓦烯(简称:TTF)等有机化合物。或者,也可以层叠使用多个这些材料。
除此以外,也可以将混合有机化合物和金属而成的混合材料用于电子注入层(115、115a、115b)。注意,这里使用的有机化合物优选具有-3.6eV以上且-2.3eV以下的LUMO能级。此外,具有非共用电子对的材料是优选的。
因此,作为用于上述混合材料的有机化合物,也可以使用混合能够用于电子传输层的上述杂芳族化合物与金属而成的混合材料。杂芳族化合物优选为具有五元环结构(咪唑环、三唑环、噁唑环、噁二唑环、噻唑环、苯并咪唑环等)的杂芳族化合物、具有六元环结构(吡啶环、二嗪环(包括嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环等)、三嗪环、联吡啶环、三联吡啶环等)的杂芳族化合物、其一部分具有六元环结构的稠环结构(喹啉环、苯并喹啉环、喹喔啉环、二苯并喹喔啉环、菲咯啉环等)的杂芳族化合物等具有非共用电子对的材料。上面已说明了具体材料,所以在此省略其说明。
作为用于上述混合材料的金属,优选使用属于元素周期表中第5族、第7族、第9族或第11族的过渡金属或属于第13族的材料,例如,可以举出Ag、Cu、Al或In等。此时,有机化合物与过渡金属之间形成单占轨道(SOMO:Singly Occupied Molecular Orbital)。
此外,例如,在使从发光层113b得到的光放大的情况下,优选以第二电极102与发光层113b之间的光学距离小于发光层113b所呈现的光的波长λ的1/4的方式形成。在此情况下,通过改变电子传输层114b或电子注入层115b的厚度,可以调整光学距离。
此外,如图5D所示的发光器件那样,通过在两个EL层(103a、103b)之间设置电荷产生层106,可以具有多个EL层层叠在一对电极之间的结构(也称为串联结构)。
<电荷产生层>
电荷产生层106具有如下功能:当第一电极101(阳极)和第二电极102(阴极)之间被施加电压时,对EL层103a注入电子且对EL层103b注入空穴的功能。电荷产生层106既可以具有对空穴传输性材料添加电子受体(受体)的结构,又可以具有对电子传输性材料添加电子供体(供体)的结构。或者,也可以层叠有这两种结构。注意,通过使用上述材料形成电荷产生层106,可以抑制层叠EL层时导致的驱动电压的上升。
在电荷产生层106具有对有机化合物的空穴传输性材料添加电子受体的结构的情况下,作为空穴传输性材料可以使用本实施方式所示的材料。此外,作为电子受体,可以举出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称:F4-TCNQ)、氯醌等。此外,可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言,可以举出氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。
在电荷产生层106具有对电子传输性材料添加电子供体的结构的情况下,作为电子传输性材料可以使用本实施方式所示的材料。此外,作为电子供体,可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属或属于元素周期表中第2族、第13族的金属及它们的氧化物或碳酸盐。具体而言,优选使用锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、镱(Yb)、铟(In)、氧化锂、碳酸铯等。此外,也可以将如四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)等有机化合物用作电子供体。
虽然图5D示出层叠有两个EL层103的结构,但是通过在不同的EL层之间设置电荷产生层可以使其成为三个以上的叠层结构。
<衬底>
本实施方式所示的发光器件可以形成在各种衬底上。注意,对衬底的种类没有特定的限制。作为该衬底的例子,可以举出半导体衬底(例如,单晶衬底或硅衬底)、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、包含不锈钢箔的衬底、钨衬底、包含钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状材料的纸或基材薄膜等。
作为玻璃衬底的例子,有钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。作为柔性衬底、贴合薄膜、基材薄膜等,可以举出以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)为代表的塑料、丙烯酸树脂等合成树脂、聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯、聚氯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、环氧树脂、无机蒸镀薄膜、纸类等。
