JPH09153438A - 着工管理方法および装置 - Google Patents
着工管理方法および装置Info
- Publication number
- JPH09153438A JPH09153438A JP31183495A JP31183495A JPH09153438A JP H09153438 A JPH09153438 A JP H09153438A JP 31183495 A JP31183495 A JP 31183495A JP 31183495 A JP31183495 A JP 31183495A JP H09153438 A JPH09153438 A JP H09153438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- management
- unit
- processing
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークである半導体ウエハの編成待ちをなく
すことができ、製造条件を直ちに設定して着工すること
のできる着工管理装置を提供する。 【解決手段】 複数の半導体ウエハ10を保管する保管
装置20と、半導体ウエハ10それぞれについての保管
装置20における所在を管理する所在管理部31、各半
導体ウエハ10の工程進行状況を管理する進捗管理部3
2、および各半導体ウエハ10の次工程での着工条件を
指示する着工条件制御部33を有する制御情報管理装置
30と、制御情報管理装置30からの情報を受領する制
御情報インターフェース部42、制御情報インターフェ
ース部42により各半導体ウエハ10毎に異なる着工条
件が設定される複数の処理制御部、および複数の処理制
御部に対応して設けられて半導体ウエハ10に対して設
定された着工条件下で並列処理を行う複数の処理機構部
を有するウエハ処理装置とからなるものである。
すことができ、製造条件を直ちに設定して着工すること
のできる着工管理装置を提供する。 【解決手段】 複数の半導体ウエハ10を保管する保管
装置20と、半導体ウエハ10それぞれについての保管
装置20における所在を管理する所在管理部31、各半
導体ウエハ10の工程進行状況を管理する進捗管理部3
2、および各半導体ウエハ10の次工程での着工条件を
指示する着工条件制御部33を有する制御情報管理装置
30と、制御情報管理装置30からの情報を受領する制
御情報インターフェース部42、制御情報インターフェ
ース部42により各半導体ウエハ10毎に異なる着工条
件が設定される複数の処理制御部、および複数の処理制
御部に対応して設けられて半導体ウエハ10に対して設
定された着工条件下で並列処理を行う複数の処理機構部
を有するウエハ処理装置とからなるものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は着工管理技術に関
し、特に、半導体装置の製造における半導体ウエハの着
工管理に適用して有効な技術に関する。
し、特に、半導体装置の製造における半導体ウエハの着
工管理に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置はトランジスタ、ダイオー
ド、キャパシタ、抵抗などを半導体チップ中に作り込
み、これらを配線によって電気的に接続した回路であ
る。そして、個々の素子の製作や素子間の分離、結線
は、スライスされた半導体ウエハ(ワーク)を酸化した
り、該半導体ウエハ中にP(リン)やAs(ヒ素)など
をイオン注入、あるいは拡散したり、さらにはシリコ
ン、二酸化シリコン、アルミニウムなどの薄膜を成長
し、その後でそれらの薄膜を必要な形状に加工すること
により行われる。このようなプロセスは一般にウエハプ
ロセスと呼ばれているが、このウエハプロセスにおいて
はたとえば拡散工程やCVD(Chemical Vapor Depositi
on) 工程などのバッチ処理工程があり、ここでは同一の
製造条件の半導体ウエハが複数枚到着するのを待って着
工している。
ド、キャパシタ、抵抗などを半導体チップ中に作り込
み、これらを配線によって電気的に接続した回路であ
る。そして、個々の素子の製作や素子間の分離、結線
は、スライスされた半導体ウエハ(ワーク)を酸化した
り、該半導体ウエハ中にP(リン)やAs(ヒ素)など
をイオン注入、あるいは拡散したり、さらにはシリコ
ン、二酸化シリコン、アルミニウムなどの薄膜を成長
し、その後でそれらの薄膜を必要な形状に加工すること
により行われる。このようなプロセスは一般にウエハプ
ロセスと呼ばれているが、このウエハプロセスにおいて
はたとえば拡散工程やCVD(Chemical Vapor Depositi
on) 工程などのバッチ処理工程があり、ここでは同一の
製造条件の半導体ウエハが複数枚到着するのを待って着
