KR101750001B1 - 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

안정적인 종점 검출을 할 수 있는 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치를 제공한다.
진공 용기 내부의 처리실 내에 배치된 시료대 상에 재치된 웨이퍼의 표면에 미리 형성된 복수의 막층을 포함하는 막 구조의 처리 대상의 막층을 당해 처리실 내에 형성한 플라즈마를 이용하여 처리하는 플라즈마 처리 장치 또는 처리 방법에 있어서, 상기 처리 중의 상기 처리실 내로부터의 복수의 파장의 광을 수광한 수광기가 다른 복수의 기간 각각에서 수광한 결과를 합성하여 얻어진 데이터를 이용하여 복수의 파장의 상기 광의 강도를 검출한다.

Description

플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE}
본 발명은, 반도체 집적 회로의 제조 등에 있어서 반도체 웨이퍼 등의 기판 형상의 시료를 진공 용기 내의 처리실 내부에 배치하여 당해 처리실 내에 형성한 플라즈마를 이용하여 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 중에 플라즈마로부터의 발광을 검출한 결과를 이용하여 처리의 종점의 판정이나 처리 중의 처리실 내의 상태 혹은 처리의 특성을 검출하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 제조에서는, 웨이퍼의 표면 상에 형성된 다양한 재료의 층 및 특히 유전 재료의 층의 제거 또는 패턴 형성에 드라이 에칭이 널리 사용되고 있다. 이 드라이 에칭 장치에서는, 진공 처리실 내에 도입된 에칭 가스를 플라즈마화시켜 이온이나 라디칼로 하고, 이 이온이나 라디칼을 웨이퍼 상의 피(被)처리막과 반응시킴으로써, 피처리막의 에칭 가공을 행한다.
반도체 웨이퍼의 드라이 에칭 처리 중에 있어서, 플라즈마 광에 있어서의 특정 파장의 발광 강도가, 피처리막의 에칭 진행에 수반하여 변화된다. 그래서, 반도체 웨이퍼의 에칭 종점 검출 방법의 하나로서, 종래부터, 드라이 에칭 처리 중에 플라즈마로부터의 특정 파장의 발광 강도의 변화를 검출하고, 이 검출 결과에 의거하여 피처리막이 에칭에 의해 완전하게 제거된 에칭 종점을 검출하는 방법이 있다.
피(被)에칭 재료의 노출 면적이 적은 저(低)개구율 웨이퍼의 드라이 에칭 처리에서는 에칭 종점에서의 발광 강도의 변화가 미약해진다. 또 에칭 종점에서는, 피에칭 재료가 에칭되어 발생하는 반응 생성물의 파장의 발광 강도가 감소한다.
한편, 에칭 가스(에천트)의 파장의 발광 강도는 증가한다. 반응 생성물의 파장의 발광 강도와 에천트의 파장의 발광 강도를 제산(除算)함으로써 에칭 종점에서의 미약한 강도 변화를 증가시키는 방법은 특허문헌 1 등에서 알려져 있다.
이 종래기술 1에서는, 저개구율 웨이퍼 등의 에칭 종점에서의 발광 강도의 변화가 미약한 에칭 처리에 있어서, 에칭 종점에서 발광 강도가 증가하는 신호와 발광 강도가 감소하는 신호를 제산함으로써 미약한 강도 변화를 증가시키는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허 특개2011-9546호 공보
그러나, 상기 종래기술에서는 다음의 점에 대하여 고려가 불충분했기 때문에 문제가 생기고 있었다. 즉, 발광의 강도의 레벨이 작은 신호와 큰 신호를 비교하면, 임의의 파장 또는 주파수에 있어서의 스펙트럼을 나타내는 신호에 포함되는 노이즈의 성분은 전자 쪽이 상대적으로 큰 것이 된다. 그 때문에, 에칭의 종점에서 발광 강도가 증가하는 신호 강도와 발광 강도가 감소하는 신호 강도의 차가 현저하게 큰 경우, 예를 들면, 저개구율 웨이퍼를 에칭 처리할 때의 발광 등에서는 종점을 나타내는 미약한 발광의 강도의 변화가 노이즈에 악영향을 미치고 이것을 정확하게 검출하는 것이 곤란해진다.
본 발명의 목적은, 상기 종래기술의 문제점을 고려하여, 상기 발광 강도의 차가 큰 경우에도 에칭 종점에서의 미약한 신호 강도 변화를 정확하게 검출하여, 안정적인 종점 검출을 할 수 있는 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치를 제공하는 데에 있다.
상기 목적은, 진공 용기 내부의 처리실 내에 배치된 시료대 상에 재치된 웨이퍼의 표면에 미리 형성된 복수의 막층을 포함하는 막 구조의 처리 대상의 막층을 당해 처리실 내에 형성한 플라즈마를 이용하여 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 처리 중의 상기 처리실 내로부터의 복수의 파장의 광을 수광하는 수광기와, 이 수광기가 다른 길이의 복수의 기간의 각각에서 수광한 출력으로부터 상기 복수의 파장의 광의 강도를 검출하는 검출기이며, 상기 복수의 기간 각각의 상기 복수의 파장의 광을 강도를 나타내는 복수의 데이터 중의 일방에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 상기 복수의 데이터 중의 타방의 상기 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터와 합성하여 얻어진 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 이용하여 상기 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 검출기를 구비함으로써 달성된다.