此外,当制造本实施方式所示的发光器件时,可以使用蒸镀法等气相法、旋涂法或喷墨法等液相法。当使用蒸镀法时,可以利用溅射法、离子镀法、离子束蒸镀法、分子束蒸镀法、真空蒸镀法等物理蒸镀法(PVD法)或化学气相沉积法(CVD法)等。尤其是,可以利用蒸镀法(真空蒸镀法)、涂敷法(浸涂法、染料涂敷法、棒式涂敷法、旋涂法、喷涂法等)、印刷法(喷墨法、丝网印刷(孔版印刷)法、胶版印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法、微接触印刷法等)等方法形成包括在发光器件的EL层中的具有各种功能的层(空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115)。
注意,在使用上述涂布法、印刷法等的成膜方法时,可以使用高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)、中分子化合物(介于低分子与高分子之间的化合物:分子量为400以上且4000以下)、无机化合物(量子点材料等)等。注意,作为量子点材料,可以使用胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(Core Shell)型量子点材料、核型量子点材料等。
本实施方式所示的构成发光器件的EL层103的各层(空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115)的材料不局限于本实施方式所示的材料,只要为可以满足各层的功能的材料就可以组合地使用。
注意,在本说明书等中,“层”和“膜”可以相互调换。
本实施方式所示的结构可以适当地与其他实施方式所示的结构组合而使用。
(实施方式3)
在本实施方式中,参照图6说明本发明的一个方式的照明装置中的发光装置的结构。注意,图6A是沿着图6B所示的照明装置的俯视图中的线段e-f的截面图。
在本实施方式的发光装置中,用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有第一电极401。第一电极401相当于实施方式2中的第一电极101。当从第一电极401一侧取出光时,第一电极401使用具有透光性的材料形成。
另外,在衬底400上形成用来对第二电极404供应电压的焊盘412。
在第一电极401上形成有EL层403。EL层403相当于实施方式2中的EL层103的结构。注意,作为它们的结构,参照各记载。
以覆盖EL层403的方式形成第二电极404。第二电极404相当于实施方式2中的第二电极102。当从第一电极401一侧提取光时,第二电极404使用反射率高的材料形成。通过使第二电极404与焊盘412连接,将电压供应到第二电极404。
如上所述,本实施方式所示的发光装置具备包括第一电极401、EL层403以及第二电极404的发光器件。由于该发光器件是发光效率高的发光器件,所以本实施方式的照明装置可以是低功耗的照明装置。
使用密封材料405、406将形成有具有上述结构的发光器件的衬底400和密封衬底407固定来进行密封,由此制造照明装置。另外,也可以仅使用密封材料405和406中的一个。另外,也可以使内侧的密封材料406(在图6B中未图示)与干燥剂混合,由此可以吸收水分而提高可靠性。
另外,通过以延伸到密封材料405、406的外部的方式设置焊盘412和第一电极401的一部分,可以将其用作外部输入端子。另外,也可以在外部输入端子上设置安装有转换器等的IC芯片420等。
(实施方式4)
在本实施方式中,参照图7说明作为本发明的一个方式的发光装置或照明装置的应用例子。
作为室内的照明装置,可以使用天花射灯8001。作为天花射灯8001,有直接安装型、嵌入型等。这种照明装置由发光装置与灯罩、外壳或盖的组合而制造。除此以外,也可以应用于吊灯(用电线吊装在天花板上)的照明装置。
另外,地脚灯8002照射地面,可以提高脚下的安全性。例如,将其用在卧室、楼梯或通道很有效。在此情况下,可以根据房间的大小及结构而适当地改变地脚灯的尺寸及形状。另外,地脚灯8002也可以为组合发光装置和支架而形成的安装型照明装置。
另外,片状照明8003为薄膜状的照明装置。因为是将其贴在墙上而使用,所以不占空间而可以应用于各种用途。另外,容易实现大面积化。此外,也可以将其贴在具有曲面的墙上。
另外,也可以使用来自光源的光被控制为只沿着所希望的方向的照明装置8004。
台灯8005包括光源8006,作为光源8006可以使用本发明的一个方式的发光装置或其一部分的发光器件。
通过将本发明的一个方式的发光装置或其一部分的发光器件用于上述以外的室内家具的一部分,可以提供具有家具的功能的照明装置。
如上所述,可以得到使用作为本发明的一个方式的发光装置或照明装置的各种照明装置。另外,这种照明装置包括在本发明的一个方式中。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
[实施例1]
在本实施例中,说明实际制造实施方式1中说明的本发明的一个方式的发光装置并调查其工作特性而得的结果。
图8示出实际制造的发光装置1的外观照片。图9示出发光装置1中的具有1/f波动特性的基本数据f的图表。图10示出发光装置1中的第一平滑化数据X及第二平滑化数据x的图表。图11示出发光装置1中的调光数据y的图表。在图9至图11中,纵轴表示各数据的强度,横轴表示数据号码。
如图8所示,发光装置1包括发光器件及外壳。作为发光器件使用发光部面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)的有机EL元件。注意,将在实施例2中说明本实施例中采用的发光器件结构。
参照图9至图11说明发光装置1的调光方法。
首先,使用电子表格软件生成具有1/f波动特性的基本数据f(图9)。
接着,对图9所示的具有1/f波动特性的基本数据f进行区间互不相同的移动平均处理(简单移动平均),由此生成图10所示的第一平滑化数据X及第二平滑化数据x。将生成第一平滑化数据X的移动平均处理的区间d1设定为30,将生成第二平滑化数据x的移动平均的区间d2设定为5。
从图10可知,通过使d1大于d2,第一平滑化数据的波形比第二平滑化数据的波形平滑。
接着,对图10所示的第一平滑化数据X和第二平滑化数据x进行运算处理,由此生成图11所示的调光数据y。运算处理根据下述算式进行。
[算式8]
注意,在上述算式中,yi表示调光数据y的第i个数据(0以上且1以下),Xi表示第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示第二平滑化数据x的第i个数据。此外,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值,LL表示X成分的指定下限值。此外,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值。此外,A表示指定贡献率。在本实施例中,将UL设定为0.9,将LL设定为0.6,将A设定为0.1,来进行运算处理。
从图11可知,通过根据上述算式进行运算处理,可以组合第一平滑化数据X和第二平滑化数据x生成十分平滑且新的具有1/f波动特性的调光数据y。
发光装置1采用PWM控制方式(100Hz),根据如此生成的调光数据以时间序列的方式改变发光器件1的亮度。
[实施例2]
在本实施例中,说明作为可用于实施例1中说明的发光装置的有机EL元件的发光器件1至发光器件3的元件结构及特性。下表示出发光器件1至发光器件3的具体结构。另外,下面示出本实施例中使用的材料的化学式。虽然本实施例所示的发光器件1至发光器件3的发光部面积为4mm2(2mm×2mm),但也可以通过与其同样的方法制造发光部面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)的发光器件。
[表1]
[化学式3]
<<发光器件1的制造>>
如图12所示,本实施例所示的发光器件1具有如下结构:在形成于衬底900上的第一电极901上依次层叠有空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914以及电子注入层915,且在电子注入层915上层叠有第二电极903。
首先,在衬底900上形成第一电极901。电极面积为4mm2(2mm×2mm)。另外,作为衬底900使用玻璃衬底。此外,第一电极901通过利用溅射法沉积厚度为70nm的包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)而形成。
在此,作为预处理,用水对衬底的表面进行洗涤,以200℃焙烧1小时,然后进行UV臭氧处理370秒。然后,将衬底放入到其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中,在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行真空焙烧60分钟,之后对衬底进行冷却30分钟左右。
接着,在第一电极901上形成空穴注入层911。在真空蒸镀装置内被减压到10-4Pa之后,以由上述结构式(i)表示的N-(1,1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称:PCBBiF)与以分子量672包含氟的电子受体材料(OCHD-003)的重量比为1:0.03(=PCBBiF:OCHD-003)且厚度为10nm的方式进行共蒸镀,由此形成空穴注入层911。
接着,在空穴注入层911上形成空穴传输层912。以厚度为140nm的方式蒸镀PCBBiF,然后以厚度为85nm的方式蒸镀由上述结构式(ii)表示的N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(简称:PCBFF),由此形成空穴传输层912。
