WO2022065077A1 - 搬送方法及び処理システム - Google Patents

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WO2022065077A1
WO2022065077A1 PCT/JP2021/033312 JP2021033312W WO2022065077A1 WO 2022065077 A1 WO2022065077 A1 WO 2022065077A1 JP 2021033312 W JP2021033312 W JP 2021033312W WO 2022065077 A1 WO2022065077 A1 WO 2022065077A1
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processing
substrate
time
wafer
transfer
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PCT/JP2021/033312
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渉 中込
章太郎 村川
直之 佐藤
史孝 仙頭
達也 向山
茂 窪田
圭介 平出
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • This disclosure relates to a substrate transport method and a processing system.
  • Patent Document 1 describes a chamber for performing a desired gas treatment on a substrate housed therein, a transport mechanism for continuously transporting a plurality of substrates to the chamber, and treatment before the substrate is carried into the chamber.
  • a gas processing apparatus including a control mechanism for introducing the gas into the chamber and controlling the introduction of the processing gas and the operation of the transfer mechanism so that the substrate is carried into the chamber after a predetermined time. There is.
  • the technique according to the present disclosure appropriately adjusts the transfer timing of a plurality of substrates continuously processed in the substrate processing apparatus, and efficiently performs the substrate processing in the substrate processing apparatus.
  • One aspect of the present disclosure is a plurality of substrates that are continuously processed in a processing system including at least one processing unit that performs desired processing on the substrate and a transport unit that conveys the substrate to the processing unit.
  • a first method in which an adjustment value for arbitrarily changing the processing time for the substrate is assigned to each of the plurality of the substrates, and the processing is performed this time.
  • the step of acquiring the adjustment value assigned to the substrate of the above, the step of acquiring the reference adjustment value assigned to the reference substrate processed before the first substrate, and the step of acquiring the reference substrate are performed.
  • the first substrate can be used. It includes a step of calculating a predicted processing time and a step of adjusting a transfer timing of a second substrate to be processed after the first substrate based on the calculated predicted processing time.
  • the transfer timing of a plurality of substrates continuously processed in the substrate processing apparatus is appropriately adjusted, and the substrate processing in the substrate processing apparatus is efficiently performed.
  • a vacuum processing apparatus that transports a semiconductor wafer (substrate: hereinafter simply referred to as "wafer”) in a vacuum atmosphere and performs various vacuum processing on the wafer.
  • wafer semiconductor wafer
  • transfer between various processing modules and various vacuum processing are sequentially and continuously performed on a plurality of wafers carried into the vacuum processing apparatus.
  • Patent Document 1 discloses a gas processing apparatus that sequentially performs a COR (Chemical Oxide Removal) treatment as a vacuum treatment and a PHT (Post Heat Treatment) treatment on a wafer.
  • the transfer of wafers is controlled so that a plurality of wafers are continuously transferred to each processing chamber (processing module) by a command from the process controller.
  • this time wafer the wafer processed prior to the current wafer (hereinafter referred to as “this time wafer”) on which the timing control is performed (hereinafter referred to as “preceding wafer”) is used.
  • the wafer transfer can be optimized.
  • variable data is included to adjust the time.
  • the variable data is assigned and set for each of a plurality of wafers carried into the vacuum processing apparatus, for example, by manual input by an operator or automatic input based on the processing result of the previous process.
  • the variable data assigned to each wafer is not taken into consideration, and if the variable data is different between the preceding wafer and the current wafer, the throughput may decrease.
  • the transfer timing of the current wafer is controlled based on the actual time of the preceding wafer, but at this time, it is assumed that the variable data of the preceding wafer and the current wafer are the same. Since the wafer is transported, the transport timing is not predicted correctly, and there is a possibility that a processing waiting time may occur, which may cause a decrease in throughput. Further, there is no description in Patent Document 1 about the decrease in the throughput due to the difference in the variable data, and there is room for improvement in this viewpoint.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the vacuum processing apparatus 1.
  • the vacuum processing apparatus 1 includes a COR module as a processing module and a PHT module will be described as an example.
  • the configurations of various processing modules included in the vacuum processing apparatus 1 of the present disclosure are not limited to this, and can be arbitrarily selected.
  • the vacuum processing apparatus 1 has a configuration in which the atmosphere unit 10 and the decompression unit 11 are integrally connected via load lock modules 20a and 20b.
  • the atmospheric unit 10 includes a plurality of atmospheric modules that perform desired processing on the wafer W under an atmospheric pressure atmosphere.
  • the decompression unit 11 includes a plurality of decompression modules that perform desired processing on the wafer W in a decompression atmosphere.
  • the load lock module 20a temporarily holds the wafer W in order to deliver the wafer W conveyed from the loader module 30 described later in the atmosphere unit 10 to the transfer module 60 described later in the decompression unit 11.
  • the load lock module 20a has a plurality of, for example, two stockers (not shown) inside, thereby holding two wafers W inside at the same time.
  • the load lock module 20a is connected to the loader module 30 described later and the transfer module 60 described later via a gate (not shown) provided with a gate valve (not shown).
  • a gate valve By this gate valve, the airtightness between the load lock module 20a and the loader module 30 and the transfer module 60 is ensured and communication with each other is achieved at the same time.
  • An air supply unit (not shown) for supplying gas and an exhaust unit (not shown) for discharging gas are connected to the load lock module 20a, and the inside of the load lock module 20a has an atmospheric pressure atmosphere and a decompression atmosphere due to the air supply unit and the exhaust unit. It is configured to be switchable to. That is, the load lock module 20a is configured so that the wafer W can be appropriately transferred between the atmospheric unit 10 in the atmospheric pressure atmosphere and the decompressing unit 11 in the decompressed atmosphere.
  • the load lock module 20b temporarily holds the wafer W in order to deliver the wafer W transferred from the transfer module 60 to the loader module 30.
  • the load lock module 20b has the same configuration as the load lock module 20a. That is, it has a gate valve (not shown), a gate (not shown), an air supply unit (not shown), and an exhaust unit (not shown).
  • the number and arrangement of the load lock modules 20a and 20b are not limited to this embodiment and can be set arbitrarily.
  • the atmosphere unit 10 includes a loader module 30 provided with a wafer transfer mechanism 40 described later, a load port 32 on which a hoop 31 capable of storing a plurality of wafers W is placed, a CST module 33 for cooling the wafer W, and a horizontal wafer W. It has an oriental module 34 that adjusts the direction of the direction.
  • the loader module 30 has a rectangular housing inside, and the inside of the housing is maintained in an atmospheric pressure atmosphere.
  • a plurality of, for example, three load ports 32 are arranged side by side on one side surface constituting the long side of the housing of the loader module 30.
  • Load lock modules 20a and 20b are arranged side by side on the other side surface constituting the long side of the housing of the loader module 30.
  • a CST module 33 is provided on one side surface constituting the short side of the housing of the loader module 30.
  • An oriental module 34 is provided on the other side surface of the loader module 30 that constitutes the short side of the housing.
  • the number and arrangement of the load port 32, the CST module 33, and the oriental module 34 are not limited to this embodiment, and can be set arbitrarily. Further, the type of the atmospheric module provided in the atmospheric unit 10 is not limited to this embodiment, and can be arbitrarily selected.
  • the hoop 31 accommodates a plurality of wafers W, for example, 25 wafers per lot. Further, the inside of the hoop 31 placed on the load port 32 is filled with, for example, the atmosphere or nitrogen gas and sealed.
  • the wafer transfer mechanism 40 for transporting the wafer W is provided inside the loader module 30, a wafer transfer mechanism 40 for transporting the wafer W is provided.
  • the wafer transfer mechanism 40 includes transfer arms 41a and 41b that hold and move the wafer W, a rotary table 42 that rotatably supports the transfer arms 41a and 41b, and a rotary mounting table 43 on which the rotary table 42 is mounted. is doing.
  • the wafer transfer mechanism 40 is configured to be movable in the longitudinal direction inside the housing of the loader module 30.
  • the decompression unit 11 includes a transfer module 60 that simultaneously conveys two wafers W to various processing modules, a COR module 61 that performs COR processing on the wafer W, and a PHT module 62 that performs PHT processing on the wafer W. is doing.
  • the insides of the transfer module 60, the COR module 61, and the PHT module 62 are each maintained in a reduced pressure atmosphere. Further, a plurality of COR modules 61 and PHT modules 62 are provided for the transfer module 60, for example, three each.
  • the transfer module 60 as a transport unit has a rectangular housing inside, and is connected to the load lock modules 20a and 20b via a gate valve (not shown) as described above.
  • the transfer module 60 sequentially conveys the wafer W carried into the load lock module 20a to one COR module 61 and one PHT module 62, performs COR treatment and PHT treatment, and then passes through the load lock module 20b to the atmosphere. Carry out to section 10.
  • the COR module 61 Inside the COR module 61 as a processing unit, two stages 61a and 61b are provided on which two wafers W are placed side by side in the horizontal direction.
  • the COR module 61 simultaneously performs COR processing on two wafers W by placing the wafers W side by side on the stages 61a and 61b.
  • the COR module 61 is connected to an air supply unit (not shown) for supplying processing gas, purge gas, and the like, and an exhaust unit (not shown) for discharging gas.
  • the PHT module 62 Inside the PHT module 62 as a processing unit, two stages 62a and 62b are provided on which two wafers W are placed side by side in the horizontal direction.
  • the PHT module 62 simultaneously performs PHT processing on two wafers W by placing the wafers W side by side on the stages 62a and 62b.
