WO2021130798A1 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理に用いる波長選択方法 - Google Patents
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Abstract
残り膜厚やエッチング量を高い精度で検出できる波長選択方法またはプラズマ処理方法を提供するため、真空容器内部の処理室内に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内に処理用のガスを供給して生成したプラズマを用いて前記ウエハの表面に予め形成された処理対象の膜層を処理するプラズマ処理方法であって、前記処理対象の膜層の処理中に生じるプラズマの複数の波長の発光のうち相互情報量の大きな複数の波長のものから選択された少なくとも2つの波長の前記発光の時間変化を検出した結果に基づいて前記膜層の処理の終点を判定する。
Description
本発明は、半導体集積回路を製造する工程が用いられ、真空容器内部の処理室内に配置された半導体ウエハ等の基板状の試料を当該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、処理中に検出された処理室内からの発光を用いて試料表面の膜厚さまたは処理の量を検出するための波長の選択方法またはプラズマ処理方法に関する。
半導体デバイスを製造する工程では、半導体ウエハ等の基板状の試料を真空容器内部の処理室内に配置して、当該処理室内に形成したプラズマを用いて、試料表面上に形成された誘電材料やマスク層を含む複数の膜層を有した膜構造をエッチングし半導体デバイスの回路のパターンを形成する処理、所謂ドライエッチング処理が実施されている。このようなエッチング処理においては、近年増大する半導体デバイスの集積度を実現するため、当該処理を上記の膜層を所望の膜厚さ或いはエッチング深さで停止させ回路のパターンを高い精度で実現するために、エッチングの終点をより正確に決定し処理の条件を適切に調節することが求められている。
一般的に、このようなエッチング処理は、真空容器内部の処理室内に半導体ウエハが配置された状態で、当該処理室内に供給した処理用のガスに電界または磁界が供給されてその原子または分子が励起されてプラズマが形成され、これを用いて試料上の膜構造のうちの処理対象の膜の処理が行われる。処理中においては処理室内のプラズマの発光に含まれる特定の波長の光の強度は、処理対象の特定の膜または処理が進行している任意の膜のエッチングの進行に伴って変化する。
そこで、従来から、処理の終点を精度良く検出する技術として、エッチング処理中に処理室からの発光に含まれる当該特定の波長の強度の変化を検出し、この結果に基づいて処理の終点を検出するものが知られている。しかし、上記の発光には通常、処理中のプラズマの特性や膜の状態に大きな相関を有する反応により生じる特定の波長の発光以外にも、時間経過に伴う強度変化を伴う発光も含まれており、終点の判定の際にはこのような所謂ベースラインにより生じた検出対象の波長の波形の変動に起因した誤検出を低減または抑制する必要がある。
このようなノイズに対応して発光の強度の変化を精度良く検出するための技術としては、特開2015-23104号公報(特許文献1)がある。この従来技術は、IIR(無限インパルスレスポンス)フィルタにより、発光の強度の信号から時間変化のベースライン成分をその傾きの時間変化に追従しながら検出し、検出したベースラインの成分を発光の強度の信号から除くことにより変化の成分を抽出するものである。
上記の従来技術では、次の点について考慮が不十分であったため問題が生じていた。
すなわち、特許文献1の技術は、発光の強度の信号からベースラインの成分を効果的に取り除くものであるものの、終点検出に適するとしてあらかじめ選択した波長(基本波長)の光は、処理室の光を透過させて検出する窓部材や内壁面に付着して堆積する物質により、強度が弱められたり或いはサチュレーションが起こったり、ベースラインが大きくなったりする。このため、基本波長のみを使用して終点を検出しようとすると検出の精度が損なわれてしまう虞があった。このような問題を解決して終点の検出の精度を高める上では、基本波長以外の波長を用いる等複数の波長の光を処理の終点やエッチング量、残り膜厚さの検出に用いる必要がある。しかしながら、上記従来の技術では、このような終点の判定に用いる複数の波長を適切に選択するための技術については、何ら考慮されていなかった。