工している。
【0003】なお、ウエハプロセスについての技術を詳
しく記載している例としては、たとえば、大日本図書
(株)発行、「シリコンLSIと化学」(1993年10月10
日発行)、P124〜P128がある。
しく記載している例としては、たとえば、大日本図書
(株)発行、「シリコンLSIと化学」(1993年10月10
日発行)、P124〜P128がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】同一品種を多量に生産
するラインでは前記したバッチ処理に従って製造を行え
ばよいが、少量多品種の生産ラインでは、必然的に同一
の製造条件の半導体ウエハ自体が少ないため、バッチ処
理が可能な枚数だけ半導体ウエハが到着するのを待つい
わゆる編成待ちが発生するようになる。また、時には、
既に着工可能な枚数だけ半導体ウエハが到着しているに
もかかわらず、それが把握できずに無用な編成待ち時間
が発生することもある。このようなことではトータルと
しての製造時間が長くなり、スループットが悪化してし
まう。
するラインでは前記したバッチ処理に従って製造を行え
ばよいが、少量多品種の生産ラインでは、必然的に同一
の製造条件の半導体ウエハ自体が少ないため、バッチ処
理が可能な枚数だけ半導体ウエハが到着するのを待つい
わゆる編成待ちが発生するようになる。また、時には、
既に着工可能な枚数だけ半導体ウエハが到着しているに
もかかわらず、それが把握できずに無用な編成待ち時間
が発生することもある。このようなことではトータルと
しての製造時間が長くなり、スループットが悪化してし
まう。
【0005】さらに、多品種化のために、製造条件が同
じ品種の半導体ウエハを判断するための管理や多種の製
造条件の中から1つを選び出してこれを設定するための
管理が煩雑になり、時には半導体ウエハに対して誤った
製造条件を設定してしまう事故が発生することになる。
じ品種の半導体ウエハを判断するための管理や多種の製
造条件の中から1つを選び出してこれを設定するための
管理が煩雑になり、時には半導体ウエハに対して誤った
製造条件を設定してしまう事故が発生することになる。
【0006】そこで、本発明の目的は、ワークの編成待
ちをなくすことのできる着工管理技術を提供することに
ある。
ちをなくすことのできる着工管理技術を提供することに
ある。
【0007】本発明の他の目的は、各ワークに対する製
造条件を直ちに設定して着工することのできる着工管理
技術を提供することにある。
造条件を直ちに設定して着工することのできる着工管理
技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0010】すなわち、本発明による着工管理方法は、
(a).処理対象である各ワークに対して個別に所在を管理
する工程、(b).これら各ワークに対しての工程進行状況
を管理する工程、(c).各ワークに対しての次工程着工条
件を管理する工程、(d).前記した(a) 〜(c) 工程により
得られた管理情報に基づいて複数のワークに異なる条件
下で並列処理を行う工程、を含むものである。この場
合、ワークには半導体ウエハを適用することができる。
(a).処理対象である各ワークに対して個別に所在を管理
する工程、(b).これら各ワークに対しての工程進行状況
を管理する工程、(c).各ワークに対しての次工程着工条
件を管理する工程、(d).前記した(a) 〜(c) 工程により
得られた管理情報に基づいて複数のワークに異なる条件
下で並列処理を行う工程、を含むものである。この場
合、ワークには半導体ウエハを適用することができる。
【0011】また、本発明による着工管理装置は、処理
対象である複数のワークを保管する保管装置と、これら
のワークそれぞれについての保管装置における所在を管
理する所在管理部、各ワークの工程進行状況を管理する
進捗管理部、および各ワークの次工程における着工条件
を指示する着工条件制御部を有する制御情報管理装置
と、制御情報管理装置からの情報を受領する制御情報イ
ンターフェース部、制御情報インターフェース部により
各ワーク毎に異なる着工条件が設定される複数の処理制
御部、および複数の処理制御部に対応して設けられて保
管装置から個別に取り出された複数のワークに対して設
定された着工条件下で並列処理を行う複数の処理機構部
を有するワーク処理装置とからなるものである。この場
合にも、ワークには半導体ウエハを適用することができ
る。
対象である複数のワークを保管する保管装置と、これら
のワークそれぞれについての保管装置における所在を管
理する所在管理部、各ワークの工程進行状況を管理する
進捗管理部、および各ワークの次工程における着工条件
を指示する着工条件制御部を有する制御情報管理装置
と、制御情報管理装置からの情報を受領する制御情報イ