接着,在空穴传输层912上形成发光层913。以由上述结构式(iii)表示的2-[3-(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTBPDBq-II)、PCBBiF和由上述结构式(iv)表示的双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称:Ir(pqn)2(dppm))为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(pqn)2(dppm)=0.8:0.2:0.15且厚度为50nm的方式进行共蒸镀,由此形成发光层913。
接着,在发光层913上形成电子传输层914。以厚度为10nm的方式蒸镀由上述结构式(v)表示的2-[3’-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-1,1’-联苯-3-基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mFBPTzn),然后以由上述结构式(vi)表示的2-[3-(2,6-二甲基-3-吡啶基)-5-(9-菲基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称:mPn-mDMePyPTzn)和由上述结构式(vii)表示的8-羟基喹啉-锂(简称:Liq)为mPn-mDMePyPTzn:Liq=1:1且厚度为25nm的方式进行共蒸镀,由此形成电子传输层914。
接着,在电子传输层914上形成电子注入层915。电子注入层915通过以厚度为1nm的方式蒸镀Liq而形成。
接着,在电子注入层915上形成第二电极903。第二电极903通过蒸镀法使用铝以厚度为200nm的方式而形成。另外,在本实施例中第二电极903被用作阴极。
通过上述工序在衬底900上形成在一对电极之间夹有EL层的发光器件1。另外,上述工序中说明的空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914以及电子注入层915是构成本发明的一个方式中的EL层的功能层。另外,在上述制造方法的蒸镀过程中,都利用电阻加热法进行蒸镀。
以不暴露于大气的方式在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光器件1(将密封剂涂敷于器件的周围,并且在密封时进行UV处理并以80℃进行1小时的热处理)。
<<发光器件2的制造>>
发光器件2是发光层913中的各材料的混合比与发光器件1不同的发光器件。也就是说,在发光器件2中作为发光层913以2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(pqn)2(dppm)为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(pqn)2(dppm)=0.8:0.2:0.2的方式进行共蒸镀,除此之外发光器件2都与发光器件1同样地制造。
<<发光器件3的制造>>
发光器件2是用于发光层913的发光材料及各材料的混合比与发光器件1不同的发光器件。也就是说,在发光器件3中作为发光层913以2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和由上述结构式(viii)表示的(二异丁酰基甲烷(diisobutyrylmethano))双(4,6-(二-5-甲基苯基嘧啶根)铱(III)(简称:Ir(5mdppm)2(dibm))为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(5mdppm)2(dibm)=0.8:0.2:0.1的方式进行共蒸镀代替对2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(pqn)2(dppm)进行共蒸镀,除此之外发光器件3都与发光器件1同样地制造。
<<发光器件1至发光器件3的工作特性>>
图13示出发光器件1及发光器件2的亮度-电流密度特性,图14示出其电流效率-亮度特性,图15示出其亮度-电压特性,图16示出其电流-电压特性,图17示出其外部量子效率-亮度特性,图18示出其发射光谱。此外,图19示出发光器件3的亮度-电流密度特性,图20示出其电流效率-亮度特性,图21示出其亮度-电压特性,图22示出其电流-电压特性,图23示出其外部量子效率-亮度特性,图24示出其发射光谱。此外,下表示出发光器件1至发光器件3的1000cd/m2附近的主要特性。注意,使用分光辐射亮度计(拓普康公司制造、SR-UL1R)在常温下测量亮度、CIE色度及发射光谱。
[表2]
从图13至图24及上表所示的结果可知,作为本发明的一个方式的发光器件1至发光器件3具有良好的工作特性。