さらに、終点の判定に用いる光の波長を選択するために従来から用いられてきた決定係数に基づく選択や主成分分析や非負値行列因子分解を用いるものでは、ベースラインの影響などで変化が大きい波長が抽出されるに過ぎず、抽出される波長が終点や残り膜厚さの検出に適する波長ではなく、同様に検出の精度が損なわれてしまう虞が有った。
本発明の目的は、用いる複数の波長を適切に選択して残り膜厚やエッチング量を高い精度で検出できるプラズマ処理方法およびプラズマ処理に用いる波長選択方法を提供することにある。
上記目的は、真空容器内部の処理室内に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内に処理用のガスを供給して生成したプラズマを用いて前記ウエハの表面に予め形成された処理対象の膜層を処理するプラズマ処理方法であって、前記処理対象の膜層の処理中に生じるプラズマの複数の波長の発光のうち相互情報量の大きな複数の波長のものから選択された少なくとも2つの波長の前記発光の時間変化を検出した結果に基づいて前記膜層の処理の終点を判定するプラズマ処理方法により達成される。
本発明によれば、プラズマ処理装置の、特にエッチング処理装置において、基本波長がサチュレーションやベースラインで隠れてしまった場合でも、線形・非線形を問わずエッチング量や終点と発光強度変化との従属性が高い波長だけを基本波長を代替する波長として選択できる。このようにして選択された波長に基づいて被処理層の実際のエッチング量や終点をより高精度で検出することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
本実施の形態は、真空容器内部の処理室内に配置された半導体ウエハ等基板状の試料上面に予め配置されたマスク層と処理対象の膜層とを含む複数層有する膜構造を処理室内に形成されたプラズマを用いてエッチングする際に、試料の表面の膜構造で反射された光を含む処理室内からの発光を用いて、エッチングの量の検出やエッチングの終点を判定するプラズマ処理装置とその運転方法を説明する。特に、本例では、線形・非線形を問わずエッチング量や終点と発光強度変化との従属性が高い複数の波長だけを基本波長を代替する波長として選択し、膜構造の処理対象の膜層のエッチングの量またはその終点を高い精度で検出し、膜構造がエッチングされて形成される半導体デバイスの回路を構成するパターンの形状を所期のものに近づけることができるプラズマ処理方法が開示される。
本発明の実施例を図1乃至4を用いて説明する。
図1を用いて、本実施例に係るプラズマ処理装置の構成を説明する。図1は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す図である。特に、本実施例のプラズマ処理装置100は、内部に配置された処理室内に搬送された半導体ウエハ等の基板状の試料をエッチング処理して半導体デバイスを製造する工程に用いられる装置であって、試料を処理したエッチング量、例えばマスクや処理対象の膜層の残り膜厚やエッチングして形成した溝または孔の深さを検出する検出器を備え、検出器からの出力に基づいて半導体ウエハ等試料の処理が調節されるように構成されたプラズマエッチング装置である。
本例のプラズマ処理装置100は、内部に円筒形を備えた処理室102が配置されて円筒形の外形を有した真空容器101と、真空容器の101外部に配置され処理室102内部の空間にプラズマ103を形成するために供給される電界または磁界を形成する手段であるプラズマ形成装置と、真空容器101の下方でこれと連結され処理室102内の空間からガスの原子、分子やプラズマ103を構成するイオンや活性の高い粒子等を排気するターボ分子ポンプ等の真空ポンプ及び当該排気の流量または速度を調節する調節器を含む排気装置とを備えて構成されている。
さらに、処理室102内のプラズマ103が形成される空間の下方には、処理対象の半導体ウエハ等の基板状の試料104が円形を有したその上面に載せられる試料台105が配置されている。また、図示していないが、本実施例では、処理室102の内側にはプラズマ103を形成して試料104を処理するための処理用ガスを導入するためのガス導入孔が配置されるとともに、真空容器101はガス導入孔と処理用ガスのガス源との間を連結しその途中にガスの流量または速度を処理に適したものに調節する流量調節器が配置されたガス供給経路を構成するガス用の管路が接続されている。
さらにまた、本実施例のプラズマ処理装置100には、真空容器101外部に配置されて処理室102内で実行されるプラズマ103を用いた試料104の処理中に生じるプラズマ103の発光や試料104表面からの干渉光等の処理室102内側からの光を受光してその強度や変化を検出して試料104の表面に配置されたエッチング処理対象の膜層の残り膜厚さやエッチング量(例えば、溝や孔の深さ)を検出するエッチング量検出器110が備えられている。また、処理中の処理室102からの光をエッチング量検出器110に伝達するため、処理室102を囲む真空容器101の側壁や処理室102上方の真空容器101の蓋部分を構成する部材に配置された貫通孔内に、石英等の透光性を有する材料から構成された窓部材が、Oリング等のシール材により内外を気密に封止されて配置されている。