ンターフェース部、制御情報インターフェース部により
各ワーク毎に異なる着工条件が設定される複数の処理制
御部、および複数の処理制御部に対応して設けられて保
管装置から個別に取り出された複数のワークに対して設
定された着工条件下で並列処理を行う複数の処理機構部
を有するワーク処理装置とからなるものである。この場
合にも、ワークには半導体ウエハを適用することができ
る。
【0012】そして、上記した手段によれば、多仕様の
ワークに対する同時処理が可能になり、バッチ処理のた
めの編成待ちをなくすことができ、製造時間が短縮され
てスループットの向上を図ることが可能になる。
ワークに対する同時処理が可能になり、バッチ処理のた
めの編成待ちをなくすことができ、製造時間が短縮され
てスループットの向上を図ることが可能になる。
【0013】また、複数のワークに対する製造条件を自
動的に且つ直ちに設定して着工することが可能になり、
設定誤りを未然に防止することができる。
動的に且つ直ちに設定して着工することが可能になり、
設定誤りを未然に防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【0015】図1は本発明の一実施の形態である着工管
理装置の一部を示すブロック図、図2はその着工管理装
置の図1以外の部分を示すブロック図である。
理装置の一部を示すブロック図、図2はその着工管理装
置の図1以外の部分を示すブロック図である。
【0016】本発明の実施の形態による着工管理装置
は、処理対象である複数の半導体ウエハ(ワーク)10
を保管する保管装置20と、一枚一枚の半導体ウエハ1
0に関する種々の情報を蓄積してこれを管理する制御情
報管理装置30と、半導体ウエハ10に拡散や薄膜堆積
といった処理を行うウエハ処理装置(ワーク処理装置)
40とから構成されている。また、制御情報管理装置3
0からの指示に従って保管装置20内の半導体ウエハ1
0をウエハ処理装置40に搬送するためのハンドリング
装置50が備えられている。
は、処理対象である複数の半導体ウエハ(ワーク)10
を保管する保管装置20と、一枚一枚の半導体ウエハ1
0に関する種々の情報を蓄積してこれを管理する制御情
報管理装置30と、半導体ウエハ10に拡散や薄膜堆積
といった処理を行うウエハ処理装置(ワーク処理装置)
40とから構成されている。また、制御情報管理装置3
0からの指示に従って保管装置20内の半導体ウエハ1
0をウエハ処理装置40に搬送するためのハンドリング
装置50が備えられている。
【0017】図1に示すように、制御情報管理装置30
は保管装置20に収容された半導体ウエハ10それぞれ
についての所在を管理する所在管理部31と、これらの
半導体ウエハ10の製品仕様(たとえば4MDRAM)
に沿って施される何十、何百といったプロセスのうちの
何番目のプロセス(つまり、全部でn工程あるプロセス
のうちのk番目のプロセス)までが終了しているのかと
いう工程進行状況を管理する進捗管理部32と、次のプ
ロセス(ここでは(k+1)番目のプロセス)における
着工条件(たとえば拡散工程においては、導入速度、処
理温度、処理時間、ガス濃度、チャンバ内圧力等々)を
指示する着工条件制御部33とを有している。なお、着
工条件制御部33による指示内容は進捗管理部32によ
り終了が確認されたプロセスに(+1)した順番のプロ
セスの内容となるので、両者の間では、プロセスの順番
をチェックするためのデータ交換が行われている。
は保管装置20に収容された半導体ウエハ10それぞれ
についての所在を管理する所在管理部31と、これらの
半導体ウエハ10の製品仕様(たとえば4MDRAM)
に沿って施される何十、何百といったプロセスのうちの
何番目のプロセス(つまり、全部でn工程あるプロセス
のうちのk番目のプロセス)までが終了しているのかと
いう工程進行状況を管理する進捗管理部32と、次のプ
ロセス(ここでは(k+1)番目のプロセス)における
着工条件(たとえば拡散工程においては、導入速度、処
理温度、処理時間、ガス濃度、チャンバ内圧力等々)を
指示する着工条件制御部33とを有している。なお、着
工条件制御部33による指示内容は進捗管理部32によ
り終了が確認されたプロセスに(+1)した順番のプロ
セスの内容となるので、両者の間では、プロセスの順番
をチェックするためのデータ交換が行われている。
【0018】そして、着工条件制御部33の指示内容か
ら設定されるべき着工条件をウエハ処理装置40に対し
て指示する設定着工条件指示部34、この着工条件で処
理される半導体ウエハ10のウエハ処理装置40内にお
けるチャージングを制御するチャージング制御部35、
および、該当する半導体ウエハ10を保管装置20から
ウエハ処理装置40のロード・アンロード部41へ受け
渡したり回収したりするハンドリング装置50を制御す