또, 진공 용기 내부의 처리실 내에 배치된 시료대 상에 웨이퍼를 재치하고, 상기 처리실 내에 플라즈마를 형성하여 상기 웨이퍼의 표면에 미리 형성된 복수의 막층을 포함하는 막 구조의 처리 대상의 막층을 처리하는 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 중의 상기 처리실 내로부터의 복수의 파장의 광을 다른 길이의 복수의 기간의 각각에서 수광한 수광기의 출력으로부터 상기 복수의 파장의 광의 강도를 검출하는 공정으로서, 상기 복수의 기간 각각의 상기 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 복수의 데이터 중의 일방에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 상기 복수의 데이터 중의 타방의 상기 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터와 합성하여 얻어진 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 이용하여 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 공정을 구비함으로써 달성된다.
종점 검출에 2개 이상의 파장의 발광을 사용하는 에칭에 있어서, 그들의 발광 강도의 차가 큰 경우에도 고(高) S/N으로 안정적으로 종점 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 나타내는 실시예 및 종래기술의 분광기가 처리실 내부로부터의 광을 수광하는 시간의 설정을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 나타내는 실시예에 있어서 처리실 내부로부터의 광을 이용하여 검출한 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 1에 나타내는 실시예에 있어서 검출한 스펙트럼을 합성하는 처리의 흐름의 개략을 나타내는 플로우 차트이다.
도 5는 도 4에 나타내는 처리의 결과 얻어진 스펙트럼의 예를 나타내는 그래프이다.
도 6은 종래기술에 있어서 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다.
도 7은 도 1에 나타내는 실시예에 관련된 합성 처리를 이용하여 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 9는 도 8에 나타내는 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치가 검출하는 스펙트럼의 임의의 파장의 광에 대한 처리의 종점의 전후에 있어서의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다.
본 발명의 실시형태를, 도면을 이용하여 이하에 설명한다.
[실시예 1]
이하, 도 1로부터 도 7에 나타내는 실시형태에 의거하여 본 발명을 설명한다.
본 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치를 도 1에 나타낸다. 도 1은, 본 발명의 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다.
본 실시예의 플라즈마 처리 장치(1)는, 진공 용기 내부에 배치된 진공 처리실(2)과, 그 내측의 하방에 배치되어 처리 대상의 반도체 웨이퍼 등의 기판 형상의 피처리체(4)가 놓여 유지되는 시료대(5)를 구비하고 있다.
진공 처리실(2) 내에 도시를 생략한 가스 도입 수단으로부터 도입된 에칭 가스는, 도시하고 있지 않은 도파관이나 평판 형상 또는 코일 형상의 안테나 등의 전계 형성 수단에 의해 생성되어 처리실 내에 공급되는 마이크로파 등의 전계 또는 솔레노이드 코일 등의 자계 형성 수단에 의해 생성되어 처리실 내에 공급되는 자계에 의해 여기(勵起), 분리 혹은 분해되어 플라즈마(3)가 형성된다. 진공 처리실(2) 내에 형성된 플라즈마(3) 중의 하전 입자와 여기되어 높은 활성을 구비한 입자에 의해 시료대(5) 상의 반도체 웨이퍼 등의 피처리체(4)의 상면에 미리 형성된 마스크를 포함하는 복수의 막층을 가진 막 구조의 처리 대상의 막이 에칭 처리된다.
플라즈마(3) 내의 여기된 입자로부터 방사되는 발광은, 진공 처리실(2)의 측벽을 구성하는 진공 용기에 배치된 투과성의 부재로 구성된 창문을 통과하여, 외부에 배치된 수광기로 수광되고 이것에 광학적으로 접속된 광파이버(11)를 통과하여 분광기(12)에 도입된다. 분광기(12)에서는, 입사된 플라즈마의 발광은, 예를 들면 200㎚∼800㎚의 범위에서 소정의 간격의 파장마다 분광된 후, 나뉘어진 각 파장마다의 광을 받은 도시하지 않은 광 센서에 의해 그 파장의 광의 강도를 나타내는 디지털 신호로 변환된다.
복수의 파장마다의 광의 강도를 나타내는 이들의 신호는, 스펙트럼 합성기(14)에 송신되어 복수의 파장의 스펙트럼의 강도를 이용하여 특정한 파장의 스펙트럼의 광의 강도를 합성하여 연산한다. 산출된 당해 파장의 광의 강도를 포함하는 복수 파장의 스펙트럼의 강도를 나타내는 신호는 파장 결정기(15)에 송신되고, 여기서부터 미리 레시피 등으로 정해진 종점의 검출에 사용하는 복수의 파장의 것이 추출된다. 당해 파장 결정기(15)에 있어서 샘플링 신호로서 출력된 신호는, 시계열 데이터 yi로서 도시하지 않은 RAM 등의 기억 장치에 수납된다.
이 시계열 데이터 yi는 디지털 필터(16)에 의해 평활화 처리되어 평활화 시계열 데이터 Yi로서 RAM 등의 기억 장치에 수납된다. 이 평활화 시계열 데이터 Yi를 미분기(17)에 의해 미계수값(1차 미분값 혹은 2차 미분값)의 시계열 데이터 di가 산출되어 RAM 등의 기억 장치에 수납된다.