  • the PHT module 62 is connected to an air supply unit (not shown) for supplying gas and an exhaust unit (not shown) for discharging gas.
  • the COR module 61 and the PHT module 62 are connected to the transfer module 60 via a gate (not shown) provided with a gate valve (not shown). With this gate valve, the airtightness between the transfer module 60 and the COR module 61 and the PHT module 62 is ensured and communication with each other is achieved at the same time.
  • the number, arrangement, and types of processing modules provided in the transfer module 60 are not limited to this embodiment and can be set arbitrarily.
  • a wafer transfer mechanism 70 for transporting the wafer W is provided inside the transfer module 60.
  • the wafer transfer mechanism 70 includes a transfer arm 71a and 71b that vertically hold and move two wafers W, a rotary table 72 that rotatably supports the transfer arms 71a and 71b, and a rotary mount 72 that mounts the rotary table 72. It has a rotary table 73. Further, inside the transfer module 60, a guide rail 74 extending in the longitudinal direction of the transfer module 60 is provided. The rotary mounting table 73 is provided on the guide rail 74, and the wafer transfer mechanism 70 is configured to be movable along the guide rail 74.
  • the above vacuum processing apparatus 1 is provided with a control unit 80.
  • the control unit 80 is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, or the like, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program that controls the processing of the wafer W in the vacuum processing apparatus 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of the drive system such as the above-mentioned various processing modules and the transfer mechanism to control the timing of wafer transfer described later in the vacuum processing device 1.
  • a "wafer transfer control task” described later to control a wafer transfer operation a "recipe execution control task” described later to execute a recipe in a processing module, and a “recipe” described later to manage a recipe in a processing module.
  • "Management task” etc. are stored.
  • the program may be recorded on a storage medium H readable by a computer and may be installed on the control unit 80 from the storage medium H.
  • ⁇ Wafer transfer method> The vacuum processing apparatus 1 according to the present disclosure is configured as described above. Next, the wafer processing performed by using the vacuum processing apparatus 1 and the wafer transfer will be described. In the following description, a case where one lot (25 wafers) of wafers W housed in the hoop 31 is continuously processed with two wafers will be described as an example. Further, “wafers W 1 to W 25 " used in the following description are numbers 1 to 25 for each of the wafers W in one lot (25 sheets) in the order in which the wafer processing is performed. ..
  • the wafer W is processed in parallel using a plurality of COR modules 61 and PHT modules 62 provided in the decompression unit 11, but in the following description, the timing control of wafer transfer will be described.
  • the wafers W 1 to W 25 are processed by using the same COR module 61 and PHT module 62 will be described as an example.
  • a hoop 31 containing a plurality of 1 lot (25 wafers) of wafers W is carried into the load port 32.
  • the wafer transfer mechanism 40 accesses the hoop 31 and the wafer W1 is taken out from the hoop 31.
  • the orientation of the wafer W1 carried out from the hoop 31 in the horizontal direction is adjusted by the oriental module 34.
  • the wafer W 2 is taken out from the hoop 31 while adjusting the horizontal orientation of the wafer W 1 .
  • the wafer W 2 taken out from the hoop 31 is carried into the oriental module 34 and the horizontal orientation is adjusted immediately after the wafer W 1 whose horizontal orientation is adjusted is taken out from the oriental module 34.
  • W 1 taken out from the oriental module 34 is transported to a stocker (not shown) of the load lock module 20a and temporarily held.
  • the horizontally oriented wafer W 2 is taken out from the oriental module 34 and conveyed to the stocker (not shown) of the load lock module 20a.
  • the inside of the load lock module 20a is switched from the atmospheric pressure atmosphere to the decompression atmosphere, and then communicates with the inside of the transfer module 60. Subsequently, the two wafers W1 and W2 are delivered to the transfer arm 71a of the wafer transfer mechanism 70 and carried into the transfer module 60.
  • the wafer transfer mechanism 70 holding the two wafers W1 and W2 then moves in front of one COR module 61. Subsequently, the transfer arm 71a enters the inside of the COR module 61, and the two wafers W1 and W2 are delivered to the stages 61a and 61b of the COR module 61, respectively. After that, the transfer arm 71a exits from the COR module 61, and COR processing is performed on the two wafers W1 and W2.
  • at least one recipe is selectively executed according to the purpose from a plurality of recipes for the COR processing recorded in the recipe database DB described later.
  • the two wafers W 3 and W 4 to be processed next are taken out from the hoop 31 and transferred to the load lock module 20a via the orienter module 34. After being carried in, it is further carried in front of one COR module 61 by the wafer transfer mechanism 70.
  • the transfer timing of the two wafers W3 and W4 to the COR module 61 is the timing at which the COR processing for the two wafers W1 and W2, which are the preceding wafers, is completed. Wafers W3 and W4 are controlled to arrive in front of the module 61.
  • the transfer timing is controlled so that the wafers W 1 and W 2 can be carried out to one COR module 61 and the wafers W 3 and W 4 can be carried in and out at the same time.
  • the details of this transfer timing control method will be described later.
  • the transfer arm 71b of the wafer transfer mechanism 70 enters the inside of the COR module 61, and the two wafers W 1 from the stages 61a and 61b to the transfer arm 71b. W 2 is delivered.
  • the transfer arm 71a of the wafer transfer mechanism 70 enters the inside of the COR module 61, and the two wafers W3 and W4 are delivered from the transfer arm 71b to the stages 61a and 61b.
  • the transfer arm 71a exits from the COR module 61, and COR processing is performed on the two wafers W3 and W4.
  • the wafer transfer mechanism 70 holding the two wafers W1 and W2 moves to the front of one PHT module 62.
  • the transfer arm 71b enters the PHT module 62, and the two wafers W1 and W2 are delivered to the stages 62a and 62b of the PHT module 62, respectively.
  • the transfer arm 71b exits from the PHT module 62, and PHT processing is performed on the two wafers W1 and W2.
  • at least one recipe is selectively executed according to the purpose from the plurality of recipes of the PHT processing recorded in the recipe database DB described later.
  • the transfer arm 71b of the wafer transfer mechanism 70 enters the inside of the PHT module 62, and the two wafers W 1 from the stages 62a and 62b to the transfer arm 71b. W 2 is delivered.
  • the two wafers W3 and W4 for which the COR processing has been completed are transported to the stages 62a and 62b of the PHT module 62, that is , the wafers W1 and W2 are carried out to the PHT module 62 and the wafer W3 is carried out.
  • W4 are preferably carried in at the same time.
  • the wafers W 3 and W 4 are carried out to the COR module 61 and the two wafers W 5 and W 6 to be processed next are carried in at the same time. As described above, the details of the transfer timing control method will be described later.
  • the wafer transfer mechanism 70 holding the two wafers W 1 and W 2 moves to the front of the load lock module 20b. Subsequently, the two wafers W1 and W2 are delivered from the transfer arm 71b of the wafer transfer mechanism 70 to the stocker (not shown).
  • the inside of the load lock module 20b is switched from the reduced pressure atmosphere to the atmospheric pressure atmosphere, and then communicates with the inside of the loader module 30. Subsequently, the two wafers W1 and W2 are delivered to the wafer transfer mechanism 40 and carried into the loader module 30. After that, the loader module 30 accommodates the two wafers W1 and W2 in the CST module 33, and the CST process is performed.
  • the two wafers W 1 and W 2 conveyed to the CST module 33 are placed on the hoop 31 placed on the load port 32 by the loader module 30 when the CST process for a predetermined time (for example, 1 minute) is completed. It is stored and is in a standby state until the processing of the other wafers W3 to W25 is completed.
  • a predetermined time for example, 1 minute
  • Wafer processing and wafer transfer in the vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment are performed as described above. As described above, it is desirable that the transfer timing of the wafer is controlled so that the carry-out of the preceding wafer to one processing module and the carry-in of the wafer this time are performed at the same time. However, especially when the variable data assigned to each wafer is different between the preceding wafer and the current wafer, the end timing of the recipe in one processing module cannot be accurately predicted, and the transfer timing may not be appropriately controlled.
  • the wafer this time is transferred to the wafer transfer mechanism 70. It will wait until the processing of the preceding wafer is completed on the transfer arm 71 of. Normally, as described above, in the vacuum processing apparatus 1, a plurality of wafers W carried in from a plurality of hoops 31 are processed in parallel by using a plurality of processing modules. When the waiting occurs, the transfer arm 71 cannot transfer another wafer W during this period. That is, the other wafer W cannot be processed during this period, which reduces the throughput of the vacuum processing apparatus 1.
  • the transfer timing of the wafer this time is late and the wafer is not transferred to the front of the processing module even if the recipe for the preceding wafer in the processing module is completed, the preceding wafer cannot be carried out from the processing module and the preceding wafer is processed. It will wait inside the module.
  • the processing module cannot process the other wafer W during this time, and the throughput decreases.
  • the standby of the preceding wafer occurs inside the processing module in this way, the processing to the preceding wafer proceeds excessively due to the influence of the residual gas inside the processing module, which is desired for the preceding wafer. The processing result may not be obtained.
  • the timing of wafer transfer is preferably within 5 seconds before and after the completion of the recipe of the preceding wafer in the processing module, and more preferably substantially at the same time as the completion of the recipe of the preceding wafer so that the wafer arrives in front of the processing module this time. It is desirable to be controlled by.