るハンドリング制御部36を有している。そして、ハン
ドリング制御部36により制御されるハンドリング装置
50が目的の半導体ウエハ10にアクセスすることがで
きるように、ハンドリング制御部36では所在管理部3
1からの情報を取り込んでハンドリング装置50を制御
するようになっている。
ら設定されるべき着工条件をウエハ処理装置40に対し
て指示する設定着工条件指示部34、この着工条件で処
理される半導体ウエハ10のウエハ処理装置40内にお
けるチャージングを制御するチャージング制御部35、
および、該当する半導体ウエハ10を保管装置20から
ウエハ処理装置40のロード・アンロード部41へ受け
渡したり回収したりするハンドリング装置50を制御す
るハンドリング制御部36を有している。そして、ハン
ドリング制御部36により制御されるハンドリング装置
50が目的の半導体ウエハ10にアクセスすることがで
きるように、ハンドリング制御部36では所在管理部3
1からの情報を取り込んでハンドリング装置50を制御
するようになっている。
【0019】図示するように、設定着工条件指示部3
4、チャージング制御部35およびハンドリング制御部
36の情報は、ハンドリング装置50によりロード・ア
ンロード部41に搬送される半導体ウエハ10とリンク
してウエハ処理装置40の制御情報インターフェース部
42に送られるようになっている。したがって、処理対
象物である半導体ウエハ10が搬送されると、これに対
応するようにして半導体ウエハ10の処理に必要な情報
(つまり、着工条件、チャージング指示、ハンドリング
指示)が制御情報管理装置30からウエハ処理装置40
へと送られる。
4、チャージング制御部35およびハンドリング制御部
36の情報は、ハンドリング装置50によりロード・ア
ンロード部41に搬送される半導体ウエハ10とリンク
してウエハ処理装置40の制御情報インターフェース部
42に送られるようになっている。したがって、処理対
象物である半導体ウエハ10が搬送されると、これに対
応するようにして半導体ウエハ10の処理に必要な情報
(つまり、着工条件、チャージング指示、ハンドリング
指示)が制御情報管理装置30からウエハ処理装置40
へと送られる。
【0020】図2に示すように、ウエハ処理装置40に
おいては、制御情報管理装置30からの指示に従って保
管装置20から個別に取り出された各半導体ウエハ10
にたとえば拡散処理など所定の処理を行うための処理機
構部43a,43b・・・ 43nが複数設けられている。
また、それぞれの処理機構部43a,43b・・・ 43n
に対応して、これらの処理機構部43a,43b・・・ 4
3nの動作制御を行う処理制御部44a,44b・・・ 4
4nが設置されている。各処理制御部44a,44b・・
・ 44nでは前記した制御情報インターフェース部42
で受領した着工条件で制御される着工条件設定部45に
よって、各半導体ウエハ10に対応した必要な種類の着
工条件がそれぞれ設定されるようになっている。したが
って、各処理制御部44a,44b・・・ 44nにより各
半導体ウエハ10に対応するように着工条件設定が行わ
れた各処理機構部43a,43b・・・ 43nに導入され
た半導体ウエハ10は、相互に異なる着工条件下で並列
処理が行われることになる。なお、それぞれの処理機構
部43a,43b・・・ 43nに導入する半導体ウエハ1
0の枚数は1枚でもよく、また、同一の着工条件を有す
る複数枚であってもよい。
おいては、制御情報管理装置30からの指示に従って保
管装置20から個別に取り出された各半導体ウエハ10
にたとえば拡散処理など所定の処理を行うための処理機
構部43a,43b・・・ 43nが複数設けられている。
また、それぞれの処理機構部43a,43b・・・ 43n
に対応して、これらの処理機構部43a,43b・・・ 4
3nの動作制御を行う処理制御部44a,44b・・・ 4
4nが設置されている。各処理制御部44a,44b・・
・ 44nでは前記した制御情報インターフェース部42
で受領した着工条件で制御される着工条件設定部45に
よって、各半導体ウエハ10に対応した必要な種類の着
工条件がそれぞれ設定されるようになっている。したが
って、各処理制御部44a,44b・・・ 44nにより各
半導体ウエハ10に対応するように着工条件設定が行わ
れた各処理機構部43a,43b・・・ 43nに導入され
た半導体ウエハ10は、相互に異なる着工条件下で並列
処理が行われることになる。なお、それぞれの処理機構
部43a,43b・・・ 43nに導入する半導体ウエハ1
0の枚数は1枚でもよく、また、同一の着工条件を有す
る複数枚であってもよい。
【0021】半導体ウエハ10をそれぞれの処理機構部
43a,43b・・・ 43nにまで搬送するために、ウエ
ハ処理装置40にはチャージング機構部46が設けられ