여기서, 미계수 시계열 데이터 di의 산출에 대하여 설명한다. 디지털 필터 회로(16)로서는, 예를 들면 2차 버터워스(butterworth)형의 로우 패스 필터를 이용한다. 2차 버터워스형의 로우 패스 필터에 의해 평활화 시계열 데이터 Yi는 식 (1)에 의해 구해진다.
Yi=b1·yi+b2·yi-1+b3·yi-2-[a2·Yi-1+a3·Yi-2] … (1)
여기서, 계수 an, bn(n=1∼3)은 샘플링 주파수 및 컷오프 주파수에 의해 수치가 다른 승수(乘數)이다. 예를 들면, 본 예로서 샘플링 주파수 10㎐, 컷오프 주파수 1㎐의 경우에서는, a2=-1.143, a3=0.4128, b1=0.067455, b2=-0.013491, b3=0.067455이다.
2차 미계수값의 시계열 데이터 di는, 미분기(17)에 있어서, 예를 들면 5점의 시계열 데이터 Yi의 다항식 적합 평활화 미분법을 이용하여 식 (2)로부터 이하와 같이 산출된다.
Figure 112015086687319-pat00001
여기서, 상기의 예에 있어서, 가중 계수 wj(j=-2∼2)는, w-2=2, w-1=-1, w0=-2, w1=-1, w2=2이다. 또, 상기 예에서는 미분기(17)의 연산은 다항식 평활화 미분법을 이용한 것이지만, 차분법을 이용할 수도 있다.
미분기(17)에서 얻어진 2차 미분값(혹은 1차 미분값)이 레시피 등으로 미리 정해진 조건을 충족시키는지의 여부가 종점 판정기(18)에 있어서 판단된다. 조건을 충족시키고 있다고 판정된 경우에는, 표시기(19)로 종점의 검출을 표시함과 함께 플라즈마 처리 장치(1)에 구비된 검지기 및 가동 부분 각각과 통신 가능하게 접속되어 가동 부분의 동작을 조절하는 제어기(7)로 통지한다. 당해 통신을 받은 제어기(7)는, 피처리체(4)의 다음 처리의 단계 혹은 피처리체(4)의 처리를 종료시키기 위해 필요한 지령 신호를 산출하고 이것을 도시를 생략한 가스 도입 수단이나 마이크로파 전원, 솔레노이드 코일 등의 플라즈마 형성 수단에 송신한다.
피처리체(4)로서 저개구율의 웨이퍼 상의 막 구조를 에칭하는 처리에서는, 에칭의 종점에서의 플라즈마로부터의 발광의 강도의 변화가 상대적으로 작아진다. 또한, 경우에 따라서는 노이즈와의 강도의 비율(SN비)이 발광의 강도의 변화를 검출 곤란해지는 정도로 작은 것이 된다.
또, 에칭의 종점에서는, 피처리체(4) 상의 에칭 처리 대칭의 막 재료가 에칭되어 발생하는 반응 생성물의 파장의 발광의 강도도 감소한다. 한편, 에칭 가스(에천트)의 파장의 발광 강도는 증가한다. 반응 생성물의 파장의 발광 강도와 에천트의 파장의 발광 강도를 제산함으로써 에칭 종점에서의 파형 변화를 크게 할 수 있는 것이 일반적으로 알려져 있다.
여기서, 종래의 기술에 있어서의 종점을 검출하는 구성에 대하여, 도 2, 도 3, 도 6을 이용하여 설명한다. 도 2는, 도 1에 나타내는 실시예 및 종래기술의 분광기가 처리실 내부로부터의 광을 수광하는 시간의 설정을 나타낸 도면이다. 도 3은, 도 1에 나타내는 실시예 및 종래기술의 분광기가 처리실 내부로부터의 광을 이용하여 검출한 스펙트럼의 일례를 나타낸 그래프이다. 도 6은, 종래기술에 있어서 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다.
도 2의 (b)는, 종래의 기술의 분광기가 처리실 내부로부터의 광을 수광하는 시간의 설정을 나타낸 도면이다. 즉, 종래의 기술에서는, 기간을 구획지어 분광기(12)에 있어서 발광의 스펙트럼 데이터를 연속해서 수광한 결과 얻어진 발광에 관한 데이터를 검출하고 있고, 도 2의 (b)는, 피처리체(4)의 처리 중에 있어서, 처리 시간의 경과에 수반하여 변동하는, 분광기의 수광 센서가 발광을 수광하는 하나의 단위로서의 기간(도면상에는 「축적 시간」이라고 호칭)의 연이음을 모식적으로 나타내고 있다.
도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 종래의 기술에서는 동일한 축적 시간 B에서 연속적으로 수광하여, 축적 시간 B마다 발광 스펙트럼을 연속해서 취득함으로써, 플라즈마의 발광 스펙트럼의 변화를 검출한다. 여기서, CCD 센서 등을 이용한 멀티 채널 분광기의 축적 시간에 대하여 설명한다.
멀티 채널 분광기(12)에서는, 광 센서가 축적 시간의 동안 분광된 플라즈마의 발광의 소정의 파장의 광을 받음으로써 당해 센서 또는 회로의 내부에 전하가 축적되어, 당해 차지(charge)된 전하량은 축적 시간의 종료 후에 출력된다. 이러한 미리 정해진 파장마다의 전하량은, 예를 들면 도 3의 (a), 도 3의 (b)에 나타내는 발광 스펙트럼으로서 파장을 파라미터로서 나타낼 수 있다. 축적 시간과 출력되는 전하량의 관계는 대략 비례하는 관계에 있고 축적 시간을 배로 하면 출력 전하량도 배가 된다.