  • FIG. 2 is a flow chart that simply shows a series of flow of wafer transfer timing control according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, in the control of the transfer timing according to the present embodiment, the above-mentioned "wafer transfer control task”, “recipe execution control task”, and “recipe management task” are used. Further, FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing the details of the recipe information recorded in the recipe database DB.
  • a transfer plan for the two wafers W 1 and W 2 to be processed first by the wafer transfer control task is constructed (sequence S1 in FIG. 2).
  • variable data V assigned to the two wafers W1 and W2 is acquired.
  • the variable data V is an adjustment value set for each processing step time of various vacuum processing applied to the wafers W 1 and W 2 , and is input for arbitrarily adjusting the execution time of the processing step. By changing this variable data, the execution time of the corresponding processing step for any wafer W can be arbitrarily changed.
  • variable data V is used for other conditions related to the processing of the wafer W, for example. It is also possible to control the flow rate and temperature of the gas.
  • the wafers W 1 and W 2 on which the transfer plan is constructed are used as the wafers this time, and the recipe results at the time of the preceding wafer transfer in which the same recipe is applied before the wafers W 1 and W 2 are applied.
  • the time and the variable data V assigned to the preceding wafer are acquired.
  • the recipe management task refers to the recipe database DB in which the actual time (actual processing time) at the time of the previous execution of various recipes and the variable data V are recorded as a pair. It is obtained by doing.
  • variable data V of the wafers W 1 and W 2 (this time wafer)
  • the actual time of the preceding wafer and the variable data V are acquired, then the wafers W 1 and W are based on the various data acquired in the sequence S1.
  • the recipe processing time required when the recipe is executed in 2 is predicted (sequence S2 in FIG. 2).
  • the recipe processing time of the preceding wafer and the current wafer varies depending on the difference between the variable data V. That is, for example, when the variable data V of the preceding wafer is, for example, 10 seconds and the variable data V of the present wafer is, for example, 20 seconds, the recipe processing time for the present wafer is 10 seconds longer than the recipe processing time of the preceding wafer. Is expected to be. Therefore, in the wafer transfer timing control according to the present embodiment, the recipe processing time of the wafer this time is predicted by the following equation (1).
  • the recipe processing time of the present wafer is predicted in consideration of the difference between the variable data V between the preceding wafer and the present wafer. Then, by controlling and adjusting the transfer timing of the wafer this time as described later based on the recipe processing time predicted in this way, the variable data V may differ between the wafers W to be continuously processed. Also, it is possible to suppress a decrease in the processing throughput in the vacuum processing apparatus 1.
  • the method of constructing the transfer plan of the wafers W3 and W4 and the prediction of the recipe processing time are the same as those of the wafers W1 and W2. That is, after acquiring the variable data V assigned to the wafers W 3 and W 4 , the actual time of the preceding wafer recorded in the recipe database DB, and the variable data V, the wafer is used as the wafer this time based on the above equation (1). Predict the recipe processing time of the wafers W3 and W4 of.
  • the constructed transfer plan and the transfer state (sequence S4) and the processing state (sequence S4) of the two wafers W1 and W2 to be processed in advance are performed. Based on S5), the transfer timing of the two wafers W3 and W4 to various processing modules is adjusted (sequence S3 in FIG. 2).
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing the state of wafer transfer in the vacuum processing apparatus 1 over time.
  • the recipe processing time of the wafers W1 and W2 is predicted in the sequence S3, as shown in FIG . 4A, the two wafers W1 and W2 for which the transfer plan is constructed are taken out from the hoop 31. It is carried into one COR module 61 via the load lock module 20a, and the COR process for t seconds is executed. It should be noted that this COR process includes a plurality of process steps as shown in the recipe database DB of FIG. The processing time of t seconds of the above-mentioned COR processing indicates the recipe processing time as the total time of these plurality of processing steps as shown in FIG.
  • the two wafers W 1 and W 2 are transferred to the PHT module 62 as shown in FIG. 4 (b).
  • the PHT processing is longer than the COR processing, and the processing is rate-determining in the PHT module 62. Therefore, the two wafers W1 and W2 for which the COR processing is completed are the two wafers to be processed next. It is carried into the PHT module 62 without waiting for W 3 and W 4 .
  • the processing time of T seconds of this PHT processing indicates the recipe processing time as the total time of the plurality of processing steps as shown in FIG.
  • the wafers W 3 and W 4 are then conveyed to the front of the PHT module 62 via the load lock module 10a and the COR module 61.
  • the timing of arrival of the wafers W3 and W4 in front of the PHT module 62 is preferably within 5 seconds before and after the completion of the PHT processing of the preceding wafers ( wafers W1 and W2), more preferably. Should be approximately simultaneous with the completion of the predecessor wafer recipe. Therefore, in the wafer transfer timing control in the present embodiment, the transfer start timing of the wafers ( wafers W3 and W4) from the hoop 31 is controlled based on the following equation ( 2 ).
  • the "remaining time of the recipe being executed on the preceding wafer” indicates, for example, the remaining time of PHT processing on the two wafers W1 and W2 in the PHT module 62.
  • the "time required to transfer the wafer to the front of the target processing module this time” is, for example , the transfer of the wafers W3 and W4 from the hoop 31 to the front of the PHT module 62 via the load lock module 10a and the COR module 61. Shows the time it takes to do this.
  • the throughput in the vacuum processing apparatus 1 is appropriately controlled by controlling the transfer start timing of the current wafer based on the remaining time of the recipe for the preceding wafer and the time required for the transfer of the wafer this time. The decrease can be suppressed. Further, the remaining time of the recipe used for adjusting the transfer timing is calculated based on the prediction result of the recipe processing time of the preceding wafer calculated in the sequence S2 of FIG. That is, since the transfer start timing is controlled based on the prediction result of the recipe processing time calculated in consideration of the allocated variable data V of the wafer W, the variable data V is generated between the wafers W to be continuously processed. Even if they are different, it is possible to appropriately suppress a decrease in the processing throughput in the vacuum processing apparatus 1.
  • the wafers W 1 and W 2 are carried out to the PHT module 62, and the wafers W 3 and W 4 are carried in sequentially. Will be.
  • the wafers W 1 and W 2 carried out from the PHT module 62 are conveyed to the CST module 33 via the load lock module 20b as shown in FIG. 4 (e). After that, the wafer is further delivered to the hoop 31 by the wafer transfer mechanism 40, so that a series of wafer processing for the wafers W1 and W2 is completed.
  • the time actually required for various processing of the wafers W 1 and W 2 (the actual recipe time of the wafers W 1 and W 2 ) and the wafers W 1 and W 2
  • the variable data V assigned to is stored in the recipe database DB shown in FIG. 2 (sequence S6 in FIG. 2). More specifically, the data in the recipe database DB related to the target recipe is overwritten and updated by the recipe actual time of the wafers W 1 and W 2 and the variable data V. The overwritten and updated actual time of the recipe database DB and the variable data V will be referred to when the wafer W is processed by the same recipe next time.
  • all of the wafers W in one lot are conveyed and processed by the same method as the above-mentioned methods shown in FIGS. 2 and 4.
  • a series of wafer processing in the vacuum processing apparatus 1 is completed.
  • the actual result of the last processed wafer W25 is stored in the recipe database DB after the series of wafer processing is completed.
  • the time and variable data V are recorded.
  • Wafer transfer timing control is performed as described above.
  • a case where a plurality of wafers W are processed using only one COR module 61 and one PHT module 62 has been described as an example.
  • the throughput in the vacuum processing apparatus 1 can be improved by processing the wafer W in parallel by the plurality of COR modules 61 and the PHT module 62.
  • the wafer transfer timing control method in consideration of the fluctuation of the variable data V which is an arbitrarily input adjustment value (variable), in the vacuum processing apparatus 1 according to the above equation (1).
  • the recipe processing time of the wafer W to be processed is calculated.
  • the recipe processing time as the total time of the steps can be calculated. In other words, the completion timing of the recipe for the wafer this time can be calculated in consideration of the difference in the variable data V, and thereby the transfer timing of the wafer W can be appropriately determined.
  • the transfer timing of the wafer W can be appropriately determined in this way, the standby time of the wafer this time on the transfer arm and the standby time of the preceding wafer inside the processing module can be reduced.
  • the transfer arm is in a standby state while holding the wafer, so that the time during which another wafer cannot be transferred by the transfer arm is reduced, and vacuum processing is performed.
  • the decrease in the throughput in the device 1 is suppressed.
  • the transfer timing of the wafer W can be appropriately determined in this way, the preceding wafer can be carried out to one processing module and the wafer can be carried in this time at the same time.
  • the number of times the wafer transfer mechanism is moved to the front of one processing module can be reduced, and as a result, the decrease in the throughput in the vacuum processing apparatus 1 can be more appropriately suppressed.
  • the recipe database DB in which the actual time of the preceding wafer used for timing control of wafer transfer and the variable data V are recorded contains the actual recipe time of the wafer and the variable data V this time. Recorded by overwriting.
  • the recipe processing time for the wafer W may change, for example, due to changes in the device characteristics of the processing module.
  • the recipe processing time can be calculated. That is, the recipe processing time can be calculated by updating the changes in the device characteristics and the like over time.
  • the wafer W transfer plan is sequentially constructed from the hoop 31 to the wafer W before unloading, but the timing for constructing the wafer W transfer plan is not limited to this. .. That is, in the above embodiment, the transfer of the wafer W (delivery from the hoop 31) is started after the transfer plan for the entire series of wafer processing is constructed, but the transfer plan of the wafer W is the transfer plan of the wafer W for various processing modules. Each may be constructed before transport. Specifically, for example, a transfer plan for the COR module 61 is constructed for the wafer W waiting inside the hoop 31, and then a transfer plan for the PHT module 62 is again applied to the wafer W for which the COR process is performed. May be further constructed.
  • the case where the COR processing in the COR module 61 is shorter than the PHT processing in the PHT module 62 (rate-determining by the PHT processing) has been described as an example.
  • the COR processing is longer than the PHT processing (rate-determining by the COR processing) or when the processing times of the COR processing and the PHT processing are the same, the wafer transfer according to the technique of the present disclosure is performed. Timing control can be performed.
  • the COR processing in the COR module 61 and the PHT processing in the PHT module 62 include a plurality of processing steps.
  • the processing step includes a "time step” in which processing is performed at a predetermined set time, and a “stable step” in which processing is performed until a predetermined processing result (for example, temperature, pressure, etc.) is reached. ing.
  • the time step when the variable data V is different between the preceding wafer and the current wafer as described above, the actual recipe processing time is used as the actual time, so that the throughput due to the fluctuation of the variable data V is used. There is a high risk of a drop.
  • the above-mentioned timing control is performed only in the processing step related to the "time step" among the plurality of processing steps included in the recipe applied to the wafer W. May be.
  • the above-mentioned timing control may be performed for the processing step related to the "stable step".
  • the case of controlling the timing of wafer transfer in the vacuum processing apparatus 1 that processes the wafer W in a reduced pressure environment has been described as an example, but for a plurality of processing modules.
  • the configuration of the wafer processing apparatus to which the technique according to the present disclosure is applied is not limited. That is, for example, in an atmospheric treatment apparatus that continuously performs a plurality of treatments at atmospheric pressure, the timing control of wafer transfer according to the technique of the present disclosure may be performed.
  • the case where the two wafers W are simultaneously transported and processed by the two-wafer processing has been described as an example, but for example, the wafer W is the single-wafer processing or three or more wafers are required. Even in the case of processing in the above, the timing control of wafer transfer according to the technique of the present disclosure can be applied.

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Abstract

基板に所望の処理を施す少なくとも１つの処理部と、前記処理部に対して基板を搬送する搬送部と、を備える処理システムにおいて、連続的に処理される複数の基板を前記搬送部から前記処理部に搬送する方法であって、複数の前記基板のそれぞれには、当該基板に対する処理時間を任意に変更するための調整値が予め割り当てられ、今回処理される第１の基板に割り当てられた前記調整値を取得する工程と、前記第１の基板よりも前に処理された基準基板に割り当てられた基準調整値を取得する工程と、前記基準基板に対して行われた実際の処理時間である実績時間を取得する工程と、前記実績時間に前記第１の基板に割り当てられた前記調整値と前記基準調整値との差分を反映させることにより、第１の基板の予測処理時間を算出する工程と、算出された前記予測処理時間に基づいて、前記第１の基板よりも後に処理される第２の基板の搬送タイミングを調整する工程と、を含む。

Description

搬送方法及び処理システム
　本開示は、基板の搬送方法及び処理システムに関する。
　特許文献１には、内部に収容した基板に対して所望のガス処理を施すチャンバと、前記チャンバに対し複数の基板を連続的に搬送する搬送機構と、基板を前記チャンバに搬入する前に処理ガスを前記チャンバに導入させ、所定時間後に前記チャンバ内に基板を搬入させるように前記処理ガスの導入と前記搬送機構の動作とを制御する制御機構と、を具備するガス処理装置が開示されている。
日本国　特開２００８－１６００００号公報
　本開示にかかる技術は、基板処理装置において連続的に処理される複数の基板の搬送タイミングを適切に調整し、該基板処理装置における基板処理を効率的に行う。
　本開示の一態様は、基板に所望の処理を施す少なくとも１つの処理部と、前記処理部に対して基板を搬送する搬送部と、を備える処理システムにおいて、連続的に処理される複数の基板を前記搬送部から前記処理部に搬送する方法であって、複数の前記基板のそれぞれには、当該基板に対する処理時間を任意に変更するための調整値が予め割り当てられ、今回処理される第１の基板に割り当てられた前記調整値を取得する工程と、前記第１の基板よりも前に処理された基準基板に割り当てられた基準調整値を取得する工程と、前記基準基板に対して行われた実際の処理時間である実績時間を取得する工程と、前記実績時間に前記第１の基板に割り当てられた前記調整値と前記基準調整値との差分を反映させることにより、第１の基板の予測処理時間を算出する工程と、算出された前記予測処理時間に基づいて、前記第１の基板よりも後に処理される第２の基板の搬送タイミングを調整する工程と、を含む。
　本開示によれば、基板処理装置において連続的に処理される複数の基板の搬送タイミングを適切に調整し、該基板処理装置における基板処理を効率的に行う。
本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す平面図である。 本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御方法の主な工程を示すフロー図である。 レシピデータベースに記録されたレシピ情報の詳細を示す説明図である。 本実施形態にかかるウェハ搬送の様子を模式的に示す説明図である。
　従来、真空雰囲気下で半導体ウェハ（基板：以下、単に「ウェハ」という。）を搬送し、該ウェハに対して各種真空処理を行う真空処理装置が知られている。この真空処理装置では、該真空処理装置に搬入される複数枚のウェハに対して、各種処理モジュール間での搬送、及び各種真空処理が、順次、連続的に行われる。
　上述した特許文献１には、真空処理としてのＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｒｅｍｏｖａｌ）処理、及びＰＨＴ（Ｐｏｓｔ　Ｈｅａｔ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を、順次、ウェハに対して行うガス処理装置が開示されている。特許文献１に記載のガス処理装置によれば、プロセスコントローラからの指令により、複数枚のウェハが連続的に各処理チャンバ（処理モジュール）に搬送されるように、ウェハの搬送が制御される。
　このウェハの搬送、及び各種真空処理においては、真空処理装置におけるスループットの低下を抑制するため、各種処理モジュールに対するウェハ搬送のタイミングを制御し、該ウェハの処理待機時間を短くすることが求められる。
　このウェハ搬送のタイミング制御には、従来、該タイミング制御が行われる今回のウェハ（以下、「今回ウェハ」という。）に先行して処理されたウェハ（以下、「先行ウェハ」という。）に対して対象の真空処理（レシピ）を実行したときの計測時間をレシピに保存した「レシピ実績時間（以下、単に「実績時間」という場合がある。）」が用いられている。具体的には、対象のレシピが行われた先行ウェハの実績時間を用いることで、同様のレシピが実行される今回ウェハに対する該レシピに要する時間を予測し、レシピの終了のタイミングに合わせて今回ウェハの搬送タイミングを制御することにより、ウェハ搬送を最適化することができる。
　ところで、このウェハ搬送のタイミング制御をするための「実績時間」には、例えば今回ウェハの前工程の処理結果や、先行ウェハの対象レシピの処理結果等に基づいて、今回ウェハに対する対象レシピの処理時間を調整するためデータ（以下、「バリアブルデータ」という。）が含まれている。該バリアブルデータは、例えばオペレータの手入力や前工程の処理結果に基づく自動入力等により、真空処理装置に搬入される複数枚のウェハ毎に割り当てて設定される。