ている。このチャージング機構部46は制御情報インタ
ーフェース部42を介して受領したチャージング指示に
従って動作するチャージング制御部47で制御されてお
り、同じく制御情報インターフェース部42で受領した
ハンドリング指示に従って動作するハンドリング制御部
48で制御されるロード・アンロード部41に受け渡さ
れた半導体ウエハ10は、所定の着工条件に基づいて設
定された何れかの処理機構部43a,43b・・・ 43n
に該チャージング機構部46によって搬送されるように
なっている。
43a,43b・・・ 43nにまで搬送するために、ウエ
ハ処理装置40にはチャージング機構部46が設けられ
ている。このチャージング機構部46は制御情報インタ
ーフェース部42を介して受領したチャージング指示に
従って動作するチャージング制御部47で制御されてお
り、同じく制御情報インターフェース部42で受領した
ハンドリング指示に従って動作するハンドリング制御部
48で制御されるロード・アンロード部41に受け渡さ
れた半導体ウエハ10は、所定の着工条件に基づいて設
定された何れかの処理機構部43a,43b・・・ 43n
に該チャージング機構部46によって搬送されるように
なっている。
【0022】このような着工管理装置によれば、半導体
ウエハ10には次のような手順で処理が行われる。
ウエハ10には次のような手順で処理が行われる。
【0023】先ず、所在管理部31の管理下にあって保
管装置20に保管されている処理対象の半導体ウエハ1
0は、ハンドリング制御部36により動作されるハンド
リング装置50によってウエハ処理装置40のロード・
アンロード部41に受け渡される。一方、この半導体ウ
エハ10の工程進行状況は進捗管理部32によって、ま
た、着工条件は着工条件制御部33によってそれぞれ管
理されている。そして、半導体ウエハ10がロード・ア
ンロード部41に受け渡されるのにリンクして、その着
工条件、チャージング指示およびハンドリング指示が制
御情報インターフェース部42に送られる。
管装置20に保管されている処理対象の半導体ウエハ1
0は、ハンドリング制御部36により動作されるハンド
リング装置50によってウエハ処理装置40のロード・
アンロード部41に受け渡される。一方、この半導体ウ
エハ10の工程進行状況は進捗管理部32によって、ま
た、着工条件は着工条件制御部33によってそれぞれ管
理されている。そして、半導体ウエハ10がロード・ア
ンロード部41に受け渡されるのにリンクして、その着
工条件、チャージング指示およびハンドリング指示が制
御情報インターフェース部42に送られる。
【0024】ウエハ処理装置40では、搬入された半導
体ウエハ10に沿った着工条件が着工条件設定部45に
より処理制御部44a,44b・・・ 44nに設定され、
ハンドリング制御部48およびチャージング制御部47
にそれぞれコントロールされたロード・アンロード部4
1およびチャージング機構部46によって該処理制御部
44a,44b・・・ 44nに制御される処理機構部43
a,43b・・・ 43nに半導体ウエハ10が導入され
る。
体ウエハ10に沿った着工条件が着工条件設定部45に
より処理制御部44a,44b・・・ 44nに設定され、
ハンドリング制御部48およびチャージング制御部47
にそれぞれコントロールされたロード・アンロード部4
1およびチャージング機構部46によって該処理制御部
44a,44b・・・ 44nに制御される処理機構部43
a,43b・・・ 43nに半導体ウエハ10が導入され
る。
【0025】そして、このような動作を保管装置20内
の半導体ウエハ10に対して順次繰り返すことによっ
て、複数枚の半導体ウエハ10を対応した着工条件に設
定された処理機構部43a,43b・・・ 43nにそれぞ
れ導入し、複数の半導体ウエハ10に対して異なる条件
下での並列処理を行う。
の半導体ウエハ10に対して順次繰り返すことによっ
て、複数枚の半導体ウエハ10を対応した着工条件に設
定された処理機構部43a,43b・・・ 43nにそれぞ
れ導入し、複数の半導体ウエハ10に対して異なる条件
下での並列処理を行う。
【0026】このように、本着工管理装置によれば、半
導体ウエハ10を個別に所在管理、工程進行状況管理、
着工条件管理し、これらの管理情報に基づき、複数の半
導体ウエハ10の種々の着工条件に合わせて複数の処理
機構部43a,43b・・・ 43nの処理条件をそれぞれ
設定して半導体ウエハ10に並列処理を行うようにして
いるので、多仕様の半導体ウエハ10に対する同時処理
が可能になり、バッチ処理のための編成待ちをなくすこ
とができる。
導体ウエハ10を個別に所在管理、工程進行状況管理、
着工条件管理し、これらの管理情報に基づき、複数の半
導体ウエハ10の種々の着工条件に合わせて複数の処理
機構部43a,43b・・・ 43nの処理条件をそれぞれ