도 3의 (b)에, 종래기술에 있어서의 에칭 처리 중의 발광으로부터 얻어진 스펙트럼의 일례를 나타낸다. 도 3의 (b) 중의 파장 1이 에칭 종점에서 발광 강도가 증가하고, 파장 2가 에칭 종점에서 발광 강도가 감소하고 있다.
도 6은, 도 2, 3에 나타낸 종래기술에 있어서 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다. 이들 도면에 있어서, 좌측의 도면은 발광 강도를 나타내는 값의 그래프이고, 우측의 도면은, 좌측 도면의 데이터를 2차 미분하여 얻어진 값을 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 파장 1의 스펙트럼의 광 강도는 노이즈를 포함하고 있어 시간의 변화에 수반하여 증감하고, 그 값은 에칭의 종점에서 조금 증가한다. 한편, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 파장 2의 스펙트럼의 강도는 노이즈를 포함하여 시간의 변화에 수반하여 증감함과 함께 에칭 종점에서 조금 감소한다.
이들의 2개의 파장의 광의 강도를 시각마다 제산한 경우의 시간적 변화를 도 6의 (c)의 좌측 도면에 나타낸다. 편의상, 제산 데이터는 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 30000카운트로 규격화하고 있다. 이 제산한 데이터의 2차 미분값을 도 6의 (c) 우측 도면에 나타낸다.
이들 도면에서는, 평활화된 화살표의 선으로 나타내어지는 바와 같이 에칭 종점의 변화는 10초에서 발생하고 있다고 간주할 수 있다. 이러한 에칭 종점에서의 2차 미분의 최대값을 시그널로 정의하면, 시그널은 273.9이다. 또, 10초 이전의 값은 노이즈량으로서 정의할 수 있고, 그 노이즈량은 170.6이다. 따라서, 이 에칭 처리에서의 2차 미분값의 S/N(SN비)은 1.6이다.
이들의 파라미터를 도 6의 (d)로서 정리하여 표에 나타냈다. 통상, 발명자들의 검토에 의하면, 종점 검출을 안정적으로 실시할 수 있는 S/N(SN비)의 기준은 4.0 이상이고, 이 기준에 따르면 종래의 기술에 있어서는 이러한 안정적인 종점 검출은 불가능하게 된다.
다음으로, 본 실시예에 있어서의 에칭 처리의 종점의 검출의 구성에 대하여 도 2의 (a), 도 3, 도 4, 도 5, 도 7을 이용하여 설명한다.
반복하게 되지만, 도 3의 (b)에 에칭 처리 중의 플라즈마 발광으로부터 검출된 스펙트럼을 나타낸다. 도 3의 (b) 중의 파장 1이 에칭 종점에서 발광 강도가 증가하고, 파장 2가 에칭 종점에서 발광 강도가 감소하고 있다. 또, 파장 1의 발광 강도는 높고 파장 2는 상대적으로 낮다. 분광기(12) 내의 회로에 있어서의 노이즈는 플라즈마의 발광의 강도에는 의존하지 않기 때문에, 광 센서가 검출하여 분광기(12)에 있어서 출력된 당해 발광의 강도가 낮은 파장의 스펙트럼의 신호에는 노이즈의 비율이 많아져 S/N이 낮은 것이 알려져 있다.
그래서, 본 예에서는, 파장 2의 발광 강도를 높이기 위해, 다른 복수의 값의 축적 시간을 번갈아 반복하여 분광기(12)에 있어서 발광의 강도를 검출한다. 즉, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 분광기(12)에 있어서, 상대적으로 긴 축적 시간 A와 짧은 축적 시간 B가 번갈아 연속적으로 반복되어 광 센서에 의해 처리실 내로부터의 광을 수광시킨다.
도 2의 (a)에 나타내는 수광의 패턴을 이용하여 발광을 검출한 결과를 도 3의 (a)에 나타낸다. 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 검출되는 발광의 스펙트럼은 파장 2에 있어서 발광의 강도가 높아져 S/N은 양호해지는 것을 알 수 있다. 그러나, 축적 시간 A의 기간이 소정값보다 길어지면, 동(同) 도면에 나타내는 바와 같이 파장 1의 스펙트럼의 값은 광 센서에 있어서 축적 가능한 전하의 한도를 넘어버려 출력이 포화되어버리는 것을 알 수 있었다.
포화된 출력은, 도면 상에 나타내어지는 바와 같이, 출력의 데이터 상에는 최대한의 값으로 일정한 값을 나타내는 주파수 또는 파장의 영역의 데이터가 되고, 당해 최대값 이상의 값을 나타내고 있을 것인 파장의 광의 강도의 값은 출력되지 않아 표시되지 않는다. 본 실시예에서는, 이 표시되어 있지 않은 출력, 혹은 출력되어 있지 않은 값을, 분광기(12)에 있어서 다른 축적 시간, 예를 들면 보다 짧은 기간에 수광한 광을 분광한 결과를 이용하여 검출한 데이터를 이용하여 보충하거나, 혹은 합성하여 형성하는 것을 생각했다.