このようなプラズマ処理装置100では、真空容器101の側壁は、図示しない別の真空容器であって、その内部に処理対象の試料104が当該内部に配置されたロボットのアーム上に保持されて搬送される減圧された空間である真空搬送室を備えた真空搬送容器に連結されている。処理されていない試料104は、真空搬送室内をロボットのアーム上に保持されて搬送され、アームの伸長により、真空搬送室と処理室102との間を連通する通路の内側を通ってアームに載せられた試料104が処理室102内に搬入される。
処理室102内に搬入された試料104は試料台105に受け渡されて試料台105上部を覆う誘電体製の膜の円形を有した上面に載せられる。試料104が通過した通路の真空搬送室側の開口が図示しないゲートバルブによって閉塞されて処理室102内が気密に封止されると、誘電体製の膜内の電極に供給された直流電力により生起された静電気力により当該誘電体製の膜上に保持される。その後、ガス源からの処理用ガスがガス導入孔から処理室102内に流量調節器により流量また速度が適切に調節されて供給されるとともに、試料台105の下方に配置され処理室102に面して配置された排気用の開口を通して排気装置を構成する真空ポンプの動作により処理室102内のガスが外部に排出される。
処理室102に供給される処理用ガスの流量または速度と真空ポンプの動作による排気用の開口からの排気の流量または速度のバランスにより、処理室102内側の圧力が試料104の処理に適した範囲内の値に調節される。プラズマ形成装置が形成する電界または磁界が処理室102内に供給され、処理用のガスの原子または分子が励起されて処理室102内の試料台105またはその上面に載せられ保持された試料104の上方の空間にプラズマ103が形成される。
試料台105内部には、図示されていない金属製の円板または円筒形を有した電極が配置され、真空容器101外部の同じく図示していない高周波電源と電気的に接続されている。プラズマ103が形成された状態で、プラズマ形成装置の電界と異なる周波数の高周波電力が高周波電源から試料台105内に配置された電極に供給されて、試料104上面上方の処理室102内に、プラズマ103の電位に応じたバイアス電位が形成される。
当該バイアス電位とプラズマの電位との電位差に応じて、プラズマ103中のイオン等の荷電粒子が試料104上面上方に誘引されて、試料104の上面に予め配置された有機材料により構成されたマスク層と処理対象の膜層とを含む複数の膜層を有する膜構造の表面と衝突することで、試料104表面の膜層のエッチング処理が進行し、プラズマ103中のラジカル等の反応性の高い活性種の原子または分子と処理対象の膜層の表面との間の物理的または化学的反応が促進されて、処理対象の膜層の荷電粒子の誘引される方向についての異方性の処理が促進される処理対象の膜層の処理中には、プラズマ103中の活性種や上記物理的または化学的な反応を含むプラズマ103と試料104表面との相互作用により生成された反応生成物に起因して光が放射される。
本実施例では、このような処理中に処理室102内で生じる発光をエッチング量検出器110により当該処理中に検出して、処理の量(例えば、処理対象の膜或いは当該膜上方に配置されたフォトレジスト等のマスク層の残り膜厚や、処理対象の膜に形成される溝や孔のエッチング深さ)を高い精度で検出して、処理の終点の判定あるいは供給される処理用ガスの流量や処理室102内の圧力、プラズマを形成するための電界または磁界の強度の値とその分布等処理の条件が調節可能に構成されている。エッチング量検出器110は、窓部材の外側に配置されて窓部材を通過した処理室102内からの光を受光する受光器と、光ファイバー106等の伝達器を介して受光器から伝達された光を所定の周波数または波長の複数のスペクトルに分解する分光器111とを備えている。特に、本実施例では、分光器111の内部には図示していない測定用光源(例えばハロゲン光源)が備えられ、これから放射された多波長の光は光ファイバー106を介して窓部材を通り処理室102内の試料台105上面に配置された試料104表面の膜構造に対して導入される。
