WO2021134688A1 - 一种制作mems驱动器的方法 - Google Patents

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oxide
silicon layer
layer
cavity
oxide structure
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陶泽
吴伟昌
李杨
黎家健
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瑞声声学科技(深圳)有限公司
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate

Definitions

  • the invention relates to the technical field of semiconductor devices, and in particular to a method for manufacturing a MEMS driver.
  • MEMS Micro-Electro-Mechanical System
  • the complexity of the entire MEMS actuator process is increased; the bonding process will introduce additional wafers, and the control of the bonding process has always been a challenge; and the micro-assembly process is an additional special
  • the process needs to be tailored to suit the design of MEMS.
  • the purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a MEMS driver, which can complete the entire manufacturing process with an existing wafer.
  • a method for manufacturing a MEMS driver includes:
  • the first silicon layer is etched through the first cavity to expose the first oxide layer, so that the first silicon layer forms a first outer silicon layer and a first inner silicon layer spaced apart from each other.
  • the first outer silicon layer is arranged directly opposite to the first oxide structure;
  • the second oxide layer is patterned to form a second outer oxide structure and a second inner oxide structure spaced apart from each other, the second outer oxide structure and the second inner oxide structure are spaced apart to form a second cavity, the The second inner oxide structure is provided with a third cavity, and the second outer oxide structure is arranged directly opposite to the first outer silicon layer;
  • a conductive layer is deposited on the surface of the second oxide layer and in the second cavity and the third cavity, and the conductive layer is etched to form a metal structure, and the metal structure covers and fills the second cavity Cavity and the second outer oxide structure to form a first structure with a first thickness;
  • the second internal oxide structure includes a first area directly opposite to the first internal silicon layer and a second area offset from the first internal silicon layer. After the steps of "one oxide structure and the exposed second inner oxide structure and first oxide layer", the area corresponding to the second silicon layer and the second area forms a second structure with a second thickness, and The second thickness is not equal to the first thickness.
  • the area of the second silicon layer corresponding to the first area the area of the second silicon layer corresponding to the first area, The first oxide layer and the first inner silicon layer jointly form a third structure having a third thickness, and the third thickness is not equal to the first thickness.
  • the area and the area of the second silicon layer corresponding to the metal structure jointly form a fourth structure having a fourth thickness, and the fourth thickness is not equal to the first thickness.
  • the doped region includes an etch stop region located in the first silicon layer and spaced from the first oxide layer, and the concentration of the doping element is far away from the first silicon layer.
  • the surface of the first oxide layer gradually increases toward the etch stop region; the thinning of the doped region is wet etching the first inner silicon layer to expose the etch stop region.
  • the metal structure simultaneously covers the surface of the second outer oxide structure and the end surface of the second inner oxide structure close to the second cavity and fills the second cavity.
  • the area of the second inner oxide structure corresponding to the metal structure remains.
  • the method for manufacturing a MEMS driver further includes: forming a first light on the surface of the third oxide layer. Resist and pattern the first photoresist.
  • the first silicon layer is etched through the first cavity to expose the first oxide layer, so that the first silicon layer forms a first outer silicon layer spaced apart from each other.
  • the first inner silicon layer, the first outer silicon layer and the first oxide structure are arranged directly opposite to each other, the method of manufacturing the MEMS driver further includes:
  • a second photoresist is formed in the first cavity and on the surface of the first oxide structure.
  • the first silicon layer is etched through the first cavity to expose the first oxide layer, so that the first silicon layer forms a first outer silicon layer spaced apart from each other.
  • the first inner silicon layer, the first outer silicon layer and the first oxide structure are arranged directly opposite to each other, the method of manufacturing the MEMS driver further includes:
  • the second photoresist on the surface of the first oxide structure and the surface of the first inner silicon layer is stripped off.
  • the second outer oxide structure and the second inner oxide structure A second cavity is formed at intervals, the second inner oxide structure is provided with a third cavity, and the second outer oxide structure is arranged directly opposite to the first outer silicon layer.
