WO2021193652A1

WO2021193652A1 - 遮光部材

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Publication number: WO2021193652A1
Application number: PCT/JP2021/012034
Authority: WO
Inventors: 拓郎吉田; 俊介鳥居
Original assignee: 東海光学株式会社
Priority date: 2020-03-26
Filing date: 2021-03-23
Publication date: 2021-09-30
Also published as: CN115349098A; TW202200360A; US20230029334A1; JPWO2021193652A1; EP4109143A1; EP4109143A4; KR20220149614A

Abstract

【課題】優れた黒さを有する遮光部材を提供する。【解決手段】遮光部材１の光学多層膜４は、可視光を吸収する光吸収層６と誘電体製の層である誘電体層８とが、４層以上で配置されたものである。基材２から最も遠い最表層１０の物理膜厚は、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下である。物理膜厚が２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下である誘電体層８のうち最表層１０に最も近い次最表層１２と、最表層１０との間に配置された光吸収層６の物理膜厚の合計である表層側光吸収厚Ｃは、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下である。次最表層１２と基材２との間に配置された光吸収層６の物理膜厚の合計である基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍ以上である。次最表層１２と基材２との間に配置された光吸収層６のうち最も物理膜厚の大きい層である基材側最大厚光吸収層１８から、最表層１０までの物理膜厚の合計である特定表層厚Ｅに係る特定比率Ｆ＝（Ｃ＋Ｄ）／Ｅは、０．３４以上である。

Description

遮光部材

　本発明は、遮光性を有する部材である遮光部材に関する。

　遮光部材として、特許第６５４１２４４号公報（特許文献１）に記載されたものが知られている。
　この遮光部材では、マット処理を施した微細な凹凸を有する基材部材の表面が、カーボンブラック等の着色剤で着色されている。
　しかし、この遮光部材では、着色剤の粒子表面における光の反射により、反射率が十分に下がらず、黒色を有しながらも白みがかった（黒い表面に白いもやがかかったような）外観となり、合わせて見るとグレーの外観となり、黒さの点で向上の余地がある。

　そこで、特許第６０３６３６３号公報（特許文献２）のもののように、フィルム基材の表面に、Ｎｉ系金属膜（ニッケル膜）及びＮｉ系金属酸化物膜が順次スパッタされて多層膜が形成された遮光フィルムが提案されている。
　この遮光フィルムでは、フィルム基材表面に着色剤が配置されないため、着色剤による光の反射がないこととなる。

特許第６５４１２４４号公報特許第６０３６３６３号公報

　しかし、Ｎｉ系金属膜等がスパッタされた遮光フィルムでは、最もフィルム基材から離れた層である最表層のＮｉ系金属酸化物膜の屈折率が２以上と高いため、その界面における反射率が大きくなり、結局ある程度の光が反射してしまう。又、この遮光フィルムでは、多層膜全体として、十分に反射率を低減する構造になっていない。そのため、反射率が十分に下がらず、黒色を有しながらも白みがかった外観となり、合わせて見るとグレーの外観となり、やはり黒さの点で向上の余地がある。

　そこで、本発明の主な目的は、優れた黒さを有する遮光部材を提供することである。

　請求項１に記載の発明は、基材と、前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、を備えており、前記光学多層膜は、可視光を吸収する光吸収層と誘電体製の層である誘電体層とが、４層以上で配置されたものであり、前記基材から最も遠い層である最表層は、前記誘電体層であり、前記最表層の物理膜厚は、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下であり、物理膜厚が２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下である前記誘電体層であって前記最表層に最も近いものである次最表層と、前記最表層との間に配置された、１以上の前記光吸収層の物理膜厚の合計である表層側光吸収厚は、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下であり、前記次最表層と前記基材との間に配置された、１以上の前記光吸収層の物理膜厚の合計である基材側光吸収厚は、６０ｎｍ以上であり、前記次最表層と前記基材との間に配置された前記光吸収層のうち最も物理膜厚の大きい層である基材側最大厚光吸収層から、前記最表層までの物理膜厚の合計である特定表層厚を割る数とし、前記表層側光吸収厚と前記基材側光吸収厚との和を割られる数とした場合の商である特定比率は、０．３４以上であることを特徴とするものである。
　請求項２に記載の発明は、上記発明において、前記光学多層膜の総物理膜厚は、４００ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
　請求項３に記載の発明は、上記発明において、前記成膜面は、凹凸を有しており、前記成膜面の表面粗さは、１．０μｍ以下であることを特徴とするものである。
　請求項４に記載の発明は、上記発明において、前記基材は、黒色に着色されていることを特徴とするものである。
　請求項５に記載の発明は、上記発明において、前記光吸収層は、金属あるいは金属の不飽和酸化物を含んでいることを特徴とするものである。
　請求項６に記載の発明は、上記発明において、前記光吸収層の主成分は、Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｓｉ及びＣｒ、並びにこれらの各不飽和酸化物のうちの少なくとも何れかであることを特徴とするものである。
　請求項７に記載の発明は、上記発明において、前記誘電体層は、金属化合物を含んでいることを特徴とするものである。
　請求項８に記載の発明は、上記発明において、前記誘電体層の主成分は、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚの少なくとも何れかであることを特徴とするものである。
　請求項９に記載の発明は、上記発明において、前記最表層の主成分は、ＳｉＯ_２及びＭｇＦ_２の少なくとも一方であることを特徴とするものである。

　請求項１０に記載の発明は、基材と、前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、を備えており、前記成膜面は、凹凸を有しており、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度が、４．０以上であり、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．０２％以下であり、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系測定（ＪＩＳＺ８７２９）における明度Ｌ^＊が、４．５以下であることを特徴とするものである。
　請求項１１に記載の発明は、透明な基材と、前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、を備えており、前記成膜面は、鏡面であり、入射角が０°以上８°以下の光に対する４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．４５０％以下であり、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．６６０％以下であり、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度が、２．１以上であることを特徴とするものである。

　本発明の主な効果は、優れた黒さを有する遮光部材が提供されることである。

本発明に係る遮光部材の模式的な横断面図である。遮光部材の反りについての模式図である。

　以下、本発明に係る実施の形態の例が、適宜図面を用いて説明される。
　尚、本発明は、以下の例に限定されない。

　図１に例示されるように、本発明に係る遮光部材１は、基材２と、光学多層膜４と、を有する。

　基材２は、透光性を有していても（透明ないし半透明であっても）良いし、透光性を有していなくても良い。黒さの確保の観点からは、基材２の透光性は低い方が好ましく、黒色に着色されていることが好ましい。
　基材２の形状は、どのようなものであっても良いところ、用途の広さの観点から、好ましくは板状、シート状あるいは部材状である。
　基材２の素材は、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、有機ガラス、無機ガラス、あるいはこれらの組合せである。
　基材２の厚みは、例えば１０μｍ（マイクロメートル）以上２００μｍ以下である。基材２の厚みは、黒色着色時には黒さの確保の観点から厚い方が良く、絞り羽根又はシャッター羽根等の代表的な用途に適合させ、基材２の用途を広くする観点からは薄い方が良い。
　基材２の表面（片面あるいは両面）は、平坦な鏡面であっても良いし（鏡面基材）、マット処理等による凹凸を有していても良い（凹凸基材）。マット処理は、マット加工及びマット剤の塗布のうちの少なくとも一方により行われる。マット加工は、公知のものを用いることができ、例えばサンドブラストを始めとするブラスト、化学的エッチング、エンボス、プラズマ放電等の放電、ナノインプリンティング等を用いることができる。マット剤の塗布は、例えば平均粒径が１μｍ以上３５μｍ以下であるアクリル系粒子、ウレタン系粒子、及びシリカ系粒子の少なくとも何れか等のマット剤をバインダと共に塗布し、マット剤を付着させてマット剤による凹凸を形成するものである。尚、キャスティング等のその他の方法により、微細な凹凸が、基材２の表面に付与されても良い。
　表面において凹凸により乱反射させ、見かけの反射率を減らして黒さを確保する観点からは、基材２の表面が凹凸を有すること（凹凸基材）は好ましい。又、基材２の表面が凹凸を有する場合、優れた黒さを確保する観点から、表面粗さ（算術平均粗さ）が１μｍ以下であることが、好ましい。
　基材２が黒色に着色される場合、例えば着色剤によりマット剤が黒色に着色される。具体的な着色剤として、例えば、カーボンブラック、カーボングラファイト、カーボンナノチューブ、及びチタンブラックの少なくとも何れかが挙げられる。基材２は、その表面に着色したマット剤が塗布されることにより、黒色に着色される。
　又、基材２は、巻き取り（ロール化）可能であっても良いし、塑性変形を生じない限り巻き取れない程度に巻き取り不能であっても良い。