本実施例では、窓部材は処理室102の上方で試料104上面に対向して配置された処理室102の天井面を構成する部材に形成された貫通孔内に配置されプラズマ103に面して配置され、測定用光源から放射された放射光は当該窓部材を通って処理室102内に進入し試料104上面に垂直またはこれと見做せる程度に近似した角度で入射する。試料104上面に達した放射光は試料104上面に予め配置された膜構造の複数の膜層の境界面で処理室102に向けて反射され再度窓部材を通して光ファイバー106を介してエッチング量検出器110の受光器及びこれに光学的にまたは電気的に接続された分光器111に伝達される。
試料104表面に垂直に入射して膜構造の異なる深さ方向の位置に配置された複数の膜層同士の間の複数の境界で反射された放射光は、相互に干渉してこれらの深さ位置の間の距離に応じた強度を有する干渉光となる。複数の波長が含まれる放射光によるこのような干渉光の各々の波長の光の強度は、分光器111に導入されて各波長毎に分解されて検出される。
本実施例のエッチング量検出器110では、試料104の処理中に検出された干渉光の強度の信号から、以下に述べる、基本波長の代替となる複数波長を選択する機能を備え、試料104上の処理対象の膜層、例えばポリシリコン膜のエッチング深さや残り膜厚さ或いはマスク層の残り膜厚さを高い精度で検出できる。また、エッチング処理の終点への到達の判定を高い精度行うことができる。
分光器111で検出された所定の複数の波長の干渉光の強度を示す信号は、処理室102内からの複数の波長の光の時間波形に含まれる成分であって、発光強度信号と呼ぶ。発光強度信号は、分光器111と電気的に接続された発光強度データベース112に送信され、格納される。発光強度信号は、終点判定部114にも送信される。
発光強度データベース112に格納された複数のウエハを処理した際に得られた発光強度信号は、波長選択部113に送信される。波長選択部113では、複数ウエハの発光強度信号から、各波長の強度変化に対して基本波長の強度変化との相互情報量が計算される。さらに、相互情報量の大きさに応じて、エッチング量や終点の判定に使用する波長が選択される。波長選択部113において選択された波長および波長毎の相互情報量は、終点判定部114に送信される。
終点判定部では、波長選択部113において選択された波長を用いて、分光器111から受信した発光強度信号から、エッチング量を検出し終点の判定を行う。さらに、波長選択部113において算出された波長毎の相互情報量を乗算した発光強度信号に基づいて、エッチング量を検出し終点の判定を行ってもよい。このようなエッチング量あるいは終点の判定の技術としては、例えば、特開2007-234666号公報等の従来公知の技術を用いることができる。
また、本実施例において、終点判定部114で検出された試料104のエッチング量は、CRTや液晶のモニタ等を備えて構成された表示器115に送信されて表示される。
次に、本実施例の波長選択部113の構成について図2を用いて説明する。図2は、図1に示すエッチング量検出器110を構成する波長選択部113の構成を模式的に示すブロック図である。
図2において、発光強度データベース112から出力されて波長選択部113に送信された複数のウエハを処理したときの発光強度信号は、まず差分算出器201に送信され、ここで複数ウエハに対する波長毎の時間波形の時間差分が算出される。時間差分を用いることにより、各波長の時間波形が有する長期的なトレンド成分の影響が少ない時間波形が得られる。
差分算出器201で検出された複数ウエハに対する波長毎の干渉光の強度の時間差分値を示す信号は正規化処理器202に送信され、これら時間差分信号のウエハおよび時間にわたっての平均値、ウエハおよび時間にわたっての標準偏差値、および複数ウエハに対する時間差分信号から全ウエハおよび時間にわたっての平均値を差し引いて全ウエハおよび時間にわたっての標準偏差値で除算した値(正規化差分信号)が算出される。これにより、長期的なトレンド成分の影響がより一層軽減されることが期待でき、また、波長ごとの強度の大小の違いの影響が軽減される。
次に、正規化処理器202で算出された複数ウエハに対する正規化差分信号は時間平滑化器203に送信される。時間平滑化器203は、受信した複数ウエハに対する正規化差分信号に対して、時間方向に平滑化された信号(時間平滑化信号)を算出する。これにより、高周波ノイズの影響が軽減される。
次に、時間平滑化器203で算出された複数ウエハに対する時間平滑化信号は相互情報量算出器204に送信される。相互情報量算出器204は、受信した複数ウエハに対する時間平滑化信号に基づいて、各波長の強度変化に対する基本波長の強度変化との相互情報量を算出する。本実施例では、終点検出に適した基本波長が膜の組成の情報に基づいて事前に少なくとも1つ判明していることを前提とする。