設定して半導体ウエハ10に並列処理を行うようにして
いるので、多仕様の半導体ウエハ10に対する同時処理
が可能になり、バッチ処理のための編成待ちをなくすこ
とができる。
【0027】また、半導体ウエハ10は個別に所在管
理、工程進行状況管理、着工条件管理しているので、複
数の半導体ウエハ10に対する製造条件を自動的に且つ
直ちに設定して着工することが可能になり、設定誤りを
未然に防止することができる。
理、工程進行状況管理、着工条件管理しているので、複
数の半導体ウエハ10に対する製造条件を自動的に且つ
直ちに設定して着工することが可能になり、設定誤りを
未然に防止することができる。
【0028】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【0029】たとえば、本発明の実施の形態において
は、ワークとして半導体ウエハ10が適用された半導体
装置を製造するための着工管理技術が紹介されている
が、このようなウエハプロセス以外にも、たとえば液晶
ディスプレイなど他の種々のワークに適用することが可
能である。
は、ワークとして半導体ウエハ10が適用された半導体
装置を製造するための着工管理技術が紹介されている
が、このようなウエハプロセス以外にも、たとえば液晶
ディスプレイなど他の種々のワークに適用することが可
能である。
【0030】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【0031】(1).すなわち、本発明の着工管理技術によ
れば、多仕様のワークに対する同時処理が可能になり、
バッチ処理のための編成待ちをなくすことができる。
れば、多仕様のワークに対する同時処理が可能になり、
バッチ処理のための編成待ちをなくすことができる。
【0032】(2).前記(1) により、製造時間が短縮され
てスループットの向上を図ることが可能になる。
てスループットの向上を図ることが可能になる。
【0033】(3).また、複数のワークに対する製造条件
を自動的に且つ直ちに設定して着工することが可能にな
り、設定誤りを未然に防止することができる。
を自動的に且つ直ちに設定して着工することが可能にな
り、設定誤りを未然に防止することができる。
【図1】本発明の一実施の形態である着工管理装置の一
部を示すブロック図である。
部を示すブロック図である。
【図2】その着工管理装置の図1以外の部分を示すブロ
ック図である。
ック図である。
10 半導体ウエハ(ワーク) 20 保管装置 30 制御情報管理装置 31 所在管理部 32 進捗管理部 33 着工条件制御部 34 設定着工条件指示部 35 チャージング制御部 36 ハンドリング制御部 40 ウエハ処理装置(ワーク処理装置) 41 ロード・アンロード部 42 制御情報インターフェース部 43a,43b・・・ 43n 処理機構部 44a,44b・・・ 44n 処理制御部 45 着工条件設定部 46 チャージング機構部 47 チャージング制御部 48 ハンドリング制御部 50 ハンドリング装置
Claims (4)
- 【請求項1】 次の工程(a) 〜(d) を含むことを特徴と
する着工管理方法。 (a).処理対象である各ワークに対して個別に所在を管理
する工程、(b).前記各ワークに対しての工程進行状況を
管理する工程、(c).前記各ワークに対しての次工程着工
条件を管理する工程、(d).前記(a) 〜(c) 工程により得
られた管理情報に基づいて複数の前記ワークに異なる条
件下で並列処理を行う工程。 - 【請求項2】 請求項1記載の着工管理方法において、
前記ワークは半導体ウエハであることを特徴とする着工
管理方法。 - 【請求項3】 処理対象である複数のワークを保管する
保管装置と、 前記ワークそれぞれについての前記保管装置における所
在を管理する所在管理部、前記各ワークの工程進行状況
を管理する進捗管理部、および前記各ワークの次工程に
おける着工条件を指示する着工条件制御部を有する制御
情報管理装置と、 前記制御情報管理装置からの情報を受領する制御情報イ
ンターフェース部、前記制御情報インターフェース部に
より前記各ワーク毎に異なる着工条件が設定される複数
の処理制御部、および前記複数の処理制御部に対応して
設けられて前記保管装置から個別に取り出された複数の
前記ワークに対して設定された着工条件下で並列処理を
行う複数の処理機構部を有するワーク処理装置とからな
ることを特徴とする着工管理装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の着工管理装置において、
前記ワークは半導体ウエハであることを特徴とする着工