　しかしながら、上述した従来のウェハ搬送のタイミング制御方法においては、このようにウェハ毎に割り当てられるバリアブルデータが考慮されておらず、先行ウェハと今回ウェハで該バリアブルデータが異なる場合にスループットが低下するおそれがあった。具体的には、上述したように先行ウェハの実績時間に基づいて今回ウェハの搬送タイミングが制御されるが、この際、先行ウェハと今回ウェハのバリアブルデータが同じであることを想定して今回ウェハを搬送するため、搬送タイミングが正しく予測されず、処理待機時間が発生してスループット低下の原因となるおそれがあった。そして、このようなバリアブルデータが異なることに起因するスループットの低下については特許文献１にも記載がなく、かかる観点において改善の余地がある。
　本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板処理装置において連続的に処理される複数の基板の搬送タイミングを適切に調整し、該基板処理装置における基板処理を効率的に行う。以下、一実施形態にかかる真空処理装置、及び本実施形態にかかるウェハ搬送方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜真空処理装置＞
　先ず、一実施形態にかかる真空処理装置の構成について説明する。図１は、真空処理装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。本実施形態においては、真空処理装置１が、処理モジュールとしてのＣＯＲモジュール、及びＰＨＴモジュールを備える場合を例に説明する。なお、本開示の真空処理装置１が備える各種処理モジュールの構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
　図１に示すように真空処理装置１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の減圧モジュールを備える。
　ロードロックモジュール２０ａは、大気部１０の後述するローダーモジュール３０から搬送されたウェハＷを、減圧部１１の後述するトランスファモジュール６０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ａは、内部に複数、例えば２つのストッカ（図示せず）を有しており、これにより内部に２枚のウェハＷを同時に保持する。
　ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ（図示せず）が設けられたゲート（図示せず）を介して、後述するローダーモジュール３０及び後述するトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブにより、ロードロックモジュール２０ａと、ローダーモジュール３０及びトランスファモジュール６０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
　ロードロックモジュール２０ａにはガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続され、当該給気部と排気部によって内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。すなわちロードロックモジュール２０ａは、大気圧雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切にウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
　ロードロックモジュール２０ｂはトランスファモジュール６０から搬送されたウェハＷをローダーモジュール３０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ｂは、ロードロックモジュール２０ａと同様の構成を有している。すなわち、図示しないゲートバルブ、図示しないゲート、図示しない給気部、及び図示しない排気部を有している。
　なお、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
　大気部１０は、後述するウェハ搬送機構４０を備えたローダーモジュール３０、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２、ウェハＷを冷却するＣＳＴモジュール３３、及びウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール３４を有している。
　ローダーモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば３つのロードポート３２が並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂが並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面には、ＣＳＴモジュール３３が設けられている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する他側面には、オリエンタモジュール３４が設けられている。
　なお、ロードポート３２、ＣＳＴモジュール３３、及びオリエンタモジュール３４の数や配置は本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。また、大気部１０に設けられる大気モジュールの種類も本実施形態に限定されるものではなく、任意に選択できる。
　フープ３１は複数、例えば１ロット２５枚のウェハＷを収容する。また、ロードポート３２に載置されたフープ３１の内部は、例えば、大気や窒素ガスなどで満たされて密閉されている。
　ローダーモジュール３０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４１ａ、４１ｂと、搬送アーム４１ａ、４１ｂを回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。ウェハ搬送機構４０は、ローダーモジュール３０の筐体の内部において長手方向に移動可能に構成されている。
　減圧部１１は、２枚のウェハＷを各種処理モジュールに対して同時に搬送するトランスファモジュール６０と、ウェハＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール６１と、ウェハＷにＰＨＴ処理を行うＰＨＴモジュール６２とを有している。トランスファモジュール６０、ＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。また、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は、トランスファモジュール６０に対して複数、例えば３つずつ設けられている。
　搬送部としてのトランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、上述したように図示しないゲートバルブを介してロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに接続されている。トランスファモジュール６０は、ロードロックモジュール２０ａに搬入されたウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１、一のＰＨＴモジュール６２に順次搬送してＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後、ロードロックモジュール２０ｂを介して大気部１０に搬出する。
　処理部としてのＣＯＲモジュール６１の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６１ａ、６１ｂが設けられている。ＣＯＲモジュール６１は、ステージ６１ａ、６１ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＣＯＲ処理を行う。なお、ＣＯＲモジュール６１には、処理ガスやパージガスなどを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
　処理部としてのＰＨＴモジュール６２の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６２ａ、６２ｂが設けられている。ＰＨＴモジュール６２は、ステージ６２ａ、６２ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＰＨＴ処理を行う。なお、ＰＨＴモジュール６２には、ガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
　また、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は、ゲートバルブ（図示せず）が設けられたゲート（図示せず）を介して、トランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブにより、トランスファモジュール６０とＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
　なお、トランスファモジュール６０に設けられる処理モジュールの数や配置、及び種類は本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
　トランスファモジュール６０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、２枚のウェハＷを縦並びに保持して移動する搬送アーム７１ａ、７１ｂと、搬送アーム７１ａ、７１ｂを回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した回転載置台７３とを有している。また、トランスファモジュール６０の内部には、トランスファモジュール６０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。回転載置台７３はガイドレール７４上に設けられ、ウェハ搬送機構７０をガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。
　以上の真空処理装置１には、制御部８０が設けられている。制御部８０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、真空処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理モジュールや搬送機構などの駆動系の動作を制御して、真空処理装置１における後述のウェハ搬送のタイミング制御を行うためのプログラムも格納されている。具体的には、例えばウェハの搬送動作を制御する後述の「ウェハ搬送制御タスク」、処理モジュールにおけるレシピを実行する後述の「レシピ実行制御タスク」、及び処理モジュールにおけるレシピを管理する後述の「レシピ管理タスク」等が格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部８０にインストールされたものであってもよい。
＜ウェハ搬送方法＞
　本開示にかかる真空処理装置１は以上のように構成されている。次に、真空処理装置１を用いて行われるウェハ処理、及びウェハ搬送について説明する。なお、以下の説明においてはフープ３１に収容された１ロット（２５枚）のウェハＷに対して、連続的に２枚葉で処理を行う場合を例に説明を行う。また、以下の説明に用いる「ウェハＷ１～Ｗ２５」は、１ロット（２５枚）のウェハＷのそれぞれに対して、ウェハ処理が行われる順番に１～２５の番号を付したものである。
　また、通常のウェハ処理においては減圧部１１に設けられた複数のＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２を用いてウェハＷを並行処理するが、以下の説明においてはウェハ搬送のタイミング制御についての説明を明確化するため、ウェハＷ１～Ｗ２５の全てが同一のＣＯＲモジュール６１、ＰＨＴモジュール６２を用いて処理される場合を例に説明を行う。
　先ず、複数、１ロット（２５枚）のウェハＷを収納したフープ３１が、ロードポート３２に搬入される。ロードポート３２にフープ３１が配置されると、フープ３１に対してウェハ搬送機構４０がアクセスし、フープ３１からウェハＷ１が取り出される。フープ３１から搬出されたウェハＷ１は、オリエンタモジュール３４により水平方向の向きが調節される。次に、ウェハＷ１の水平方向の向きを調節する間に、フープ３１からウェハＷ2が取り出される。
　フープ３１から取り出されたウェハＷ２は、水平方向の向きが調節されたウェハＷ１がオリエンタモジュール３４から取り出された直後に、当該オリエンタモジュール３４に搬入されて水平方向の向きが調節される。
　オリエンタモジュール３４から取り出されたＷ１は、ロードロックモジュール２０ａのストッカ（図示せず）に搬送され、一時的に保持される。同様に、水平方向の向きが調節されたウェハＷ２がオリエンタモジュール３４から取り出され、ロードロックモジュール２０ａのストッカ（図示せず）に搬送される。
　ロードロックモジュール２０ａに２枚のウェハＷ１、Ｗ２が搬送されると、該ロードロックモジュール２０ａの内部が大気圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替えられた後、トランスファモジュール６０の内部と連通される。続いて２枚のウェハＷ１、Ｗ２は、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａに受け渡され、トランスファモジュール６０に搬入される。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２を保持したウェハ搬送機構７０は、次に、一のＣＯＲモジュール６１の前に移動する。続いて、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１の内部に進入し、２枚のウェハＷ１、Ｗ２がＣＯＲモジュール６１のステージ６１ａ、６１ｂにそれぞれ受け渡される。その後、搬送アーム７１ａはＣＯＲモジュール６１から退出し、２枚のウェハＷ１、Ｗ２に対してＣＯＲ処理が行われる。なお、本実施形態にかかるＣＯＲ処理においては、後述のレシピデータベースＤＢに記録された複数のＣＯＲ処理のレシピの中から、目的に応じて少なくとも一のレシピを選択的に実行する。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２のＣＯＲ処理が開始されると、次に処理される２枚のウェハＷ３、Ｗ４がフープ３１から取り出され、オリエンタモジュール３４を介してロードロックモジュール２０ａに搬入された後、さらにウェハ搬送機構７０により一のＣＯＲモジュール６１の前に搬送される。ここで、２枚のウェハＷ３、Ｗ４の一のＣＯＲモジュール６１への搬送タイミングは、先行ウェハである２枚のウェハＷ１、Ｗ２に対するＣＯＲ処理が完了するタイミングで、該一のＣＯＲモジュール６１の前にウェハＷ３、Ｗ４が到着するように制御される。すなわち、一のＣＯＲモジュール６１に対するウェハＷ１、Ｗ２の搬出と、ウェハＷ３、Ｗ４の搬入とを同時に行うことができるように搬送タイミングが制御される。なお、この搬送タイミングの制御方法の詳細については後述する。
　続いて、ウェハＷ１、Ｗ２に対するＣＯＲ処理が完了すると、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ｂがＣＯＲモジュール６１の内部に進入し、ステージ６１ａ、６１ｂから搬送アーム７１ｂに２枚のウェハＷ１、Ｗ２が受け渡される。続けて、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１の内部に進入し、搬送アーム７１ｂからステージ６１ａ、６１ｂに２枚のウェハＷ３、Ｗ４が受け渡される。その後、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１から退出し、２枚のウェハＷ３、Ｗ４に対してＣＯＲ処理が行われる。
　次に、２枚のウェハＷ１、Ｗ２を保持したウェハ搬送機構７０が一のＰＨＴモジュール６２の前まで移動する。続いて、搬送アーム７１ｂがＰＨＴモジュール６２に進入し、２枚のウェハＷ１、Ｗ２がＰＨＴモジュール６２のステージ６２ａ、６２ｂにそれぞれ受け渡される。その後、搬送アーム７１ｂはＰＨＴモジュール６２から退出し、２枚のウェハＷ１、Ｗ２に対してＰＨＴ処理が行われる。なお、本実施形態にかかるＰＨＴ処理においては、後述のレシピデータベースＤＢに記録された複数のＰＨＴ処理のレシピの中から、目的に応じて少なくとも一のレシピを選択的に実行する。
　続いて、ウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理が完了すると、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ｂがＰＨＴモジュール６２の内部に進入し、ステージ６２ａ、６２ｂから搬送アーム７１ｂに２枚のウェハＷ１、Ｗ２が受け渡される。この際、ＣＯＲ処理が完了した２枚のウェハＷ３、Ｗ４をＰＨＴモジュール６２のステージ６２ａ、６２ｂに搬送すること、すなわち、ＰＨＴモジュール６２に対するウェハＷ１，Ｗ２の搬出と、ウェハＷ３、Ｗ４の搬入が同時に行われることが好ましい。また更に、この際、ＣＯＲモジュール６１に対するウェハＷ３，Ｗ４の搬出と、次に処理される２枚のウェハＷ５、Ｗ６の搬入が同時に行われることが更に好ましい。なお、上述したように、搬送タイミングの制御方法の詳細については後述する。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２がＰＨＴモジュール６２から搬出されると、次に、２枚のウェハＷ１、Ｗ２を保持したウェハ搬送機構７０がロードロックモジュール２０ｂの前まで移動する。続けて、２枚のウェハＷ１、Ｗ２がウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ｂからストッカ（図示せず）に受け渡される。
　ロードロックモジュール２０ｂに２枚のウェハＷ１、Ｗ２が搬送されると、該ロードロックモジュール２０ｂの内部が減圧雰囲気から大気圧雰囲気に切り替えられた後、ローダーモジュール３０の内部と連通される。続いて２枚のウェハＷ１、Ｗ２は、ウェハ搬送機構４０に受け渡され、ローダーモジュール３０に搬入される。その後、ローダーモジュール３０によって２枚のウェハＷ１、Ｗ２がＣＳＴモジュール３３に収納され、ＣＳＴ処理が行われる。
　ＣＳＴモジュール３３に搬送された２枚のウェハＷ１、Ｗ２は、予め定められた時間（例えば１分）のＣＳＴ処理が完了すると、ローダーモジュール３０によってロードポート３２に載置されたフープ３１に収納され、他のウェハＷ３～Ｗ２５の処理が完了するまで待機状態となる。
　このように、一連のオリエント処理、ＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、及びＣＳＴ処理が、全てのウェハＷ１～Ｗ２５に対して順次行われる。そして、全てのウェハＷ１～Ｗ２５に対しての所望の処理が終了し、最後のウェハＷ２５がフープ３１に収納されると、真空処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。
　本実施形態にかかる真空処理装置１におけるウェハ処理、及びウェハ搬送は以上のようにして行われる。上述したように、ウェハの搬送タイミングは、一の処理モジュールに対する先行ウェハの搬出と、今回ウェハの搬入とが同時に行われるように搬送タイミングが制御されることが望ましい。しかしながら、特にウェハ毎に割り当てられるバリアブルデータが先行ウェハと今回ウェハで異なる場合、一の処理モジュールにおけるレシピの終了タイミングを正確に予測できず、搬送のタイミングを適切に制御できないおそれがある。
　ここで、今回ウェハの搬送タイミングが早く、処理モジュールでの先行ウェハに対するレシピが継続されている途中で今回ウェハが処理モジュールの前まで搬送されてしまった場合、該今回ウェハは、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１上で先行ウェハの処理が完了するまで待機することになる。通常、上述したように真空処理装置１においては複数のフープ３１から搬入される複数のウェハＷを複数の処理モジュールを用いて並行して処理するため、このように搬送アーム７１上での今回ウェハの待機が生じた場合、かかる間は搬送アーム７１で他のウェハＷを搬送することができなくなる。すなわち、かかる間に他のウェハＷの処理を行うことができず、これにより真空処理装置１のスループットが低下する。
　一方、今回ウェハの搬送タイミングが遅く、処理モジュールでの先行ウェハに対するレシピが完了しても今回ウェハが処理モジュールの前まで搬送されない場合、先行ウェハを処理モジュールから搬出できず、該先行ウェハは処理モジュールの内部で待機することになる。このように先行ウェハの待機が生じた場合、かかる間は処理モジュールで他のウェハＷを処理することができなくなり、スループットが低下する。また更に、このように処理モジュールの内部での先行ウェハの待機が生じた場合、該処理モジュールの内部の残ガスの影響により先行ウェハへの処理が過分に進行し、先行ウェハに対して所望の処理結果が得られなくなるおそれがある。
　このように、ウェハ搬送のタイミングが適切に制御できなかった場合、スループットの低下や先行ウェハに対する処理結果の不具合が生じるおそれがある。このため、ウェハ搬送のタイミングは、好ましくは処理モジュールにおける先行ウェハのレシピの完了前後５秒以内、より好ましくは先行ウェハのレシピの完了と略同時に、今回ウェハが該処理モジュールの前に到着するように制御されることが望ましい。
　そこで次に、上述した真空処理装置１におけるウェハＷの搬送タイミングの制御方法の詳細について説明する。なお、以下の説明においてはＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理の設定時間がｔ秒、ＰＨＴモジュール６２におけるＰＨＴ処理の設定時間がＴ秒（ｔ＜Ｔ）である場合、すなわちＰＨＴ処理がＣＯＲ処理よりも長く、ＰＨＴモジュール６２において真空処理装置１における処理が律速する場合を例に説明を行う。
　図２は、本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御の一連の流れを簡易に示すフロー図である。図２に示すように、本実施形態にかかる搬送タイミングの制御においては、上述の「ウェハ搬送制御タスク」、「レシピ実行制御タスク」、「レシピ管理タスク」が用いられる。また、図３はレシピデータベースＤＢの記録されたレシピ情報の詳細を模式的に示す説明図である。
　先ず、真空処理装置１におけるウェハＷに対する処理の開始に先立ち、ウェハ搬送制御タスクにより最初に処理される２枚のウェハＷ１、Ｗ２の搬送計画を構築する（図２のシーケンスＳ１）。
　搬送計画の構築に際しては、２枚のウェハＷ１、Ｗ２に割り当てられたバリアブルデータＶを取得する。バリアブルデータＶは、ウェハＷ１、Ｗ２に施される各種真空処理の処理ステップ時間毎に設定され、かかる処理ステップの実行時間を任意に調整するために入力される調整値である。このバリアブルデータを変更することにより、任意のウェハＷに対する該当処理ステップの実行時間を任意に変更することができる。
　なお、本実施形態においてはバリアブルデータＶの変更によりウェハＷに対する該当処理ステップの実行時間を変更する場合を例に説明を行うが、バリアブルデータＶは、ウェハＷの処理にかかる他の条件、例えばガスの流量や温度等を制御することも可能である。
　また搬送計画の構築に際しては、該搬送計画が構築されるウェハＷ１，Ｗ２を今回ウェハとして、該ウェハＷ１、Ｗ２よりも前に同レシピが施された先行ウェハ搬送時のレシピ実績時間、及び該先行ウェハに割り当てられたバリアブルデータＶを取得する。先行ウェハの実績時間、及びバリアブルデータＶは、例えばレシピ管理タスクが、各種レシピの前回実行時における実績時間（処理実測時間）、及びバリアブルデータＶが対となって記録されたレシピデータベースＤＢを参照することで取得される。
　ウェハＷ１、Ｗ２（今回ウェハ）のバリアブルデータＶ、先行ウェハの実績時間及びバリアブルデータＶが取得されると、次に、シーケンスＳ１で取得された各種データに基づいて、ウェハＷ１、Ｗ２にレシピを実行した場合に要するレシピ処理時間を予測する（図２のシーケンスＳ２）。
　具体的には、先行ウェハと今回ウェハとでバリアブルデータＶが異なる場合、先行ウェハと今回ウェハのレシピ処理時間はバリアブルデータＶの差分で変動する。すなわち、例えば先行ウェハのバリアブルデータＶが例えば１０秒、今回ウェハのバリアブルデータＶが例えば２０秒であった場合、今回ウェハに対するレシピ処理時間は、先行ウェハのレシピ処理時間と比較して１０秒長くなると予測される。そこで本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御においては、下記（１）式により、今回ウェハのレシピ処理時間を予測する。
　今回ウェハのレシピ処理時間［秒］＝先行ウェハの実績時間［秒］＋（今回ウェハのバリアブルデータＶ［秒］－先行ウェハのバリアブルデータＶ［秒］）　・・・（１）
　本実施形態においては、このように先行ウェハと今回ウェハとのバリアブルデータＶの差分を考慮して今回ウェハのレシピ処理時間を予測する。そして、このように予測されたレシピ処理時間に基づいて後述するように今回ウェハの搬送タイミングを制御、調整することで、連続して処理されるウェハＷ間でバリアブルデータＶが異なる場合であっても、真空処理装置１における処理のスループット低下を抑制することができる。
　ウェハＷ１、Ｗ２のレシピ処理時間が予測されると、搬送計画が構築された２枚のウェハＷ１、Ｗ２の各種処理モジュールへの搬送が開始され（図２のシーケンスＳ４）、順次、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が実行される（図２のシーケンスＳ５）。また、この各種処理モジュールへのウェハ搬送に際しては、ウェハ搬送制御タスクからレシピ実行制御タスクにウェハＷ１、Ｗ２のレシピ、及び各種処理データに設定されたバリアブルデータＶが提供される。なお、ウェハＷ１、Ｗ２はロット中で最初に処理されるウェハであるため、図２のシーケンスＳ３に示す搬送タイミングの調整は行われない。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２の搬送、及び各種モジュールにおけるレシピが開始されると、次に処理される２枚のウェハＷ３、Ｗ４の搬送計画が構築され（図２のシーケンスＳ１）、ウェハＷ３、Ｗ４のレシピ処理時間を予測する（図２のシーケンスＳ２）。
　ウェハＷ３、Ｗ４の搬送計画の構築方法、及びレシピ処理時間を予測はウェハＷ１、Ｗ２と同様である。すなわち、ウェハＷ３、Ｗ４に割り当てられたバリアブルデータＶ、レシピデータベースＤＢに記録された先行ウェハの実績時間、及びバリアブルデータＶを取得しした後、上記（１）式に基づいて今回ウェハとしてのウェハＷ３、Ｗ４のレシピ処理時間を予測する。
　ウェハＷ３、Ｗ４のレシピ処理時間が予測されると、構築された搬送計画、及び先行して処理される２枚のウェハＷ１、Ｗ２の搬送状態（シーケンスＳ４）及び処理状態（シーケンスＳ５）に基づいて、２枚のウェハＷ３、Ｗ４の各種処理モジュールへの搬送タイミングが調整される（図２のシーケンスＳ３）。
　２枚のウェハＷ１，Ｗ２の搬送、処理状態（シーケンスＳ４、Ｓ５）と、２枚のウェハＷ３、Ｗ４の搬送タイミングの調整の関係について、具体的に説明する。図４は、真空処理装置１におけるウェハ搬送の様子を経時的に示す説明図である。
　シーケンスＳ３においてウェハＷ１、Ｗ２のレシピ処理時間が予測されると、図４（ａ）に示すように、搬送計画が構築された２枚のウェハＷ１、Ｗ２がフープ３１から取り出されてロードロックモジュール２０ａを介して一のＣＯＲモジュール６１に搬入され、ｔ秒のＣＯＲ処理が実行される。なお、このＣＯＲ処理には図３のレシピデータベースＤＢにも示すように複数の処理ステップが含まれている。上述したＣＯＲ処理のｔ秒の処理時間とは、図３に示すようにこれら複数の処理ステップの合計時間としてのレシピ処理時間を示したものである。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２に対するＣＯＲ処理が完了すると、図４（ｂ）に示すように、２枚のウェハＷ１、Ｗ２はＰＨＴモジュール６２に搬送される。本実施形態においては、ＰＨＴ処理がＣＯＲ処理よりも長く、ＰＨＴモジュール６２において処理が律速するため、ＣＯＲ処理が完了した２枚のウェハＷ１、Ｗ２は、次に処理される２枚のウェハＷ３、Ｗ４を待たずにＰＨＴモジュール６２に搬入される。
　２枚のウェハＷ１、Ｗ２がＰＨＴモジュール６２に搬入されると、Ｔ秒のＰＨＴ処理が開始される。このＰＨＴ処理のＴ秒の処理時間とは、図３に示すように複数の処理ステップの合計時間としてのレシピ処理時間を示したものである。
　ウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理が開始されると、次にウェハＷ３、Ｗ４がロードロックモジュール１０ａ、ＣＯＲモジュール６１を介してＰＨＴモジュール６２の前まで搬送される。ここで、ウェハＷ３、Ｗ４のＰＨＴモジュール６２の前への到着のタイミングは、上述したように好ましくは先行ウェハ（ウェハＷ１、Ｗ２）のＰＨＴ処理の完了前後５秒以内、より好ましくは先行ウェハのレシピの完了と略同時であることが望ましい。そこで本実施形態におけるウェハ搬送のタイミング制御においては、下記（２）式に基づいて今回ウェハ（ウェハＷ３、Ｗ４）のフープ３１からの搬送開始タイミングを制御する。
　Ｘ＝先行ウェハに実行中のレシピの残時間－今回ウェハの対象の処理モジュールの前までの搬送に要する時間　・・・（２）
　式（２）中、「先行ウェハに実行中のレシピの残時間」は、例えばＰＨＴモジュール６２における２枚のウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理の残時間を示している。また、「今回ウェハの対象の処理モジュールの前までの搬送に要する時間」は、例えばロードロックモジュール１０ａ、ＣＯＲモジュール６１を介してウェハＷ３、Ｗ４をフープ３１からＰＨＴモジュール６２の前まで搬送するのに要する時間を示している。
　そして本実施形態においては、式（２）の算出結果が０以上（Ｘ≧０）である場合、すなわちウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理の残時間がウェハＷ３、Ｗ４の搬送に要する時間よりも大きい場合にはウェハＷ３、Ｗ４の搬送を開始しない。換言すれば、ＰＨＴモジュール６２の前でウェハＷ３、Ｗ４の待機時間が発生するおそれがある場合にはウェハＷ３、Ｗ４の搬送を開始せず、ＰＨＴモジュール６２の前でのウェハＷ３、Ｗ４の待機時間が生じなくなるタイミングまでフープ３１の内部で待機する。一方、式（２）の算出結果がそれ以外（Ｘ＜０）である場合、すなわちウェハＷ３、Ｗ４の搬送に要する時間がウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理の残時間よりも大きい場合にはウェハＷ３、Ｗ４の搬送をただちに開始する。換言すれば、ＰＨＴモジュール６２の前でウェハＷ３、Ｗ４の待機時間が発生せず、また、ＰＨＴモジュール６２の内部でウェハＷ１、Ｗ２の待機時間が発生する場合にはウェハＷ３、Ｗ４の搬送を開始する。
　本実施形態においては、このように先行ウェハに対するレシピの残時間と、今回ウェハの搬送に要する時間とに基づいて今回ウェハの搬送開始タイミングを制御することにより、適切に真空処理装置１におけるスループットの低下を抑制できる。また、この搬送タイミングの調整に用いられるレシピの残時間は、図２のシーケンスＳ２で算出された先行ウェハのレシピ処理時間の予測結果に基づいて算出される。すなわち、ウェハＷの割り当てられたバリアブルデータＶを考慮して算出されたレシピ処理時間の予測結果に基づいて搬送開始タイミングが制御されるため、連続して処理されるウェハＷ間でバリアブルデータＶが異なる場合であっても、真空処理装置１における処理のスループット低下を適切に抑制することができる。
　２枚のウェハＷ３、Ｗ４の搬送タイミングが調整（図２のシーケンスＳ３）されると、２枚のウェハＷ３、Ｗ４の各種処理モジュールへの搬送、及び処理が開始され（図２のシーケンスＳ４、Ｓ５）、図４（ｃ）に示すようにＰＨＴモジュール６２の前まで搬送される。
　そして、ウェハＷ１、Ｗ２に対するＰＨＴ処理が完了すると、図４（ｄ）に示すように、ＰＨＴモジュール６２に対するウェハＷ１，Ｗ２の搬出と、ウェハＷ３、Ｗ４の搬入が順次行われる。
　その後、ＰＨＴモジュール６２から搬出されたウェハＷ１、Ｗ２は、図４（ｅ）に示すようにロードロックモジュール２０ｂを介してＣＳＴモジュール３３に搬送される。そしてその後、さらにウェハ搬送機構４０によりフープ３１に受け渡されることで、ウェハＷ１、Ｗ２に対する一連のウェハ処理が終了する。
　ウェハＷ１、Ｗ２に対するウェハ処理が完了すると、該ウェハＷ１、Ｗ２の各種処理に実際に要した時間（ウェハＷ１、Ｗ２のレシピ実績時間）、及び該ウェハＷ１、Ｗ２に割り当てられたバリアブルデータＶが、図２に示したレシピデータベースＤＢに保存される（図２のシーケンスＳ６）。より具体的には、ウェハＷ１、Ｗ２のレシピ実績時間、及びバリアブルデータＶにより、対象のレシピにかかるレシピデータベースＤＢのデータを上書き更新する。上書き更新されたレシピデータベースＤＢの実績時間、及びバリアブルデータＶは、次回、同様のレシピによりウェハＷの処理が行われる際に参照される。
　一方、２枚のウェハＷ３、Ｗ４の搬送、及び各種モジュールにおけるレシピが開始（図２のシーケンスＳ４、Ｓ５）されると、図４（ｅ）に示したように、更に次に処理される２枚のウェハＷ５、Ｗ６の搬送計画が構築され（図２のシーケンスＳ１）、ウェハＷ５、Ｗ６のレシピ処理時間を予測する（図２のシーケンスＳ２）。また更に、構築された搬送計画、及び先行して処理される２枚のウェハＷ３、Ｗ４の搬送状態（シーケンスＳ４）及び処理状態（シーケンスＳ５）に基づいて、２枚のウェハＷ５、Ｗ６の各種処理モジュールへの搬送タイミングが調整され（図２のシーケンスＳ３）、その後、２枚のウェハＷ５、Ｗ６の搬送、及び各種モジュールにおけるレシピが開始（図２のシーケンスＳ４、Ｓ５）される。
　そして本実施形態においては、このように１ロット（２５枚）のウェハＷの全てに対して図２及び図４に示した上述の方法と同様の方法によりウェハ搬送、及び処理が行われ、その後、フープ３１に全てのウェハＷ１～Ｗ２５が受け渡されると、真空処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。なお、全てのウェハＷ１～Ｗ２５に対して同様のレシピで処理が行われた場合には、該一連のウェハ処理の終了後、レシピデータベースＤＢには最後に処理されたウェハＷ２５の実績時間、及びバリアブルデータＶが記録された状態となる。