次に、相互情報量算出器204で算出された波長毎の相互情報量は波長選択器205に送信される。波長選択器205は、受信した相互情報量が大きい波長を選択する。たとえば、相互情報量が大きい順に規定個数の波長を選択してもよく、相互情報量が規定の閾値以上である波長を選択してもよい。
次に、図2に示した各々のブロックにおいて実施される処理の詳細を説明する。
まず、本実施例では、便宜上、試料104の処理中の所定の期間における任意の時刻tで分光器111から出力された処理室102からの各々の波長の光の強度の変化を示す時間波形の信号を、各々のウエハ、各々の波長についてy_m,n,tと表す。mはウエハを表すインデックスであって、処理した潤に値が増減するように付されていても良く、また適切に選択されたウエハだけピックアップしてインデックスを振り直したものであっても良い。nは波長を表すインデックスであって、本実施例では、短波長から長波長まで規則的に値が増減するように付されていても良く、また適切に選択された複数の波長をピックアップしてインデックスを振り直したものであっても良い。tは時間インデックスとする。
差分算出器201では、y_m,n,tからウエハ毎波長毎に差分値Δy_m,n,tが算出される。算出の手順の例としては、例えばΔy_m,n,t=y_m,n,t-y_{m,n,t-1}のように算出することが考えられる。ここで、最初のサンプル点においては、Δy_m,n,t=0とする。
この差分は、1次回帰係数の傾きで代用しても良いし、同様に2次差分、2次回帰係数の傾きで代用しても良い。また、時間毎の信号が1単位時間毎に得られるような場合は、差分算出についても1サンプルずつ行うような構成を取ることができる。
全ての時間のサンプルが一度に得られる場合(オフライン処理)では、全ての時間の差分値をバッチ処理で求めるような構成としても良い。このように、サンプル毎にデータが得られる場合は、サンプル毎に処理を行い、一度にサンプルが得られる場合は処理も一度に行うような構成を、本発明の中のあらゆる処理で同様に取るものとする。
正規化処理器202においては、ウエハ毎波長毎の差分値Δy_m,n,tに対する全ウエハおよび時間にわたっての平均値μ_nが、アンサンブル平均形式で求められる。さらに、全ウエハおよび時間にわたっての標準偏差値σ_nが、(Δy_m,n,t-μ_n)2のアンサンブル平均の平方根として算出される。さらに、正規化差分信号がz_m,n,t=(Δy_m,n,t-μ_n)/σ_nとして算出される。
時間平滑化器203においては、ウエハ毎波長毎の正規化差分信号z_m,n,tに対して、時間方向に平滑化した信号(時間平滑化信号)s_m,n,tが算出される。時間平滑化の手順の例としては、例えば、s_m,n,t=(z_{m,n,t-1}+z_m,n,t+z_{m,n,t+1})/3のように3点平均で算出することができる。ここで、最初のサンプル点においては、s_m,n,t=(z_m,n,t+z_{m,n,t+1})/2とする。最後のサンプル点においては、s_m,n,t=(z_{m,n,t-1}+z_m,n,t)/2とする。
この時間平滑化は、3点平均、5点平均、7点平均など任意のサンプル個数の平均処理でも良く、中央値フィルタリングで代用しても良く、低域通過フィルタの畳込み演算でも良く、スプライン平滑化でも良い。
相互情報量算出器204においては、ウエハ毎波長毎の時間平滑化信号s_m,n,tから、基本波長n_0での強度変化に対する各波長nでの強度変化の相互情報量I_nが算出される。相互情報量計算の手順としては、まず、基本波長n_0に対し、全ウエハm、全時間tにわたるs_{m,n_0,t}を昇順に並べる。この昇順リストをL(n_0)とする。
次に、波長nに対し、全ウエハm、全時間tにわたるs_m,n,tを昇順に並べる。この昇順リストをL(n)とする。離散化サンプル数Gに規定の最小離散化サンプル数G_minを代入する。そして、昇順に並べられたL(n_0)の要素をG個のグループに等分割する。
等分割後のリストをLG(n_0)とする。昇順に並べられたL(n)の要素をG個のグループに等分割する。等分割後のリストをLG(n)とする。ここで、LG(n_0)のグループのインデックスをgとし、LG(n)のグループのインデックスをhとする。
c(g)はLG(n_0)のグループgの要素数とし、c(h)はLG(n)のグループhの要素数とする。c(g,h)は、s_{m,n_0,t}がLG(n_0)のグループgに属し、かつs_m,n,tがLG(n)のグループhに属するような、mとtの組の個数とする。ここで、相互情報量は、
I_G,n=Σ_g Σ_h c(g,h)/(MT)×
{log(c(g,h)/(MT))-
log(c(g)/(MT))-log(c(h)/(MT))}