그래서, 본 실시예에서는, 축적 시간 A와 축적 시간 B를 번갈아 반복하여 연속적으로 발광을 수광하여 검출하여, 각각의 축적 시간에 대응한 스펙트럼의 강도의 분포를 취득한다. 즉, 도 3의 (a), (b) 각각에 나타내어지는 스펙트럼의 분포의 데이터를 검출한다.
본 실시예에서는, 스펙트럼 합성기(14)에 있어서, 이러한 동일한 처리 중에 얻어진 다른 기간의 발광의 강도의 스펙트럼의 데이터로부터, 발광 강도가 강한 파장 1과 발광 강도가 강한 파장 2와 같은 다른 파장의 각각의 동일한 처리 중에서의 발광이 다른 값의 강도의 신호가 검출된다. 또한, 이들 발광 스펙트럼을 이용하여 축적 시간 A에 있어서 파장 1의 강도의 신호가 포화되어버린 발광 스펙트럼(스펙트럼 A)의 포화된 영역을 보충하여 합성한 합성 스펙트럼이 산출된다.
도 4를 이용하여, 합성 스펙트럼의 산출 알고리즘을 설명한다. 도 4는, 도 1에 나타내는 실시예에 있어서 검출한 스펙트럼을 보충하여 합성하는 처리의 흐름의 개략을 나타내는 플로우 차트이다.
먼저, 단계 401에서 처리를 개시한 후, 축적 시간 A의 기간에서 처리실 내의 플라즈마로부터의 발광을 수광기로 수광하여 발광 스펙트럼 A를 검출한다(단계 402). 다음으로, 축적 시간 A에 잇따른 축적 시간 B의 기간에서 발광 스펙트럼 B를 검출한다(단계 403).
다음으로, 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있는 영역을 검출한다(단계 404). 그 후, 단계 405에 있어서, 발광 스펙트럼 A, B로부터 양자의 스펙트럼비를 구한다.
스펙트럼비의 산출 방법은 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있지 않은 발광 강도가 높은 피크의 비를 이용한다. 또는, 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있지 않은 영역의 각 발광 강도의 전부 혹은 일부의 평균값의 비를 이용할 수도 있다.
단계 406에 있어서 발광 스펙트럼 강도 A, B의 강도를 비교하여, 강도가 강한 스펙트럼의 포화 영역을 강도가 낮은 스펙트럼으로 단계 405에서 구한 스펙트럼비를 승산한 값으로 합성함으로써, 도 5에 나타내는 합성 스펙트럼을 산출한다(단계 407, 408).
도 7에, 합성 스펙트럼에서의 복수의 파장의 발광의 각 강도 및 이들의 비를 나타낸다. 도 7은, 도 1에 나타내는 실시예에 관련된 스펙트럼을 합성하여 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다. 도 7의 (a)는, 파장 1의, 도 7의 (b)는 파장 2의, 도 7의 (c)는 파장 1/파장 2의 발광의 강도값의 시간적 변화(좌측 도면)와 그 2차 미분값의 시간 변화(우측 도면)를 나타낸다.
본 도면에, 파장 1의 2차 미분값(도 7의 (a) 우측 도면), 파장 2의 2차 미분값(도 7의 (b) 우측 도면), 파장 1/파장 2의 2차 미분값(도 7의 (c) 우측 도면)을 도시한다. 도 7의 (c) 좌측 도면 및 우측 도면에, 에칭 종점의 변화는 10초에서 발생하고 있다. 이 에칭 종점에서의 2차 미분의 최대값을 시그널로 정의하면, 시그널은 236.2이다. 또, 10초 이전의 값은 노이즈량으로서 정의할 수 있고, 그 노이즈량은 45.3이다. 따라서 이 에칭 시의 2차 미분값의 S/N은 5.2이다.
이들의 파라미터를 정리하여 표로 하여 도 7의 (d)로서 나타낸다. 상기와 같이, 통상 종점 검출을 안정적으로 실시할 수 있는 S/N의 기준은 4.0 이상이고, 본 에칭은 안정적으로 종점 검출이 가능한 것을 알 수 있다.
상기 실시예에서는, 분광기(12)에 있어서 발광의 스펙트럼을 검출하고 있지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않고, 분광기(12)의 광 센서가 축적 시간으로 축적하여 출력한 전하의 양을 나타내는 신호를 수신한 스펙트럼 합성기(14)가 이것에 의거하여 합성 전의 스펙트럼을 검출하는 기능을 갖고 있어도 된다. 또, 축적 시간은 플라즈마 처리 장치(1)의 사용자가 도시하지 않은 표시기를 갖는 컴퓨터 단말 등의 지시 장치를 이용하여 임의로 설정 가능하게 해도 처리의 조건(소위 레시피)의 정보를 수신한 장치 제어기(7)가 이것에 따라 미리 정해진 알고리즘 혹은 표 등의 데이터에 따라 설정해도 된다.
이상과 같이, 발광 강도가 다른 2개 이상의 파장을 사용하여 종점 검출하는 경우에 있어서 각각의 파장의 발광 강도가 커지도록(대략 포화 용량의 절반 이상) CCD 센서의 곱셈 시간을 각각 설정함으로써, 각각의 파장의 발광 강도의 시간적 변화에 있어서의 S/N(SN비)이 향상되고, 또한 그들을 제산함으로써 높은 S/N(SN비)으로 종점 검출할 수 있다.
