JP2001242302A - 光吸収性反射防止膜、表示装置およびそれらの製造方法 - Google Patents
光吸収性反射防止膜、表示装置およびそれらの製造方法Info
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- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3668—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
- C03C17/3676—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use as electromagnetic shield
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光反射防止、光透過率およびその波長分布の調
整、および電磁波の不要輻射の低減が可能である光吸収
性反射防止膜、およびそれを含む表示装置とそれらの製
造方法を提供する。 【解決手段】ガラス基材１１上に形成された顔料微粒子
を含む１０ｎｍ以上の物理的膜厚を有する光吸収膜１２
と、光吸収膜１２上に形成され、光干渉によって入射光
に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜１３とを有
し、反射防止多層膜１３の少なくとも１層が表面抵抗１
０００Ω／□以下の導電性薄膜である光吸収性反射防止
膜１０、およびそれを含む表示装置とそれらの製造方
法。
整、および電磁波の不要輻射の低減が可能である光吸収
性反射防止膜、およびそれを含む表示装置とそれらの製
造方法を提供する。 【解決手段】ガラス基材１１上に形成された顔料微粒子
を含む１０ｎｍ以上の物理的膜厚を有する光吸収膜１２
と、光吸収膜１２上に形成され、光干渉によって入射光
に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜１３とを有
し、反射防止多層膜１３の少なくとも１層が表面抵抗１
０００Ω／□以下の導電性薄膜である光吸収性反射防止
膜１０、およびそれを含む表示装置とそれらの製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光吸収性反射防止
膜およびこれを用いた表示装置に関し、特にフラットパ
ネルガラスを使用した陰極線管（ＣＲＴ；ｃａｔｈｏｄ
ｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）などの表示装置に対応した、高
コントラスト化が可能である光吸収性反射防止膜および
これをフラットパネルガラスの反射防止膜として用いた
表示装置に関する。また、本発明は上記の光吸収性反射
防止膜および表示装置の製造方法に関する。
膜およびこれを用いた表示装置に関し、特にフラットパ
ネルガラスを使用した陰極線管（ＣＲＴ；ｃａｔｈｏｄ
ｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）などの表示装置に対応した、高
コントラスト化が可能である光吸収性反射防止膜および
これをフラットパネルガラスの反射防止膜として用いた
表示装置に関する。また、本発明は上記の光吸収性反射
防止膜および表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置、例えば陰極線管のフェ
ースパネル外表面形状のフラット化が進められている。
一般に、陰極線管のフェースパネルは防爆特性をもたせ
るために、コーナー部がセンター部に対して厚くなるよ
うに形成される。陰極線管のフェースパネル外表面形状
をフラット化した場合には、フェースパネル外表面が曲
面である場合と比較して、陰極線管の爆縮に対する機械
的な強度が低下する。したがって、陰極線管の防爆特性
を維持するためにはフェースパネルのセンター部とコー
ナー部とのパネル肉厚差を大きくする必要がある。
ースパネル外表面形状のフラット化が進められている。
一般に、陰極線管のフェースパネルは防爆特性をもたせ
るために、コーナー部がセンター部に対して厚くなるよ
うに形成される。陰極線管のフェースパネル外表面形状
をフラット化した場合には、フェースパネル外表面が曲
面である場合と比較して、陰極線管の爆縮に対する機械
的な強度が低下する。したがって、陰極線管の防爆特性
を維持するためにはフェースパネルのセンター部とコー
ナー部とのパネル肉厚差を大きくする必要がある。
【０００３】陰極線管のコントラストはパネルガラスの
光吸収と外光に対する蛍光面の反射率によって主に決定
される。従来の陰極線管においては、パネルガラスにお
ける光吸収をある程度大きくし、蛍光面の反射率を低減
することにより高コントラスト化が図られていた。しか
しながら、フェースパネル外表面形状のフラット化に伴
い、パネル肉厚差に応じた光透過率の差が生じると、こ
れに起因して、輝度の均一性が低下する。したがって、
パネルのセンターとコーナー部でともに最適なコントラ
ストを得ることは困難となる。上記の問題に対して、ガ
ラス透過率を高くし、かつパネルガラス表面に形成され
る反射防止膜に光吸収性を付与することにより、総合透
過率を等価とし、良好なコントラストを得るようにして
いる。
光吸収と外光に対する蛍光面の反射率によって主に決定
される。従来の陰極線管においては、パネルガラスにお
ける光吸収をある程度大きくし、蛍光面の反射率を低減
することにより高コントラスト化が図られていた。しか
しながら、フェースパネル外表面形状のフラット化に伴
い、パネル肉厚差に応じた光透過率の差が生じると、こ
れに起因して、輝度の均一性が低下する。したがって、
パネルのセンターとコーナー部でともに最適なコントラ
ストを得ることは困難となる。上記の問題に対して、ガ
ラス透過率を高くし、かつパネルガラス表面に形成され
る反射防止膜に光吸収性を付与することにより、総合透
過率を等価とし、良好なコントラストを得るようにして
いる。
【０００４】このような反射防止膜としては例えば、光
吸収膜とシリカ膜との２層構造で、反射防止・光吸収性
・導電性の各機能を併せ持つ光吸収性反射防止体（特開
平９−１５６９６４号公報参照）が知られている。この
光吸収性反射防止体によれば、パネルガラス透過率を例
えば５０％から８０％と高くして、一方、光吸収性反射
防止体の透過率を可視光領域で例えば８０％から５０％
と低くする。これにより、パネルガラス透過率が低く、
かつ光吸収性反射防止体の透過率が高い場合と等価なコ
ントラストが得られている。同様な反射防止膜として、
ガラス／ＳｎＯ2 （酸化スズ）／ＴｉＮ（窒化チタン）
／ＳｎＯ2 ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）構造を
持つ導電性光減衰型反射防止被膜（特表平６−５１０３
８２号公報参照）なども知られている。
吸収膜とシリカ膜との２層構造で、反射防止・光吸収性
・導電性の各機能を併せ持つ光吸収性反射防止体（特開
平９−１５６９６４号公報参照）が知られている。この
光吸収性反射防止体によれば、パネルガラス透過率を例
えば５０％から８０％と高くして、一方、光吸収性反射
防止体の透過率を可視光領域で例えば８０％から５０％
と低くする。これにより、パネルガラス透過率が低く、
かつ光吸収性反射防止体の透過率が高い場合と等価なコ
ントラストが得られている。同様な反射防止膜として、
ガラス／ＳｎＯ2 （酸化スズ）／ＴｉＮ（窒化チタン）
／ＳｎＯ2 ／ＴｉＮ／ＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）構造を
持つ導電性光減衰型反射防止被膜（特表平６−５１０３
８２号公報参照）なども知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開平９−１５６９６４号公報記載の光吸収性反射防止
体によれば、光吸収性反射防止体の透過率を低くするた
めに光吸収性反射防止体全体の膜厚を厚くする必要があ
る。したがって、パネルガラスと光吸収膜の屈折率の差
が大きい場合には、ガラス側から入射する光がガラスと
光吸収膜との界面で反射し、反射光が再びガラス表面等
で反射して像が２重に見える、あるいは虚像が見えると
いう不具合が生じる。
特開平９−１５６９６４号公報記載の光吸収性反射防止
体によれば、光吸収性反射防止体の透過率を低くするた
めに光吸収性反射防止体全体の膜厚を厚くする必要があ
る。したがって、パネルガラスと光吸収膜の屈折率の差
が大きい場合には、ガラス側から入射する光がガラスと
光吸収膜との界面で反射し、反射光が再びガラス表面等
で反射して像が２重に見える、あるいは虚像が見えると
いう不具合が生じる。
【０００６】例えば、陰極線管の場合には、蛍光面から
の発光がガラスと光吸収膜との界面で反射し、反射光が
再び蛍光面で反射することにより、像が２重に見える。
特に、上記の特開平９−１５６９６４号公報記載の光吸
収性反射防止体によれば、光吸収膜として好適にはチタ
ン、ジルコニウムまたはハフニウムの窒化物を用いるた
め、パネルガラスと光吸収膜との屈折率の差が大きく、
虚像が問題となりやすい。
の発光がガラスと光吸収膜との界面で反射し、反射光が
再び蛍光面で反射することにより、像が２重に見える。
特に、上記の特開平９−１５６９６４号公報記載の光吸
収性反射防止体によれば、光吸収膜として好適にはチタ
ン、ジルコニウムまたはハフニウムの窒化物を用いるた
め、パネルガラスと光吸収膜との屈折率の差が大きく、
虚像が問題となりやすい。
【０００７】一方、特表平６−５１０３８２号公報に開
示の導電性光減衰型反射防止被膜では、ガラス側から第
１層目の透明膜の屈折率・膜厚を最適化することによ
り、ガラス面側からの入射光を減衰させることは可能で
あるが、膜構成が増えることによるデメリットが多い。
例えば、プロセス数の増加により製造コストが上昇す
る。また、光吸収性を持つ薄膜材料として、光学定数の
波長分散を考慮して最適なものを得るのは非常に困難で