此外,从图18可知,发光器件1和发光器件2的发射光谱的最大峰值波长分别为614nm和614nm。发光器件1的发射光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件2的发射光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件1和发光器件2的发射光谱的半宽分别为91nm和90nm。
此外,从图24可知,发光器件3的发射光谱的最大峰值波长为612nm。发光器件3的发射光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件3的发射光谱的半宽为79nm。
也就是说,发光器件1至发光器件3发射更接近自然光的光且其高能短波蓝光得到抑制,由此可以给使用者带来放松效果。因此可知,通过将发光器件1至发光器件3用于本发明的一个方式的发光装置,可以提高本发明的一个方式的发光装置的放松效果。
[实施例3]
在本实施例中,说明作为可用于实施例1中说明的发光装置的有机EL元件的发光器件4至发光器件6的元件结构及特性。下表示出发光器件4至发光器件6的具体结构。另外,下面示出本实施例中使用的材料的化学式。本实施例所示的发光器件4至发光器件6的发光部面积为4mm2(2mm×2mm),但也可以通过与其同样的方法制造发光部面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)的发光器件。
[表3]
[化学式4]
<<发光器件4的制造>>
发光器件4是用于发光层913的发光材料及各材料的混合比与实施例2所示的发光器件1不同的发光器件。也就是说,在发光器件4中作为发光层913以2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和由上述结构式(ix)表示的(乙酰丙酮)双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称:Ir(dppm)2(acac))为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(dppm)2(acac)=0.8:0.2:0.2的方式进行共蒸镀代替对2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(pqn)2(dppm)进行共蒸镀,除此之外发光器件4都与实施例2所示的发光器件1同样地制造。
<<发光器件5的制造>>
发光器件5是用于发光层913的发光材料及各材料的混合比以及用于电子传输层914的材料与实施例2所示的发光器件1不同的发光器件。也就是说,在发光器件5中作为发光层913以2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和由上述结构式(x)表示的(二新戊酰基甲烷(dipivaloylmethano))双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称:Ir(dppm)2(dpm))为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(dppm)2(dpm)=0.8:0.2:0.1的方式进行共蒸镀代替对2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(pqn)2(dppm)进行共蒸镀。另外,作为电子传输层914使用2mDBTBPDBq-II代替mFBPTzn。另外,作为电子传输层914蒸镀由上述结构式(xi)表示的2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(简称:NBPhen)代替对mPn-mDMePyPTzn和Liq进行共蒸镀。除此之外发光器件5都与实施例2所示的发光器件1同样地制造。
<<发光器件6的制造>>
发光器件6是发光层913中的各材料的混合比与发光器件5不同的发光器件。也就是说,在发光器件6中作为发光层913以2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(dppm)2(dpm)为2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(dppm)2(dpm)=0.8:0.2:0.3的方式进行共蒸镀,除此之外发光器件6都与发光器件5同样地制造。
<<发光器件4至发光器件6的工作特性>>
图25示出发光器件4的亮度-电流密度特性,图26示出其电流效率-亮度特性,图27示出其亮度-电压特性,图28示出其电流-电压特性,图29示出其外部量子效率-亮度特性,图30示出其发射光谱。此外,图31示出发光器件5及发光器件6的亮度-电流密度特性,图32示出其电流效率-亮度特性,图33示出其亮度-电压特性,图34示出其电流-电压特性,图35示出其外部量子效率-亮度特性,图36示出其发射光谱。此外,下表示出发光器件4至发光器件6的1000cd/m2附近的主要特性。注意,使用分光辐射亮度计(拓普康公司制造、SR-UL1R)在常温下测量亮度、CIE色度及发射光谱。
[表4]
从图25至图36及上表所示的结果可知,作为本发明的一个方式的发光器件4至发光器件6具有良好的工作特性。
此外,从图30可知,发光器件4的发射光谱的最大峰值波长为597nm。发光器件4的发射光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件4的发射光谱的半宽为71nm。
此外,从图36可知,发光器件5和发光器件6的发射光谱的最大峰值波长分别为597nm和600nm。发光器件5和发光器件6的发射光谱的495nm以下的发光强度都为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件5和发光器件6的发射光谱的半宽分别为72nm和73nm。
也就是说,发光器件4至发光器件6具有更接近自然光的发光并抑制高能短波蓝光,由此可以对使用者带来放松效果。因此可知,通过将发光器件4至发光器件6用于本发明的一个方式的发光装置,可以提高本发明的一个方式的发光装置的放松效果。
[实施例4]
在本实施例中,说明作为可用于实施例1中说明的发光装置的有机EL元件的发光器件7的元件结构及特性。表3示出发光器件7的具体结构。另外,下面示出本实施例中使用的材料的化学式。注意,发光器件7的结构与实施例2中说明的发光器件3同样。此外,发光器件7的发光部面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)。
[表5]
[化学式5]
<<发光器件7的制造>>
如上所述,本实施例所示的发光器件7是具有与实施例2所示的发光器件3同样的叠层结构且发光部面积与该发光器件3不同的发光器件。也就是说,在发光器件7中在衬底900上形成面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)的第一电极901,除此之外发光器件7都与发光器件3同样地制造。
<<发光器件7的工作特性>>
图37示出发光器件7的亮度-电流密度特性,图38示出其电流效率-亮度特性,图39示出其亮度-电压特性,图40示出其电流-电压特性,图41示出其外部量子效率-亮度特性,图42示出其发射光谱。此外,下表示出发光器件7的1000cd/m2附近的主要特性。注意,使用分光辐射亮度计(拓普康公司制造、SR-UL1R)在常温下测量亮度、CIE色度及发射光谱。
[表6]
从图37至图42及上表所示的结果可知,作为本发明的一个方式的发光器件7具有良好的工作特性。
此外,从图42可知,发光器件7的发射光谱的最大峰值波长为610nm。发光器件7的发射光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。发光器件7的发射光谱的半宽为78nm。
也就是说,发光器件7具有更接近自然光的发光并抑制高能短波蓝光,由此可以对使用者带来放松效果。此外,发光器件7具有发光部面积为1142.75mm2(35mm×32.65mm)的大面积面发光,因此可以发射更柔和的光。因此,可以期待进一步提高放松效果。
(参考合成例)
在本实施例中,说明实施例2中用于发光装置的一部分的有机金属配合物双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称:[Ir(pqn)2(dppm)])的合成方法。以下示出[Ir(pqn)2(dppm)]的结构式。
[化学式6]
<步骤1:2-苯基喹啉(简称:Hpqn)的合成>
将7.8g(38mmol)的2-溴喹啉、5.5g(45mmol)的苯基硼酸、113mL的2M碳酸钾水溶液以及125mL的1,2-二甲氧基乙烷(DME)放入300mL三口烧瓶中,用氮气置换烧瓶内的空气。对该混合物加入1.2g(1.0mmol)的四(三苯基膦)钯,在90℃下进行3.5小时的加热回流。对所得到的反应溶液加入水,用乙酸乙酯进行萃取。用饱和食盐水洗涤得到的萃取溶液,并对有机层加入无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤而得到滤液。浓缩该滤液而得到固体。将该固体溶解于甲苯,通过依次层叠硅藻土、矾土、硅藻土而成的叠层进行抽滤。浓缩滤液而得到固体。通过硅胶柱层析法生成该固体。作为展开溶剂使用甲苯。浓缩所得到的馏分,以95%的收率得到7.3g的白色固体。下述式(a-1)示出步骤1的合成方案。
[化学式7]
<步骤2:二-μ-氯-四[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC]二铱(III)(简称:[Ir(pqn)2Cl]2])的合成>
将通过上述步骤1的合成方法得到的3g(15mmol)的Hpqn、1.97g(6.6mmol)的IrCl3·H2O、81mL的2-乙氧基乙醇以及27mL的水放入三口烧瓶中,用氩气置换烧瓶内的空气。在400W且100℃的条件下对该混合物照射1小时的微波而进行加热,由此进行反应。经过指定时间之后,对所得到的混合物进行抽滤,用水、乙醇洗涤固体。对所得到的滤液进行浓缩,依次用水、乙醇进行洗涤而得到固体。对通过两次抽滤得到的固体进行合并,用甲苯进行洗涤,由此以53%的收率得到2.2g的橙色固体。下述式(a-2)示出步骤2的合成方案。
[化学式8]
<步骤3:双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称:[Ir(pqn)2(dppm)])的合成>
将通过上述步骤2得到的2.2g(1.73mmol)的[Ir(pqn)2Cl]2以及200mL的二氯甲烷放入三口烧瓶中,对其滴加0.89g(3.5mmol)的三氟甲磺酸银与15mL的甲醇的混合溶液,在室温下搅拌16小时。经过指定时间后,通过硅藻土过滤所得到的混合物,浓缩滤液而得到2.32g的深红色固体。将所得到的固体、1.2g(5.19mmol)的2,6-二苯基嘧啶(简称:Hdppm)以及130mL的乙醇放入三口烧瓶中,进行25小时的加热回流。浓缩所得到的混合物,对其加入3mL的乙醇进行抽滤。通过硅胶柱层析法使所得到的固体纯化。作为展开溶剂使用二氯甲烷。并且,通过高效液相层析法对所得到的0.79g的固体进行纯化。流动相的溶剂使用氯仿。用己烷洗涤所得到的固体,以24%的收率得到0.680g的红色固体。利用梯度升华方法对所得到的0.59g的红色固体进行两次升华纯化。在升华纯化中,在压力为1.5至1.7×10-3Pa且氩流量为0mL/min的条件下以285℃至295℃加热固体。升华纯化之后,以24%的收率得到目的物的红色固体。下述式(a-3)示出步骤3的合成方案。
[化学式9]
利用核磁共振法(NMR)对通过上述步骤3得到的红色固体的质子(1H)进行测量。以下示出所得到的值。另外,图43示出1H-NMR谱。由此可知,在本合成例中得到了[Ir(pqn)2(dppm)]。
1H-NMR.δ(CD2Cl2):6.44(d,1H),6.55(t,2H),6.72-6.77(m,4H),6.83(t,1H),6.94-6.99(m,2H),7.04(t,1H),7.25-7.31(m,2H),7.48-7.49(m,3H),7.66(d,1H),7.33-7.78(m,3H),7.92(d,1H),7.96(d,1H),8.05-8.10(m,4H),8.13(d,1H),8.20(d,1H),8.25-8.29(m,2H),8.34(s,1H).
接着,测量[Ir(pqn)2(dppm)]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱(以下简称为“吸收光谱”)及发射光谱。使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造的V550型)测量吸收光谱。将二氯甲烷溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中,在室温下进行测量。注意,从将二氯甲烷溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中而测量的吸收光谱减去仅将二氯甲烷的放在石英皿中而测量的吸收光谱来示出吸收光谱。发射光谱的测量使用绝对PL量子产率测量装置(由日本滨松光子学株式会社制造的C11347-01)。在手套箱(由日本Bright株式会社制造的LABstarM13(1250/780)中,在氮气氛下将二氯甲烷脱氧溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中,密封,并在室温下测量。
图44示出吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长,纵轴表示吸收强度及发光强度。
如图44所示,[Ir(pqn)2(dppm)]在606nm具有发光峰,二氯甲烷溶液中观察到红橙色发光。另外,[Ir(pqn)2(dppm)]的发射光谱的半宽为104nm。
[符号说明]
101:第一电极、102:第二电极、103:EL层、103a:EL层、103b:EL层、103c:EL层、106:电荷产生层、106a:电荷产生层、106b:电荷产生层、111:空穴注入层、111a:空穴注入层、111b:空穴注入层、112:空穴传输层、112a:空穴传输层、112b:空穴传输层、113:发光层、113a:发光层、113b:发光层、113c:发光层、114:电子传输层、114a:电子传输层、114b:电子传输层、115:电子注入层、115a:电子注入层、115b:电子注入层、300:发光装置、301:电源、302:调光部、303:发光器件、310:照明装置、310A:照明装置、310B:照明装置、311:灯罩、311a:灯罩、311b:灯罩、312:台座、313:操作按钮、320:光、321:光、330:遥控器、400:衬底、401:第一电极、403:EL层、404:第二电极、405:密封材料、406:密封材料、407:密封衬底、412:焊盘、420:IC芯片、900:衬底、901:第一电极、903:第二电极、911:空穴注入层、912:空穴传输层、913:发光层、914:电子传输层、915:电子注入层、8001:天花射灯、8002:地脚灯、8003:片状照明、8004:照明装置、8005:台灯、8006:光源

