JP6177513B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本実施例のエッチング量測定装置は、検出された干渉光の強度の信号を用いて被処理材604の処理対象の膜、例えばポリシリコン膜のエッチング深さやマスク材の残存膜厚さやエッチング処理の終点判定の処理を行う。分光器611からの信号を受信した同相成分除去装置100は、信号に含まれる処理室内からの発光の各波長の波形から複数の波長間で同相的に変化する成分を除去して、除去した後の波形の信号をエッチング量判定部612に送信する。
101…差分算出器、
102…平均成分算出器、
103…平均成分除去器、
104…相関行列更新器、
105…主成分分析器、
106…基底行列構築器、
107…カルマンフィルタ、
108…積分処理器
13…微分器、
14…第2ディジタルフィルタ回路、
15…微分波形比較器、
16…微分波形パターンデータベース、
18…残膜厚さ時系列データ記録器、
19…回帰分析器、
17…表示器17、
110…サンプリングデータ比較器、
111…ノイズ値設定器、
112…サンプリングデータ補正器、
113…補正係数記録器・表示器、
115…パターンマッチング偏差比較器、
116…偏差値設定器、
230…終点判定器、
601…エッチング装置、
602…真空容器、
603…プラズマ、
604…被処理材、
605…試料台、
608…光ファイバー、
609…放射光、
610…測定装置、
611…分光器、
612…エッチング量判定部、
613…表示器、
1001、1002…プラズマ光測定手段、
1003…分光器、
1110…サンプリングデータ比較器、
1111…ノイズ値設定器。
Claims (6)
- 真空容器内に配置された処理室内に配置された試料を処理室内に形成したプラズマを用いてエッチング処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理室内からの複数の波長のものを含む発光を受光する受光器と、この受光器からの出力に含まれる複数の波長の発光のデータについて雑音の成分及び同じ時刻に同じ方向に変動する同相の成分を除去する同相成分除去装置であって前記雑音の成分及び同相の成分を一つのカルマンフィルタを用いて除去する同相成分除去装置を備え、この同相成分除去装置からの出力を用いて前記発光の強度を検出した結果に基づいて前記エッチング処理の量を判定する判定器とを有したプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記判定器は、前記雑音の成分及び前記同相の成分が除去された前記データを用いて検出された成分であって複数の波長の間の相関より時間について相関が大きなベースライン成分を用いて前記エッチング処理の量を判定するプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記雑音の成分または前記同相の成分が予め定められた前記雑音の成分または前記同相の成分と前記ベースライン成分との比率に応じて除去されるプラズマ処理装置。
- 真空容器内に配置された処理室内に試料を配置し、当該処理室内にプラズマを形成して、これを用いて当該試料をエッチング処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理室内からの複数の波長のものを含む発光を受光して得られた前記発光のデータからこれに含まれる雑音の成分及び前記複数の波長のものの間で同相的に発生する同相の成分を除去する工程であって前記雑音の成分及び同相の成分を一つのカルマンフィルタを用いて除去する工程と、当該雑音の成分または同相の成分が除去された前記発光のデータから前記発光の強度を検出した結果に基づいて前記エッチング処理の量を判定する工程とを備えたプラズマ処理方法。
- 請求項4に記載のプラズマ処理方法であって、
前記カルマンフィルタを用いて前記雑音の成分及び前記同相の成分が除去された前記発光のデータを用いて前記複数の波長の間の相関より時間について相関が大きなベースライン成分を検出する工程を備え、当該ベースライン成分を用いて前記エッチング処理の量が判定されるプラズマ処理方法。
- 請求項4または5に記載のプラズマ処理方法であって、
前記雑音の成分または前記同相の成分が予め定められた前記雑音の成分または前記同相の成分と前記複数の波長の間の相関より時間について相関が大きなベースライン成分との比率に応じて除去されるプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012215451A JP6177513B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012215451A JP6177513B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014072264A JP2014072264A (ja) | 2014-04-21 |
JP2014072264A5 JP2014072264A5 (ja) | 2015-12-03 |
JP6177513B2 true JP6177513B2 (ja) | 2017-08-09 |
Family
ID=50747242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012215451A Active JP6177513B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6177513B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6650258B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2020-02-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
KR102515864B1 (ko) * | 2020-09-17 | 2023-03-31 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5208644A (en) * | 1990-05-18 | 1993-05-04 | Xinix, Inc. | Interference removal |
JP2004165282A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sharp Corp | 製造プロセスにおける装置状態判別システム及び製造プロセス安定化システム |
US7877161B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing a chemical oxide removal process |
US6902646B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-06-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments |
EP1600947A3 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-21 | Honda Research Institute Europe GmbH | Subtractive cancellation of harmonic noise |
US7292906B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Formula-based run-to-run control |
US7209798B2 (en) * | 2004-09-20 | 2007-04-24 | Tokyo Electron Limited | Iso/nested cascading trim control with model feedback updates |
JP4833687B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-12-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
2012
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014072264A (ja) | 2014-04-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150924 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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