あり、例えば、陰極線管のＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青紫）
発光スペクトル比を考慮した材料設計をするには不向き
である。
示の導電性光減衰型反射防止被膜では、ガラス側から第
１層目の透明膜の屈折率・膜厚を最適化することによ
り、ガラス面側からの入射光を減衰させることは可能で
あるが、膜構成が増えることによるデメリットが多い。
例えば、プロセス数の増加により製造コストが上昇す
る。また、光吸収性を持つ薄膜材料として、光学定数の
波長分散を考慮して最適なものを得るのは非常に困難で
あり、例えば、陰極線管のＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青紫）
発光スペクトル比を考慮した材料設計をするには不向き
である。
【０００８】上記以外にも、陰極線管の表示品質を向上
させる目的でパネルガラス表面に形成される構造物とし
て、光反射防止、光透過率調整、透過する光の波長分布
を調整することによるコントラストの向上、表面抵抗値
の制御による不要輻射の低減の機能をもつものが多数提
案されている。
させる目的でパネルガラス表面に形成される構造物とし
て、光反射防止、光透過率調整、透過する光の波長分布
を調整することによるコントラストの向上、表面抵抗値
の制御による不要輻射の低減の機能をもつものが多数提
案されている。
【０００９】例えば、特開平６−２０８００３号公報に
は、色素を含有する層を少なくとも１層有する多層構造
の反射防止膜が開示されている。特開平１０−２１８５
８号公報にはフラーレンを含有させることにより高コン
トラスト化と帯電防止を可能とした、多層構造の反射防
止膜が開示されている。特開平４−３３４８５３号公報
には、５０％以下の光透過率を有するパネルガラスの表
面に形成される、染料または顔料と導電性フィラーとを
含有する多層構造の反射防止膜が開示されている。
は、色素を含有する層を少なくとも１層有する多層構造
の反射防止膜が開示されている。特開平１０−２１８５
８号公報にはフラーレンを含有させることにより高コン
トラスト化と帯電防止を可能とした、多層構造の反射防
止膜が開示されている。特開平４−３３４８５３号公報
には、５０％以下の光透過率を有するパネルガラスの表
面に形成される、染料または顔料と導電性フィラーとを
含有する多層構造の反射防止膜が開示されている。
【００１０】これらの反射防止膜においては、反射防止
膜を構成する各層がスピンコート法やディップコート法
などのウェットコーティングにより形成されている。し
たがって、膜質の均一性や表面硬度が十分に得られない
ことがある。また、導電性フィラーを添加して反射防止
膜に導電性をもたせる場合、導電性を高くするためには
導電性フィラーを高濃度に分散させなければならず、導
電性フィラーの凝集などの問題が生じる。以上のよう
に、光反射防止、コントラストの向上、不要輻射の低減
のいずれについても高い効果が得られる反射防止膜は実
現していない。
膜を構成する各層がスピンコート法やディップコート法
などのウェットコーティングにより形成されている。し
たがって、膜質の均一性や表面硬度が十分に得られない
ことがある。また、導電性フィラーを添加して反射防止
膜に導電性をもたせる場合、導電性を高くするためには
導電性フィラーを高濃度に分散させなければならず、導
電性フィラーの凝集などの問題が生じる。以上のよう
に、光反射防止、コントラストの向上、不要輻射の低減
のいずれについても高い効果が得られる反射防止膜は実
現していない。
【００１１】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、したがって本発明は、反射防止機能および導電
性を有し、高コントラスト化が可能である光吸収性反射
防止膜を提供することを目的とする。また本発明は、表
示品質が向上された表示装置を提供することを目的とす
る。さらに本発明は、上記のような光吸収性反射防止膜
あるいはそれを用いた表示装置を簡略なプロセスで製造
し、製造コストの上昇を抑制できる製造方法を提供する
ことを目的とする。
であり、したがって本発明は、反射防止機能および導電
性を有し、高コントラスト化が可能である光吸収性反射
防止膜を提供することを目的とする。また本発明は、表
示品質が向上された表示装置を提供することを目的とす
る。さらに本発明は、上記のような光吸収性反射防止膜
あるいはそれを用いた表示装置を簡略なプロセスで製造
し、製造コストの上昇を抑制できる製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光吸収性反射防止膜は、第１面側からの入
射光を所定の透過率で透過させ、第２面側からの入射光
に対する反射光を前記反射防止多層膜における光干渉に
よって減衰させる光吸収性反射防止膜であって、前記第
１面に形成された、顔料微粒子を含む光吸収膜と、前記
第２面に形成された、前記光吸収膜に接する反射防止多
層膜と、前記反射防止多層膜に含まれる少なくとも１層
の導電性薄膜とを有することを特徴とする。
め、本発明の光吸収性反射防止膜は、第１面側からの入
射光を所定の透過率で透過させ、第２面側からの入射光
に対する反射光を前記反射防止多層膜における光干渉に
よって減衰させる光吸収性反射防止膜であって、前記第
１面に形成された、顔料微粒子を含む光吸収膜と、前記
第２面に形成された、前記光吸収膜に接する反射防止多
層膜と、前記反射防止多層膜に含まれる少なくとも１層
の導電性薄膜とを有することを特徴とする。
【００１３】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記光吸収膜の物理的膜厚は、ほぼ前記顔料微粒子
の粒径以上であり、前記光吸収膜の膜質が均一となる範
囲で設定されることを特徴とする。本発明の光吸収性反
射防止膜は、好適には、前記光吸収膜の物理的膜厚は、
ほぼ１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらに好適には、
ほぼ１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることを特徴と
する。また、本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記光吸収膜の物理的膜厚は、前記顔料微粒子が凝
集した二次的な粒径以上であることを特徴とする。
は、前記光吸収膜の物理的膜厚は、ほぼ前記顔料微粒子
の粒径以上であり、前記光吸収膜の膜質が均一となる範
囲で設定されることを特徴とする。本発明の光吸収性反
射防止膜は、好適には、前記光吸収膜の物理的膜厚は、
ほぼ１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらに好適には、
ほぼ１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることを特徴と
する。また、本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記光吸収膜の物理的膜厚は、前記顔料微粒子が凝
集した二次的な粒径以上であることを特徴とする。
【００１４】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記光吸収膜は有機顔料微粒子を含むことを特徴と
する。あるいは、本発明の光吸収性反射防止膜は、好適
には、前記光吸収膜は無機顔料微粒子を含むことを特徴
とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前
記導電性薄膜の表面抵抗はほぼ５０Ω／□以上１０００
Ω／□以下であることを特徴とする。
は、前記光吸収膜は有機顔料微粒子を含むことを特徴と
する。あるいは、本発明の光吸収性反射防止膜は、好適
には、前記光吸収膜は無機顔料微粒子を含むことを特徴
とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前
記導電性薄膜の表面抵抗はほぼ５０Ω／□以上１０００
Ω／□以下であることを特徴とする。
【００１５】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記所定の透過率は、前記顔料微粒子の種類および
配合割合の選択により制御されることを特徴とする。本
発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記所定の透
過率は、４５０ｎｍから６５０ｎｍの波長の光に対して
ほぼ４０％以上９５％以下であることを特徴とする。
は、前記所定の透過率は、前記顔料微粒子の種類および
配合割合の選択により制御されることを特徴とする。本
発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記所定の透
過率は、４５０ｎｍから６５０ｎｍの波長の光に対して
ほぼ４０％以上９５％以下であることを特徴とする。
【００１６】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記第１面側からの入射光に対する、前記光吸収膜
と前記反射防止多層膜との界面における反射率である第
１の反射率は、前記第１面側からの入射光の前記界面に
おける反射光が、前記第１面において前記第１面側から
の入射光と目視で識別できる虚像を形成しないような範
囲で設定されることを特徴とする。本発明の光吸収性反
射防止膜は、好適には、前記第１の反射率はほぼ０．１
％以上１０％以下、さらに好適には、前記第１の反射率
はほぼ５％以下であることを特徴とする。
は、前記第１面側からの入射光に対する、前記光吸収膜
と前記反射防止多層膜との界面における反射率である第
１の反射率は、前記第１面側からの入射光の前記界面に
おける反射光が、前記第１面において前記第１面側から
の入射光と目視で識別できる虚像を形成しないような範
囲で設定されることを特徴とする。本発明の光吸収性反
射防止膜は、好適には、前記第１の反射率はほぼ０．１
％以上１０％以下、さらに好適には、前記第１の反射率
はほぼ５％以下であることを特徴とする。
【００１７】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記第２面側からの入射光に対する、前記光吸収膜
と前記反射防止多層膜との界面における反射率である第
２の反射率は、前記第２面側からの入射光の前記界面に
おける反射光が、前記反射防止多層膜における前記光干
渉にほぼ影響しない範囲で設定されることを特徴とす
る。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記第
２の反射率はほぼ１．０％以下であることを特徴とす
る。
は、前記第２面側からの入射光に対する、前記光吸収膜
と前記反射防止多層膜との界面における反射率である第
２の反射率は、前記第２面側からの入射光の前記界面に
おける反射光が、前記反射防止多層膜における前記光干
渉にほぼ影響しない範囲で設定されることを特徴とす
る。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記第
２の反射率はほぼ１．０％以下であることを特徴とす
る。
【００１８】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記導電性薄膜は窒化遷移金属膜を含むことを特徴
とする。あるいは、本発明の光吸収性反射防止膜は、好
適には、前記導電性薄膜は金属薄膜を含むことを特徴と
する。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記
反射防止多層膜は、前記第２面の最表層にシリカ膜を有
することを特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜
は、好適には、前記シリカ膜の屈折率はほぼ１．５２以
下であり、前記シリカ膜の物理的膜厚はほぼ７０〜１１
０ｎｍであることを特徴とする。
は、前記導電性薄膜は窒化遷移金属膜を含むことを特徴
とする。あるいは、本発明の光吸収性反射防止膜は、好
適には、前記導電性薄膜は金属薄膜を含むことを特徴と
する。本発明の光吸収性反射防止膜は、好適には、前記
反射防止多層膜は、前記第２面の最表層にシリカ膜を有
することを特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜
は、好適には、前記シリカ膜の屈折率はほぼ１．５２以
下であり、前記シリカ膜の物理的膜厚はほぼ７０〜１１
０ｎｍであることを特徴とする。
【００１９】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記反射防止多層膜は、前記第２面の最表層にフッ
化マグネシウム膜を有することを特徴とする。本発明の
光吸収性反射防止膜は、好適には、前記フッ化マグネシ
ウム膜の屈折率はほぼ１．５２以下であり、前記フッ化
マグネシウム膜の物理的膜厚はほぼ７０〜１１０ｎｍで
あることを特徴とする。
は、前記反射防止多層膜は、前記第２面の最表層にフッ
化マグネシウム膜を有することを特徴とする。本発明の
光吸収性反射防止膜は、好適には、前記フッ化マグネシ
ウム膜の屈折率はほぼ１．５２以下であり、前記フッ化
マグネシウム膜の物理的膜厚はほぼ７０〜１１０ｎｍで
あることを特徴とする。
【００２０】本発明の光吸収性反射防止膜は、好適に
は、前記光吸収膜の屈折率はほぼ１．４０以上１．６５
以下、さらに好適には、１．４５以上１．５５以下であ
ることを特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、
好適には、前記反射防止多層膜はＰＶＤ膜を含むことを
特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、さらに好
適には、前記反射防止多層膜はスパッタリング膜を含む
ことを特徴とする。
は、前記光吸収膜の屈折率はほぼ１．４０以上１．６５
以下、さらに好適には、１．４５以上１．５５以下であ
ることを特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、
好適には、前記反射防止多層膜はＰＶＤ膜を含むことを
特徴とする。本発明の光吸収性反射防止膜は、さらに好
適には、前記反射防止多層膜はスパッタリング膜を含む
ことを特徴とする。
【００２１】上記の目的を達成するため、本発明の表示
装置は、画像が表示される表示部と、前記表示部上に形
成され、前記表示部側である第１面側からの入射光を所
定の透過率で透過させ、第２面側からの入射光に対する
反射光を減衰させる光吸収性反射防止多層膜とを有し、
前記光吸収性反射防止多層膜は、前記第１面に形成され
た、顔料微粒子を含む光吸収膜と、前記第２面に形成さ
れた、前記光吸収膜に接する反射防止多層膜と、前記反
射防止多層膜に含まれる少なくとも１層の導電性薄膜と
を有することを特徴とする。本発明の表示装置は、好適
には、前記表示部の表面はほぼ平面であることを特徴と
する。
装置は、画像が表示される表示部と、前記表示部上に形
成され、前記表示部側である第１面側からの入射光を所
定の透過率で透過させ、第２面側からの入射光に対する
反射光を減衰させる光吸収性反射防止多層膜とを有し、
前記光吸収性反射防止多層膜は、前記第１面に形成され
た、顔料微粒子を含む光吸収膜と、前記第２面に形成さ
れた、前記光吸収膜に接する反射防止多層膜と、前記反
射防止多層膜に含まれる少なくとも１層の導電性薄膜と
を有することを特徴とする。本発明の表示装置は、好適
には、前記表示部の表面はほぼ平面であることを特徴と
する。
【００２２】上記の構成の光吸収性反射防止膜およびこ
れを用いた表示装置において、光吸収膜に顔料微粒子を
含有させ、顔料微粒子の種類および配合割合を適宜選択
することにより、透過率や透過率の波長分布を任意に制
御することが可能である。その結果、表示装置のＲＧＢ
輝度を考慮した選択吸収フィルタを実現できる。また、
反射防止多層膜は、光干渉によって入射光に対する反射
光を減衰させるとともに、その少なくとも一つの層が導
電性薄膜からなることで、不要輻射を低減することがで
きる。
れを用いた表示装置において、光吸収膜に顔料微粒子を
含有させ、顔料微粒子の種類および配合割合を適宜選択
することにより、透過率や透過率の波長分布を任意に制
御することが可能である。その結果、表示装置のＲＧＢ
輝度を考慮した選択吸収フィルタを実現できる。また、
反射防止多層膜は、光干渉によって入射光に対する反射
光を減衰させるとともに、その少なくとも一つの層が導
電性薄膜からなることで、不要輻射を低減することがで
きる。
【００２３】上記の目的を達成するため、本発明の光吸
収性反射防止膜の製造方法は、顔料微粒子と溶媒を含む
溶液を塗布する工程と、前記溶媒を乾燥させ、前記顔料
微粒子を含む、所定の透過率の光吸収膜を形成する工程
と、少なくとも１層の導電性薄膜を含み、光干渉によっ
て入射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜
を、物理的蒸着法（ＰＶＤ）により前記光吸収膜上に形
成する工程とを有することを特徴とする。本発明の光吸
収性反射防止膜の製造方法は、好適には、前記物理的蒸
着法はスパッタリング法を含むことを特徴とする。
収性反射防止膜の製造方法は、顔料微粒子と溶媒を含む
溶液を塗布する工程と、前記溶媒を乾燥させ、前記顔料
微粒子を含む、所定の透過率の光吸収膜を形成する工程
と、少なくとも１層の導電性薄膜を含み、光干渉によっ
て入射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜
を、物理的蒸着法（ＰＶＤ）により前記光吸収膜上に形
成する工程とを有することを特徴とする。本発明の光吸
収性反射防止膜の製造方法は、好適には、前記物理的蒸
着法はスパッタリング法を含むことを特徴とする。
【００２４】上記の目的を達成するため、本発明の表示
装置の製造方法は、画像が表示される表示部に、顔料微
粒子と溶媒を含む溶液を塗布する工程と、前記溶媒を乾
燥させ、前記顔料微粒子を含む、所定の透過率の光吸収
膜を形成する工程と、少なくとも１層の導電性薄膜を含
み、光干渉によって入射光に対する反射光を減衰させる
反射防止多層膜を、物理的蒸着法（ＰＶＤ）により前記
光吸収膜上に形成する工程とを有することを特徴とす
る。本発明の表示装置の製造方法は、好適には、前記物
理的蒸着法はスパッタリング法を含むことを特徴とす
る。
装置の製造方法は、画像が表示される表示部に、顔料微
粒子と溶媒を含む溶液を塗布する工程と、前記溶媒を乾
燥させ、前記顔料微粒子を含む、所定の透過率の光吸収
膜を形成する工程と、少なくとも１層の導電性薄膜を含
み、光干渉によって入射光に対する反射光を減衰させる
反射防止多層膜を、物理的蒸着法（ＰＶＤ）により前記
光吸収膜上に形成する工程とを有することを特徴とす
る。本発明の表示装置の製造方法は、好適には、前記物
理的蒸着法はスパッタリング法を含むことを特徴とす
る。
【００２５】上記の本発明の光吸収性反射防止膜の製造
方法によれば、顔料微粒子を含有する光吸収膜をウェッ
トコーティングにより形成し、反射防止多層膜を例えば
スパッタリングにより形成する。したがって、顔料微粒
子が分散され、透過率が制御された光吸収膜を含む光吸
収性反射防止膜を簡略な製造プロセスで安価に製造する
ことが可能である。さらに、本発明の表示装置の製造方
法によれば、反射防止および不要輻射低減の機能を有
し、高コントラスト化が可能である表示装置を簡略なプ
ロセスで安価に製造することができる。
方法によれば、顔料微粒子を含有する光吸収膜をウェッ
トコーティングにより形成し、反射防止多層膜を例えば
スパッタリングにより形成する。したがって、顔料微粒
子が分散され、透過率が制御された光吸収膜を含む光吸
収性反射防止膜を簡略な製造プロセスで安価に製造する
ことが可能である。さらに、本発明の表示装置の製造方
法によれば、反射防止および不要輻射低減の機能を有
し、高コントラスト化が可能である表示装置を簡略なプ
ロセスで安価に製造することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光吸収性反射防止
膜、表示装置およびそれらの製造方法の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。 （実施形態１）図１は、本実施形態の光吸収性反射防止
膜の構造を示す断面図である。本実施形態の光吸収性反
射防止膜１０は、ガラス基材１１上に形成された顔料微
粒子を含む１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは
１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の物理膜厚を有する光吸
収膜１２と、この光吸収膜１２上に形成され、光干渉に
よって入射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層
膜１３とを有する構成となっている。
膜、表示装置およびそれらの製造方法の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。 （実施形態１）図１は、本実施形態の光吸収性反射防止
膜の構造を示す断面図である。本実施形態の光吸収性反
射防止膜１０は、ガラス基材１１上に形成された顔料微
粒子を含む１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは
１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の物理膜厚を有する光吸
収膜１２と、この光吸収膜１２上に形成され、光干渉に
よって入射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層
膜１３とを有する構成となっている。
【００２７】光吸収膜の構造を図２に示す。この光吸収
膜１２はシリカ（ＳｉＯ2 ）を主成分とし、所望の透過
率分布が得られるように、顔料微粒子をエタノールなど
の有機溶媒中に調合し、均一に分散させたＳｉアルコキ
シドの溶液をガラス基材１１の表面に塗布してから（図
２（ａ）参照）、所定の温度ｔ（例えばｔ≧１２０℃）
で焼成することにより形成される（図２（ｂ）参照）。
顔料微粒子としては例えばカーボン微粒子（カーボンブ
ラック）や、鉄、コバルト、マンガン、すず、ルテニウ
ムなどの化合物である無機顔料微粒子や、有機物質から
なる有機顔料微粒子を用いることができる。
膜１２はシリカ（ＳｉＯ2 ）を主成分とし、所望の透過
率分布が得られるように、顔料微粒子をエタノールなど
の有機溶媒中に調合し、均一に分散させたＳｉアルコキ
シドの溶液をガラス基材１１の表面に塗布してから（図
２（ａ）参照）、所定の温度ｔ（例えばｔ≧１２０℃）
で焼成することにより形成される（図２（ｂ）参照）。
顔料微粒子としては例えばカーボン微粒子（カーボンブ
ラック）や、鉄、コバルト、マンガン、すず、ルテニウ
ムなどの化合物である無機顔料微粒子や、有機物質から
なる有機顔料微粒子を用いることができる。
【００２８】顔料の有機溶媒中での粒径は最小でも１０
ｎｍとなるため、均一な膜を形成するためには、１０ｎ
ｍ以上の膜厚が必要である。また、有機顔料を使用する
場合は、顔料が凝集した状態の粒径（二次粒径）が５０
ｎｍ以上になる場合もある。したがって、より安定な光
吸収膜の形成には１００ｎｍ以上の膜厚が必要である。
一方、１０００ｎｍ以上の膜厚は、成膜・乾燥後、表面
にひび割れが発生する可能性があるため好ましくない。
８００ｎｍ以下の膜厚であれば、その上層の反射防止多
層膜の構造、成膜方法や保存方法にかかわらず、長期の
安定性が確認されている。
ｎｍとなるため、均一な膜を形成するためには、１０ｎ
ｍ以上の膜厚が必要である。また、有機顔料を使用する
場合は、顔料が凝集した状態の粒径（二次粒径）が５０
ｎｍ以上になる場合もある。したがって、より安定な光
吸収膜の形成には１００ｎｍ以上の膜厚が必要である。
一方、１０００ｎｍ以上の膜厚は、成膜・乾燥後、表面
にひび割れが発生する可能性があるため好ましくない。
８００ｎｍ以下の膜厚であれば、その上層の反射防止多
層膜の構造、成膜方法や保存方法にかかわらず、長期の
安定性が確認されている。
【００２９】図１に示す光吸収性反射防止膜１０におい
て、光吸収膜１２の膜厚は例えば１０ｎｍである。ま
た、光吸収膜１２の屈折率はガラス基材１１の屈折率に
近い１．４０以上１．６５以下、望ましくは１．４５以
上１．５５以下である。さらに、光吸収性反射防止膜１
０の表面、すなわち反射防止多層膜１３側からの入射光
に対する、反射防止多層膜１３と光吸収膜１２との界面
における反射率は１．０％以下とする。これにより、反
射防止多層膜１３と光吸収膜１２との界面における反射
光が、反射防止多層膜１３における光干渉に影響せず、
反射防止多層膜１３の反射防止機能が低下しない。
て、光吸収膜１２の膜厚は例えば１０ｎｍである。ま
た、光吸収膜１２の屈折率はガラス基材１１の屈折率に
近い１．４０以上１．６５以下、望ましくは１．４５以
上１．５５以下である。さらに、光吸収性反射防止膜１
０の表面、すなわち反射防止多層膜１３側からの入射光
に対する、反射防止多層膜１３と光吸収膜１２との界面
における反射率は１．０％以下とする。これにより、反
射防止多層膜１３と光吸収膜１２との界面における反射
光が、反射防止多層膜１３における光干渉に影響せず、
反射防止多層膜１３の反射防止機能が低下しない。
【００３０】塗膜である光吸収膜１２の形成方法として
は、例えばウェットコーティング法を採用する。このウ
ェットコーティング法では、スピンコート法が均一な膜
厚を得るためには最も適している。このスピンコート法
の他にも、ロールコート法、バーコート法、ディップコ
ート法、スプレー法などを用いることができる。ただ
し、本発明は、これらの形成方法に限定されるものでは
ない。
は、例えばウェットコーティング法を採用する。このウ
ェットコーティング法では、スピンコート法が均一な膜
厚を得るためには最も適している。このスピンコート法
の他にも、ロールコート法、バーコート法、ディップコ
ート法、スプレー法などを用いることができる。ただ
し、本発明は、これらの形成方法に限定されるものでは
ない。
【００３１】前述の光吸収膜１２の上層に、反射防止多
層膜１３が構成される。反射防止多層膜１３は少なくと
も１層の導電性薄膜を含み、導電性薄膜の表面抵抗は例
えば５０Ω/ □以上１０００Ω／□以下とする。導電性
薄膜としては例えば、光透過性の高いインジウム−スズ
酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯx ）、または光吸収性を有する窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）に代表される遷移金属窒
化物、さらに銀（Ａｇ）、Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル・鉄合
金）のような金属からなる薄膜が用いられる。
層膜１３が構成される。反射防止多層膜１３は少なくと
も１層の導電性薄膜を含み、導電性薄膜の表面抵抗は例
えば５０Ω/ □以上１０００Ω／□以下とする。導電性
薄膜としては例えば、光透過性の高いインジウム−スズ
酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯx ）、または光吸収性を有する窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）に代表される遷移金属窒
化物、さらに銀（Ａｇ）、Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル・鉄合
金）のような金属からなる薄膜が用いられる。
【００３２】図１は、反射防止多層膜１３が最も単純な
２層構造であり、導電性薄膜としてＴｉＮ膜１４が形成
される例を示す。光吸収膜１２上の反射防止多層膜１３
の１層目に、ＴｉＮ膜１４を例えば物理的膜厚１２ｎｍ
で形成する。反射防止多層膜１３の２層目に、屈折率が
１．５２以下、例えば１．５２のＳｉＯ2 膜１５を物理
的膜厚７０〜１１０ｎｍ、例えば８５ｎｍで形成する。
ＳｉＯ2 膜１５は光吸収性反射防止膜１０の最表層とな
る。
２層構造であり、導電性薄膜としてＴｉＮ膜１４が形成
される例を示す。光吸収膜１２上の反射防止多層膜１３
の１層目に、ＴｉＮ膜１４を例えば物理的膜厚１２ｎｍ
で形成する。反射防止多層膜１３の２層目に、屈折率が
１．５２以下、例えば１．５２のＳｉＯ2 膜１５を物理
的膜厚７０〜１１０ｎｍ、例えば８５ｎｍで形成する。
ＳｉＯ2 膜１５は光吸収性反射防止膜１０の最表層とな
る。
【００３３】反射防止多層膜１３の形成方法としては、
例えば直流（ＤＣ）アクティブスパッタリング法を採用
する。ＤＣアクティブスパッタリング法は、大面積に亘
って均一な膜厚分布を得るのに適している。また、反射
防止多層膜１３に単純な膜構成を採用することにより、
製造生産性を高くすることが可能である。
例えば直流（ＤＣ）アクティブスパッタリング法を採用
する。ＤＣアクティブスパッタリング法は、大面積に亘
って均一な膜厚分布を得るのに適している。また、反射
防止多層膜１３に単純な膜構成を採用することにより、
製造生産性を高くすることが可能である。
【００３４】反射防止多層膜１３を形成するスパッタリ
ング装置は、インライン型で、基材の搬入を行うロード
ロック室と、窒素・アルゴンの混合ガスを反応ガスと
し、金属チタンターゲットを配置した第１成膜室と、ガ
ス置換機能をもつ隔離室と、酸素・アルゴンの混合ガス
を反応ガスとし、金属シリコンターゲットを配置した第
２成膜室と、基材の搬出を行うロードロック室とから構
成されている。
ング装置は、インライン型で、基材の搬入を行うロード
ロック室と、窒素・アルゴンの混合ガスを反応ガスと
し、金属チタンターゲットを配置した第１成膜室と、ガ
ス置換機能をもつ隔離室と、酸素・アルゴンの混合ガス
を反応ガスとし、金属シリコンターゲットを配置した第
２成膜室と、基材の搬出を行うロードロック室とから構
成されている。
【００３５】スパッタリングはいずれも０．１〜１Ｐａ
の圧力制御された雰囲気において行う。なお、スパッタ
リング以外に、例えばゾルゲル法によるウェットコーテ
ィング法を用いても、反射防止多層膜１３の形成が可能
である。ただし、表面抵抗が１０００Ω／□以下の導電
性薄膜（例えば、ＴｉＮ膜１４）を得るには、スパッタ
リング法が好ましい。また、スパッタリング法によれば
膜質が均一で、表面硬度の高い反射防止多層膜１３を形
成できる。したがって、光吸収性反射防止膜１０の耐傷
性を高くすることができる。さらに、反射防止多層膜１
３を真空蒸着法やイオンプレーティングによって形成す
ることも可能であり、本発明の光吸収性反射防止膜の形
成方法は、上記の成膜方法に限定されない。
の圧力制御された雰囲気において行う。なお、スパッタ
リング以外に、例えばゾルゲル法によるウェットコーテ
ィング法を用いても、反射防止多層膜１３の形成が可能
である。ただし、表面抵抗が１０００Ω／□以下の導電
性薄膜（例えば、ＴｉＮ膜１４）を得るには、スパッタ
リング法が好ましい。また、スパッタリング法によれば
膜質が均一で、表面硬度の高い反射防止多層膜１３を形
成できる。したがって、光吸収性反射防止膜１０の耐傷
性を高くすることができる。さらに、反射防止多層膜１
３を真空蒸着法やイオンプレーティングによって形成す
ることも可能であり、本発明の光吸収性反射防止膜の形
成方法は、上記の成膜方法に限定されない。
【００３６】図３に、本実施形態に係る光吸収性反射防
止膜１０の製造工程の流れを示す。先ず、ガラス基材１
１の表面を洗浄する（工程１）。続いて、ガラス基材１
１上に光吸収膜１２をスピンコート法などによって塗布
し（工程２）、次いで所定の温度ｔ（例えばｔ≧１２０
℃）で塗膜の焼成（ベーキング処理）を行う（工程
３）。その後、スパッタリング法により、先ず、反射防
止多層膜１３の１層目であるＴｉＮ膜１４を成膜し（工
程４）、次いで反射防止多層膜１３の２層目であるＳｉ
Ｏ2 膜１５を成膜する（工程５）。
止膜１０の製造工程の流れを示す。先ず、ガラス基材１
１の表面を洗浄する（工程１）。続いて、ガラス基材１
１上に光吸収膜１２をスピンコート法などによって塗布
し（工程２）、次いで所定の温度ｔ（例えばｔ≧１２０
℃）で塗膜の焼成（ベーキング処理）を行う（工程
３）。その後、スパッタリング法により、先ず、反射防
止多層膜１３の１層目であるＴｉＮ膜１４を成膜し（工
程４）、次いで反射防止多層膜１３の２層目であるＳｉ
Ｏ2 膜１５を成膜する（工程５）。
【００３７】上記の構成の本実施形態に係る光吸収性反
射防止膜１０では、第１層目の光吸収膜１２、第２層目
のＴｉＮ膜１４（導電性薄膜）および第３層目のＳｉＯ
2 膜１５からなる３層構造の膜構成により、ガラス基材
１１側から入射する光（以下、裏面入射光ともいう。）
の反射を抑えることができる。また、光吸収膜１２に顔
料を添加したことで、光吸収性反射防止膜１０を例えば
表示装置のフェースパネルの反射防止膜として用いた場
合に、ＲＧＢ輝度を考慮した選択吸収フィルタを実現で
きる。
射防止膜１０では、第１層目の光吸収膜１２、第２層目
のＴｉＮ膜１４（導電性薄膜）および第３層目のＳｉＯ
2 膜１５からなる３層構造の膜構成により、ガラス基材
１１側から入射する光（以下、裏面入射光ともいう。）
の反射を抑えることができる。また、光吸収膜１２に顔
料を添加したことで、光吸収性反射防止膜１０を例えば
表示装置のフェースパネルの反射防止膜として用いた場
合に、ＲＧＢ輝度を考慮した選択吸収フィルタを実現で
きる。
【００３８】図４に、上記膜構成における表面側からの
入射光（以下、表面入射光ともいう。）に対する反射率
および裏面入射光に対する反射率、透過率の分布を示
す。この分布図から明らかなように、可視光の視感度の
高い領域（４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下）の波長の光
に対する透過率はほぼ４０％以上であり、波長に依存し
た透過率の変化はほとんど見られない。光吸収性反射防
止膜の光透過率は、第１層目の光吸収膜１２の顔料の種
類および含量を調整することにより、例えば９５〜４０
％程度の範囲で任意に制御できる。したがって、顔料を
含有しないスパッタリング膜のみからなる反射防止膜に
比較して、光透過率分布の制御が容易である。
入射光（以下、表面入射光ともいう。）に対する反射率
および裏面入射光に対する反射率、透過率の分布を示
す。この分布図から明らかなように、可視光の視感度の
高い領域（４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下）の波長の光
に対する透過率はほぼ４０％以上であり、波長に依存し
た透過率の変化はほとんど見られない。光吸収性反射防
止膜の光透過率は、第１層目の光吸収膜１２の顔料の種
類および含量を調整することにより、例えば９５〜４０
％程度の範囲で任意に制御できる。したがって、顔料を
含有しないスパッタリング膜のみからなる反射防止膜に
比較して、光透過率分布の制御が容易である。
【００３９】また、本実施形態の光吸収性反射防止膜に
おいては、ガラス基材１１側からの入射光（裏面入射
光）の光強度が、光吸収膜１２での光吸収によって減衰
する。これにより、裏面入射光に対する光吸収膜１２と
反射防止多層膜１３との界面における反射率が１０％以
下に調整されている。この反射率は、例えば光吸収膜１
２の組成を変更することにより調整可能である。
おいては、ガラス基材１１側からの入射光（裏面入射
光）の光強度が、光吸収膜１２での光吸収によって減衰
する。これにより、裏面入射光に対する光吸収膜１２と
反射防止多層膜１３との界面における反射率が１０％以
下に調整されている。この反射率は、例えば光吸収膜１
２の組成を変更することにより調整可能である。
【００４０】裏面入射光に対する１０％以上の反射が、
光吸収膜１２と反射防止多層膜１３との界面で発生する
と、反射光がもう一度蛍光面（あるいはガラス基材１１
の光吸収膜１２側でない表面）にあたって視覚的に虚像
が見えるようになる。これを防ぐため、反射率は常に１
０％以下で調整される。さらに、反射率が５％の場合
は、入射光の波長に関わらず、虚像が確認されないた
め、より好ましい特性が得られる。このことは陰極線管
のパネルガラスにおいて確認されている。
光吸収膜１２と反射防止多層膜１３との界面で発生する
と、反射光がもう一度蛍光面（あるいはガラス基材１１
の光吸収膜１２側でない表面）にあたって視覚的に虚像
が見えるようになる。これを防ぐため、反射率は常に１
０％以下で調整される。さらに、反射率が５％の場合
は、入射光の波長に関わらず、虚像が確認されないた
め、より好ましい特性が得られる。このことは陰極線管
のパネルガラスにおいて確認されている。
【００４１】また、光吸収膜１２に主材としてシリカが
用いられ、さらに光吸収性反射防止膜１０の最表層がス
パッタリング膜であることから、本実施形態の光吸収性
反射防止膜は十分な機械的強度を有している。したがっ
て、本実施形態の光吸収性反射防止膜は特に耐傷性に優
れ、陰極線管などの表示装置の外表面に施される表面処
理として有益である。
用いられ、さらに光吸収性反射防止膜１０の最表層がス
パッタリング膜であることから、本実施形態の光吸収性
反射防止膜は十分な機械的強度を有している。したがっ
て、本実施形態の光吸収性反射防止膜は特に耐傷性に優
れ、陰極線管などの表示装置の外表面に施される表面処
理として有益である。
【００４２】さらに、ウェットコーティング法により光
吸収膜１２を形成していることから、任意の顔料を容易
に添加できる。したがって、特定の波長域の光を選択的
に吸収するような顔料を添加することにより、光選択吸
収性を実現できる。また、複数の種類の顔料を添加し、
各顔料の配合割合を調整することにより、光透過率の波
長分布を制御することも可能である。
吸収膜１２を形成していることから、任意の顔料を容易
に添加できる。したがって、特定の波長域の光を選択的
に吸収するような顔料を添加することにより、光選択吸
収性を実現できる。また、複数の種類の顔料を添加し、
各顔料の配合割合を調整することにより、光透過率の波
長分布を制御することも可能である。
【００４３】また、光吸収膜１２を低コストなウェット
コーティング法で形成し、導電性薄膜を含む反射防止多
層膜１３をスパッタリング法により形成するため、低反
射でかつ不要輻射の少ない選択光吸収性膜を実現でき
る。本実施形態の光吸収性反射防止膜は、ディスプレイ
から放射される電磁波などの規格であるＴＣＯ（Ｔｈｅ
Ｓｗｅｄｉｓｈ Ｃｅｎｔｒａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｓａｌａｒｉｅｄ Ｅｍｐｌｏｙｅｅ
ｓ）規格を満足する。また、スパッタリング膜にＴｉＮ
／ＳｉＯ2 からなるシステムを採用したことにより、よ
り低コストな表面処理となる。
コーティング法で形成し、導電性薄膜を含む反射防止多
層膜１３をスパッタリング法により形成するため、低反
射でかつ不要輻射の少ない選択光吸収性膜を実現でき
る。本実施形態の光吸収性反射防止膜は、ディスプレイ
から放射される電磁波などの規格であるＴＣＯ（Ｔｈｅ
Ｓｗｅｄｉｓｈ Ｃｅｎｔｒａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｓａｌａｒｉｅｄ Ｅｍｐｌｏｙｅｅ
ｓ）規格を満足する。また、スパッタリング膜にＴｉＮ
／ＳｉＯ2 からなるシステムを採用したことにより、よ
り低コストな表面処理となる。
【００４４】（実施形態２）次に、反射防止多層膜が４
層構造である例を示す。図５は、本実施形態の光吸収性
反射防止膜３０の断面図である。図５に示すように、ガ
ラス基材１１上に実施形態１と同様の光吸収膜１２が例
えば膜厚１００ｎｍで形成されている。その上層に、４
層構造の反射防止多層膜３３が形成されている。反射防
止多層膜３３としてはＩＴＯ／ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ／Ｓ
ｉＯ2 からなるシステムが採用されている。
層構造である例を示す。図５は、本実施形態の光吸収性
反射防止膜３０の断面図である。図５に示すように、ガ
ラス基材１１上に実施形態１と同様の光吸収膜１２が例
えば膜厚１００ｎｍで形成されている。その上層に、４
層構造の反射防止多層膜３３が形成されている。反射防
止多層膜３３としてはＩＴＯ／ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ／Ｓ
ｉＯ2 からなるシステムが採用されている。
【００４５】本実施形態の光吸収性反射防止膜３０によ
れば、反射防止多層膜３３の１層目に導電性薄膜として
例えばＩＴＯ膜３４を物理的膜厚３０ｎｍで形成する。
反射防止多層膜３３の２層目にＳｉＯ2 膜３５を物理的
膜厚１６ｎｍで形成する。反射防止多層膜３３の３層目
に酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜３６を物理的膜厚９０ｎｍ
で形成する。反射防止多層膜３３の４層目に、光吸収性
反射防止膜３０の最表層となるＳｉＯ2 膜３７を物理的
膜厚８０ｎｍで形成する。
れば、反射防止多層膜３３の１層目に導電性薄膜として
例えばＩＴＯ膜３４を物理的膜厚３０ｎｍで形成する。
反射防止多層膜３３の２層目にＳｉＯ2 膜３５を物理的
膜厚１６ｎｍで形成する。反射防止多層膜３３の３層目
に酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜３６を物理的膜厚９０ｎｍ
で形成する。反射防止多層膜３３の４層目に、光吸収性
反射防止膜３０の最表層となるＳｉＯ2 膜３７を物理的
膜厚８０ｎｍで形成する。
【００４６】本実施形態の光吸収性反射防止膜を形成す
るには、先ず、実施形態１と同様にウェットコーティン
グ法により光吸収膜１２を形成する。その後、反射防止
多層膜３３のＩＴＯ膜３４、ＳｉＯ2 膜３５、ＴｉＯ2
膜３６およびＳｉＯ2 膜３７を例えばスパッタリングに
より順次形成する。
るには、先ず、実施形態１と同様にウェットコーティン
グ法により光吸収膜１２を形成する。その後、反射防止
多層膜３３のＩＴＯ膜３４、ＳｉＯ2 膜３５、ＴｉＯ2
膜３６およびＳｉＯ2 膜３７を例えばスパッタリングに
より順次形成する。
【００４７】図６に、上記の構成の光吸収性反射防止膜
における表面入射光反射率および裏面入射光に対する反
射率、透過率の波長分布を示す。図６に示すように、本
実施形態の光吸収性反射防止膜も光反射防止、光透過率
調整、透過する光の波長分布の調整の機能を有する。可
視光に対する光透過率を５０％以下に低減することによ
り、高透過率のパネルガラスを用いた表示装置において
も、コントラストの向上が可能となる。また、本実施形
態の光吸収性反射防止膜３０によれば、導電性薄膜とし
てＩＴＯ膜３４が形成されているため、表面抵抗値が低
く、不要輻射が低減される。
における表面入射光反射率および裏面入射光に対する反
射率、透過率の波長分布を示す。図６に示すように、本
実施形態の光吸収性反射防止膜も光反射防止、光透過率
調整、透過する光の波長分布の調整の機能を有する。可
視光に対する光透過率を５０％以下に低減することによ
り、高透過率のパネルガラスを用いた表示装置において
も、コントラストの向上が可能となる。また、本実施形
態の光吸収性反射防止膜３０によれば、導電性薄膜とし
てＩＴＯ膜３４が形成されているため、表面抵抗値が低
く、不要輻射が低減される。
【００４８】さらに、図６を実施形態１の図４と比較す
ると、本実施形態の光吸収性反射防止膜によれば広い波
長域で反射率が低減されることがわかる。しかしなが
ら、スパッタリング膜が２層増加することで、プロセス
フローは複雑となる。したがって、反射防止膜に要求さ
れる特性に応じて、光吸収性反射防止膜の層構成を適宜
選択する。
ると、本実施形態の光吸収性反射防止膜によれば広い波
長域で反射率が低減されることがわかる。しかしなが
ら、スパッタリング膜が２層増加することで、プロセス
フローは複雑となる。したがって、反射防止膜に要求さ
れる特性に応じて、光吸収性反射防止膜の層構成を適宜
選択する。
【００４９】（実施形態３）本実施形態の光吸収性反射
防止膜は、最表層にフッ化マグネシウム（ＭｇＦ）膜を
用いた例であり、図７に本実施形態の光吸収性反射防止
膜４０の断面図を示す。図７に示すように、ガラス基材
１１上に光吸収膜１２が例えば膜厚１００ｎｍで形成さ
れ、その上層に４層構造の反射防止多層膜４３が形成さ
れている。反射防止多層膜３３としてはＩＴＯ／ＳｉＯ
2 ／ＴｉＯ2 ／ＭｇＦからなるシステムが採用されてい
る。
防止膜は、最表層にフッ化マグネシウム（ＭｇＦ）膜を
用いた例であり、図７に本実施形態の光吸収性反射防止
膜４０の断面図を示す。図７に示すように、ガラス基材
１１上に光吸収膜１２が例えば膜厚１００ｎｍで形成さ
れ、その上層に４層構造の反射防止多層膜４３が形成さ
れている。反射防止多層膜３３としてはＩＴＯ／ＳｉＯ
2 ／ＴｉＯ2 ／ＭｇＦからなるシステムが採用されてい
る。
【００５０】本実施形態の光吸収性反射防止膜４０によ
れば、反射防止多層膜４３の１層目に導電性薄膜として
例えばＩＴＯ膜４４を物理的膜厚３０ｎｍで形成する。
反射防止多層膜４３の２層目にＳｉＯ2 膜４５を物理的
膜厚１６ｎｍで形成する。反射防止多層膜４３の３層目
にＴｉＯ2 膜４６を物理的膜厚９０ｎｍで形成する。反
射防止多層膜４３の４層目に、光吸収性反射防止膜４０
の最表層となるＭｇＦ膜４７を物理的膜厚１００ｎｍで
形成する。本実施形態の光吸収性反射防止膜は、反射防
止多層膜４３の最表層にＳｉＯ2層のかわりにＭｇＦ膜
４７が形成されていることを除けば、実施形態２の光吸
収性反射防止膜と同様である。
れば、反射防止多層膜４３の１層目に導電性薄膜として
例えばＩＴＯ膜４４を物理的膜厚３０ｎｍで形成する。
反射防止多層膜４３の２層目にＳｉＯ2 膜４５を物理的
膜厚１６ｎｍで形成する。反射防止多層膜４３の３層目
にＴｉＯ2 膜４６を物理的膜厚９０ｎｍで形成する。反
射防止多層膜４３の４層目に、光吸収性反射防止膜４０
の最表層となるＭｇＦ膜４７を物理的膜厚１００ｎｍで
形成する。本実施形態の光吸収性反射防止膜は、反射防
止多層膜４３の最表層にＳｉＯ2層のかわりにＭｇＦ膜
４７が形成されていることを除けば、実施形態２の光吸
収性反射防止膜と同様である。
【００５１】本実施形態の光吸収性反射防止膜４０を形
成するには、実施形態２と同様に、ガラス基材１１上に
光吸収膜１２をウェットコーティング法により形成して
から、反射防止多層膜４３のＩＴＯ膜４４、ＳｉＯ2 膜
４５、ＴｉＯ2 膜４６およびＭｇＦ膜４７を例えばスパ
ッタリングにより順次形成する。
成するには、実施形態２と同様に、ガラス基材１１上に
光吸収膜１２をウェットコーティング法により形成して
から、反射防止多層膜４３のＩＴＯ膜４４、ＳｉＯ2 膜
４５、ＴｉＯ2 膜４６およびＭｇＦ膜４７を例えばスパ
ッタリングにより順次形成する。
【００５２】本実施形態の光吸収性反射防止膜４０は、
実施形態２の光吸収性反射防止膜と同様に、光反射防
止、光透過率調整、透過する光の波長分布の調整の機能
を有する。これにより、高透過率のパネルガラスを用い
た表示装置においても、コントラストの向上が可能とな
る。また、本実施形態の光吸収性反射防止膜４０によれ
ば、導電性薄膜としてＩＴＯ膜４４が形成されているた
め、表面抵抗値が低く、不要輻射が低減される。
実施形態２の光吸収性反射防止膜と同様に、光反射防
止、光透過率調整、透過する光の波長分布の調整の機能
を有する。これにより、高透過率のパネルガラスを用い
た表示装置においても、コントラストの向上が可能とな
る。また、本実施形態の光吸収性反射防止膜４０によれ
ば、導電性薄膜としてＩＴＯ膜４４が形成されているた
め、表面抵抗値が低く、不要輻射が低減される。
【００５３】（実施形態４）図８は本発明に係る表示装
置、例えば陰極線管の概略斜視図である。図８の陰極線
管５０において、受像管バルブ５１の開口部には内面に
蛍光面が設けられたパネルガラス５２が装着され、受像
管バルブ５１の後端部には電子ビームを出射する電子銃
５３が封入されている。また、受像管バルブ５１のネッ
ク部には、電子銃５３から出射された電子ビームを偏向
させる偏向ヨーク５４が取り付けられている。
置、例えば陰極線管の概略斜視図である。図８の陰極線
管５０において、受像管バルブ５１の開口部には内面に
蛍光面が設けられたパネルガラス５２が装着され、受像
管バルブ５１の後端部には電子ビームを出射する電子銃
５３が封入されている。また、受像管バルブ５１のネッ
ク部には、電子銃５３から出射された電子ビームを偏向
させる偏向ヨーク５４が取り付けられている。
【００５４】上記の構成の陰極線管において、パネルガ
ラス５２の外表面はフラットな形状となっている。パネ
ルガラス５２には光透過率の高い材料が用いられる。パ
ネルガラス５２の外表面には、高コントラスト化を目的
として、反射防止膜５５が形成されている。この反射防
止膜５５として、前述した実施形態１〜３に示すような
光吸収性反射防止膜が用いられる。
ラス５２の外表面はフラットな形状となっている。パネ
ルガラス５２には光透過率の高い材料が用いられる。パ
ネルガラス５２の外表面には、高コントラスト化を目的
として、反射防止膜５５が形成されている。この反射防
止膜５５として、前述した実施形態１〜３に示すような
光吸収性反射防止膜が用いられる。
【００５５】次に、パネルガラス５２の外表面に反射防
止膜５５を形成する方法について説明する。なお、反射
防止膜５５として実施形態１に示す光吸収性反射防止膜
１０を用いることから、以下、図１を参照して説明す