또 스펙트럼을 합성하여 산출함으로써, 에칭 처리 중의 발광 스펙트럼 A, B를 1개의 스펙트럼으로 정리할 수 있다. 이에 따라 도시하고 있지 않지만 HD 등의 주(主)기억 장치에의 기억 영역을 적게 할 수 있다.
[실시예 2]
다음으로, 본 발명의 다른 실시예에 대하여, 도 8, 9를 이용하여 설명한다. 도 8은, 본 발명의 다른 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 9는, 도 8에 나타내는 실시예에 관련된 스펙트럼을 합성하여 얻어진 처리의 종점의 전후에 있어서의 복수의 파장의 광 파형을 모식적으로 나타내는 그래프이다.
도 8에 나타내는 플라즈마 처리 장치(801)는, 도 1에 나타낸 플라즈마 처리 장치(1)와 그 구성의 주요한 부분을 동일하게 하고 있다. 도 1에 나타낸 실시예에서는, 스펙트럼 합성기(14)로부터의 출력은 파장 결정기(15)에 송신된 후 그 송신된 데이터가 미분된 결과가 종점 판정기(18)에 송신되어 종점이 판정되고 당해 판정의 결과가 표시기에 표시되지만, 본 실시예에서는, 스펙트럼 합성기(14)와 통신 가능하게 접속되어 내부에 하드 디스크 드라이브나 CD-ROM 등의 리무버블(removable) 디스크 드라이브 혹은 RAM, 플래시 ROM 등의 메모리 디바이스와 같은 기억 장치를 갖는 데이터 보존기(802)를 구비하고, 스펙트럼 합성기(14)로부터의 출력은 데이터 보존기(802)에 송신되어, 수신된 신호의 데이터는 내부의 기억 장치 내에 기억된다.
본 예에 있어서도, 스펙트럼 합성기(14)에서는, 광 또는 그 강도를 나타내는 신호를 축적하는 시간을 다르게 하여 수광하여 검출한 복수의 파장의 스펙트럼을 이용하여 1개의 합성 스펙트럼을 산출한다. 스펙트럼 합성기(14)로부터 출력된 당해 합성 스펙트럼을 나타내는 신호를 수신한 데이터 보존기(802)에서는, 당해 신호의 데이터를 하드 디스크 등의 보조 기억 장치나 RAM 등의 기억 장치에 기억하여 보존한다.
본 예에서는, 분광기(12)로부터의 복수 파장 데이터를 시계열로 취득한 데이터를 OES 데이터라고 호칭하고, 이 OES 데이터 내의 합성 스펙트럼의 미리 정해진 파장의 데이터를 이용하여, 처리 중의 진공 처리실(2) 내부의 상태나 플라즈마를 이용한 처리의 특성이나 조건에 대하여 해석이 행해진다. 반도체 디바이스의 고(高)집적화, 복잡화에 수반하여 반도체 웨이퍼 상의 피처리체의 면적(개구)은 점점 적어지고 있고, 플라즈마 처리 중의 피처리체의 처리의 종점을 포함하는 그 전후의 기간에서의 플라즈마의 발광의 강도나 그 파장마다의 분포의 변화는 매우 작은 것으로 된다. 이러한 조건에 있어서, 특히 미소(微小)한 변화를 검출하기 위해 OES 데이터의 해석을 행하는 것에서는, 각 파장의 발광의 데이터의 S/N이 그 정밀도를 높게 하는 데에 있어서 매우 중요하다.
본 예에 있어서도, 도 1에 나타낸 실시예와 마찬가지로, 분광기(12)는 지정된 축적 시간만큼 분광된 플라즈마 광에 의해 차지된 전하량을 출력한다. 이 전하량이 예를 들면 도 3의 (a), 도 3의 (b)에 나타내는 발광 스펙트럼으로서 나타내어진다.
이 축적 시간과 출력 전하량의 관계는 대략 비례 관계에 있고, 축적 시간을 배로 하면 출력 전하량도 배가 된다. 본 예에서도, 분광기(12)에 있어서 분광되어 얻어지는 복수의 파장의 광의 각각에 대하여, 다른 길이의 축적 시간 A, B를 소정의 횟수로 반복하여 수광하여, 각각에 대응하는 스펙트럼 A, B를 검출한다. 도 3에 나타낸 것과 마찬가지로, 검출되는 스펙트럼 A는 파장 1의 광의 강도가 포화되고 파장 2가 포화되어 있지 않은 것, 스펙트럼 B는 파장 1, 2 모두 그 광의 강도는 포화되어 있지 않은 것이 된다.
도 9를 이용하여, 본 실시예가 검출하는 스펙트럼을 구성하는 복수의 파장 중 파장 2의 광의 강도를 나타내는 데이터의 시간적 변화를 설명한다. 도 9는, 도 8에 나타내는 실시예에 관련된 플라즈마 처리 장치가 스펙트럼의 임의의 파장의 광에 대하여 검출한 처리의 종점의 전후에 있어서의 광 파형의 예를 모식적으로 나타내는 그래프이다.
축적 시간 A에서 수광된 미리 정해진 파장 2의 광의 강도의 시간적 변화의 예를 도 9의 좌측에 나타낸다. 축적 시간 B에서 수광된 파장 2의 광의 강도의 시간적인 변화를 우측에 나타낸다. 도 9의 (a), (b)는 각각 플라즈마의 발광의 강도를 나타내는 그래프 및 그 2차 미분값을 나타내는 그래프이다.
이들 도면에 있어서, 가로축의 10초 부근의 변화가 에칭의 종료점(종점)이다. 이 종점을 포함하는 전후의 기간에서의 발광의 변화와 10초 이전의 흔들림(노이즈) 성분의 비를 평가하기 위해, 2차 미분을 산출했다. 2차 미분값에서의 10초 이전의 흔들림을 노이즈 성분, 10초 이후의 변화를 신호 성분으로 하여 S/N을 산출한 결과가 도 9의 (c)의 좌우 각각에 표 901, 902로서 정리되어 나타내어져 있다. 본 도면의 표 901, 902에 나타내어지는 바와 같이, 축적 시간 A에 관련된 데이터의 S/N은 2.6이 되고, 축적 시간 B에서의 S/N은 1.6이 되었다.
파장 1과 파장 2를 해석에 사용하는 경우를 검토한다. 분광기(12) 내의 회로의 노이즈는 발광 강도에 의존하지 않기 때문에, 발광 강도가 낮은 신호는 노이즈의 비율이 많아 S/N이 낮다. 그래서, 파장 2의 발광 강도를 높이기 위해, 분광기의 축적 시간을 보다 길게 하여 발광 스펙트럼 A를 취득하면 파장 2의 발광 강도는 높아지고 발광 스펙트럼 B의 파장 2와 비교하면 S/N이 향상되는 한편 파장 1이 포화되어 버리는 경우가 생긴다.
그래서, 본 실시예에 있어서도 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 축적 시간 A와 축적 시간 B를 반복하여, 도 3에 나타내는 것과 마찬가지로 각각의 축적 시간에 대응한 2개의 발광 스펙트럼 A와 발광 스펙트럼 B를 검출한다. 이에 따라 발광 강도가 강한 파장 1의 데이터와 S/N이 높은 파장 2의 데이터의 양방을 갖는 OES 데이터를 검출할 수 있다.
상기와 같이 취득한 2개의 OES 데이터를 각각 데이터 보존하는 경우에는 보존 데이터 용량은 배가 된다. 또한, OES 데이터 내의 합성 스펙트럼의 미리 정해진 파장의 데이터를 이용하여 처리 중의 진공 처리실(2) 내부의 상태나 플라즈마를 이용한 처리의 특성이나 조건에 대하여 해석이 행해지는 경우에는, 파장 1, 2의 광에 관련된 데이터를 동일한 강도 범위로 해석하는 것이 필요해진다.
그래서, 본 실시예에서는, 상기와 같이 분광기(12)에 있어서 다른 축적 시간에서 검출된 2개 이상의 OES 데이터로부터 1개의 합성한 OES 데이터를 작성한다. 이러한 합성된 OES 데이터를 산출하는 처리의 흐름은, 도 4에 나타낸 플로우 차트와 동일한 것이 된다.
즉, 단계 401에서 처리를 개시한 후, 축적 시간 A의 기간에서 처리실 내의 플라즈마로부터의 발광을 수광기로 수광하여 발광 스펙트럼 A를 검출한다(단계 402). 다음으로, 축적 시간 A에 잇따른 축적 시간 B의 기간에서 발광 스펙트럼 B를 검출한다(단계 403).
다음으로, 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있는 영역을 검출한다(단계 404). 그 후, 단계 405에 있어서, 발광 스펙트럼 A, B로부터 양자의 스펙트럼비를 구한다.
스펙트럼비의 산출 방법은 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있지 않은 발광 강도가 높은 피크의 비를 이용한다. 또는, 발광 스펙트럼 A, B에서 포화되어 있지 않은 영역의 각 발광 강도의 전부 혹은 일부의 평균값의 비를 이용할 수도 있다.
단계 406에 있어서 발광 스펙트럼 강도 A, B의 강도를 비교하여, 강도가 강한 스펙트럼의 포화 영역을 강도가 낮은 스펙트럼으로 단계 405에서 구한 스펙트럼비를 승산한 값으로 합성함으로써, 도 5에 나타내는 합성 스펙트럼을 산출한다(단계 407, 408).
이상 설명한 바와 같이, 플라즈마 발광의 강도가 크게 다른 2개 이상의 파장을 이용하여 처리의 특성이나 처리실 내부의 상태의 해석에 사용하는 경우에 있어서, 당해 복수의 파장의 발광 강도가 커지도록(대략 포화 용량의 절반 이상) CCD 센서의 축적 시간을 설정한 복수의 발광 스펙트럼 강도를 취득한다. 이 구성에 의해, 해석에 사용하는 복수의 파장의 발광 강도의 시간적 변화에 있어서의 S/N이 향상된 합성 스펙트럼을 OES 데이터로서 기록한다.
이 합성 스펙트럼을 사용하여 발광 해석을 행함으로써 보다 정밀도가 양호한 해석 결과를 얻을 수 있다. 또 합성 스펙트럼을 OES 데이터로서 기록함으로써 도시하고 있지 않지만 하드 디스크 등의 기억 장치에의 기억 영역을 적게 할 수 있다.