  • a third photoresist is formed on the surface of the second oxide layer.
  • the method further includes:
  • the third photoresist on the surface of the second outer oxide structure and the second inner oxide structure is stripped off.
  • the method of manufacturing a MEMS driver further includes:
  • a fourth photoresist is formed on the surface of the conductive layer.
  • the method of manufacturing a MEMS driver further includes:
  • the fourth photoresist on the surface of the metal structure is stripped.
  • the MEMS driver can be manufactured, eliminating the bonding process and the micro-assembly process and simplifying the entire MEMS actuator process.
  • FIG. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a MEMS driver according to an embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver in Fig. 1 after the substrate is processed in steps S10-S20.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S20.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver in which the substrate in FIG. 1 is processed through steps S10-S30.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S30.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S40.
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S50.
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S60.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S70.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver in which the substrate in FIG. 1 is processed in steps S10-S80.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of the structure of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S80.
  • FIG. 12 is a schematic structural diagram of the MEMS driver in which the substrate in FIG. 1 is processed through steps S10-S80 and step S81.
  • FIG. 13 is a schematic structural diagram of the MEMS driver after the substrate in FIG. 1 has been processed in steps S10-S90.
  • an embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a MEMS driver, and the method of manufacturing a MEMS driver includes:
  • Step S10 providing a wafer substrate 10 having a first oxide layer 12 and a first silicon layer 11 and a second silicon layer 13 respectively deposited on opposite surfaces of the first oxide layer 12;
  • the wafer substrate 10 is a silicon wafer
  • Step S20 After the second oxide layer 20 is deposited and formed on the surface of the second silicon layer 13 (for the specific structure after deposition, please refer to FIG. 2), the first silicon layer 11 is formed by element doping and the The doped regions 30 separated by the first oxide layer 12 (please refer to FIG. 3 for the specific structure after doping), and the overall thickness of the first silicon layer 11 does not change after doping;
  • Step S30 Deposit a third oxide layer 40 on the surface of the first silicon layer 11 (please refer to FIG. 4 for the specific structure after deposition), and etch the third oxide layer 40 to form a first oxide layer at the edge Structure 41.
  • the first oxide structure 41 surrounds the first cavity A.
  • the method further includes step S301:
  • Step 301 forming a first photoresist on the surface of the third oxide layer 40;
  • the method further includes a step 302: exposing and developing the first photoresist to form a first photoresist structure located at the edge, the first photoresist structure
  • a step 302 exposing and developing the first photoresist to form a first photoresist structure located at the edge, the first photoresist structure
  • the method further includes Step 31 and Step 32:
  • Step 31 Peel off the trimmed first photoresist
  • Step 32 forming a second photoresist on the surface of the doped region 30; specifically, forming a second photoresist on the surface of the doped region 30 exposed in the first cavity A;
  • Step S40 etch the first silicon layer 11 through the first cavity A to expose the first oxide layer 12, so that the first silicon layer 11 forms a first outer silicon layer 111 and The first inner silicon layer 112, the first outer silicon layer 111 and the first oxide structure 41 are arranged directly opposite to each other (for the specific structure, please refer to FIG. 6); in this embodiment, the first outer silicon layers 111 are spaced apart from each other.
  • the first inner silicon layer 112 to form n cavities; wherein, in this embodiment, the n cavities sequentially include a first bottom cavity a1, a second bottom cavity a2, and a third bottom cavity a3, wherein, in this embodiment, the width of the first bottom cavity a1 is smaller than the width of the third bottom cavity a3, and the width of the second bottom cavity a2 is greater than the width of the third bottom cavity a3; in other embodiments
  • the width of the cavity formed by etching can be designed according to actual requirements, which is not limited here; please refer to Fig. 6 for details.
  • step S41 is further included after step S40: stripping off the second photoresist on the surfaces of the first outer silicon layer 111 and the first inner silicon layer 112;
  • Step S50 Wet-etch the first inner silicon layer 112 to thin the doped region 30 (for the specific structure after thinning, please refer to FIG. 7);
  • the doped region 30 includes an etch stop region 31 located in the first silicon layer 11 and spaced from the first oxide layer 12, and the concentration of the doping element is from the first silicon layer.
  • the surface of the layer 11 away from the first oxide layer 12 gradually increases toward the etch stop region 31; the thinning of the doped region 30 is the wet etching of the first inner silicon layer 112 to expose The etching stop region 31; it should be noted that the element concentration of the etching stop region 31 is the highest, which is beneficial to reduce the etching rate, so that the etching of the doped region 31 can stop in this region in time;
  • step S51 is further included after step S50;
  • Step S51 forming a third photoresist on the surface of the second oxide layer 20;
  • Step S60 Pattern the second oxide layer 20 to form a second outer oxide structure 21 and a second inner oxide structure 22 spaced apart from each other, and the second outer oxide structure 21 and the second inner oxide structure 22 are spaced apart A second cavity is formed (the structure of the second cavity specifically includes the first top cavity b1 in FIG. 8); the second internal oxidation structure 22 is provided with a third cavity (see the first cavity in FIG. 8) The second top cavity b2, the third top cavity b3, and the fourth top cavity b4), the second outer oxide structure 21 and the first outer silicon layer 111 are arranged directly opposite.
  • the second internal oxide structure 22 includes a first region 23 disposed directly opposite to the first internal silicon layer 112 and a second region disposed offset from the first internal silicon layer 112. twenty four;
  • the positions of the first top cavity b1 and the fourth top cavity b4 are respectively opposite to the positions of the first bottom cavity a1 and the third bottom cavity a3, and the second top cavity b2,
  • the position of the outside of the third top cavity b3 is opposite to the positions of the two sides of the second bottom cavity a2.
  • step S61 is further included after step S60;
  • Step S61 stripping off the third photoresist on the surfaces of the second outer oxide structure 21 and the second inner oxide structure 22;
  • Step S70 Depositing a conductive layer 50 on the surface of the second oxide layer 20 and in the second cavity and the third cavity (see FIG. 9 for the specific structure).
  • the conductive layer 50 is The metal layer, in other embodiments, the conductive layer 50 may also be another conductive thin film layer; the conductive layer 50 is etched to form a metal structure 51, and the metal structure 51 covers and fills the second cavity and interacts with the second cavity.
  • the second outer oxide structure 21 forms a pretreatment structure D0 with a first thickness T1, (for the specific structure, please refer to FIG. 12); in one embodiment, the metal structure 51 simultaneously covers the surface of the second outer oxide structure 21 and The second internal oxidation structure 22 is close to the end surface of the second cavity and fills the second cavity; wherein, the metal plate covers the first top cavity b1;
  • step S701 is further included;
  • Step S701 forming a fourth photoresist 60 on the surface of the conductive layer 50;
  • Step S80 etch the second silicon layer 13 through the third cavity until the first oxide layer 12 is exposed (for the specific structure change process, please refer to FIGS. 10-11);
  • step S81 is further included after step S80;
  • Step S81 stripping off the fourth photoresist 60 on the surface of the metal structure 51 (please refer to FIG. 12 for the specific structure);
  • Step S90 Release the first oxide structure 41 and the exposed second inner oxide structure 22 and the first oxide layer 12 (for the specific structure, please refer to FIG. 13);
  • step S90 the region corresponding to the second internal oxide structure 22 and the metal structure 51 remains;
  • the preprocessing structure D0 having the first thickness T1 in the above step S70 becomes the first structure D1 having the first thickness T1;
  • the first structure D1 only the entire second outer oxide structure 21 covered by the metal structure 51 and a part of the second inner oxide structure 22 adjacent to the second outer oxide structure 21 are not released;
  • the second The area corresponding to the silicon layer 13 and the second area 24 forms a second structure D2 having a second thickness T2, and the second thickness T2 is not equal to the first thickness T1;
  • the area corresponding to the first area 23, the first oxide layer 12, and the first inner silicon layer 112 together form a third structure D3 having a third thickness T3.