る。図８のパネルガラス５２は、図１のガラス基材１１
に相当する。
止膜５５を形成する方法について説明する。なお、反射
防止膜５５として実施形態１に示す光吸収性反射防止膜
１０を用いることから、以下、図１を参照して説明す
る。図８のパネルガラス５２は、図１のガラス基材１１
に相当する。
【００５６】パネルガラス５２（ガラス基材１１）の外
表面に光吸収膜１２を形成するには、実施形態１と同様
に、先ず、ＳｉＯ2 を主成分とし、所望の透過率分布が
得られるように顔料微粒子を有機溶媒中に調合して均一
に分散させたＳｉアルコキシドの溶液を、パネルガラス
５２の表面に塗布する。顔料微粒子としては例えば、カ
ーボン微粒子（カーボンブラック）や、鉄、コバルト、
マンガンなどの化合物である無機顔料微粒子や、有機物
質からなる有機顔料微粒子を用いることができる。ま
た、有機溶媒としては例えばエタノールなどを用いるこ
とができる。
表面に光吸収膜１２を形成するには、実施形態１と同様
に、先ず、ＳｉＯ2 を主成分とし、所望の透過率分布が
得られるように顔料微粒子を有機溶媒中に調合して均一
に分散させたＳｉアルコキシドの溶液を、パネルガラス
５２の表面に塗布する。顔料微粒子としては例えば、カ
ーボン微粒子（カーボンブラック）や、鉄、コバルト、
マンガンなどの化合物である無機顔料微粒子や、有機物
質からなる有機顔料微粒子を用いることができる。ま
た、有機溶媒としては例えばエタノールなどを用いるこ
とができる。
【００５７】Ｓｉアルコキシドの溶液を塗布後、所定の
温度ｔ（例えばｔ≧１２０℃）で焼成する。以上によ
り、光吸収膜１２が形成される。その後、実施形態１と
同様に、例えばＤＣアクティブスパッタリング法によ
り、反射防止多層膜１３を構成するＴｉＮ膜１４および
ＳｉＯ2 膜１５を順次形成する。
温度ｔ（例えばｔ≧１２０℃）で焼成する。以上によ
り、光吸収膜１２が形成される。その後、実施形態１と
同様に、例えばＤＣアクティブスパッタリング法によ
り、反射防止多層膜１３を構成するＴｉＮ膜１４および
ＳｉＯ2 膜１５を順次形成する。
【００５８】陰極線管のパネルガラス５２はセンター部
を薄く、コーナー部を厚くして形成される。パネルガラ
ス５２をフラット化した場合、陰極線管の防爆特性を維
持するためには、パネルガラス５２のセンター部とコー
ナー部とのパネル肉厚差を大きくする必要がある。これ
に伴い、パネルガラス５２のセンター部とコーナー部と
で輝度が不均一となる問題がある。
を薄く、コーナー部を厚くして形成される。パネルガラ
ス５２をフラット化した場合、陰極線管の防爆特性を維
持するためには、パネルガラス５２のセンター部とコー
ナー部とのパネル肉厚差を大きくする必要がある。これ
に伴い、パネルガラス５２のセンター部とコーナー部と
で輝度が不均一となる問題がある。
【００５９】このような問題に対し、上記の本実施形態
の表示装置によれば、光透過率の高いパネルガラス５２
を用いるため、パネル肉厚差に起因する輝度の不均一が
軽減される。また、パネルガラス５２上に透過率を低く
制御した反射防止膜５５が設けられることにより、高い
コントラストが得られる。さらに、反射防止多層膜１３
における光干渉によって反射防止機能が得られる。ま
た、反射防止多層膜１３の少なくとも１層が導電性薄膜
（ＴｉＮ膜１４）であることから、不要輻射が低減され
る。
の表示装置によれば、光透過率の高いパネルガラス５２
を用いるため、パネル肉厚差に起因する輝度の不均一が
軽減される。また、パネルガラス５２上に透過率を低く
制御した反射防止膜５５が設けられることにより、高い
コントラストが得られる。さらに、反射防止多層膜１３
における光干渉によって反射防止機能が得られる。ま
た、反射防止多層膜１３の少なくとも１層が導電性薄膜
（ＴｉＮ膜１４）であることから、不要輻射が低減され
る。
【００６０】本実施形態の表示装置によれば、反射防止
膜５５の１層目、すなわち光吸収性反射防止膜１０の光
吸収膜１２に添加される顔料の種類および配合割合を適
宜選択することにより、光透過率の波長分布を任意に制
御することができる。これにより、陰極線管のＲＧＢ輝
度比に応じた反射防止膜５５の設計が可能である。した
がって、フォーカス性能の向上を図る目的で、ＲＧＢ電
流比を最適化した場合にも、ＲＧＢ輝度比を適切に補正
することが可能となる。
膜５５の１層目、すなわち光吸収性反射防止膜１０の光
吸収膜１２に添加される顔料の種類および配合割合を適
宜選択することにより、光透過率の波長分布を任意に制
御することができる。これにより、陰極線管のＲＧＢ輝
度比に応じた反射防止膜５５の設計が可能である。した
がって、フォーカス性能の向上を図る目的で、ＲＧＢ電
流比を最適化した場合にも、ＲＧＢ輝度比を適切に補正
することが可能となる。
【００６１】本発明の光吸収性反射防止膜、表示装置お
よびそれらの製造方法の実施形態は、上記の説明に限定
されない。例えば、上記の実施形態においては、光吸収
性反射防止膜を陰極線管のフラットパネルガラスに適用
した場合について示したが、陰極線管以外に、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ；ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌｄｉ
ｓｐｌａｙ）、あるいは陰極線管と同様に自発光ディス
プレイであるＦＥＤ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ
ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置に本発明を適用するこ
とも可能である。
よびそれらの製造方法の実施形態は、上記の説明に限定
されない。例えば、上記の実施形態においては、光吸収
性反射防止膜を陰極線管のフラットパネルガラスに適用
した場合について示したが、陰極線管以外に、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ；ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌｄｉ
ｓｐｌａｙ）、あるいは陰極線管と同様に自発光ディス
プレイであるＦＥＤ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ
ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置に本発明を適用するこ
とも可能である。
【００６２】また、異なる種類の顔料を組み合わせて用
いる場合には、光吸収膜を多層構造とすることも可能で
ある。これにより、顔料微粒子の凝集などを防止して、
光吸収膜に顔料を均一に分散させることが可能となる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更
が可能である。
いる場合には、光吸収膜を多層構造とすることも可能で
ある。これにより、顔料微粒子の凝集などを防止して、
光吸収膜に顔料を均一に分散させることが可能となる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更
が可能である。
【００６３】
【発明の効果】本発明の光吸収性反射防止膜によれば、
反射防止および不要輻射の低減が可能であり、さらに、
光吸収性反射防止膜の光透過率の制御が容易となる。本
発明の表示装置によれば、表示部の反射防止および不要
輻射の低減が可能であり、さらに、高コントラスト化が
可能となる。また、本発明の光吸収性反射防止膜の製造
方法によれば、本発明の光吸収性反射防止膜を簡略なプ
ロセスで安価に製造することが可能である。本発明の表
示装置の製造方法によれば、本発明の表示装置を簡略な
プロセスで安価に製造することが可能である。
反射防止および不要輻射の低減が可能であり、さらに、
光吸収性反射防止膜の光透過率の制御が容易となる。本
発明の表示装置によれば、表示部の反射防止および不要
輻射の低減が可能であり、さらに、高コントラスト化が
可能となる。また、本発明の光吸収性反射防止膜の製造
方法によれば、本発明の光吸収性反射防止膜を簡略なプ
ロセスで安価に製造することが可能である。本発明の表
示装置の製造方法によれば、本発明の表示装置を簡略な
プロセスで安価に製造することが可能である。
【図１】図１は本発明の実施形態１に係る光吸収性反射
防止膜の断面図である。
防止膜の断面図である。
【図２】図２（ａ）は図１の光吸収膜部分を形成する過
程を示す断面図であり、図２（ｂ）は図１の光吸収膜１
２を拡大した断面図である。
程を示す断面図であり、図２（ｂ）は図１の光吸収膜１
２を拡大した断面図である。
【図３】図３は本発明の実施形態１に係る光吸収性反射
防止膜の製造工程を示すフロー図である。
防止膜の製造工程を示すフロー図である。
【図４】図４は本発明の実施形態１に係る光吸収性反射
防止膜の表面入射光に対する反射率、裏面入射光に対す
る反射率および透過率の分布図である。
防止膜の表面入射光に対する反射率、裏面入射光に対す
る反射率および透過率の分布図である。
【図５】図５は本発明の実施形態２に係る光吸収性反射
防止膜の断面図である。
防止膜の断面図である。
【図６】図６は本発明の実施形態２に係る光吸収性反射
防止膜の表面入射光に対する反射率、裏面入射光に対す
る反射率および透過率の分布図である。
防止膜の表面入射光に対する反射率、裏面入射光に対す
る反射率および透過率の分布図である。
【図７】図７は本発明の実施形態３に係る光吸収性反射
防止膜の断面図である。
防止膜の断面図である。
【図８】図８は本発明の実施形態４に係る陰極線管の概
略斜視図である。
略斜視図である。
１０、３０、４０…光吸収性反射防止膜、１１…ガラス
基材、１２…光吸収膜、１３、３３、４３…反射防止多
層膜、１４…窒化チタン（ＴｉＮ）膜、１５、３５、３
７、４５…シリカ（ＳｉＯ2 ）膜、２１…シリカ、２２
…顔料微粒子、２３…有機溶媒、３４、４４…ＩＴＯ
