JP6560909B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6560909B2 JP6560909B2 JP2015113580A JP2015113580A JP6560909B2 JP 6560909 B2 JP6560909 B2 JP 6560909B2 JP 2015113580 A JP2015113580 A JP 2015113580A JP 2015113580 A JP2015113580 A JP 2015113580A JP 6560909 B2 JP6560909 B2 JP 6560909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelengths
- intensity
- wavelength
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
ここで、係数an,bn(n=1〜3)はサンプリング周波数およびカットオフ周波数により数値が異なる乗数である。例えば、本例例としてサンプリング周波数10Hz、カットオフ周波数1Hzの場合では、a2=−1.143,a3=0.4128,b1=0.067455,b2=−0.013491,b3=0.067455である。
di = Σwj・Yi+j ・・・(2)
j=-2
ここで、上記の例において、重み係数wj(j=−2〜2)は、w−2=2,w−1=−1,w0=−2,w1=−1,w2=2である。また、上記の例では微分器17の演算は多項式平滑化微分法を用いたものであるが、差分法を用いることもできる。
2…真空処理室
3…プラズマ
4…被処理材
5…試料台
7…制御器
11…光ファイバ
12…分光器
13…蓄積時間設定器
14…スペクトル合成器
15…波長決定器
16…デジタルフィルタ
17…微分器
18…終点判定器
19…表示器
601…従来技術での2次微分値のS/N結果
701…本発明での2次微分値のS/N結果。
Claims (6)
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載置されたウエハの表面に予め形成された複数の膜層を含む膜構造の処理対象の膜層を当該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理中の前記処理室内からの複数の波長の光を所定の周期で交互に繰り返される異なる長さの複数の期間の各々で受光して得られた出力から前記複数の波長の光の強度を検出する検出器であって、前記複数の期間のうちの一方の期間の間において前記複数の波長の光各々を飽和させずに受光して得られた前記複数の波長の光の強度を示すデータ、及び他の期間の間において前記複数の波長のうちの一部のみを飽和させずに受光して得られた前記複数の波長の光の強度を示すデータの複数のデータのうち一方に含まれる少なくとも1つの波長の光の強度を示すデータを他方の前記1つの波長の光の強度を示すデータと合成して得られた複数の波長の光の強度を示すデータを用いて前記複数の波長毎の光の強度を検出する検出器と、当該検出器が前記所定の周期毎に検出された前記複数の波長毎の光の強度から得られた何れかの波長の当該強度の時間的変化に基づいて前記処理の終点を判定する判定器とを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記検出器は、前記複数のデータのうち、前記複数の期間のうち予め定められた所定の長さより短い期間で前記複数の波長の光各々を飽和させずに受光して得られた出力から得られた前記一方のデータ、及び前記所定の長さより長い期間で前記複数の波長のうちの一部のみを飽和させずに得られた前記他方のデータを用いて、前記少なくとも1つの波長であって前記他方のデータに含まれ飽和した波長の光の強度を示すデータを合成して前記複数の波長毎の光の強度を検出するプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記判定器からの出力を受けて前記プラズマの形成を調節する制御器を備えたプラズマ処理装置。
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置し、前記処理室内にプラズマを形成して前記ウエハの表面に予め形成された複数の膜層を含む膜構造の処理対象の膜層を処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理中の前記処理室内からの複数の波長の光を所定の周期で交互に繰り返される異なる長さの複数の期間の各々で受光して得られた出力から前記複数の波長の光の強度を検出する工程であって、前記複数の期間のうちの一方の期間の間において前記複数の波長の光各々を飽和させずに受光して得られた前記複数の波長の光の強度を示すデータ、及び他の期間の間において前記複数の波長のうちの一部のみを飽和させずに受光して得られた前記複数の波長の光の強度を示すデータの複数のデータのうち一方に含まれる少なくとも1つの波長の光の強度を示すデータを他方の前記1つの波長の光の強度を示すデータと合成して得られた複数の波長の光の強度を示すデータを用いて前記複数の波長毎の光の強度を検出する工程と、前記所定の周期毎に検出された前記複数の波長毎の光の強度から得られた何れかの波長の当該強度の時間的変化に基づいて前記処理の終点を判定する工程とを備えたプラズマ処理方法。
- 請求項4に記載のプラズマ処理方法であって、
前記複数の波長の強度を検出する工程において、前記複数のデータのうち、前記複数の期間のうち予め定められた所定の長さより短い期間で前記複数の波長の光各々を飽和させずに受光して得られた出力から得られた前記一方のデータ、及び前記所定の長さより長い期間で前記複数の波長のうちの一部のみを飽和させずに得られた前記他方のデータを用いて、前記少なくとも1つの波長であって前記他方のデータに含まれ飽和した波長の光の強度を示すデータを合成して前記複数の波長毎の光の強度を検出するプラズマ処理方法。
- 請求項4または5に記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理の終点を判定する工程の結果に応じて前記プラズマの形成を調節する工程を備えたプラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150126202A KR101750001B1 (ko) | 2015-01-19 | 2015-09-07 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
TW104130143A TWI584376B (zh) | 2015-01-19 | 2015-09-11 | Plasma processing device |
US14/851,744 US9865439B2 (en) | 2015-01-19 | 2015-09-11 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015007360 | 2015-01-19 | ||
JP2015007360 | 2015-01-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016136607A JP2016136607A (ja) | 2016-07-28 |
JP2016136607A5 JP2016136607A5 (ja) | 2018-03-01 |
JP6560909B2 true JP6560909B2 (ja) | 2019-08-14 |
Family
ID=56513113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015113580A Active JP6560909B2 (ja) | 2015-01-19 | 2015-06-04 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6560909B2 (ja) |
KR (1) | KR101750001B1 (ja) |