1: 플라즈마 처리 장치 2: 진공 처리실
3: 플라즈마 4: 피처리체
5: 시료대 7: 제어기
11: 광파이버 12: 분광기
13: 축적 시간 설정기 14: 스펙트럼 합성기
15: 파장 결정기 16: 디지털 필터
17: 미분기 18: 종점 판정기
19: 표시기
601: 종래 방법에서의 2차 미분값의 S/N 결과
701: 본 발명에서의 2차 미분값의 S/N 결과

Claims (8)

  1. 진공 용기 내부의 처리실 내에 배치된 시료대 상에 재치된 웨이퍼의 표면에 미리 형성된 복수의 막층을 포함하는 막 구조의 처리 대상의 막층을 당해 처리실 내에 형성한 플라즈마를 이용하여 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 중의 상기 처리실 내로부터의 복수의 파장의 광을 수광하는 수광기와, 이 수광기가 다른 길이의 복수의 기간의 각각에서 수광한 출력으로부터 상기 복수의 파장의 광의 강도를 검출하는 검출기이며, 상기 복수의 기간 각각의 상기 복수의 파장의 광을 강도를 나타내는 복수의 데이터 중의 일방에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 상기 복수의 데이터 중의 타방의 상기 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터와 합성하여 얻어진 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 이용하여 상기 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 검출기를 구비한 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출기는, 상기 복수의 기간 중 미리 정해진 소정의 길이보다 짧은 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 상기 복수의 기간 중 상기 소정의 길이보다 긴 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 검출되지 않는 부분을 검출하고, 당해 부분을 상기 긴 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 검출된 결과와 합성한 상기 데이터를 이용하여 상기 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 수광기는, 상기 복수의 기간 중의 일방의 기간 동안에 있어서 상기 복수의 파장의 광 각각을 포화시키지 않고 수광하며 타방의 기간 동안에 있어서 상기 복수의 파장 중의 일부만을 포화시키지 않고 수광하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 검출기로부터 검출된 상기 복수의 파장의 광의 강도를 이용하여 상기 처리의 종점을 판정하는 판정기를 구비한 플라즈마 처리 장치.
  5. 진공 용기 내부의 처리실 내에 배치된 시료대 상에 웨이퍼를 재치하고, 상기 처리실 내에 플라즈마를 형성하여 상기 웨이퍼의 표면에 미리 형성된 복수의 막층을 포함하는 막 구조의 처리 대상의 막층을 처리하는 플라즈마 처리 방법에 있어서,
    상기 처리 중의 상기 처리실 내로부터의 복수의 파장의 광을 다른 길이의 복수의 기간의 각각에서 수광한 수광기의 출력으로부터 상기 복수의 파장의 광의 강도를 검출하는 공정으로서, 상기 복수의 기간 각각의 상기 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 복수의 데이터 중의 일방에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 상기 복수의 데이터 중의 타방의 상기 하나의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터와 합성하여 얻어진 복수의 파장의 광의 강도를 나타내는 데이터를 이용하여 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 공정을 구비한 플라즈마 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공정에 있어서, 상기 복수의 기간 중 미리 정해진 소정의 길이보다 짧은 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 상기 복수의 기간 중 상기 소정의 길이보다 긴 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 검출되지 않는 부분을 검출하고, 당해 부분을 상기 긴 기간에서 상기 수광기로부터 얻어진 출력으로부터 검출된 결과와 합성한 상기 데이터를 이용하여 상기 복수의 파장마다의 광의 강도를 검출하는 플라즈마 처리 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 수광기는, 상기 복수의 기간 중의 일방의 기간 동안에 있어서 상기 복수의 파장의 광 각각을 포화시키지 않고 수광하며 타방의 기간 동안에 있어서 상기 복수의 파장 중의 일부만을 포화시키지 않고 수광하는 플라즈마 처리 방법.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 검출된 상기 복수의 파장의 광의 강도를 이용하여 상기 처리의 종점을 판정하는 공정을 구비한 플라즈마 처리 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10215704B2 (en) * 2017-03-02 2019-02-26 Tokyo Electron Limited Computed tomography using intersecting views of plasma using optical emission spectroscopy during plasma processing
JP6832800B2 (ja) * 2017-06-21 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102510305B1 (ko) * 2020-03-11 2023-03-17 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411318B1 (ko) * 1998-02-03 2003-12-18 가가쿠 기쥬츠 신코 지교단 반도체 플라즈마 처리에 있어서의 종점 검출 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128823A (en) * 1981-02-02 1982-08-10 Shimadzu Corp Spectrum measuring device
JPS6111622A (ja) * 1984-06-27 1986-01-20 Hitachi Ltd 分光光度計
JP3217581B2 (ja) * 1994-02-25 2001-10-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング終点検出方法
KR100426988B1 (ko) * 2001-11-08 2004-04-14 삼성전자주식회사 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법
TW560080B (en) * 2002-09-12 2003-11-01 Winbond Electronics Corp A method for detecting the end point of plasma etching process by using matrix
US6982175B2 (en) * 2003-02-14 2006-01-03 Unaxis Usa Inc. End point detection in time division multiplexed etch processes
US20080176149A1 (en) * 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
JP2009231718A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Renesas Technology Corp ドライエッチング終点検出方法
JP5458693B2 (ja) 2009-06-26 2014-04-02 凸版印刷株式会社 終点検出装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411318B1 (ko) * 1998-02-03 2003-12-18 가가쿠 기쥬츠 신코 지교단 반도체 플라즈마 처리에 있어서의 종점 검출 방법

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JP2016136607A (ja) 2016-07-28

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