膜、３６、４６…酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜、４７…フ
ッ化マグネシウム（ＭｇＦ）膜、５０…陰極線管、５１
…受像管バルブ、５２…パネルガラス、５３…電子銃、
５４…偏向ヨーク、５５…反射防止膜。
基材、１２…光吸収膜、１３、３３、４３…反射防止多
層膜、１４…窒化チタン（ＴｉＮ）膜、１５、３５、３
７、４５…シリカ（ＳｉＯ2 ）膜、２１…シリカ、２２
…顔料微粒子、２３…有機溶媒、３４、４４…ＩＴＯ
膜、３６、４６…酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜、４７…フ
ッ化マグネシウム（ＭｇＦ）膜、５０…陰極線管、５１
…受像管バルブ、５２…パネルガラス、５３…電子銃、
５４…偏向ヨーク、５５…反射防止膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ ５Ｇ４３５ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３０９ Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ ３１３ 29/88 Ｈ０１Ｊ 9/20 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ 29/88 Ｚ (72)発明者 山下 尚孝 愛知県稲沢市大矢町茨島30番地 ソニー稲 沢株式会社内 (72)発明者 舟橋 容子 愛知県稲沢市大矢町茨島30番地 ソニー稲 沢株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA05 AA06 AA07 BB02 CC01 CC02 CC06 CC09 CC45 DD02 DD03 DD04 EE03 4F100 AA06D AA12D AA20D AB00D AG00A AT00A BA04 BA07 CA13B CA13H CC01B EH66C EH66D GB41 JD06B JD14 JD14B JG01D JM02D JN06 JN06C JN18B JN18C 4K029 AA09 AA24 AA26 AA27 BA02 BA04 BA17 BA26 BA35 BA42 BA46 BA47 BA48 BA49 BA50 BA58 BA60 BB02 BD09 CA01 CA03 CA05 5C028 AA01 AA07 5C032 AA02 DD02 DE01 DE03 DF05 DG01 DG02 DG04 5G435 AA02 AA08 AA17 BB02 FF01 FF14 GG11 GG33 HH03 HH12 KK07 LL04
Claims (31)
- 【請求項１】第１面側からの入射光を所定の透過率で透
過させ、 第２面側からの入射光に対する反射光を前記反射防止多
層膜における光干渉によって減衰させる光吸収性反射防
止膜であって、 前記第１面に形成された、顔料微粒子を含む光吸収膜
と、 前記第２面に形成された、前記光吸収膜に接する反射防
止多層膜と、 前記反射防止多層膜に含まれる少なくとも１層の導電性
薄膜とを有する光吸収性反射防止膜。 - 【請求項２】前記光吸収膜の物理的膜厚は、ほぼ前記顔
料微粒子の粒径以上であり、前記光吸収膜の膜質が均一
となる範囲で設定される請求項１記載の光吸収性反射防
止膜。 - 【請求項３】前記光吸収膜の物理的膜厚は、ほぼ１０ｎ
ｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項２記載の光吸収性
反射防止膜。 - 【請求項４】前記光吸収膜の物理的膜厚は、ほぼ１００
ｎｍ以上８００ｎｍ以下である請求項３記載の光吸収性
反射防止膜。 - 【請求項５】前記光吸収膜の物理的膜厚は、前記顔料微
粒子が凝集した二次的な粒径以上である請求項２記載の
光吸収性反射防止膜。 - 【請求項６】前記光吸収膜は有機顔料微粒子を含む請求
項３記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項７】前記光吸収膜は無機顔料微粒子を含む請求
項３記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項８】前記導電性薄膜の表面抵抗はほぼ５０Ω／
□以上１０００Ω／□以下である請求項１記載の光吸収
性反射防止膜。 - 【請求項９】前記所定の透過率は、前記顔料微粒子の種
類および配合割合の選択により制御される請求項１記載
の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１０】前記所定の透過率は、４５０ｎｍから６
５０ｎｍの波長の光に対してほぼ４０％以上９５％以下
である請求項９記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１１】前記第１面側からの入射光に対する、前
記光吸収膜と前記反射防止多層膜との界面における反射
率である第１の反射率は、前記第１面側からの入射光の
前記界面における反射光が、前記第１面において前記第
１面側からの入射光と目視で識別できる虚像を形成しな
いような範囲で設定される請求項１記載の光吸収性反射
防止膜。 - 【請求項１２】前記第１の反射率はほぼ０．１％以上１
０％以下である請求項１１記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１３】前記第１の反射率はほぼ５％以下である
請求項１２記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１４】前記第２面側からの入射光に対する、前
記光吸収膜と前記反射防止多層膜との界面における反射
率である第２の反射率は、前記第２面側からの入射光の
前記界面における反射光が、前記反射防止多層膜におけ
る前記光干渉にほぼ影響しない範囲で設定される請求項
１１記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１５】前記第２の反射率はほぼ１．０％以下で
ある請求項１４記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１６】前記導電性薄膜は窒化遷移金属膜を含む
請求項１記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１７】前記導電性薄膜は金属薄膜を含む請求項
１記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項１８】前記反射防止多層膜は、前記第２面の最
表層にシリカ膜を有する請求項１記載の光吸収性反射防
止膜。 - 【請求項１９】前記シリカ膜の屈折率はほぼ１．５２以
下であり、前記シリカ膜の物理的膜厚はほぼ７０〜１１
０ｎｍである請求項１８記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項２０】前記反射防止多層膜は、前記第２面の最
表層にフッ化マグネシウム膜を有する請求項１記載の光
吸収性反射防止膜。 - 【請求項２１】前記フッ化マグネシウム膜の屈折率はほ
ぼ１．５２以下であり、前記フッ化マグネシウム膜の物
理的膜厚はほぼ７０〜１１０ｎｍである請求項２０記載
の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項２２】前記光吸収膜の屈折率はほぼ１．４０以
上１．６５以下である請求項１５記載の光吸収性反射防
止膜。 - 【請求項２３】前記光吸収膜の屈折率はほぼ１．４５以
上１．５５以下である請求項２２記載の光吸収性反射防
止膜。 - 【請求項２４】前記反射防止多層膜はＰＶＤ（ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜を含
む請求項１記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項２５】前記反射防止多層膜はスパッタリング膜
を含む請求項２４記載の光吸収性反射防止膜。 - 【請求項２６】画像が表示される表示部と、 前記表示部上に形成され、前記表示部側である第１面側
からの入射光を所定の透過率で透過させ、第２面側から
の入射光に対する反射光を減衰させる光吸収性反射防止
多層膜とを有し、 前記光吸収性反射防止多層膜は、前記第１面に形成され
た、顔料微粒子を含む光吸収膜と、 前記第２面に形成された、前記光吸収膜に接する反射防
止多層膜と、 前記反射防止多層膜に含まれる少なくとも１層の導電性
薄膜とを有する表示装置。 - 【請求項２７】前記表示部の表面はほぼ平面である請求
項２６記載の表示装置。 - 【請求項２８】顔料微粒子と溶媒を含む溶液を塗布する
工程と、 前記溶媒を乾燥させ、前記顔料微粒子を含む、所定の透
過率の光吸収膜を形成する工程と、 少なくとも１層の導電性薄膜を含み、光干渉によって入
射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜を、物
理的蒸着（ＰＶＤ；ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により前記光吸収膜上に形成す
る工程とを有する光吸収性反射防止膜の製造方法。 - 【請求項２９】前記物理的蒸着法はスパッタリング法を
含む請求項２８記載の光吸収性反射防止膜の製造方法。 - 【請求項３０】画像が表示される表示部に、顔料微粒子
と溶媒を含む溶液を塗布する工程と、前記溶媒を乾燥さ
せ、前記顔料微粒子を含む、所定の透過率の光吸収膜を
形成する工程と、 少なくとも１層の導電性薄膜を含み、光干渉によって入
射光に対する反射光を減衰させる反射防止多層膜を、物
理的蒸着法（ＰＶＤ）により前記光吸収膜上に形成する
工程とを有する表示装置の製造方法。 - 【請求項３１】前記物理的蒸着法はスパッタリング法を
含む請求項３０記載の表示装置の製造方法。
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