管理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31183495A JPH09153438A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 着工管理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31183495A JPH09153438A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 着工管理方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09153438A true JPH09153438A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18021966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31183495A Pending JPH09153438A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 着工管理方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09153438A (ja) |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31183495A patent/JPH09153438A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6351686B1 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and control method thereof | |
US6920369B2 (en) | Methods of operating vacuum processing equipment and methods of processing wafers | |
US7392812B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transporting device mounted thereto | |
KR101715440B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판의 반송 제어 방법 | |
JPH0722490A (ja) | ロット自動編成装置及び方法 | |
KR20100129211A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JPH0689934A (ja) | 半導体製造装置に於ける基板搬送方法 | |
TWI408727B (zh) | 基板處理裝置之排程作成方法及資訊記錄媒體 | |
JPH09153438A (ja) | 着工管理方法および装置 | |
WO2018154829A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
US6823229B2 (en) | Substrate carrier management system and program | |
JP2009076495A (ja) | 真空処理装置 | |
JP3400996B1 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
TW200845281A (en) | Vertical furnace having lot-unit transfer function and related transfer control method | |
JP2005129868A (ja) | 搬送制御方法 | |
JPH11121587A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2022065077A1 (ja) | 搬送方法及び処理システム | |
JPH09159981A (ja) | 成膜装置 | |
JP4657528B2 (ja) | 処理システムおよび処理方法 | |
WO2024157825A1 (ja) | 基板搬送方法、基板処理装置及びプログラム | |
JPH10247679A (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH11345856A (ja) | ウェハ処理装置のウェハマップ指定方法 | |
JPH053174A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0750333A (ja) | プロセス設備のシーケンス制御装置 | |
JP2617790B2 (ja) | 処理方法 |