として算出される。ただし、Mは全ウエハ数、Tは全時間インデックス数である。
I_G,n=Σ_g Σ_h c(g,h)/(MT)×
{log(c(g,h)/(MT))-
log(c(g)/(MT))-log(c(h)/(MT))}
として算出される。ただし、Mは全ウエハ数、Tは全時間インデックス数である。
次に、Gに1を加算し、同様の処理により、I_{G+1,n}を算出する。このように、Gを規定の最小離散化サンプル数G_minから最大離散化サンプル数G_maxまで増加させながら、I_{G_min,n},I_{G_min+1,n},・・・,I_{G_max,n}を計算する。I_{G_min,n},I_{G_min+1,n},・・・,I_{G_max,n}のうちで、最大のI_G,nを最終的な相互情報量I_nとして出力する。
波長選択器205においては、波長毎の相互情報量I_nに対して、I_nが大きいnから順に規定の個数だけ複数個選択する。I_nが規定の閾値以上であるnを複数個選択しても良い。
次に、本実施例の終点判定部114の構成について図3を用いて説明する。図3は、図1に示すエッチング量検出器110を構成する終点判定部114の構成を模式的に示すブロック図である。
図3において、分光器111から出力されて終点判定部114に送信された波長毎の発光強度信号は、まず差分算出器301に送信され、ここで波長毎の時間波形の時間差分が算出される。時間差分を用いることにより、各波長の時間波形が有する長期的なトレンド成分の影響が少ない時間波形が得られる。
差分算出器301で検出された波長毎の干渉光の強度の時間差分値を示す信号は正規化処理器302に送信され、時間差分信号から全ウエハおよび時間にわたっての平均値を差し引いて全ウエハおよび時間にわたっての標準偏差値で除算した値(正規化差分信号)が算出される。これにより、長期的なトレンド成分の影響がより一層軽減されることが期待でき、また、波長ごとの強度の大小の違いの影響が軽減される。なお、時間差分信号のウエハおよび時間にわたっての平均値、ウエハおよび時間にわたっての標準偏差値として、波長選択部113の正規化処理器202であらかじめ計算された値を使用する。
次に、正規化処理器302で算出された正規化差分信号は時間平滑化器303に送信される。時間平滑化器303は、受信した正規化差分信号に対して、時間方向に平滑化された信号(時間平滑化信号)を算出する。これにより、高周波ノイズの影響が軽減される。
次に、時間平滑化器303で算出された時間平滑化信号は相互情報量乗算器304に送信される。相互情報量乗算器304は、受信した波長毎の時間平滑化信号に対して、波長毎の相互情報量を乗算した信号(相互情報量乗算後信号)を算出する。これにより、相互情報量による重みを付け、エッチング量や終点と発光強度変化との従属性が低い波長の影響が軽減される。相互情報量乗算器304は同時に、波長毎の相互情報量乗算後信号に対して、波長選択部113から送られる選択波長の信号のみを残し、それ以外の波長の信号を消去する。これにより、さらに高い選択性を得ることができる。
次に、相互情報量乗算器304で算出された相互情報量乗算後信号はエッチング量推定器305に送信される。エッチング量推定器305は、相互情報量乗算後信号の各時刻tにおける全波長の値を並べたベクトルに対して、エッチング量と紐付いてあらかじめ保存された相互情報量乗算後信号の各時刻の全波長の値を並べたベクトルとの類似度を算出し、もっとも類似度が高いベクトルに紐付いたエッチング量を出力する。ベクトル同士の類似度として、たとえば、コサイン類似度を用いて良く、ユークリッド距離の逆数を用いてもよい。
エッチング量推定器305は、別法として、相互情報量乗算後信号の各時刻tにおける全波長の値を並べたベクトルに対して、相互情報量乗算後信号の時刻t-Dにおける全波長の値を並べたベクトルとの類似度を算出する。ただし、Dは規定の正の定数である。さらに、算出した時刻毎の類似度に対して、時間差分値の絶対値を計算する。さらに、時間差分絶対値の時間方向の累積値をエッチング量として出力する。
次に、エッチング量推定器305で算出されたエッチング量は終点判定器306に送信される。終点判定器306は、時間毎のエッチング量に応じて、現時刻が終点かどうかを判定する。終点かどうかの判定には、たとえば、その時刻のエッチング量が規定の閾値以上であることで判定してもよく、その時刻のエッチング量の時間差分値の絶対値が閾値以上であることで判定してもよく、その時刻のエッチング量の時間2次差分がゼロクロスを有することで判定してもよい。
本実施例のエッチング処理のフローチャートを図4に示す。図4は、図1に示す実施例に係るプラズマ処理装置がエッチング量を判定する動作の流れを示すフローチャートである。