　光学多層膜４は、基材２の表面（片面あるいは両面，成膜面Ｍ）に形成される。光学多層膜４が基材２の両面に形成される場合、各面の光学多層膜４の構成は異なっていても良いところ、好ましくはこれらの構成は、互いに同一とされる。又、一方の面に本発明に係る光学多層膜４が形成され、他方の面に本発明に属さない光学多層膜あるいは光学単層膜が形成されても良い。
　基材２の成膜面Ｍは、鏡面を含んでいても良いし、凹凸を有する凹凸面を含んでいても良い。
　光学多層膜４は、複数の光吸収層６と、複数の誘電体層８と、を有する。
　光学多層膜４の層数は、性能の確保と形成のコストとの兼ね合いから、４以上が好ましい。即ち、性能確保の観点からは光学多層膜４の層数が４以上であることが必要であると共に、層数が多いほど、設計の自由度が増して性能が確保し易い。又、光学多層膜４の総物理膜厚は、形成のコストが増したり、層の材料によっては所定程度以上の応力が発生したりすることから、４００ｎｍ以下であることが好ましい。
　尚、光学多層膜４と基材２との間に、密着性を高めるバインダ膜、及び遮光部材１の硬度を増すためのハードコート膜の少なくとも一方等の他の１以上の膜が挿入されても良い。光学多層膜４の表面側（空気側）に、防汚膜及び導電膜の少なくとも一方等の他の１以上の膜が付与されても良い。尚、これらの膜は、光学多層膜４に含まれるものとして扱われても良い。

　光吸収層６は、可視光を吸収する。可視光は、波長域が可視域の光である。可視域は、例えば４００ｎｍ（ナノメートル）以上７８０ｎｍ以下であり、その下限は、３８０ｎｍ、３９０ｎｍ、４１０ｎｍ、４２０ｎｍ、４３０ｎｍあるいは４４０ｎｍ等とされても良いし、その上限は、８００ｎｍ、７９０ｎｍ、７７０ｎｍ、７６０ｎｍ、７５０ｎｍ、７３０ｎｍ、７００ｎｍ、６８０ｎｍ、６５０ｎｍ、あるいは６４０ｎｍ等とされても良い。
　光吸収層６は、可視光の吸収により、可視光を遮光し、遮光部材１の黒い外観を実現する機能を具備する。
　光吸収層６は、好ましくは金属（その不飽和酸化物を含む）製の層である。光吸収層６の主成分は、例えば、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃｒ（クロム）、若しくはこれらの不飽和酸化物、又はこれらの少なくとも何れか２つである。ここで、主成分とは、全成分に対する重量比又は体積比で過半となることである。以下、Ｎｂを主成分とする層はＮｂ層と呼ばれ、他の主成分の層についても同様に呼ばれることがある。各層の特性は、主成分に応じたものとなり、主成分以外の成分が比較的多いものであっても、主成分以外の成分が少ないものと同様の特性を有する。
　不飽和金属酸化物は、例えば、ＮｉＯ_ｘ（ｘは０を超えて１未満，不飽和酸化ニッケル）である。ＮｉＯ_ｘ層は、Ｎｉと酸素との化合物を主成分とする。
　複数の光吸収層６は、成膜の容易さの観点から、好ましくは互いに同じ主成分を有し、より好ましくは互いに同じ成分を有する。
　尚、遮光部材１全体として所望の遮光性を実現するため、複数の光吸収層６における一部の可視光の吸収は、他の光吸収層６における可視光の吸収を考慮したものとされても良い。又、光吸収層６による可視光の吸収は、光学多層膜４の他の層若しくは他の膜又は基材２における吸収、透過率、反射率の分布に応じたものとされても良い。

　光吸収層６は、蒸着あるいはスパッタリング等により形成され、好ましくはスパッタリングにより形成される。
　光吸収層６がＮｉＯ_ｘ層であり蒸着により形成される場合、好ましくはイオンアシスト蒸着（Ｉｏｎ　Ａｓｓｉｓｔ　Ｄｅｐｏｔｉｔｉｏｎ；ＩＡＤ）によって形成される。ＮｉＯ_ｘ層を始めとする膜の構造、あるいはイオンアシストの有無による構造の相違は、当業者にとっても直接の特定が極めて困難である。又、蒸着時におけるイオンアシストの実施によって膜の構造を特定することは、当業者にとって分かり易く有用である。

　ＮｉＯｘ層の蒸着において、基板へ向けてイオン化したガスであるイオンビームが照射される。イオンビームは、少なくとも酸素（Ｏ_２）ガスを含む。イオンビームに係るガスは、アルゴンガスを始めとする希ガスとの混合ガスとされても良い。即ち、イオンビームは、イオン化した酸素ガス、あるいはイオン化した酸素ガスと希ガスの混合ガスである。
　加熱により蒸発源から蒸発したＮｉは、イオンビームに係る酸素ガスの作用等により、基板の表面においてＮｉＯ膜となる（ｘ＝１）。ＮｉＯ膜の表面では、Ｎｉ－Ｏ間の化学結合の一部がイオンビームにより切断され、酸素欠損が形成される。かような酸素欠損の量に応じてｘが変化し、ＮｉＯ_ｘ層（ｘは０を超えて１未満）が形成される。Ｎｉ－Ｏ間の化学結合がイオンビームにより全て切断される可能性は現実的にはゼロであり、ｘは０を超える。他方、イオンビームを照射しているのにもかかわらず、Ｎｉ－Ｏ間の化学結合が全く切断されない可能性も実際的にはないとみて良く、よってｘは１未満となる。
　酸素欠損の量即ちｘの値は、蒸着源の加熱及びイオンビームの照射を同じ条件で連続して行うことで、１つの層において一定にすることができ、かように蒸着されたＮｉＯ_ｘ層は、膜厚方向において均一な組成となる。ここでの同じ条件は、例えばイオンガンにおける一定の電圧（一定のガスのイオン化電圧）であり、又酸素ガス若しくは酸素ガスと希ガスの一定の流量である。酸素ガスと希ガスの混合ガスの場合は、１つのＮｉＯ_ｘ層の蒸着中に流量が一定であれば流量の大きさは互いに同じでも良いし異なっていても良く、かような趣旨を表すため、酸素ガスの流量が「一定流量」とされ、希ガスの流量が「所定流量」とされて良い。かような同条件におけるイオンビームの照射は、一定したイオンビームの照射と捉えることができる。
　そして、ｘの値は、イオンビームの各種の特性（イオンガンの各種の設定）により制御される。例えば、イオンビームの加速電圧の大きさ及びイオンビームの電流の大きさの少なくとも一方により、ｘの大小を変化させることができる。又、希ガスとの混合ガスが用いられる場合には、酸素ガスと希ガスの各導入量あるいは混合比を変更することにより、ｘの大小を変化させることができる。
　かようにｘの値は制御可能であるが、直接同定することは層全体を原子の見られる電子顕微鏡等で観察し尽くす必要があって現実的でなく、当業者にとっても直接の測定が極めて困難である。従って、ＮｉＯ_ｘ層（ｘは０を超えて１未満）と特定されることは有用であり、更に適宜蒸着時のイオンビームの特性等でＮｉＯ_ｘ層が特定されることは、当業者にとって分かり易く有用である。
　又、スパッタリングによってＮｉＯ_ｘ層が形成される場合も、蒸着の場合と同様に、スパッタガスの種類若しくは流量、ラジカルガスの導入の有無、ラジカルガス導入時のラジカルガスの種類、流量若しくは投入電力、真空室内の真空度若しくは温度、スパッタ源の温度、ターゲット温度、又は基板温度等の成膜条件の設定によって、ｘの値が０を超えて１未満の範囲で調整可能である。

　誘電体層８は、誘電体製の層である。
　誘電体層８は、光吸収層６との組合せにより、反射防止機能を実現する。即ち、光学多層膜４は、光吸収層６と誘電体層８とが交互に配置されることにより、反射防止膜となる。光吸収層６は、高屈折率層として見ることができる。誘電体層８は、高屈折率層に対する低屈折率層あるいは中屈折率層となる。
　誘電体層８の主成分は、好ましくは透光性を有する金属化合物である。誘電体層８の主成分は、例えば、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン，シリカ）、ＭｇＦ_２（二フッ化マグネシウム）、Ｎｂ_２Ｏ_５（五酸化二ニオブ）、ＴｉＯ_２（二酸化チタン，チタニア）、Ａｌ_２Ｏ_３（三酸化二アルミニウム，アルミナ）、ＺｒＯ_２（二酸化ジルコン，ジルコニア）、Ｔａ_２Ｏ_５（五酸化二タンタル）、Ｓｉ_３Ｎ_４（四窒化三シリコン，窒化ケイ素）、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ（酸窒化シリコン）の少なくとも何れかである。
　複数の誘電体層８は、成膜の容易さの観点から、好ましくは互いに同じ主成分を有し、より好ましくは互いに同じ成分を有する。

　ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層は、ＮｉＯ_ｘ層と同様に、Ｓｉを蒸着源あるいはスパッタ源として、イオン化酸素ガスとイオン化窒素ガスとを照射した蒸着あるいはスパッタリングにより形成可能である。ＳｉＮ_ｙＯ_ｚは、１つ以上のＮ原子あるいはＯ原子がＳｉ原子と結合する一方、Ｓｉ_３Ｎ_４あるいはＳｉＯ_２にまでは至らないことから、０＜ｙ＜４／３，０＜ｚ＜２となる。
　ｙ，ｚの値は、ＮｉＯ_ｘのｘの値と同様に制御することができる。又、ｙ，ｚの値は、ｘの値と同様に、直接同定することは現実的でなく、当業者にとっても直接の測定が極めて困難である。従って、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ（０＜ｙ＜４／３，０＜ｚ＜２）と特定されることは有用であり、更に適宜蒸着時のイオンビームの特性等でＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層が特定されることは、当業者にとって分かり易く有用である。

　光学多層膜４における最も基材２から離れた層（最も遮光部材１表面側（空気側）の層）である最表層１０は、反射防止性能を確保し、光吸収層６を保護する観点から、誘電体層８であることが好ましく、更に、最表層１０の主成分が、ＳｉＯ_２及びＭｇＦ_２の少なくとも一方であることがより好ましい。最表層１０の物理膜厚は、反射防止性能を確保する観点から、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下であることが好ましい。
　最表層１０を除いた誘電体層８のうちの少なくとも１つの物理膜厚は、反射防止性能を確保する観点から、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下であることが好ましい。以下、この範囲内の物理膜厚を有する誘電体層８であって、最も基材２から離れた層（最も最表層１０に近い層）は、次最表層１２とされる。即ち、次最表層１２は、最も最表層１０に近い２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の物理膜厚を有する誘電体層８である。
　光学多層膜４において、反射防止性能を確保する観点から、最表層１０と次最表層１２との間に配置された１以上の光吸収層６（表層側光吸収層１４）の物理膜厚の合計（表層側光吸収厚Ｃ）は、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下であることが好ましい。
　又、光学多層膜４において、反射防止性能及び高光学濃度を確保する観点から、次最表層１２と基材２との間に配置された１以上の光吸収層６（基材側光吸収層１６）の物理膜厚の合計（基材側光吸収厚Ｄ）は、６０ｎｍ以上であることが好ましい。
　更に、光学多層膜４において、反射防止性能及び高光学濃度を確保する観点から、１以上の基材側光吸収層１６のうち最も物理膜厚の厚いもの（基材側最大厚光吸収層１８）から最表層１０までの物理膜厚の合計（特定表層厚Ｅ）と、表層側光吸収厚Ｃと、基材側光吸収厚Ｄとに関する次の式（１）で表される特定比率Ｆが、０．３４（３４％）以上であることが好ましい。尚、特定表層厚Ｅには、基材側最大厚光吸収層１８の物理膜厚、及び最表層１０の物理膜厚が含まれる。

　遮光部材１は、かような基材２及び光学多層膜４を有することにより、次の各種の特性を有することが、優れた黒さを確保する観点から好ましい。
　まず、遮光部材１において、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度は、４．０以上であると好ましい。
　又、遮光部材１（特に基材２の成膜面Ｍが凹凸面であるもの）において、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の平均正反射率（３８０～７８０ｎｍ平均正反射率）は、０．０２％以下であると好ましい。尚、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、光学多層膜４に入射する入射角が０°以上８°以下の光に対する反射率であり、他の正反射率についても、同様である。
　更に、遮光部材１（特に基材２の成膜面Ｍが凹凸面であるもの）において、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系測定（ＪＩＳＺ８７２９）における明度Ｌ^＊が４．５以下であると好ましい。
　又更に、基材２の成膜面Ｍが鏡面である遮光部材１において、入射角が０°以上８°以下の光に対する４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域における平均正反射率（４００～７００ｎｍ平均正反射率）が、０．４５０％以下であることが好ましい。
　加えて、基材２の成膜面Ｍが鏡面である遮光部材１において、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が、０．６６０％以下であることが好ましい。
　又、基材２の成膜面Ｍが鏡面である遮光部材１において、入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度（３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度）が、２．１以上であることが好ましい。

　かような光学多層膜４が配置された基材２を含む遮光部材１は、例えばカメラにおけるシャッター羽根、絞り羽根に使用される。あるいは、遮光部材１は、真っ黒な外観を付与するために、機器のケースあるいは自動車の内装品等の物品に貼られる。

　このように、本発明の遮光部材１は、基材２と、基材２の１以上の面である成膜面Ｍに配置される光学多層膜４と、を備えており、光学多層膜４は、可視光を吸収する光吸収層６と誘電体製の層である誘電体層８とが、４層以上８層以下で配置されたものであり、基材２から最も遠い層である最表層１０は、誘電体層８であり、最表層１０の物理膜厚は、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下であり、物理膜厚が２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下である誘電体層８であって最表層１０に最も近いものである次最表層１２と、最表層１０との間に配置された、１以上の光吸収層６の物理膜厚の合計である表層側光吸収厚Ｃは、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下であり、次最表層１２と基材２との間に配置された、１以上の光吸収層６の物理膜厚の合計である基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍ以上であり、次最表層１２と基材２との間に配置された光吸収層６のうち最も物理膜厚の大きい層である基材側最大厚光吸収層１８から、最表層１０までの物理膜厚の合計である特定表層厚Ｅを割る数とし、表層側光吸収厚Ｃと基材側光吸収厚Ｄとの和を割られる数とした場合の商である特定比率Ｆ＝（Ｃ＋Ｄ）／Ｅは、０．３４以上である。
　よって、優れた黒さを有する遮光部材１が提供される。

　又、成膜面Ｍは、凹凸を有しており、成膜面Ｍの表面粗さは、１．０μｍ以下である。よって、遮光部材１は、より優れた黒さを呈する。
　更に、基材２は、黒色に着色されている。よって、遮光部材１は、より優れた黒さを呈する。

　又更に、光吸収層６は、好ましくは金属あるいは金属の不飽和酸化物を含んでおり、更に好ましくは、光吸収層６の主成分は、Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ａｌ及びＣｒ、並びにこれらの各不飽和酸化物のうちの少なくとも何れかである。よって、優れた黒さを有する遮光部材１が、より低コストで簡単に形成される。
　又、誘電体層８は、好ましくは金属化合物を含んでおり、更に好ましくは、誘電体層８の主成分は、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚの少なくとも何れかである。よって、優れた黒さを有する遮光部材１が、より低コストで簡単に形成される。
　加えて、最表層１０の主成分は、ＳｉＯ_２及びＭｇＦ_２の少なくとも一方である。よって、遮光部材１が、より優れた黒さを有することとなる。

　又、基材２と、基材２の１以上の面である成膜面Ｍに配置される光学多層膜４と、を備えており、成膜面Ｍは、凹凸を有しており、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、４．０以上であり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が、０．０２％以下であり、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系測定（ＪＩＳＺ８７２９）における明度Ｌ^＊が、４．５以下である。
　よって、従来見られない黒さを有する遮光部材１が提供される。
　更に、透明な基材２と、基材２の１以上の面である成膜面Ｍに配置される光学多層膜４と、を備えており、成膜面Ｍは、鏡面であり、４００～７００ｎｍ平均正反射率が、０．４５０％以下であり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が、０．６６０％以下であり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、２．１以上である。
　よって、鏡面の成膜面Ｍを有する透明な基材２上に形成された光学多層膜型の遮光部材１において、従来見られない黒さが具備される。

　次いで、本発明の好適な実施例、及び本発明に属さない比較例が説明される。
　尚、本発明は、以下の実施例に限定されない。又、本発明の捉え方により、下記の実施例が実質的には比較例となったり、下記の比較例が実質的には実施例となったりすることがある。

［実施例１，比較例１］
　優れた黒さの確保という観点では、基材２は、凹凸を有する凹凸基材であることが、基材２の表面において乱反射が得られることから好ましい。
　実施例１（実施例１－１～１－４）及び比較例１（比較例１－１～１－２）では、基材２が、無色透明のＰＥＴ製のシート状の凹凸基材（表面にマット処理が施され表面粗さ０．６μｍの凹凸を有する成膜面Ｍ，厚さ２０μｍ）とされ、光学多層膜４が基材２の片面に成膜された。尚、基材の素材（ＰＥＴ）自体は無色透明であるところ、凹凸の付与により、凹凸基材は、磨りガラスのように半透明となっている。
　実施例１，比較例１の各光学多層膜４は、互いに異なる層構造を有するものとされた。これらの層構造は、次の［表１］，［表２］の上部に示される。それぞれの層構造は、［表１］，［表２］の上部で示される材料及び物理膜厚（ｎｍ）に係る各層を有する４層構造（層数４）となっている。［表１］，［表２］における層番号について、第１層（Ｌ１）が基材２に接しており、第２層（Ｌ２）がＬ１の空気側に配置されてＬ１と接しており、以下同様である。実施例１，比較例１の遮光部材１は、光学多層膜４の他に、膜を有していない。
　そして、実施例１，比較例１の明度Ｌ^＊、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度がそれぞれ測定された。各種の平均正反射率及び平均光学濃度は、分光光度計（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ，Ｉｎｃ社製ＬＡＭＢＤＡ１０５０）により測定された。明度Ｌ^＊は、色彩計（ＢＹＫ－Ｇａｒｄｎｅｒ　ＧｍｂＨ社製ｓｐｅｃｔｒｏ２ｇｕｉｄｅ）により測定された。
　尚、実施例１，比較例１を含め、以下の各実施例及び各比較例における各層は、特に明記されない限り、主成分以外の成分を殆ど含まないものであり、又スパッタにより形成されている。

　上記［表１］，［表２］の下部には，それぞれにおける最表層１０、次最表層１２、表層側光吸収厚Ｃ、基材側光吸収厚Ｄ、特定表層厚Ｅ、特定比率Ｆ、４００～７００ｎｍ平均正反射率、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率、及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が示される。

　比較例１－１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例１－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、２７２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－１の最も基材２から離れた誘電体層８である最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－１の誘電体層８であるＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例１－１のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例１－１の表層側光吸収層１４は、最表層１０のＬ４と次最表層１２のＬ２との間の光吸収層６であるＬ３（Ｎｂ層）であり、その物理膜厚（表層側光吸収厚Ｃ）は、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－１の基材側光吸収層１６は、次最表層１２のＬ２と基材２との間に配置された光吸収層６であるＬ１（Ｎｂ層）であり、その物理膜厚（基材側光吸収厚Ｄ）は、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４以上となる遮光部材１を無着色の半透明な基材２において得るには、基材２の片面のみに光学多層膜４（光吸収層６）が配置される場合、光吸収層６の物理膜厚の合計が１００ｎｍ程度以上必要となる。
　又、基材側光吸収層１６のＬ１から最表層１０のＬ４までの物理膜厚の合計（特定表層厚Ｅ）は、全物理膜厚と同じ２７２ｎｍであり、比較例１－１の特定比率Ｆは、Ｆ＝（Ｃ＋Ｄ）／Ｅ＝（８＋１５０）／２７２≒０．５８（５８％）となり、３４％以上となっている。
　比較例１－１の明度Ｌ^＊は、４．６３であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０２０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　比較例１－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　比較例１－２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例１－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、２７７ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－２のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例１－２のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例１－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、比較例１－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２７７ｎｍであり、比較例１－２の特定比率Ｆは、（９＋１５０）／２７７≒０．５７（５７％）となり、３４％以上となっている。
　比較例１－２の明度Ｌ^＊は、６．７２であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０２１％であり、０．０２％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　比較例１－３の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例１－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、２８５ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－３の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、５８ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－３のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６７ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例１－２のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例１－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、比較例１－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２８５ｎｍであり、比較例１－３の特定比率Ｆは、（９＋１５０）／２８５≒０．５６（５６％）となり、３４％以上となっている。
　比較例１－３の明度Ｌ^＊は、１４．８５であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０３１％であり、０．０２％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　比較例１－４の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例１－４の光学多層膜４の総物理膜厚は、２８５ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－４の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例１－４のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例１－４のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例１－４の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、４ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－４の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、比較例１－４の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２８８ｎｍであり、比較例１－４の特定比率Ｆは、（４＋１５０）／２８８≒０．５３（５３％）となり、３４％以上となっている。
　比較例１－４の明度Ｌ^＊は、２８．８０１であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．１６０％であり、０．０２％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例１－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例１－１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例１－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、２９３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－１の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－１のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例１－１のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例１－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例１－１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２９３ｎｍであり、実施例１－１の特定比率Ｆは、（９＋１５０）／２９３≒０．５４（５４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例１－１の明度Ｌ^＊は、３．００であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例１－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例１－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例１－２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例１－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、２８３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７４ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－２のＬ２は、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層であり、その物理膜厚は、５１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例１－２のＬ２は、次最表層１２である。ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層である実施例１－２のＬ２は、Ｓｉの成膜レート０．２ｎｍ／ｓ（ナノメートル毎秒）におけるスパッタリングにより形成され、スパッタリング時に、イオン化された窒素ガス及び酸素ガスが、順に７０ｓｃｃｍ（Standard Cubic Centimetre per Minute），１０ｓｃｃｍ導入された。以下、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層は、同様に作成されたものである。尚、酸素ガス及び窒素ガスの少なくとも一方の流量の変更により、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚの組成（ＳｉＮ_ｙＯ_ｚにおけるｙ，ｚ）は変更可能である。
　実施例１－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例１－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２８３ｎｍであり、実施例１－２の特定比率Ｆは、（８＋１５０）／２８３≒０．５６（５６％）となり、３４％以上となっている。
　実施例１－２の明度Ｌ^＊は、３．０３であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例１－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１３％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例１－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例１－３の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例１－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、２８４ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－３の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７４ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－３のＬ２は、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚ層であり、その物理膜厚は、５２ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例１－３のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例１－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例１－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２８４ｎｍであり、実施例１－３の特定比率Ｆは、（８＋１５０）／２８４≒０．５６（５６％）となり、３４％以上となっている。
　実施例１－３の明度Ｌ^＊は、３．８４であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例１－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１２％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例１－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例１－４の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例１－４の光学多層膜４の総物理膜厚は、３０５ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－４の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７７ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－４のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６４ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例１－４のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例１－４の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ＋Ｓｉ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１４ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例１－４の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ＋Ｓｉ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例１－４の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３０５ｎｍであり、実施例１－４の特定比率Ｆは、（１４＋１５０）／３０５≒０．５４（５４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例１－４の明度Ｌ^＊は、３．９７であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例１－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例１－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　かように、比較例１－１は、最表層１０の物理膜厚が好ましい範囲外であり、明度Ｌ^＊が４．６３となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である４．５を超えており、この点で凹凸基材の遮光部材１としての黒さに劣る。
　又、比較例１－２では、最表層１０の物理膜厚が好ましい範囲外であり、明度Ｌ^＊が６．７２となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である４．５を超えており、又３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．０２１％となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である０．０２％を超えており、この点で凹凸基材の遮光部材１としての黒さに劣る。
　更に、比較例１－３では、最表層１０の物理膜厚が好ましい範囲外であり、明度Ｌ^＊が１４．８５となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である４．５を超えており、又３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．０２１％となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である０．０２％を超えており、この点で凹凸基材の遮光部材１としての黒さに劣る。
　加えて、比較例１－４では、表層側光吸収厚Ｃが好ましい範囲外であり、明度Ｌ^＊が２８．８０１となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である４．５を超えており、又３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．１６０％となって、凹凸基材における好ましい範囲の上限である０．０２％を超えており、この点で凹凸基材の遮光部材１としての黒さに劣る。
　これに対し、実施例１－１～１－４は、光学多層膜４の層数及び総物理膜厚、最表層１０の物理膜厚、表層側光吸収厚Ｃ、基材側光吸収厚Ｄ、特定表層厚Ｅ及び特定比率Ｆが、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っており、何れも明度Ｌ^＊が４．５以下となっており、又３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．０２％以下となり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４以上となっていて、もやの見られない真っ黒な凹凸基材の遮光部材１となっている。
　透明な凹凸基材の遮光部材１において、優れた黒さの確保の観点から、明度Ｌ^＊が４．５以下であり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．０２％以下であり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４以上であることが好ましく、実施例１では、何れもこの好ましい範囲が満たされる。

［実施例２，比較例２］
　基材２が黒色に着色されると、その分だけ光吸収層６による光の吸収を弱めても、遮光部材１の遮光性能（黒さ）が維持される可能性がある。特に、黒色凹凸基材では、基材２のみで３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４程度以上となる。
　そこで、実施例２－１の遮光部材１として、黒色凹凸基材に、実施例１－１の光学多層膜４が成膜されたものが作成され、実施例２－２の遮光部材１として、黒色凹凸基材に、実施例１－１の基材側光吸収層１６の物理膜厚を１００ｎｍに減らした光学多層膜４が成膜されたものが作成された。
　又、基材側光吸収層１６の物理膜厚が更に段階的に減らされ、実施例２－３，比較例２－１，比較例２－２，比較例２－３が作成された。実施例２－３における基材側光吸収層１６の物理膜厚は、６０ｎｍであり、比較例２－１，比較例２－２における基材側光吸収層１６の物理膜厚は、４０ｎｍであり、比較例２－３における基材側光吸収層１６の物理膜厚は、２０ｎｍである。比較例２－２，比較例２－３において、反射率が極力小さくなるように、Ｌ２，Ｌ４の物理膜厚が若干調節されている。
　尚、実施例２－１～２－３（実施例２），比較例２－１～２－３における基材２は、黒色に着色されたＰＥＴ製のシート状の凹凸基材（表面にマット処理が施され更に黒色の着色剤が塗布され表面粗さ０．６μｍの凹凸を有する成膜面Ｍ，厚さ２０μｍ）である。成膜前のフィルムの明度Ｌ^＊は、２６．０であり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．１２％であり、平均光学濃度は、４以上である。光学多層膜４の層数は、何れも４である。
　そして、実施例２，比較例２の明度Ｌ^＊、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、実施例１と同様に測定された。
　これらの層構造等が、上記の［表１］と同様に、次の［表３］において示される。

　比較例２－１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例２－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、１８３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－１の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－１のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例２－１のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例２－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、４０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入ってい「ない」。
　又、比較例２－１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ１８３ｎｍであり、比較例２－１の特定比率Ｆは、（９＋４０）／１８３≒０．２７（２７％）となり、３４％以上となってい「ない」。
　比較例２－１の明度Ｌ^＊は、４．５８であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　比較例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　比較例２－２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例２－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、１８８ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７７ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－２のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６２ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例２－２のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例２－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、４０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入ってい「ない」。
　又、比較例２－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ１８８ｎｍであり、比較例２－２の特定比率Ｆは、（９＋４０）／１８８≒０．２６（２６％）となり、３４％以上となってい「ない」。
　比較例２－２の明度Ｌ^＊は、４．７０であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例２－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１１％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　比較例２－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　比較例２－３の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例２－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、１７７ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－３の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７９ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－３のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例２－３のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例２－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例２－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、２０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入ってい「ない」。
　又、比較例２－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ１７７ｎｍであり、比較例２－３の特定比率Ｆは、（９＋２０）／１７７≒０．１７（１７％）となり、３４％以上となってい「ない」。
　比較例２－３の明度Ｌ^＊は、５．７９であり、４．５以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例２－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１２％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　比較例２－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例２－１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例２－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、２４３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－１のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例２－１のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例２－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１００ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例２－１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２４３ｎｍであり、実施例２－１の特定比率Ｆは、（９＋１００）／２４３≒０．４５（４５％）となり、３４％以上となっている。
　実施例２－１の明度Ｌ^＊は、４．１であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例２－２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例２－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、２０３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－２のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例２－２のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例２－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例２－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　又、実施例２－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２０３ｎｍであり、実施例２－２の特定比率Ｆは、（９＋６０）／２０３≒０．３４（３４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例２－２の明度Ｌ^＊は、４．５であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例２－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００９％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例２－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４以上の範囲に入っている。

　実施例２，比較例２の何れも、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４以上となっている。
　しかし、比較例２－１，２－２，比較例２－３は、明度Ｌ^＊が４．５８，４．７０，５．７９となって４．５を超えており、この点で凹凸基材の遮光部材１としての黒さに劣る。
　これに対し、実施例２は、何れも明度Ｌ^＊が４．５以下となり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．０２％以下となり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が４以上となっていて、もやの見られない真っ黒な凹凸基材の遮光部材１となっている。
　しかも、実施例２は、黒さの質を確保しながら、光吸収層６の物理膜厚を、実施例１－１（Ｌ１で１５０ｎｍ）より減らすことができている（Ｌ１で順に１００，６０ｎｍ）。

［実施例３，比較例３］
　実施例１，２において半透明の，黒色に着色された各凹凸基材での好ましい光学多層膜４が得られたところ、無色透明の鏡面を有する基材２（鏡面基材）においても、黒さの確保が要求される場合がある。又、光学多層膜４が鏡面に形成された鏡面基材の遮光部材１の方が、凹凸基材の場合に比べ、各種の測定、及びシミュレーションが行い易く、遮光部材１の性質を把握し易い。
　そこで、まず、実施例１，比較例１における光学多層膜４の層構造を維持しながら、基材２を、無色透明の凹凸基材から、両面が鏡面である平坦な板状であり無色透明である基材２（白板ガラス，板厚２ｍｍ（ミリメートル），片面が鏡面の成膜面Ｍとなる）に代えたものが、順に実施例３（実施例３－１～３－４），比較例３（比較例３－１～３－４）として形成され、これらの性質が調べられた。当該性質として、４００～７００ｎｍ平均正反射率、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が測定された。
　次いで、実施例２，比較例２における光学多層膜４の層構造を維持しながら、基材２を、黒色に着色された凹凸基材から、実施例３と同様に無色透明の鏡面を有する基材２に代えたものが、順に実施例４（実施例４－１～４－２），比較例４（比較例４－１～４－３）として形成され、これらの性質が同様に調べられた。
　尚、実施例３，４、比較例３，４は、基材２の成膜面Ｍが鏡面であり、光学多層膜４へ直進する入射光に対する拡散反射成分がないため、これらの明度Ｌ^＊は、上記の色彩計では何れも０と測定される。
　まず、次の［表４］に、実施例３，比較例３の測定結果が示される。

　比較例３－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．６８４％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、１．０１８％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、基材が無色透明であり成膜面Ｍが鏡面である場合の好ましい範囲である２．１以上の範囲に入っている。
　比較例３－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、１．２８８％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、１．５５２％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例３－３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、２．７１０％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、２．７７４％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例３－４の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、６．６１５％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、７．５１６％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例３－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。

　実施例３－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１３７％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３３７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例３－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２８０％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５１４％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例３－３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．４５０％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．６６０％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例３－４の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１０７％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３１１％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例３－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。

　かように、比較例３－１～３－３では、最表層１０の物理膜厚が好ましい範囲外であり、４００～７００ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が、透明な鏡面基材におけるそれぞれの好ましい範囲外である。又、比較例３－４では、表層側光吸収厚Ｃが好ましい範囲外であり、４００～７００ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が、透明な鏡面基材におけるそれぞれの好ましい範囲外である。
　これに対し、実施例３は、最表層１０の物理膜厚、表層側光吸収厚Ｃ、基材側光吸収厚Ｄ、特定表層厚Ｅ及び特定比率Ｆが、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っており、４００～７００ｎｍ平均正反射率、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っている。

［実施例４，比較例４］
　次いで、次の［表５］に、実施例４，比較例４の測定結果が示される。尚、実施例１－１の光学多層膜４の構造と実施例２－１の光学多層膜４の構造とは同一であるため、実施例２－１の光学多層膜４の層構造を維持しながら、基材を無色透明の鏡面を有するものに変えた実施例は、実施例３－１と同じになる。そのため、［表５］においては、実施例３－１が再掲される。

　比較例４－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１５０％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４１９％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、１．６であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例４－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１５５％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３４０％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、１．６であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例４－３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２３７％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３８１％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　比較例４－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、１．１であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。

　実施例４－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１２９％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例４－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３０５％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例４－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．４であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例４－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１３５％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例４－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．２７７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例４－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。

　かように、比較例４－１～４－３は、基材側光吸収厚Ｄ及び特定比率Ｆが好ましい範囲外であり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、好ましい範囲外である。
　これに対し、実施例４－１～４－２は、最表層１０の物理膜厚、表層側光吸収厚Ｃ、基材側光吸収厚Ｄ、特定表層厚Ｅ及び特定比率Ｆが、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っており、４００～７００ｎｍ平均正反射率、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っている。
　そして、凹凸基材の場合に良好な結果が得られた層構造に係る光学多層膜４（実施例１，２）を、透明な鏡面基材に成膜すると（実施例３，４）、何れも４００～７００ｎｍ平均正反射率が０．４５０％以下となり、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率が０．６６０％以下となり、３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が２．１以上となることから、透明な鏡面基材におけるそれぞれの好ましい範囲内が定まったと言える。

［実施例５，比較例５］
　更に、透明な鏡面基材における各種の光学多層膜４の光学特性が検討された。
　即ち、実施例５（実施例５－１～５－２０）及び比較例５（比較例５－１～５－８）として、無色透明の鏡面基材上の様々な光学多層膜４の層構造について、実施例３，４と同様の特性が、シミュレーションにより把握された。
　実施例５，比較例５の層構造及び特性が、次の［表６］～［表１２］で示される。

　比較例５－１の光学多層膜４の層数は、３であって、４以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、１４７ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－１の最表層１０は、Ｌ３（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、８４ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－１のＬ１は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５７ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－１のＬ１は、次最表層１２である。
　比較例５－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ２（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、６ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－１の基材側光吸収層１６、及び特定表層厚Ｅは、存在し「ない」ので、比較例５－１の特定比率Ｆは、計算でき「ない」。
　比較例５－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、１．９８８％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、２．８７０％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、０．２であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－１は、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－２の光学多層膜４の層数は、３であって、４以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、２１９ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－２の最表層１０は、Ｌ３（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７０ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－２のＬ２は、Ｓｉ_３Ｎ_４層であり、その物理膜厚は、２５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－２のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例５－２の表層側光吸収層１４は、存在し「ない」ので、比較例５－２の特定比率Ｆは、計算でき「ない」。
　比較例５－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１２４ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　比較例５－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２１９ｎｍである。
　比較例５－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、１５．０８１％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、１５．６７３％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．９であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例５－２は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－３の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、２２３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－３の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７０ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－３のＬ３は、Ｓｉ_３Ｎ_４層であり、その物理膜厚は、３５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－３のＬ３は、次最表層１２である。
　比較例５－３の表層側光吸収層１４は、存在し「ない」ため、比較例５－３の特定比率Ｆは、計算でき「ない」。
　比較例５－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、８８ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　比較例５－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２２３ｎｍである。
　比較例５－３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、３４．９３３％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、３２．２４１％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例５－３は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－４の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－４の光学多層膜４の総物理膜厚は、３１８ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－４の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、１００ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－４のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－４のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例５－４の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－４の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　比較例５－４の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３１８ｎｍであり、比較例５－４の特定比率Ｆは、（９＋１５０）／３１８＝０．５０（５０％）となり、３４％以上となっている。
　比較例５－４の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、２．３８３％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、２．３６７％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４．０であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例５－４は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－５の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－５の光学多層膜４の総物理膜厚は、３２４ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－５の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－５のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、９０ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」から、比較例５－５のＬ２は、次最表層１２では「ない」。
　比較例５－５の表層側光吸収層１４及び基材側光吸収層１６は、次最表層１２の不存在により、存在し「ない」。
　比較例５－５の特定表層厚Ｅは、表層側光吸収層１４及び基材側光吸収層１６の不存在により、存在し「ない」。比較例５－５の特定比率Ｆは、表層側光吸収層１４及び基材側光吸収層１６並びに特定表層厚Ｅの不存在により、計算でき「ない」。
　比較例５－５の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、４．３４８％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－５の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、４．３１９％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－５の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４．０であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例５－５は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－６の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－６の光学多層膜４の総物理膜厚は、３０４ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－６の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－６のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、５９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－６のＬ２は、次最表層１２である。
　比較例５－６の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、２０ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－６の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　比較例５－６の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３０４ｎｍであり、比較例５－６の特定比率Ｆは、（２０＋１５０）／３０４≒０．５６（５６％）となり、３４％以上となっている。
　比較例５－６の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、９．１０４％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－６の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、１０．２４２％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－６の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４．３であり、２．１以上の範囲に入っている。
　比較例５－６は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－７の光学多層膜４の層数は、６であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－７の光学多層膜４の総物理膜厚は、４０６ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－７の最表層１０は、Ｌ６（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－７のＬ４は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－７のＬ４は、次最表層１２である。
　比較例５－７の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－７の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、３２＋１５＝４７ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入ってい「ない」。比較例５－７の基材側最大厚光吸収層１８は、Ｌ１（Ｎｂ層）である。
　比較例５－７の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ４０６ｎｍであり、比較例５－７の特定比率Ｆは、（９＋４７）／４０６≒０．１４（１４％）となり、３４％以上となってい「ない」。
　比較例５－７の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．８９２％であり、０．４５０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－７の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、１．１５５％であり、０．６６０％以下の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－７の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、１．８であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－７は、特に反射率の低減が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　比較例５－８の光学多層膜４の層数は、８であって、４以上の範囲に入っている。
　比較例５－８の光学多層膜４の総物理膜厚は、３９１ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－８の最表層１０は、Ｌ８（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－８のＬ６は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、比較例５－８のＬ６は、次最表層１２である。
　比較例５－８の表層側光吸収層１４は、Ｌ７（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１０ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　比較例５－８の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３，Ｌ５（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、３５＋５＋５＝４５ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入ってい「ない」。比較例５－８の基材側最大厚光吸収層１８は、Ｌ５（Ｎｂ層）である。
　比較例５－８の特定表層厚Ｅは、Ｌ５～Ｌ８の物理膜厚の合計である１８１ｎｍであり、比較例５－８の特定比率Ｆは、（１０＋４５）／１８１≒０．３０（３０％）となり、３４％以上となってい「ない」。
　比較例５－８の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１９８％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　比較例５－８の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５２２％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　比較例５－８の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．０であり、２．１以上の範囲に入ってい「ない」。
　比較例５－８は、特に平均光学濃度が十分でなく、黒さに向上の余地がある。

　これらに対し、実施例５－１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、３２１ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１の最表層１０は、Ｌ４（ＭｇＦ_２層）であり、その物理膜厚は、８５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１６３ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３２１ｎｍであり、実施例５－１の特定比率Ｆは、（８＋１６３）／３２１≒０．５３（５３％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１４７％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．２４７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、２８３ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、８１ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２のＬ２は、Ｓｉ_３Ｎ_４層であり、その物理膜厚は、４６ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－２のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、７ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１４９ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２８３ｎｍであり、実施例５－２の特定比率Ｆは、（７＋１４９）／２８３≒０．５５（５５％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２５４％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４５２％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－２は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－３の光学多層膜４の層数は、５であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、２５９ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－３の最表層１０は、Ｌ５（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７１ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－３のＬ４は、Ｎｂ_２Ｏ_５層であり、その物理膜厚は、１４ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」から、実施例５－３のＬ４は、次最表層１２では「ない」。実施例５－３のＬ２は、Ｎｂ_２Ｏ_５層であり、その物理膜厚は、２６ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－３のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、７ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１４１ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２５９ｎｍであり、実施例５－３の特定比率Ｆは、（７＋１４１）／２５９≒０．５７（５７％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２８６％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５９２％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－３は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－４の光学多層膜４の層数は、５であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－４の光学多層膜４の総物理膜厚は、３０２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－４の最表層１０は、Ｌ５（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７０ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－４のＬ４は、Ｎｂ_２Ｏ_５層であり、その物理膜厚は、１８ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」から、実施例５－４のＬ４は、次最表層１２では「ない」。実施例５－４のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、４３ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－４のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－４の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１２ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－４の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５９ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－４の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３０２ｎｍであり、実施例５－４の特定比率Ｆは、（１２＋１５９）／３０２≒０．５７（５７％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－４の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２６２％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４２５％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－４は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－５の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－５の光学多層膜４の総物理膜厚は、２７４ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－５の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７６ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－５のＬ２は、Ａｌ_２Ｏ_３層であり、その物理膜厚は、５０ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－５のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－５の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－５の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１４０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－５の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２７４ｎｍであり、実施例５－５の特定比率Ｆは、（８＋１４０）／２７４≒０．５４（５４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－５の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２１５％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－５の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４７０％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－５の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－５は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－６の光学多層膜４の層数は、５であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－６の光学多層膜４の総物理膜厚は、２５９ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－６の最表層１０は、Ｌ５（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７１ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－６のＬ４は、ＴｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、１４ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」から、実施例５－６のＬ４は、次最表層１２では「ない」。実施例５－６のＬ２は、ＴｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、２６ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－６のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－６の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、７ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－６の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１４１ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－６の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２５９ｎｍであり、実施例５－６の特定比率Ｆは、（７＋１４１）／２５９≒０．５７（５７％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－６の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．３１５％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－６の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．６４４％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－６の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－６は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－７の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－７の光学多層膜４の総物理膜厚は、３０２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－７の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、８０ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－７のＬ２は、ＭｇＦ_２層であり、その物理膜厚は、７７ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－７のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－７の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－７の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－７の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３０２ｎｍであり、実施例５－７の特定比率Ｆは、（９＋１５０）／３０２≒０．５３（５３％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－７の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２８４％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－７の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３４６％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－７の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－７は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－８の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－８の光学多層膜４の総物理膜厚は、２７７ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－８の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７９ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－８のＬ２は、ＺｒＯ_２層であり、その物理膜厚は、４２ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－８のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－８の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、６ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－８の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－８の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２７７ｎｍであり、実施例５－８の特定比率Ｆは、（６＋１５０）／２７７≒０．５６（５６％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－８の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２６４％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－８の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４１７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－８の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－８は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－９の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－９の光学多層膜４の総物理膜厚は、２７４ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－９の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７９ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－９のＬ２は、Ｔａ_２Ｏ_５層であり、その物理膜厚は、３９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－９のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－９の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、６ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－９の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－９の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２７４ｎｍであり、実施例５－９の特定比率Ｆは、（６＋１５０）／２７４≒０．５７（５７％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－９の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２９８％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－９の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５３８％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－９の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．７であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－９は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１０の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１０の光学多層膜４の総物理膜厚は、２９５ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１０の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７１ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１０のＬ２は、ＳｉＯ_２層層であり、その物理膜厚は、７３ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１０のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１０の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｔｉ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１６ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１０の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｔｉ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１３５ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１０の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２９５ｎｍであり、実施例５－１０の特定比率Ｆは、（１６＋１３５）／２９５≒０．５１（５１％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１０の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１９３％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１０の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４９７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１０の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．２であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１０は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１１の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１１の光学多層膜４の総物理膜厚は、３１２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１１の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７６ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１１のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、７１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１１のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１１の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（ＮｉＯ_ｘ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１５ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。ここでのＮｉＯ_ｘ層は、Ｎｉの成膜レート０．３ｎｍ／ｓにおける蒸着により形成され得るものであり、蒸着時に、酸素ガスが、２０ｓｃｃｍ導入されるものである。以下、ＮｉＯ_ｘ層は、同様に作成されたものが想定される。尚、酸素ガスの流量の変更により、ＮｉＯ_ｘの組成（ＮｉＯ_ｘにおけるｘ）は変更可能である。
　実施例５－１１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（ＮｉＯ_ｘ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３１２ｎｍであり、実施例５－１１の特定比率Ｆは、（１５＋１５０）／３１２≒０．５３（５３％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１１の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．３９３％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．６５３％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．４であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１１は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１２の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１２の光学多層膜４の総物理膜厚は、３５６ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１２の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、６２ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１２のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、３６ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１２のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１２の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｇｅ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｇｅ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、２５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３５６ｎｍであり、実施例５－１２の特定比率Ｆは、（８＋２５０）／３５６≒０．７２（７２％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１２の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．４０２％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．６３７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１２は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１３の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１３の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７７ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１３のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６３ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１３のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１３の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｃｒ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｃｒ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２９８ｎｍであり、実施例５－１３の特定比率Ｆは、（８＋１５０）／２９８≒０．５３（５３％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１３の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．１６５％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．１７０％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１３は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１４の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１４の光学多層膜４の総物理膜厚は、２２１ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１４の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７０ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１４のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、７０ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１４のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１４の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１７ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１４の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ａｌ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１４の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２２１ｎｍであり、実施例５－１４の特定比率Ｆは、（１７＋６０）／２２１＝０．３５（３５％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１４の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２４１％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１４の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５６２％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１４の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１４は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１５の光学多層膜４の層数は、４であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１５の光学多層膜４の総物理膜厚は、２０５ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１５の最表層１０は、Ｌ４（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１５のＬ２は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１５のＬ２は、次最表層１２である。
　実施例５－１５の表層側光吸収層１４は、Ｌ３（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１０ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１５の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１５の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２０５ｎｍであり、実施例５－１５の特定比率Ｆは、（１０＋６０）／２０５≒０．３４（３４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１５の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２４６％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１５の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４２７％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１５の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１５は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１６の光学多層膜４の層数は、５であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１６の光学多層膜４の総物理膜厚は、４００ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１６の最表層１０は、Ｌ５（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１６のＬ３は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１６のＬ３は、次最表層１２である。
　実施例５－１６の表層側光吸収層１４は、Ｌ４（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１０ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１６の基材側光吸収層１６は、Ｌ２（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－１６の特定表層厚Ｅは、Ｌ２～Ｌ５の物理膜厚の合計である２０６ｎｍであり、実施例５－１６の特定比率Ｆは、（１０＋６０）／２０６≒０．３４（３４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１６の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２４６％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１６の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．４２５％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１６の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１６は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１７の光学多層膜４の層数は、６であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１７の光学多層膜４の総物理膜厚は、２３０ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１７の最表層１０は、Ｌ６（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１７のＬ４は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１７のＬ４は、次最表層１２である。
　実施例５－１７の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、９ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１７の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１０＋５０＝６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。実施例５－１７の基材側最大厚光吸収層１８は、Ｌ３（Ｎｂ層）である。
　実施例５－１７の特定表層厚Ｅは、Ｌ３～Ｌ６の合計物理膜厚と同じ１９５ｎｍであり、実施例５－１７の特定比率Ｆは、（９＋６０）／１９５≒０．３５（３５％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１７の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２２４％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１７の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．３４８％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１７の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．１であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１７は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１８の光学多層膜４の層数は、６であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１８の光学多層膜４の総物理膜厚は、３８２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１８の最表層１０は、Ｌ６（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、８８ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１８のＬ４は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、８５ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１８のＬ４は、次最表層１２である。
　実施例５－１８の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、７ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１８の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１０５＋１６＝１２１ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。実施例５－１８の基材側最大厚光吸収層１８は、Ｌ１（Ｎｂ層）である。
　実施例５－１８の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３８２ｎｍであり、実施例５－１８の特定比率Ｆは、（７＋１２１）／３８２≒０．３４（３４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１８の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．３８８％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１８の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５９１％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１８の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．７であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１８は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－１９の光学多層膜４の層数は、８であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－１９の光学多層膜４の総物理膜厚は、４００ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１９の最表層１０は、Ｌ８（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１９のＬ６は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、６１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－１９のＬ６は、次最表層１２である。
　実施例５－１９の表層側光吸収層１４は、Ｌ７（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、１０ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－１９の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３，Ｌ５（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、５＋５＋５０＝６０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。実施例５－１９の基材側最大厚光吸収層１８は、Ｌ５（Ｎｂ層）である。
　実施例５－１９の特定表層厚Ｅは、Ｌ５～Ｌ８の合計物理膜厚と同じ１９６ｎｍであり、実施例５－１９の特定比率Ｆは、（１０＋６０）／１９６≒０．３６（３６％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－１９の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．２７４％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１９の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．５４０％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－１９の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、２．３であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－１９は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　実施例５－２０の光学多層膜４の層数は、６であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例５－２０の光学多層膜４の総物理膜厚は、３４９ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２０の最表層１０は、Ｌ６（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、９１ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２０のＬ４は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、７９ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例５－２０のＬ４は、次最表層１２である。
　実施例５－２０の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例５－２０の基材側光吸収層１６は、Ｌ１，Ｌ３（Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、９０＋１９＝１０９ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例５－２０の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ３４９ｎｍであり、実施例５－２０の特定比率Ｆは、（８＋１０９）／３４９≒０．３４（３４％）となり、３４％以上となっている。
　実施例５－２０の４００～７００ｎｍ平均正反射率は、０．４４７％であり、０．４５０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－２０の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．６５６％であり、０．６６０％以下の範囲に入っている。
　実施例５－２０の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、３．４であり、２．１以上の範囲に入っている。
　実施例５－２０は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。