  • the thickness T1 is not equal; the area corresponding to the second silicon layer 13 and the metal structure 51, the first oxide layer 12, and the first outer silicon layer 111 together form a fourth structure with a fourth thickness T4 D4, the fourth thickness T4 is not equal to the first thickness T1; it should be noted that in the method for manufacturing a MEMS driver provided by the present invention, the second thickness T2, the third thickness T3, and the fourth thickness T4 are all It is not equal, and preferably, the first thickness T1 is not equal to the second thickness T2, the third thickness T3, and the fourth thickness T4; in other embodiments, the first structure D1 can be adjusted according to actual structure requirements.
  • the size of the first thickness T1 is made equal to the second thickness T2 or the third thickness T3 or the fourth thickness T4.
  • a steam or wet release process is used to release the exposed first oxide layer 12, second oxide layer 20, and third oxide layer 40 on the front or back of the substrate. Please refer to FIG. 13 for details.
  • the method for manufacturing the MEMS actuator provided by the present invention eliminates the bonding process and the micro-assembly process, and does not require the bonding process of two silicon wafers, which simplifies the entire MEMS actuator manufacturing process.
  • the first structure D1 can be used as a support platform for supporting a supported element (such as a lens), and the fourth structure D4 at both ends can be fixed as anchors.
  • the structure D2 can be used as a serpentine beam and installed between the third structure D3.
  • the thickness of the first structure D1 is the sum of the thicknesses of the conductive layer 50 and the second oxide layer 20; the MEMS drivers are respectively mounted to The inside and outside of the part to be driven can be driven in-plane and out-of-plane to move in six degrees of freedom through the cooperation of several MEMS drivers.

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Abstract

一种制作MEMS驱动器的方法，提供一晶圆基片(10)，具有第一氧化物层(12)以及分别沉积于第一氧化物层(12)相对表面的第一硅层(11)和第二硅层(13)；在第二硅层(13)的表面沉积形成第二氧化物层(20)后，对第一硅层(11)进行元素掺杂形成与第一氧化物层(12)间隔的掺杂区域(30)；在第一硅层(11)的表面沉积第三氧化物层(40)，刻蚀第三氧化物层(40)以形成位于边缘的第一氧化结构(41)，第一氧化结构(41)围设成第一空腔(A)。制作MEMS驱动器的方法，通过控制经典的晶圆片制造方法加工一个现有的硅晶圆就能够制作出MEMS驱动器的方法，消除粘接过程和微装配过程，简化整个MEMS执行器过程。

Description

一种制作MEMS驱动器的方法 技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种制作MEMS驱动器的方法。
背景技术
现有的制作MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)驱动器的方法包括以下三种：
1、通过将平面内运动装置和平面外运动装置附着在一起；
2、通过将平面内运动装置和微装配的激活；
3、通过将第一片晶片制造和第二片晶片制造的键合；
通过粘接过程和微装配过程，提高整个MEMS执行器过程的复杂度；键合过程会引入额外的晶圆片，而键合过程的控制一直是一个挑战；并且微装配过程是一个额外的特殊过程，需要量身定制，以适应MEMS的设计。
因此，亟需一种通过控制经典的晶圆片制造方法加工一个现有的硅晶圆就能够制作出MEMS驱动器的方法。
发明概述
技术问题
本发明的目的在于提供一种制作MEMS驱动器的方法，以需要一个现有的晶圆片就可以完成整个制作过程的制作MEMS驱动器的方法。
问题的解决方案
技术解决方案
本发明的技术方案如下：一种制作MEMS驱动器的方法，所述制作MEMS驱动器的方法包括：
提供一晶圆基片，具有第一氧化物层以及分别沉积于所述第一氧化物层相对表面的第一硅层和第二硅层；
在所述第二硅层的表面沉积形成第二氧化物层后，对所述第一硅层进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层间隔的掺杂区域；
在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层，刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔；
通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置；
湿法刻蚀所述第一内硅层以减薄所述掺杂区域；
图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置；
在所述第二氧化物层的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层，并刻蚀所述导电层形成金属结构，所述金属结构覆盖且填充所述第二空腔并与所述第二外氧化结构形成具有第一厚度的第一结构；
通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层直至暴露所述第一氧化物层；
释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层。
作为一种改进，所述第二内氧化结构包括与所述第一内硅层正对设置的第一区域以及与所述第一内硅层偏离设置的第二区域，在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第二区域对应的区域形成具有第二厚度的第二结构，所述第二厚度与所述第一厚度不相等。
作为一种改进，在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第一区域对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一内硅层共同形成具有第三厚度的第三结构，所述第三厚度与所述第一厚度不相等。
作为一种改进，在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述金属结构对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一外硅层共同形成具有第四厚度的第四结构，所述第四厚度与所述第一厚度不相等。
作为一种改进，所述掺杂区域包括位于所述第一硅层内并与所述第一氧化物层 间隔的刻蚀停止区域，所述掺杂元素的浓度自所述第一硅层远离所述第一氧化物层的表面向所述刻蚀停止区域逐渐增大；所述减薄所述掺杂区域为湿法刻蚀所述第一内硅层至暴露所述刻蚀停止区域。
作为一种改进，所述金属结构同时覆盖所述第二外氧化结构表面以及所述第二内氧化结构靠近所述第二空腔的端面并填充所述第二空腔。
作为一种改进，所述释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层时，所述第二内氧化结构与所述金属结构对应的区域保留。
作为一种改进，“所述在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：在第三氧化物层的表面形成第一光刻胶并图案化所述第一光刻胶。
作为一种改进，在所述“刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔”步骤之后，
剥除第一光刻胶。
作为一种改进，在所述“通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置”的步骤之前，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
在所述第一空腔内以及所述第一氧化结构表面形成第二光刻胶。
作为一种改进，在所述“通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
剥除位于第一氧化结构表面和第一内硅层表面的第二光刻胶。
作为一种改进，在所述“图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置”的步骤之前，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
在第二氧化物层的表面形成第三光刻胶。
作为一种改进，在所述“图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置”的步骤之后，还包括：
剥除位于第二外氧化结构和第二内氧化结构表面的第三光刻胶。
作为一种改进，在所述“在所述第二氧化物层的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
在所述导电层的表面形成第四光刻胶。
作为一种改进，在所述“通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层直至暴露所述第一氧化物层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
剥除所述金属结构表面的第四光刻胶。
发明的有益效果
有益效果
本发明的有益效果在于：
通过控制经典的晶圆片制造方法加工一个现有的硅晶圆就能够制作出MEMS驱动器的方法，消除粘接过程和微装配过程，简化整个MEMS执行器过程。
对附图的简要说明
附图说明
图1为本发明一实施例提供的制作MEMS驱动器的方法的流程图。
图2为图1中基片经过步骤S10-S20处理中的MEMS驱动器的结构示意图。
图3为图1中基片经过步骤S10-S20处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图4为图1中基片经过步骤S10-S30处理中的MEMS驱动器的结构示意图。
图5为图1中基片经过步骤S10-S30处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图6为图1中基片经过步骤S10-S40处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图7为图1中基片经过步骤S10-S50处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图8为图1中基片经过步骤S10-S60处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图9为图1中基片经过步骤S10-S70处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图10为图1中基片经过步骤S10-S80处理中的MEMS驱动器的结构示意图。
图11为图1中基片经过步骤S10-S80处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
图12为图1中基片经过步骤S10-S80及步骤S81处理中的MEMS驱动器的结构示意图。
图13为图1中基片经过步骤S10-S90处理后的MEMS驱动器的结构示意图。
发明实施例
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
请参看图1，本发明的一实施方式提供了一种制作MEMS驱动器的方法，所述制作MEMS驱动器的方法包括：
步骤S10：提供一晶圆基片10，具有第一氧化物层12以及分别沉积于所述第一氧化物层12相对表面的第一硅层11和第二硅层13；
具体地，所述晶圆基片10为硅晶圆；
步骤S20：在所述第二硅层13的表面沉积形成第二氧化物层20后(沉积后的具体结构请参看图2)，对所述第一硅层11进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层12间隔的掺杂区域30(掺杂后的具体结构请参看图3)，所述第一硅层11掺杂后整体的厚度不变；
步骤S30：在所述第一硅层11的表面沉积第三氧化物层40(沉积后的具体结构请参看图4)，刻蚀所述第三氧化物层40以形成位于边缘的第一氧化结构41，所述第一氧化结构41围设成第一空腔A，第一空腔A的位置请参看图5中的A区域；优选地，在所述“在所述第一硅层11的表面沉积第三氧化物层40”的步骤之后，还包括步骤S301：
步骤301：在第三氧化物层40的表面形成第一光刻胶；
优选地，在另一实施例中，在所述步骤301之后还包括步骤302：曝光、显影第一光刻胶、以形成位于边缘的第一光刻胶结构，所述第一光刻胶结构围设成第四空腔应当指出的是，在步骤32之后的“刻蚀所述第三氧化物层40以形成位于边缘的第一氧化结构41”是在第四空腔内进行，这样的目的方便刻蚀所述第三氧化物层40以形成位于边缘的第一氧化结构41；其中，所述第一氧化结构41和所述第一光刻胶结构在所述晶圆基片10的轴向方向的投影相互重合；
优选地，在所述“刻蚀所述第三氧化物层40以形成位于边缘的第一氧化结构41，所述第一氧化结构41围设成第一空腔A”的步骤之后，还包括步骤31和步骤32：
步骤31：剥除修剪后的第一光刻胶；
步骤32：在掺杂区域30的表面形成第二光刻胶；具体地，在裸露在第一空腔A内的掺杂区域30的表面形成第二光刻胶；
步骤S40：通过所述第一空腔A刻蚀所述第一硅层11至暴露所述第一氧化物层12，使得所述第一硅层11形成相互间隔的第一外硅层111和第一内硅层112，所述第一外硅层111与所述第一氧化结构41正对设置(具体结构请参看图6)；在本实施例中，相互间隔的第一外硅层111和第一内硅层112形成n个空腔；其中，在本实施例中，所述n个空腔依次包括第一底部空腔a1、第二底部空腔a2、第三底部空腔a3，其中，在本实施例中，第一底部空腔a1的宽度小于第三底部空腔a3的宽度，所述第二底部空腔a2的宽度大于第三底部空腔a3的宽度；在其他实施例中，刻蚀形成的空腔的宽度可根据实际需求设计，在此不做限定；具体请参看图6。
优选地，在步骤S40之后还包括步骤S41：剥除位于第一外硅层111和第一内硅层112表面的第二光刻胶；
步骤S50：湿法刻蚀所述第一内硅层112以减薄所述掺杂区域30(减薄后的具体结构请参看图7)；
具体地，所述掺杂区域30包括位于所述第一硅层11内并与所述第一氧化物层12间隔的刻蚀停止区域31，所述掺杂元素的浓度自所述第一硅层11远离所述第一氧化物层12的表面向所述刻蚀停止区域31逐渐增大；所述减薄所述掺杂区域30为湿法刻蚀所述第一内硅层112至暴露所述刻蚀停止区域31；应当指出的是，刻蚀停止区域31的元素浓度最高，这样有利于降低刻蚀速率，使得刻蚀掺杂区域31时能及时停止在该区域；