本実施例では、プラズマ処理装置100が試料104を処理する前または試料104の表面に予め配置されたマスク層と処理対象の膜層とを含む膜構造をエッチング処理する処理の開始または処理中に得られたデータを処理する前に、パラメータを最初に設定する(ステップ401)。本実施例では、運転の開始前に設定する構成を備えている。
次に、処理室102内にプラズマが形成され高周波電源からの高周波電力により試料104表面上方にバイアス電位が形成され試料104の上記処理対象の膜層のエッチング処理が開始された後、処理室102内からの光の検出が開始される(ステップ402)。本実施例では、図3に示したように、処理室102内からの光を受光して分光して得られた所定の複数の波長のスペクトルの各波長の光の強度の変化をサンプリング間隔Δtの時刻t毎に検出する。間隔Δt毎に検出された複数の波長の光各々の強度の信号からその時間差分Δy_n,tが差分計算により算出される(ステップ403)。
次に、得られた時間差分の信号Δy_n,tに対して正規化差分信号z_n,tが算出される(ステップ404)。さらに、正規化差分信号z_n,tに対して時間平滑化信号s_n,tが算出される(ステップ405)。得られた時間平滑化信号s_n,tに対して相互情報量I_nが乗算され、相互情報量乗算後信号が算出される(ステップ406)。相互情報量乗算後信号に基づいて、エッチング量が推定される(ステップ407)。
このようにして推定されたエッチング量に応じて終点判定が実行され(ステップ408)、所望のエッチング量に到達したと判定された場合には、処理室102内からの光の検出を終了すると共にプラズマが消火されこれによる試料104表面の処理対象の膜層のエッチング処理が終了する(ステップ409)。エッチング量が所望の値に到達していないと判断された場合には、次の当該膜層のエッチングが継続され次の時刻t+Δtにおいて処理室102内からの光の検出がエッチング量検出器110により実施される。
このようにして推定されたエッチング量に応じて終点判定が実行され(ステップ408)、所望のエッチング量に到達したと判定された場合には、処理室102内からの光の検出を終了すると共にプラズマが消火されこれによる試料104表面の処理対象の膜層のエッチング処理が終了する(ステップ409)。エッチング量が所望の値に到達していないと判断された場合には、次の当該膜層のエッチングが継続され次の時刻t+Δtにおいて処理室102内からの光の検出がエッチング量検出器110により実施される。
上記エッチングの終点やエッチング量の判定は、処理対象の膜層の下方の境界に接して配置された下膜層からの反応生成物に係る波長のプラズマからの発光の強度の変化を検出する等の従来から知られた手段、方法の技術を用いることが出来る。また、試料104表面に予め配置された複数の膜層を含む膜構造の複数の境界面からの干渉光の強度の変化を検出し、この検出結果と予め取得された残り膜厚さの値と波長をパラメータとする干渉光の強度またはその微分値の値とのパターンとを比較して残り膜厚さ或いは初期の膜厚さからのエッチング量を検出する従来の技術を用いることができる。
なお、本実施例は、たとえば、処理対象の膜層が異なる材料から構成され相互に境界を接して上下に積層された2つの膜層を有し、それら2つの膜層を構成する前記材料または当該材料と前記処理用のガスとの化合物からの発光が相互情報量の大きな複数の波長を含む場合に有効である。
また、処理対象の膜層が下層の第1の膜層と上層の第2の膜層と当該第2の膜層が前記第1の膜層上方に形成される際にこれらの間に挟まれて形成された第3の膜層を有し、前記第1の膜層及び第2の膜層あるいは前記第2の膜層及び第3の膜層が前記2つの膜層を構成する場合にも、本実施例は有効である。なぜならば、このような場合、エッチング量を推定するために用いるべき波長の強度変化と基本波長の強度変化とは必ずしも線形の相関関係を有するとは限らず、従属関係を有してもその関係が非線形である場合があるからである。非線形の場合、相関係数などの指標で従属性の高さを測ることはできないが、相互情報量ならば従属性の高さを測ることができるという利点がある。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
また、上記の各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、SSD(Solid State Drive)等の記録装置、または、ICカード、SDカード、DVD等の記録媒体に置くことができる。