　かように、実施例５－１～５－２０は、光学多層膜４の層数及び総物理膜厚、最表層１０の物理膜厚、表層側光吸収厚Ｃ、基材側光吸収厚Ｄ、特定表層厚Ｅ及び特定比率Ｆが、何れもそれぞれの好ましい範囲内に入っており、４００～７００ｎｍ平均正反射率、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率、及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、何れも透明な鏡面基材におけるそれぞれの好ましい範囲内に入っている。

［実施例６］
　基材２の表面粗さが０．４μｍ以上１．０以下の範囲内で異なる複数の場合について、実施例６（実施例６－１～６－３）の形成により確認された。実施例６－１～６－２は、実施例２－１（黒色凹凸基材，表面粗さ０．６μｍ）に対し、表面粗さが異なる黒色凹凸基材にそれぞれ変更したものである。
　実施例６－１の基材の表面粗さは、０．４μｍである。実施例６－１の基材（成膜前）の明度Ｌ^＊は、２２．４である。実施例６－１の基材の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．２３％である。実施例６－１の基材の平均光学濃度は、４以上である。
　実施例６－２の基材の表面粗さは、０．５μｍである。実施例６－２の基材（成膜前）の明度Ｌ^＊は、１３．４である。実施例６－２の基材の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０２％である。実施例６－２の基材の平均光学濃度は、４以上である。

　更に、実施例６－３は、次の基材に、下記［表１３］に示される光学多層膜４を成膜したものである。
　実施例６－３の基材の表面粗さは、１．０μｍである。実施例６－３の基材（成膜前）の明度Ｌ^＊は、２２．３である。実施例６－３の基材の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０８％である。実施例６－３の基材の平均光学濃度は、４以上である。
　実施例６－３の光学多層膜４の層数は、７であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例６－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、２９２ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例６－３の最表層１０は、Ｌ７（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例６－３のＬ３は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、４１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例６－３のＬ３は、次最表層１２である。
　実施例６－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ６（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。ここで、Ｌ６，Ｌ１のＳｉ＋Ｎｂ層は、次のように作製され得るものである。即ち、Ｓｉが成膜レート０．２１ｎｍ／ｓでスパッタされ、同時にＮｂが成膜レート０．２０ｎｍ／ｓでスパッタされて、Ｓｉ＋Ｎｂ層とされる。成膜レートの比から計算されるＳｉとＮｂとの比（体積比）は、Ｓｉ：Ｎｂ＝５１：４９程度であり、Ｓｉ＋Ｎｂ層は、Ｓｉが過半となる混合膜である。Ｓｉ：Ｎｂは、成膜レート等の成膜条件により変更可能である。成膜されたＳｉ＋Ｎｂ層における正確なＳｉ：Ｎｂの値は、顕微鏡等による膨大な範囲の観察を要するため、当業者であったとしても、提示し難い。
　実施例６－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５０ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例６－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２９２ｎｍであり、実施例６－３の特定比率Ｆは、（８＋１５０）／２９２≒０．５４（５４％）となり、３４％以上となっている。

　実施例６及び実施例２－１（再掲）の表面粗さ及び確認結果が、次の［表１４］に示される。尚、実施例６－１～６－２の層構造は、実施例１－１，２－１（上記［表１］，［表３］）と同じである。

　実施例６－１（表面粗さ０．４μｍ）の明度Ｌ^＊は、３．００であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例６－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１１％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例６－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例６－２（表面粗さ０．５μｍ）の明度Ｌ^＊は、１．９４であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例６－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００８％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例６－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例２－１（表面粗さ０．６μｍ）の明度Ｌ^＊は、２．９６であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０１０％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例２－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例６－３（表面粗さ１．０μｍ）の明度Ｌ^＊は、３．６５であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例６－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００６％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例６－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例６－１～６－２，実施例２－１及び実施例６－３は、基材２の表面粗さが０．４μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内でそれぞれ異なるものの、何れも明度Ｌ^＊、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度において、凹凸基材に係る好ましい範囲となり、真っ黒な遮光部材１となっている。