　本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御は、以上のようにして行われる。なお、以上の実施形態においては説明の明確化の為、複数のウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１、及び一のＰＨＴモジュール６２のみを用いて処理を行う場合を例に説明を行った。しかしながら、当然に複数のＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２によりウェハＷを並行処理することで、真空処理装置１におけるスループットを向上することができる。
　以上、本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御方法によれば、任意に入力される調整値（変数）であるバリアブルデータＶの変動を考慮して、上記（１）式により真空処理装置１において処理されるウェハＷのレシピ処理時間を算出する。これにより、先行ウェハと今回ウェハとでバリアブルデータＶが異なる場合であっても、適切に該バリアブルデータＶの差分を考慮してウェハＷに施される処理ステップ毎の処理時間や、複数の処理ステップの合計時間としてのレシピ処理時間を算出することができる。換言すれば、バリアブルデータＶの差分を考慮して今回ウェハに対するレシピの完了タイミングを算出することができ、これにより適切にウェハＷの搬送タイミングを決定することができる。
　そして、このようにウェハＷの搬送タイミングを適切に決定することができるため、搬送アーム上における今回ウェハの待機時間、及び、処理モジュールの内部における先行ウェハの待機時間を低減することができる。これにより、特に複数の処理モジュールを並行して用いる場合において、搬送アームがウェハを保持した状態で待機状態となることで、該搬送アームにより他のウェハを搬送できなくなる時間が低減され、真空処理装置１におけるスループットの低下が抑制される。また、処理モジュールの内部で先行ウェハの待機時間が生じることによる、スループットの低下、及び先行ウェハへの過分な処理の進行が抑制される。
　また、このようにウェハＷの搬送タイミングを適切に決定することができるため、一の処理モジュールに対する先行ウェハの搬出と、今回ウェハの搬入を同時に行うことができる。これにより、一の処理モジュールの前へのウェハ搬送機構の移動回数を低減でき、その結果、真空処理装置１におけるスループットの低下が更に適切に抑制される。
　また、以上の実施形態によれば、ウェハ搬送のタイミング制御に用いられる先行ウェハの実績時間、及びバリアブルデータＶが記録されるレシピデータベースＤＢには、今回ウェハのレシピ実績時間、及びバリアブルデータＶが上書きにより記録される。ウェハＷに対するレシピ処理時間は、例えば処理モジュールの装置特性の変化等により変化する場合があるが、このようにレシピデータベースＤＢを上書きにより更新することにより、常に最新の先行ウェハのデータを参照してレシピ処理時間を算出することができる。すなわち、装置特性等の変化を経時的に更新してレシピ処理時間を算出できる。
　なお、以上の実施形態においてはウェハＷの搬送計画は、フープ３１から搬出前のウェハＷに対して順次構築されたが、ウェハＷの搬送計画を構築するタイミングはこれに限定されるものではない。すなわち、上記実施形態においては一連のウェハ処理の全体にわたる搬送計画を構築した後にウェハＷの搬送（フープ３１からの搬出）を開始したが、ウェハＷの搬送計画は、各種処理モジュールに対するウェハＷの搬送前にそれぞれ構築されてもよい。具体的には、例えばフープ３１の内部で待機するウェハＷに対してＣＯＲモジュール６１に対する搬送計画を構築し、その後、ＣＯＲ処理が行われているウェハＷに対しは、改めてＰＨＴモジュール６２に対する搬送計画が更に構築されるようにしてもよい。
　なお、以上の実施形態においては、ＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理が、ＰＨＴモジュール６２におけるＰＨＴ処理よりも短い（ＰＨＴ処理で律速する）場合を例に説明を行った。しかしながら、当然に、ＣＯＲ処理がＰＨＴ処理よりも長い（ＣＯＲ処理で律速する）場合や、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理の処理時間が同じである場合であっても、本開示の技術にかかるウェハ搬送のタイミング制御を行うことができる。
　なお、図３のレシピデータベースＤＢにも示したように、ＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理やＰＨＴモジュール６２におけるＰＨＴ処理には、複数の処理ステップが含まれている。該処理ステップには、予め定められた設定時間で処理を行う「時間ステップ」と、予め定められた処理結果（例えば温度や圧力等）に到達するまで処理を行う「安定ステップ」とが含まれている。
　かかる安定ステップにおいては、上述したように先行ウェハと今回ウェハとでバリアブルデータＶが異なる場合であっても、予め定められた処理結果が得られるまでの時間を実績時間として使用するため、バリアブルデータＶの変動に起因するスループットの低下が生じるおそれは少ない。一方、時間ステップにおいては、上述したように先行ウェハと今回ウェハとでバリアブルデータＶが異なる場合には、実際のレシピ処理時間を実績時間として使用するため、バリアブルデータＶの変動に起因するスループットの低下が生じるおそれは大きい。
　そこで、本実施形態にかかるウェハ搬送のタイミング制御においては、ウェハＷに施されるレシピに含まれる複数の処理ステップのうち、「時間ステップ」にかかる処理ステップにのみ、上述のタイミング制御が行われてもよい。このようにタイミング制御を行う対象の処理ステップの数を減らすことにより、真空処理装置１における処理の制御を簡易化することができる。ただし、当然に「安定ステップ」にかかる処理ステップに対しても上述のタイミング制御を行ってもよい。
　なお、以上の実施形態においては、減圧環境下でウェハＷに対して処理を行う真空処理装置１におけるウェハ搬送のタイミング制御を行う場合を例に説明を行ったが、複数の処理モジュールに対してウェハＷを連続的に搬送して処理を行うものであれば、本開示にかかる技術が適用されるウェハ処理装置の構成は限定されるものではない。すなわち、例えば大気圧化で複数の処理を連続的に行う大気処理装置において、本開示の技術にかかるウェハ搬送のタイミング制御が行われてもよい。
　また、以上の実施形態においては２枚のウェハＷが同時に搬送、処理される２枚葉処理が行われる場合を例に説明を行ったが、例えばウェハＷが枚葉処理、又は３枚要以上で処理される場合であっても本開示の技術にかかるウェハ搬送のタイミング制御を適用できる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　　　　真空処理装置
　　Ｖ　　　　バリアブルデータ
　　Ｗ　　　　ウェハ

Claims (10)

  1. 基板に所望の処理を施す少なくとも１つの処理部と、前記処理部に対して基板を搬送する搬送部と、を備える処理システムにおいて、連続的に処理される複数の基板を前記搬送部から前記処理部に搬送する方法であって、
    複数の前記基板のそれぞれには、当該基板に対する処理時間を任意に変更するための調整値が予め割り当てられ、
    今回処理される第１の基板に割り当てられた前記調整値を取得する工程と、
    前記第１の基板よりも前に処理された基準基板に割り当てられた基準調整値を取得する工程と、
    前記基準基板に対して行われた実際の処理時間である実績時間を取得する工程と、
    前記実績時間に前記第１の基板に割り当てられた前記調整値と前記基準調整値との差分を反映させることにより、第１の基板の予測処理時間を算出する工程と、
    算出された前記予測処理時間に基づいて、前記第１の基板よりも後に処理される第２の基板の搬送タイミングを調整する工程と、を含む、搬送方法。
  2. 前記第２の基板の搬送タイミングの調整に際しては、
    前記予測処理時間から算出される、処理モジュールにおける前記第１の基板に対する処理の終了予測時間と、
    前記第２の基板の前記処理モジュールまでの搬送時間と、
    を比較することにより、前記第２の基板の搬送開始のタイミングが調整される、請求項１に記載の搬送方法。
  3. 前記終了予測時間の前後５秒以内に、前記第２の基板が前記処理モジュールに搬送されるように、前記搬送開始のタイミングが調整される、請求項２に記載の搬送方法。
  4. 前記処理システムには、前記基板に各種処理を施すための複数の処理モジュールが設けられ、
    前記搬送開始のタイミングが調整される前記処理モジュールは、複数の前記処理モジュールの内、前記基板に対する処理時間が長く、処理システムにおける前記基板の処理に律速が生じる処理モジュールである、請求項２又は３に記載の搬送方法。
  5. 前記第１の基板に対する処理の終了後、前記第１の基板に割り当てられた前記調整値を、前記基準調整値として上書きして更新する工程を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の搬送方法。
  6. 複数の基板を連続的に処理する処理システムであって、
    基板に所望の処理を施す少なくとも１つの処理部と、
    前記処理部に対して基板を搬送する搬送部と、
    前記搬送部から前記処理部に対する基板の搬送動作を制御する制御部と、を備え、
    複数の前記基板のそれぞれには、当該基板に対する処理時間を任意に変更するための調整値が予め割り当てられ、
    前記制御部は、
    今回処理される第１の基板に割り当てられた前記調整値を取得する工程と、
    前記第１の基板よりも前に処理された基準基板に割り当てられた基準調整値を取得する工程と、
    前記基準基板に対して行われた実際の処理時間である実績時間を取得する工程と、
    前記実績時間に前記第１の基板に割り当てられた前記調整値と前記基準調整値との差分を反映させることにより、第１の基板の予測処理時間を算出する工程と、
    算出された前記予測処理時間に基づいて、前記第１の基板よりも後に処理される第２の基板の搬送タイミングを調整する工程と、を行うように前記基板の搬送動作を制御する、処理システム。
  7. 前記制御部は、前記第２の基板の搬送タイミングの調整に際して、
    前記予測処理時間から算出される、前記処理部における前記第１の基板に対する処理の終了予測時間と、
    前記第２の基板の前記処理部までの搬送時間と、
    を比較することにより、前記第２の基板の搬送開始のタイミングを調整する、請求項６に記載の処理システム。
  8. 前記制御部は、前記終了予測時間の前後５秒以内に、前記第２の基板が前記処理部に搬送されるように、前記搬送開始のタイミングが調整する、請求項７に記載の処理システム。
  9. 前記搬送部に隣接して複数の前記処理部が設けられ、
    前記搬送開始のタイミングが調整される前記処理部は、複数の前記処理部の内、前記基板に対する処理時間が長く、処理システムにおける前記基板の処理に律速が生じる処理部である、請求項７又は８に記載の処理システム。
  10. 前記制御部は、前記第１の基板に対する処理の終了後、前記第１の基板に割り当てられた前記調整値を、前記基準調整値として上書きして更新する、請求項６～９のいずれか一項に記載の処理システム。
     
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