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線が開示されたものとは限らない。実際の装置では、これを構成する多くの部品の個々やこれらを組み合わせられて構成された一纏まりユニット同士が相互に接続されている。
100…プラズマ処理装置、
101…真空容器、
102…処理室、
103…プラズマ、
104…試料、
105…試料台、
106…光ファイバー、
110…エッチング量検出器、
111…分光器、
112…発光強度データベース、
113…波長選択部、
114…終点判定部、
115…表示器。
101…真空容器、
102…処理室、
103…プラズマ、
104…試料、
105…試料台、
106…光ファイバー、
110…エッチング量検出器、
111…分光器、
112…発光強度データベース、
113…波長選択部、
114…終点判定部、
115…表示器。
Claims (9)
- 真空容器内部の処理室内に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内に処理用のガスを供給して生成したプラズマを用いて前記ウエハの表面に予め形成された処理対象の膜層を処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理対象の膜層の処理中に生じるプラズマの複数の波長の発光のうち相互情報量の大きな複数の波長のものから選択された少なくとも2つの波長の前記発光の時間変化を検出した結果に基づいて前記膜層の処理の終点を判定するプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理対象の膜層が異なる材料から構成され相互に境界を接して上下に積層された2つの膜層を有し、前記少なくとも2つの波長が、前記2つの膜層を構成する前記材料または当該材料と前記処理用のガスとの化合物からの発光のうち前記相互情報量の大きな複数の波長のものから選択されたプラズマ処理方法。 - 請求項2に記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理対象の膜層が下層の第1の膜層と上層の第2の膜層と当該第2の膜層が前記第1の膜層上方に形成される際にこれらの間に挟まれて形成された第3の膜層を有し、前記第1の膜層及び第2の膜層あるいは前記第2の膜層及び第3の膜層が前記2つの膜層を構成するプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記2つの波長各々の相互情報量の値と前記発光の強度を乗じた値の時間変化または前記発光の強度の時間変化の値とを乗じた値を用いて前記膜層の処理の終点を判定するプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至4の何れかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記終点が判定された後に前記処理対象の膜層を処理する条件を変更して当該処理対象の膜層を処理するプラズマ処理方法。 - 真空容器内部の処理室内に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内に処理用のガスを供給して生成したプラズマを用いて前記ウエハの表面に予め形成された処理対象の膜層を処理するプラズマ処理の終点の判定に用いる当該処理中のプラズマから生じる発光の所定の波長を選択する波長の選択方法であって、
前記処理対象の膜層の処理中に生じるプラズマの複数の波長の発光のうち前記終点への到達の前後の期間中において相互情報量の大きな複数の波長のものから少なくとも2つの波長を選択する波長の選択方法。 - 請求項6記載の波長の選択方法であって、
前記処理対象の膜層が異なる材料から構成され相互に境界を接して上下に積層された2つの膜層を有し、前記2つの膜層を構成する前記材料または当該材料と前記処理用のガスとの化合物からの発光のうち前記相互情報量の大きな複数の波長のものから前記少なくとも2つの波長を選択する波長の選択方法。
- 請求項7に記載の波長の選択方法であって、
前記処理対象の膜層が下層の第1の膜層と上層の第2の膜層と当該第2の膜層が前記第1の膜層上方に形成される際にこれらの間に挟まれて形成された第3の膜層を有し、前記第1の膜層及び第2の膜層あるいは前記第2の膜層及び第3の膜層が前記2つの膜層を構成する波長の選択方法。 - 請求項6乃至8の何れかに記載の波長の選択方法であって、
前記膜層の処理の終点の判定は、前記2つの波長各々の相互情報量の値と前記発光の強度を乗じた値の時間変化または前記発光の強度の時間変化の値とを乗じた値を用いてされる波長の選択方法。
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