［実施例７］
　小型化が進むカメラモジュールでは、遮光フィルムも薄くなっているため、光学多層膜４を成膜する場合には、光学多層膜４の応力によるフィルム基材の反りが、板状の基材の場合に比べて発生し易い。光学部材１における反りの発生により、光学部材１における所望の機能の発揮が抑制されたり、光学部材１がカメラモジュールに収められなかったりすることがある。即ち、フィルム基材（薄型基材）の遮光部材１における反りの抑制が求められることがある。
　そこで、実施例７では、厚さ２５μｍの黒色凹凸基材であるフィルムの片面に対し光学多層膜４を形成した後、３０ｍｍ角に切断したもの（実施例７－１～７－３）における反りの発生が調べられた。尚、実施例７の各基材の表面粗さは、０．６μｍであり、成膜前の各基材の明度Ｌ^＊は、１９．３であり、成膜前の各基材の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．０６％であり、成膜前の各基材の平均光学濃度は、４以上である。
　図２は、遮光部材１の反りについての模式図である。光学多層膜４（各層）の材質により、光学多層膜４において応力が生じ、比較的に大きく厚い基材２では応力に耐えて反りが生じないものの、比較的に小さく薄い基材２では光学多層膜４の応力が基材２を反らせる。遮光部材１に係る光学多層膜４では、実施例７を含む多くの場合、応力が生じ、光学多層膜４（成膜面Ｍ）側に凸となるような反りが生じ得る。応力の大きさは、応力を有する材質の使用量と概ね比例関係にある。反りの程度は、実施例７の遮光部材１を、水平な試験台Ｔに、光学多層膜４側を下にして静置した際の、試験台Ｔからの最大の高さである最大反り量Ｈで測られる。
　又、実施例７の明度Ｌ^＊、３８０～７８０ｎｍ平均正反射率及び３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度が、実施例１と同様に測定された。
　これらの層構造等が、上記の［表１］と同様に、次の［表１５］において示される。

　実施例７－１の光学多層膜４の層数は、７であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例７－１の光学多層膜４の総物理膜厚は、２９７ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－１の最表層１０は、Ｌ７（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－１のＬ３は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、４１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例７－１のＬ３は、次最表層１２である。
　実施例７－１の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。Ｓｉ＋Ｎｂ層の成膜は、上述の通りであり、実施例７において同様である。
　実施例７－１の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、１５５ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例７－１の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ２９７ｎｍであり、実施例７－１の特定比率Ｆは、（８＋１５５）／２９７≒０．５５（５５％）となり、３４％以上となっている。

　実施例７－１の明度Ｌ^＊は、３．４０であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例７－１の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００７％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例７－１の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例７－１は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。
　実施例７－１の最大反り量Ｈは、２．０ｍｍであり、比較的に小さい。

　実施例７－２の光学多層膜４の層数は、７であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例７－２の光学多層膜４の総物理膜厚は、４００ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－２の最表層１０は、Ｌ７（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－２のＬ３は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、４１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例７－２のＬ３は、次最表層１２である。
　実施例７－２の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－２の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、２５８ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例７－２の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ４００ｎｍであり、実施例７－２の特定比率Ｆは、（８＋２５８）／４００≒０．６７（６７％）となり、３４％以上となっている。

　実施例７－２の明度Ｌ^＊は、２．９７であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例７－２の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００６％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例７－２の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例７－２は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。
　実施例７－２の最大反り量Ｈは、２．５ｍｍであり、比較的に小さい。

　実施例７－３の光学多層膜４の層数は、７であって、４以上の範囲に入っている。
　実施例７－３の光学多層膜４の総物理膜厚は、５００ｎｍであって、４００ｎｍ以下の範囲に入ってい「ない」。尚、請求項１に従属する請求項２において、光学多層膜４の総物理膜厚が４００ｎｍ以下である事項が、特定される。
　実施例７－３の最表層１０は、Ｌ７（ＳｉＯ_２層）であり、その物理膜厚は、７５ｎｍであって、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－３のＬ３は、ＳｉＯ_２層であり、その物理膜厚は、４１ｎｍであって、２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下の範囲に入っているから、実施例７－３のＬ３は、次最表層１２である。
　実施例７－３の表層側光吸収層１４は、Ｌ５（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、表層側光吸収厚Ｃは、８ｎｍであって、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲に入っている。
　実施例７－３の基材側光吸収層１６は、Ｌ１（Ｓｉ＋Ｎｂ層）であり、基材側光吸収厚Ｄは、３５８ｎｍであって、６０ｎｍ以上の範囲に入っている。
　実施例７－３の特定表層厚Ｅは、全物理膜厚と同じ５００ｎｍであり、実施例７－３の特定比率Ｆは、（８＋３５８）／５００≒０．７３（７３％）となり、３４％以上となっている。

　実施例７－３の明度Ｌ^＊は、２．７３であり、４．５以下の範囲に入っている。
　実施例７－３の３８０～７８０ｎｍ平均正反射率は、０．００５％であり、０．０２％以下の範囲に入っている。
　実施例７－３の３８０～７８０ｎｍ平均光学濃度は、４以上であり、４．０以上の範囲に入っている。
　実施例７－３は、高光学濃度及び低反射率の両面において、優れた黒さを有するものである。
　実施例７－３の最大反り量Ｈは、３．５ｍｍであり、比較的に大きい。反りの程度を抑制する観点から、光学多層膜４の総物理膜厚は、３０ｍｍ角で厚さ２５μｍの基材において最大反り量Ｈが２．５ｍｍ以下となる、４００ｎｍ以下であることが好ましい。

　１・・遮光部材、２・・基材、４・・光学多層膜、６・・光吸収層、８・・誘電体層、１０・・最表層、１２・・次最表層、１４・・表層側光吸収層、１６・・基材側光吸収層、１８・・基材側最大厚光吸収層、Ｃ・・表層側光吸収厚、Ｄ・・基材側光吸収厚、Ｅ・・特定表層厚、Ｍ・・成膜面。

Claims

　基材と、
　前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、
を備えており、
　前記光学多層膜は、可視光を吸収する光吸収層と誘電体製の層である誘電体層とが、４層以上で配置されたものであり、
　前記基材から最も遠い層である最表層は、前記誘電体層であり、
　前記最表層の物理膜厚は、６２ｎｍ以上９１ｎｍ以下であり、
　物理膜厚が２６ｎｍ以上８５ｎｍ以下である前記誘電体層であって前記最表層に最も近いものである次最表層と、前記最表層との間に配置された、１以上の前記光吸収層の物理膜厚の合計である表層側光吸収厚は、６ｎｍ以上１７ｎｍ以下であり、
　前記次最表層と前記基材との間に配置された、１以上の前記光吸収層の物理膜厚の合計である基材側光吸収厚は、６０ｎｍ以上であり、
　前記次最表層と前記基材との間に配置された前記光吸収層のうち最も物理膜厚の大きい層である基材側最大厚光吸収層から、前記最表層までの物理膜厚の合計である特定表層厚を割る数とし、前記表層側光吸収厚と前記基材側光吸収厚との和を割られる数とした場合の商である特定比率は、０．３４以上である
ことを特徴とする遮光部材。
　前記光学多層膜の総物理膜厚は、４００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の遮光部材。
　前記成膜面は、凹凸を有しており、
　前記成膜面の表面粗さは、１．０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遮光部材。
　前記基材は、黒色に着色されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れかに記載の遮光部材。
　前記光吸収層は、金属あるいは金属の不飽和酸化物を含んでいる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れかに記載の遮光部材。
　前記光吸収層の主成分は、Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｓｉ及びＣｒ、並びにこれらの各不飽和酸化物のうちの少なくとも何れかである
ことを特徴とする請求項５に記載の遮光部材。
　前記誘電体層は、金属化合物を含んでいる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れかに記載の遮光部材。
　前記誘電体層の主成分は、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＮ_ｙＯ_ｚの少なくとも何れかである
ことを特徴とする請求項７に記載の遮光部材。
　前記最表層の主成分は、ＳｉＯ_２及びＭｇＦ_２の少なくとも一方である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８の何れかに記載の遮光部材
　基材と、
　前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、
を備えており、
　前記成膜面は、凹凸を有しており、
　入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度が、４．０以上であり、
　入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．０２％以下であり、
　Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系測定（ＪＩＳＺ８７２９）における明度Ｌ^＊が、４．５以下である
ことを特徴とする遮光部材。
　透明な基材と、
　前記基材の１以上の面である成膜面に配置される光学多層膜と、
を備えており、
　前記成膜面は、鏡面であり、
　入射角が０°以上８°以下の光に対する４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．４５０％以下であり、
　入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均正反射率が、０．６６０％以下であり、
　入射角が０°以上８°以下の光に対する３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長域における平均光学濃度が、２．１以上である
ことを特徴とする遮光部材。