优选地，在步骤S50之后还包括步骤S51；
步骤S51：在第二氧化物层20的表面形成第三光刻胶；
步骤S60：图案化所述第二氧化物层20以形成相互间隔的第二外氧化结构21和 第二内氧化结构22，所述第二外氧化结构21和所述第二内氧化结构22间隔形成第二空腔(第二空腔的结构具体包括请参看图8中的第一顶部空腔b1)；所述第二内氧化结构22设有第三空腔(请参看图8中的第二顶部空腔b2、第三顶部空腔b3和第四顶部空腔b4)，所述第二外氧化结构21与所述第一外硅层111正对设置。
具体地，请参看图8，所述第二内氧化结构22包括与所述第一内硅层112正对设置的第一区域23以及与所述第一内硅层112偏离设置的第二区域24；
更为具体地是，其中第一顶部空腔b1、第四顶部空腔b4的位置分别与第一底部空腔a1、第三底部空腔a3的位置相对，所述第二顶部空腔b2、第三顶部空腔b3的外侧的位置与第二底部空腔a2的两侧的位置相对。
优选地，在步骤S60之后还包括步骤S61；
步骤S61：剥除位于第二外氧化结构21和第二内氧化结构22表面的第三光刻胶；
步骤S70：在所述第二氧化物层20的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层50(具体结构请参看图9)，在本实施例中，导电层50为金属层，在其他实施例中，导电层50也可以为其他导电薄膜层；刻蚀所述导电层50形成金属结构51，所述金属结构51覆盖且填充所述第二空腔并与所述第二外氧化结构21形成具有第一厚度T1的预处理结构D0，(具体结构请参看图12)；在一实施例中，所述金属结构51同时覆盖所述第二外氧化结构21表面以及所述第二内氧化结构22靠近所述第二空腔的端面并填充所述第二空腔；其中，所述金属板覆盖所述第一顶部空腔b1；
优选地，在所述“在所述第二氧化物层20的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层50”的步骤之后，还包括步骤S701；
步骤S701：在所述导电层50的表面形成第四光刻胶60；
步骤S80：通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层13直至暴露所述第一氧化物层12(具体结构的变化过程请参看图10-11)；
优选地，在步骤S80之后还包括步骤S81；
步骤S81：剥除所述金属结构51表面的第四光刻胶60(具体结构请参看图12) ；
步骤S90：释放第一氧化结构41以及裸露在外的第二内氧化结构22和第一氧化物层12(具体结构请参看图13)；
应当指出的是，在步骤S90进行时，所述第二内氧化结构22与所述金属结构51对应的区域保留；
请一并参看图8和图13，在所述步骤S90之后，在上述步骤S70中具有第一厚度T1的预处理结构D0变为具有第一厚度T1的第一结构D1；其中，在所述第一结构D1中，仅在所述金属结构51覆盖下的整个第二外氧化结构21、和部分与第二外氧化结构21相邻的第二内氧化结构22没有被释放；所述第二硅层13与所述第二区域24对应的区域形成具有第二厚度T2的第二结构D2，所述第二厚度T2与所述第一厚度T1不相等；所述第二硅层13与所述第一区域23对应的区域、所述第一氧化物层12以及所述第一内硅层112共同形成具有第三厚度T3的第三结构D3，所述第三厚度T3与所述第一厚度T1不相等；所述第二硅层13与所述金属结构51对应的区域、所述第一氧化物层12以及所述第一外硅层111共同形成具有第四厚度T4的第四结构D4，所述第四厚度T4与所述第一厚度T1不相等；需要注意的是，在本发明提供的制作MEMS驱动器的方法中，第二厚度T2、第三厚度T3、第四厚度T4均不相等，而优选的是，第一厚度T1与第二厚度T2、第三厚度T3、第四厚度T4均不相等；在其他实施例中，可根据实际结构的需要，调节第一结构D1的第一厚度T1的大小使其与第二厚度T2或第三厚度T3或第四厚度T4相等。
具体地，使用蒸汽或湿法释放工艺释放位于基片正面或背面、且裸露在外的第一氧化物层12、第二氧化物层20及第三氧化物层40，具体请参看图13。
采用本发明提供的制作MEMS驱动器的方法，消除粘接过程和微装配过程，而且不需要两个硅晶圆的键合过程，简化整个MEMS执行器制造过程。
请再参看图13，在本实施例中，使用MEMS驱动器时，第一结构D1可作为支撑被支撑元件(如镜头)的支撑平台，可将两端的第四结构D4作为锚部固定，第二结构D2可作为蛇形梁使用并安装在第三结构D3之间，第一结构D1的厚度为导电层50和第二氧化物层20两者的厚度之和；将所述MEMS驱动器分别安装至待驱动件的内侧和外侧，通过若干MEMS驱动器的配合实现在面内和面外驱动待驱动 件在六个自由度运动。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (15)

  1. 一种制作MEMS驱动器的方法，其特征在于，所述制作MEMS驱动器的方法包括：
    提供一晶圆基片，具有第一氧化物层以及分别沉积于所述第一氧化物层相对表面的第一硅层和第二硅层；
    在所述第二硅层的表面沉积形成第二氧化物层后，对所述第一硅层进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层间隔的掺杂区域；
    在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层，刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔；
    通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置；
    湿法刻蚀所述第一内硅层以减薄所述掺杂区域；
    图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置；
    在所述第二氧化物层的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层，并刻蚀所述导电层形成金属结构，所述金属结构覆盖且填充所述第二空腔并与所述第二外氧化结构形成具有第一厚度的第一结构；
    通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层直至暴露所述第一氧化物层；
    释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层。
  2. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述第二内氧化结构包括与所述第一内硅层正对设置的第一区域以 及与所述第一内硅层偏离设置的第二区域，在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第二区域对应的区域形成具有第二厚度的第二结构，所述第二厚度与所述第一厚度不相等。
  3. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第一区域对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一内硅层共同形成具有第三厚度的第三结构，所述第三厚度与所述第一厚度不相等。
  4. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述金属结构对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一外硅层共同形成具有第四厚度的第四结构，所述第四厚度与所述第一厚度不相等。
  5. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述掺杂区域包括位于所述第一硅层内并与所述第一氧化物层间隔的刻蚀停止区域，所述掺杂元素的浓度自所述第一硅层远离所述第一氧化物层的表面向所述刻蚀停止区域逐渐增大；所述减薄所述掺杂区域为湿法刻蚀所述第一内硅层至暴露所述刻蚀停止区域。
  6. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述金属结构同时覆盖所述第二外氧化结构表面以及所述第二内氧化结构靠近所述第二空腔的端面并填充所述第二空腔。
  7. 根据权利要求2所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”时，所述第二内氧化结构与所述金属结构对应的区域保留。
  8. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：“ 所述在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：在第三氧化物层的表面形成第一光刻胶并图案化所述第一光刻胶。
  9. 根据权利要求8所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔”步骤之后，剥除第一光刻胶。
  10. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置”的步骤之前，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
    在所述第一空腔内以及所述第一氧化结构表面形成第二光刻胶。
  11. 根据权利要求10所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：
    在所述“通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
    剥除位于第一氧化结构表面和第一内硅层表面的第二光刻胶。
  12. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置”的步骤之前，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
    在第二氧化物层的表面形成第三光刻胶。
  13. 根据权利要求12所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：
    在所述“图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结 构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置”的步骤之后，还包括：
    剥除位于第二外氧化结构和第二内氧化结构表面的第三光刻胶。
  14. 根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“在所述第二氧化物层的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
    在所述导电层的表面形成第四光刻胶。
  15. 根据权利要求14所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：
    在所述“通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层直至暴露所述第一氧化物层”的步骤之后，所述制作MEMS驱动器的方法还包括：
    剥除所述金属结构表面的第四光刻胶。
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