Claims (13)

1.一种调光程序,
其中,对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据及第二平滑化数据,
对所述第一平滑化数据和所述第二平滑化数据进行运算处理来生成调光数据,
并且,根据所述调光数据以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
2.一种调光程序,
其中,对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x,
根据下述算式对所述第一平滑化数据X和所述第二平滑化数据x进行运算处理来生成调光数据y,
[算式1]
并且,根据所述调光数据y以时间序列的方式改变发光器件的亮度。
(注意,在上述算式中,yi表示所述调光数据y的第i个数据,Xi表示所述第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示所述第二平滑化数据x的第i个数据,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值,LL表示X成分的指定下限值,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值,A表示指定贡献率。)
3.根据权利要求2所述的调光程序,
其中生成所述第一平滑化数据X的移动平均处理的区间大于生成所述第二平滑化数据x的移动平均处理的区间。
4.一种发光装置,包括:
发光器件;以及
调光部,
其中,所述调光部具有如下功能:
对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据及第二平滑化数据;
对所述第一平滑化数据和所述第二平滑化数据进行运算处理来生成调光数据;以及
根据所述调光数据以时间序列的方式改变所述发光器件的亮度。
5.一种发光装置,包括:
发光器件;以及
调光部,
其中,所述调光部具有如下功能:
对具有1/f波动特性的基本数据进行区间互不相同的移动平均处理来生成第一平滑化数据X及第二平滑化数据x;
根据下述算式对所述第一平滑化数据X和所述第二平滑化数据x进行运算处理来生成调光数据y;以及
[算式2]
根据所述调光数据y以时间序列的方式改变所述发光器件的亮度。
(注意,在上述算式中,yi表示所述调光数据y的第i个数据,Xi表示所述第一平滑化数据X的第i个数据,xi表示所述第二平滑化数据x的第i个数据,Xmax表示X的最大值,Xmin表示X的最小值,UL表示X成分的指定上限值,LL表示X成分的指定下限值,xmax表示x的最大值,xmin表示x的最小值,A表示指定贡献率。)
6.根据权利要求5所述的发光装置,
其中生成所述第一平滑化数据X的移动平均处理的区间大于生成所述第二平滑化数据x的移动平均处理的区间。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件包括第一电极、第二电极及EL层。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件的电致发光光谱的495nm以下的发光强度为最大峰值波长的发光强度的1%以下。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件的电致发光光谱的峰值波长位于590nm以上且625nm以下。
10.根据权利要求4至8中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件的电致发光光谱的最大峰值波长为590nm以上且625nm以下。
11.根据权利要求4至10中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件的电致发光光谱的半宽为75nm以上且120nm以下。
12.根据权利要求4至11中任一项所述的发光装置,
其中所述发光器件的CIE色度(x,y)的x为0.59以上且0.63以下,y为0.37以上且0.41以下。
13.一种照明装置,包括:
权利要求4至12中任一项所述的发光装置;以及
灯罩,
其中,所述灯罩具有透光性材料。
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JP5022314B2 (ja) * 2008-06-20 2012-09-12 パナソニック株式会社 照明制御システム
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