TW (1) | TWI584376B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10215704B2 (en) * | 2017-03-02 | 2019-02-26 | Tokyo Electron Limited | Computed tomography using intersecting views of plasma using optical emission spectroscopy during plasma processing |
JP6832800B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2021181545A1 (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-16 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128823A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Shimadzu Corp | Spectrum measuring device |
JPS6111622A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Hitachi Ltd | 分光光度計 |
JP3217581B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2001-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング終点検出方法 |
US6297064B1 (en) * | 1998-02-03 | 2001-10-02 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | End point detecting method for semiconductor plasma processing |
KR100426988B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법 |
TW560080B (en) * | 2002-09-12 | 2003-11-01 | Winbond Electronics Corp | A method for detecting the end point of plasma etching process by using matrix |
US6982175B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-01-03 | Unaxis Usa Inc. | End point detection in time division multiplexed etch processes |
US8158526B2 (en) * | 2006-10-30 | 2012-04-17 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
JP2009231718A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Renesas Technology Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
JP5458693B2 (ja) | 2009-06-26 | 2014-04-02 | 凸版印刷株式会社 | 終点検出装置 |
-
2015
- 2015-06-04 JP JP2015113580A patent/JP6560909B2/ja active Active
- 2015-09-07 KR KR1020150126202A patent/KR101750001B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-11 TW TW104130143A patent/TWI584376B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI584376B (zh) | 2017-05-21 |
JP2016136607A (ja) | 2016-07-28 |
TW201628086A (zh) | 2016-08-01 |
KR101750001B1 (ko) | 2017-06-22 |
KR20160089262A (ko) | 2016-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4724795B2 (ja) | 時分割多重化エッチプロセスにおける終点検出方法 | |
KR101123171B1 (ko) | 플라즈마 에칭 프로세스의 프로세스 파라미터를 측정하는 방법 및 장치 | |
KR101901328B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US9190336B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR101656745B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운전 방법 | |
US9865439B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6560909B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
TWI615901B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP4943716B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20240024863A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
JP5411215B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6804694B1 (ja) | エッチング処理装置、エッチング処理方法および検出器 | |
CN113646874B (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
JP6177513B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7201828B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
Westerman et al. | Endpoint detection method for time division multiplex etch processes | |
JP2005340547A (ja) | プラズマ処理装置 | |
Ma et al. | An analysis of noise on optical emission spectroscopy measurements | |
TW202102822A (zh) | 光譜檢測設備、終點檢測系統和方法 | |
JPH09181050A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170119 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170125 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170803 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6560909 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |