WO2021124772A1 - 化学機械研磨用組成物、化学機械研磨方法、及び化学機械研磨用粒子の製造方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 218
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 132
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 claims description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 11
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 9
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 8
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- WOZZOSDBXABUFO-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].CCC(C)[O-].CCC(C)[O-].CCC(C)[O-] WOZZOSDBXABUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NTWSIWWJPQHFTO-AATRIKPKSA-N (2E)-3-methylhex-2-enoic acid Chemical compound CCC\C(C)=C\C(O)=O NTWSIWWJPQHFTO-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N (2E)-hexenoic acid Chemical compound CCC\C=C\C(O)=O NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXGNXJVHYJIRTR-MRBUWEIXSA-N 1-o-tert-butyl 5-o-methyl (e,4z)-4-(phenylsulfanylmethylidene)pent-2-enedioate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)/C=C/C(/C(=O)OC)=C/SC1=CC=CC=C1 YXGNXJVHYJIRTR-MRBUWEIXSA-N 0.000 description 1
- ZQUROMIGLUXXNW-UHFFFAOYSA-N 1-triethoxysilylpropan-2-ol Chemical compound CCO[Si](CC(C)O)(OCC)OCC ZQUROMIGLUXXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFAZQMFMBKQIDW-UHFFFAOYSA-N 1-trimethoxysilylpropan-2-ol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)O AFAZQMFMBKQIDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBQAYLNBRDAQQX-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCC(CC)C[Si](OC)(OC)OC PBQAYLNBRDAQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHTLMPWATZQGAP-UHFFFAOYSA-N 2-triethoxysilylethanol Chemical compound CCO[Si](CCO)(OCC)OCC ZHTLMPWATZQGAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOSZBTFBHSYELP-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylethanol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCO BOSZBTFBHSYELP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSFQOQOSOMBPEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methyl-2-hexenoic acid Natural products CCC(C)=CC(O)=O RSFQOQOSOMBPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMGBDYLOANULLW-UHFFFAOYSA-N 3-isocyanatopropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN=C=O FMGBDYLOANULLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMUBRRLYMADSGF-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropan-1-ol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCO NMUBRRLYMADSGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YATIYDNBFHEOFA-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-ol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCO YATIYDNBFHEOFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDZVKPXKLLLOOA-UHFFFAOYSA-N Allylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C(O)=O)CC=C ZDZVKPXKLLLOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N Z-hexenoic acid Natural products CCCC=CC(O)=O NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PLUHAVSIMCXBEX-UHFFFAOYSA-N azane;dodecyl benzenesulfonate Chemical compound N.CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 PLUHAVSIMCXBEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYUBCOTWDAZBIC-UHFFFAOYSA-N butan-2-yloxyaluminum Chemical compound [Al+].CCC(C)[O-] UYUBCOTWDAZBIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N butynedioic acid Chemical compound OC(=O)C#CC(O)=O YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- ATGKAFZFOALBOF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1CCCCC1 ATGKAFZFOALBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1CCCCC1 MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P diazanium;cerium(3+);pentanitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N heptyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCC[Si](OC)(OC)OC VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- TXXHDPDFNKHHGW-UHFFFAOYSA-N muconic acid Chemical compound OC(=O)C=CC=CC(O)=O TXXHDPDFNKHHGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M potassium;2-dodecylbenzenesulfonate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)F ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HILHCDFHSDUYNX-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](OC)(OC)OC HILHCDFHSDUYNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Definitions
- the present invention relates to a composition for chemical mechanical polishing, a chemical mechanical polishing method using the same, and a method for producing particles for chemical mechanical polishing.
- CMP Chemical Mechanical Polishing
- the wiring board in the semiconductor device includes an insulating film material, a wiring material, and a barrier metal material for preventing the wiring material from diffusing into the inorganic material film.
- Silicon dioxide is mainly used as the insulating film material
- copper and tungsten are mainly used as the wiring material
- tantalum nitride and titanium nitride are mainly used as the barrier metal material.
- Alumina particles with high hardness may be used to polish such various materials at high speed.
- a polishing composition containing alumina, fumed alumina, an acid, and water has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
- the tungsten film can be polished at high speed by using alumina particles having high hardness, but on the surface to be polished in which the tungsten film and the silicon oxide film coexist.
- polishing scratches such as scratches are likely to occur. Such polishing scratches are a major factor in reducing the yield.
- One aspect of the chemical mechanical polishing composition according to the present invention is (A) Alumina particles whose surface is at least partially coated with a silica-alumina film, (B) With a liquid medium Contains.
- the number of moles of aluminum contained in the silica-alumina coating is M Al and the number of moles of silicon is M Si , even if the value of M Al / M Si is 0.001 or more and 0.05 or less. Good.
- the film thickness of the silica-alumina coating may be 1 nm or more and 20 nm or less.
- the average primary particle size of the alumina particles may be 50 nm or more and 300 nm or less.
- the zeta potential measured by the laser Doppler method of the component (A) may be less than -5 mV.
- the pH may be 1 or more and 6 or less.
- composition for chemical mechanical polishing according to any one of the above embodiments It may be used for polishing a substrate containing tungsten.
- One aspect of the chemical mechanical polishing method according to the present invention is The step of polishing a substrate containing tungsten by using the composition for chemical mechanical polishing according to any one of the above is included.
- the substrate may further contain silicon oxide.
- the pH of the chemical mechanical polishing composition may be 1 or more and 6 or less.
- the step (c) may be performed at a temperature of 90 ° C. or lower.
- the step (a) may further include adding aqueous ammonia to the aqueous dispersion of alumina particles.
- the tungsten film which is a wiring material in chemical mechanical polishing performed at the time of forming wiring of a semiconductor device, can be polished at high speed, and surface defects on the surface to be polished can be generated. Can be reduced.
- the surface to be polished is a surface to be polished in which a tungsten film and a silicon oxide film coexist, it is possible to effectively reduce the occurrence of polishing scratches such as scratches.
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the alumina particles used in the present embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an object to be treated used in the chemical mechanical polishing method according to the present embodiment.
- FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the object to be processed after the first polishing step.
- FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the object to be processed after the second polishing step.
- FIG. 5 is a perspective view schematically showing a chemical mechanical polishing apparatus.
- (meth) acrylic- is a concept that includes both “acrylic-” and “methacryl-”.
- the "wiring material” refers to a conductive metal material such as aluminum, copper, cobalt, titanium, ruthenium, and tungsten.
- the "insulating film material” refers to a material such as silicon dioxide, silicon nitride, or amorphous silicon.
- the "barrier metal material” refers to a material such as tantalum nitride and titanium nitride that is used by being laminated with a wiring material for the purpose of improving the reliability of wiring.
- composition for chemical mechanical polishing is (A) alumina particles in which at least a part of the surface is coated with a film of silica-alumina (in the present specification, simply “( It also contains “A) component”) and (B) liquid medium (also simply referred to as "(B) component” in the present specification).
- A alumina particles in which at least a part of the surface is coated with a film of silica-alumina
- B liquid medium
- the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment contains (A) alumina particles in which at least a part of the surface is coated with a silica-alumina coating as particles for chemical mechanical polishing.
- FIG. 1 shows a cross-sectional view schematically showing core-shell particles 400 in which at least a part of the surface is coated with a coating of silica-alumina.
- the core-shell particles 400 in the core-shell particles 400, at least a part of the surface of the alumina particles 60 is coated with a silica-alumina coating 70.
- the core-shell particles 400 have a core-shell shape having the alumina particles 60 as the core portion and the silica alumina coating 70 as the shell portion.
- the surface of the core-shell particles 400 may be entirely covered with a silica-alumina coating 70, or only a part thereof may be covered, but it is preferable that the entire surface is covered.
- a silica-alumina coating 70 By coating at least a part of the surface of the core-shell particles 400 with the silica-alumina coating film 70, the surface hardness of the core-shell particles 400 is appropriately relaxed, so that the surface to be polished where the tungsten film and the silicon oxide film coexist. The occurrence of polishing scratches such as scratches can be effectively reduced.
- the film thickness of the silica-alumina coating 70 is preferably 1 nm or more and 20 nm or less, more preferably 2 nm or more and 18 nm or less, and particularly preferably 3 nm or more and 15 nm or less.
- the film thickness of the silica-alumina coating 70 is within the above range, it is possible to easily reduce the occurrence of polishing scratches on the surface to be polished without reducing the polishing rate.
- (A) component is contained in a silica-alumina coating, the number of moles of aluminum M Al, the number of moles of silicon when the M Si, the value of M Al / M Si is preferably 0.001 or more It is 0.05 or less, more preferably 0.003 or more and 0.04 or less, and particularly preferably 0.005 or more and 0.03 or less.
- the value of M Al / M Si in the silica-alumina coating is within the above range, it is possible to easily reduce the occurrence of polishing scratches on the surface to be polished without lowering the polishing rate.
- the lower limit of the average primary particle size of the component (A) is preferably 10 nm, more preferably 50 nm, and particularly preferably 100 nm.
- the upper limit of the average primary particle size of the component (A) is preferably 1,000 nm, more preferably 500 nm, and particularly preferably 300 nm.
- the tungsten film to be polished may be polished at a practical polishing rate while suppressing the occurrence of polishing defects. ..
- the average particle size of the primary particles constituting the component (A) can be confirmed by preparing a sample of the component (A) by a conventional method and observing it with a transmission electron microscope (TEM). it can.
- TEM transmission electron microscope
- the zeta potential of the component (A) is preferably less than -5 mV, more preferably less than -10 mV.
- the component (A) in any of the pH range of 1 or more and 6 or less is less than -5 mV, the component (A) is excessively surfaced due to the repulsive force based on the electrostatic interaction between the component (A) and the tungsten film. Since it becomes difficult to localize to, it may be possible to effectively reduce the occurrence of polishing scratches on the surface to be polished.
- the zeta potential of the component (A) can be measured by a conventional method using a zeta potential measuring device based on the laser Doppler method.
- a zeta potential measuring device examples include a "zeta potential analyzer” manufactured by Brook Haven Instruments Co., Ltd. and an "ELSZ-1000ZS” manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.
- the lower limit of the content of the component (A) is preferably 0.1% by mass, more preferably 0.2% by mass, when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. , Particularly preferably 0.3% by mass.
- the upper limit of the content of the component (A) is preferably 10% by mass, more preferably 8% by mass, and particularly preferably 8% by mass when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. It is 5% by mass.
- alumina particles are dispersed in water to prepare an aqueous dispersion of alumina particles having a solid content concentration of 1% by mass or more and 30% by mass or less.
- the step (c) of growing a film derived from the alkoxysilane and the aluminum alkoxide on the surface of the alumina particles can be manufactured by a method including. According to such a production method, a uniform and appropriate film thickness of silica-alumina can be formed on the surface of the alumina particles. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of polishing scratches on the surface to be polished without reducing the polishing speed.
- each step of the manufacturing method will be described in detail.
- the step (a) is a step of dispersing the alumina particles in water to prepare an aqueous dispersion of alumina particles having a solid content concentration of 1% by mass or more and 30% by mass or less.
- the average primary particle size of the alumina particles used in the step (a) is preferably 10 nm or more and 1,000 nm or less.
- the average primary particle size of the alumina particles can be obtained by measuring, for example, the primary particle size of 100 alumina particles using a transmission electron microscope (TEM) and using the average value thereof.
- TEM transmission electron microscope
- the means for dispersing the alumina particles in water is not particularly limited, and the water is weighed in a container, the alumina particles are gradually charged into the container, and the whole is made uniform by a stirring means such as a magnetic stirrer. do it.
- the solid content concentration of the aqueous dispersion of alumina particles is adjusted to be 1% by mass or more and 30% by mass or less, but it is preferably adjusted to be 1% by mass or more and 20% by mass or less. ..
- aqueous ammonia as a catalyst to the aqueous dispersion of alumina particles.
- the amount of ammonia water added is not particularly limited, but it may be adjusted so that the pH of the aqueous dispersion of alumina particles is 8 to 12. In such a pH range, ammonia functions as a catalyst, and the alkoxy groups of alkoxysilane and aluminum alkoxide are hydrolyzed by water existing in the surrounding environment to become hydroxy groups. These hydroxy groups bond to the surface of the alumina particles by adsorption, hydrogen bonding, or dehydration bonding. In this way, the surface of the alumina particles is coated with a silica-alumina film.
- silica-alumina covered with a coating of silica-alumina means that hydroxy groups derived from alkoxysilane and aluminum alkoxide are bonded to the surface of alumina particles by adsorption, hydrogen bonding, or dehydration bonding.
- the step (b) is a step of adding 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less as the total amount of alkoxysilane and aluminum alkoxide to the total amount of 100 parts by mass of the alumina particles to the aqueous dispersion of alumina particles.
- trialkoxysilanes and tetraalkoxysilanes are preferable.
- Specific examples of the trialkoxysilane include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, and isopropyltri.
- Silane 3-Isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-Isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) Ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acrylicoxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) atacryloxypropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltri Examples thereof include methoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, and methyltriacetyloxysilane. Specific examples of the tetraalkoxysilane include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and tetrapropoxy
- aluminum alkoxide examples include aluminum triisopropoxide, sec-butoxyaluminum diisoflopoxide, aluminum trisec-butoxide and the like.
- the total amount of the alkoxysilane and the aluminum alkoxide added is 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less and 10 parts by mass or more and 35 parts by mass or less with respect to the total 100 parts by mass of the alumina particles. Is preferable.
- the mass ratio of the amount of alkoxysilane added to the amount of aluminum alkoxide added is preferably 20: 1 to 1: 1 and more preferably 15: 1 to 2: 1 on a mass basis, which is particularly preferable.
- the step (c) is a step of growing a film of silica alumina derived from the alkoxysilane and the aluminum alkoxide on the surface of the alumina particles. Specifically, after the step (b), the alumina particle aqueous dispersion to which the alkoxysilane and the aluminum alkoxide are added is stirred at a temperature of 90 ° C. or lower for 1 to 10 hours to obtain silica on the surface of the alumina particles. Alumina coating can be grown.
- the upper limit of the temperature of the aqueous dispersion of alumina particles during stirring is preferably 90 ° C.
- the lower limit of the temperature of the aqueous dispersion of alumina particles during stirring is preferably 20 ° C.
- a silica-alumina film can be grown on the surface of the alumina particles, but it is preferable to finally cool the particles to room temperature and add an acid to adjust the pH to 1 to 6.
- the pH in such a range, the interaction between the surface to be polished and the component (A) is induced to further improve the polishing speed of the surface to be polished, and it is effective to generate polishing scratches on the surface to be polished. It may be possible to reduce it to.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment contains (B) a liquid medium.
- the component (B) include a mixed medium of water, water and alcohol, a mixed medium containing an organic solvent compatible with water and water, and the like. Among these, it is preferable to use a mixed medium of water, water and alcohol, and it is more preferable to use water.
- the water is not particularly limited, but pure water is preferable. Water may be blended as the remainder of the constituent material of the composition for chemical mechanical polishing, and the content of water is not particularly limited.
- composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment further contains additives such as an oxidizing agent, an acidic compound, a surfactant, a water-soluble polymer, an anticorrosive agent, and a pH adjuster, if necessary. You may. Hereinafter, each additive will be described.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may contain an oxidizing agent.
- an oxidizing agent By containing an oxidizing agent, a metal such as tungsten is oxidized to promote a complexing reaction with the polishing liquid component, so that a fragile modified layer can be created on the surface to be polished, so that the polishing speed is improved. In some cases.
- oxidizing agent examples include ammonium persulfate, potassium persulfate, hydrogen peroxide, ferric nitrate, cerium diammonium nitrate, potassium hypochlorite, ozone, potassium periodate, peracetic acid and the like.
- ammonium persulfate, potassium persulfate, and hydrogen peroxide are preferable, and hydrogen peroxide is more preferable, in consideration of oxidizing power and ease of handling.
- These oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more.
- the content of the oxidizing agent is preferably 0.1 when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. It is about 5% by mass, more preferably 0.3 to 4% by mass, and particularly preferably 0.5 to 3% by mass.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may contain an acidic compound.
- an acidic compound By containing the acidic compound, a synergistic effect with the component (A) can be obtained, and the polishing rate of the tungsten film may be improved.
- Examples of such acidic compounds include organic acids and inorganic acids.
- organic acids include saturated carboxylic acids such as malonic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, oxalic acid, lactic acid, and iminodiacetic acid; acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-butenoic acid, and 2-methyl-3.
- -Unsaturated monocarboxylic acids such as butenoic acid, 2-hexenoic acid, 3-methyl-2-hexenoic acid; maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, 2-pentenedioic acid, itaconic acid, allylmalonic acid, isopropi Unsaturated dicarboxylic acids such as reden succinic acid, 2,4-hexadiendioic acid and acetylenedicarboxylic acid; aromatic carboxylic acids such as trimellitic acid, and salts thereof.
- the inorganic acid include phosphoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and salts thereof. These acidic compounds may be used alone or in combination of two or more.
- the content of the acidic compound is preferably 0.001 when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. It is about 5% by mass, more preferably 0.003 to 1% by mass, and particularly preferably 0.005 to 0.5% by mass.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may contain a surfactant.
- a surfactant By containing a surfactant, it may be possible to impart an appropriate viscosity to the composition for chemical mechanical polishing.
- the viscosity of the chemical mechanical polishing composition is preferably adjusted to be 0.5 mPa ⁇ s or more and less than 10 mPa ⁇ s at 25 ° C.
- the surfactant is not particularly limited, and examples thereof include anionic surfactants, cationic surfactants, and nonionic surfactants.
- anionic surfactant examples include carboxylic acid salts such as fatty acid soap and alkyl ether carboxylate; sulfonates such as alkylbenzene sulfonate, alkylnaphthalene sulfonate and ⁇ -olefin sulfonate; higher alcohol sulfate. Sulfates such as ester salts, alkyl ether sulfates and polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfates; fluorine-containing surfactants such as perfluoroalkyl compounds can be mentioned.
- Examples of the cationic surfactant include aliphatic amine salts and aliphatic ammonium salts.
- nonionic surfactant examples include a nonionic surfactant having a triple bond such as acetylene glycol, an acetylene glycol ethylene oxide adduct, and an acetylene alcohol; a polyethylene glycol type surfactant and the like.
- alkylbenzene sulfonate is preferable, and potassium dodecylbenzene sulfonate and ammonium dodecylbenzene sulfonate are more preferable.
- These surfactants may be used alone or in combination of two or more.
- the content of the surfactant is preferably 0 when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. It is .001 to 5% by mass, more preferably 0.003 to 3% by mass, and particularly preferably 0.005 to 1% by mass.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may contain a water-soluble polymer.
- the water-soluble polymer has the effect of adsorbing to the surface of the surface to be polished and reducing polishing friction. Due to this effect, the occurrence of dishing on the surface to be polished may be significantly reduced.
- Water-soluble polymers include polyethyleneimine, poly (meth) acrylamide, poly N-alkyl (meth) acrylamide, poly (meth) acrylic acid, polyoxyethylene alkylamine, polyvinyl alcohol, polyvinyl alkyl ether, polyvinylpyrrolidone, and hydroxyethyl cellulose. , Carboxymethyl cellulose, a copolymer of (meth) acrylic acid and maleic acid, a polymer amine compound such as poly (meth) acrylic amine, and the like.
- the weight average molecular weight (Mw) of the water-soluble polymer is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 3,000 to 800,000.
- the weight average molecular weight (Mw) in the present specification refers to a polyethylene glycol-equivalent weight average molecular weight measured by GPC (gel permeation chromatography).
- the content of the water-soluble polymer is preferably 100% by mass when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. Is 0.005 to 0.5% by mass, more preferably 0.01 to 0.2% by mass.
- the content of the water-soluble polymer depends on the weight average molecular weight (Mw) of the water-soluble polymer, but the viscosity of the composition for chemical mechanical polishing at 25 ° C. is 0.5 mPa ⁇ s or more and less than 10 mPa ⁇ s. It is preferable to adjust so as to be.
- Mw weight average molecular weight
- the viscosity of the composition for chemical mechanical polishing at 25 ° C. is 0.5 mPa ⁇ s or more and less than 10 mPa ⁇ s. It is easy to polish the tungsten film at high speed, and since the viscosity is appropriate, the chemical machine is stable on the polishing cloth.
- a polishing composition can be supplied.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may contain an anticorrosive agent.
- the anticorrosive agent include benzotriazole and its derivatives.
- the benzotriazole derivative refers to one in which one or more hydrogen atoms contained in benzotriazole are replaced with, for example, a carboxy group, a methyl group, an amino group, a hydroxy group or the like.
- Specific examples of the benzotriazole derivative include 4-carboxybenzotriazole, 7-carboxybenzotriazole, benzotriazole butyl ester, 1-hydroxymethylbenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, and salts thereof.
- the content of the anticorrosive agent is preferably 1% by mass when the total mass of the composition for chemical mechanical polishing is 100% by mass. It is more preferably 0.001 to 0.1% by mass.
- the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment may further contain a pH adjuster, if necessary.
- a pH adjuster examples include nitric acid, potassium hydroxide, ethylenediamine, monoethanolamine, TMAH (tetramethylammonium hydroxide), TEAH (tetraethylammonium hydroxide), ammonia and the like, and one or more of these may be used. it can.
- the pH of the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment is not particularly limited, but is preferably 1 or more and 6 or less, more preferably 2 or more and 5 or less, and particularly preferably 2 or more and 4 or less.
- the pH is in the above range, the polishing rate of tungsten can be increased, while the polishing rate of the silicon oxide film may be decreased. As a result, the tungsten film may be selectively polished.
- the pH of the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment can be adjusted, for example, by appropriately increasing or decreasing the content of the acidic compound, the pH adjuster, or the like.
- the pH refers to a hydrogen ion index
- the value thereof is a commercially available pH meter (for example, a tabletop pH meter manufactured by HORIBA, Ltd.) under the condition of 25 ° C. and 1 atm. Can be measured.
- the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment (A) contains alumina particles in which at least a part of the surface is coated with a coating of silica-alumina. Since the component (A) has a silica-alumina film on the surface as described above, the component (A) has an appropriate surface hardness. Therefore, the composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment can reduce the occurrence of surface defects on the surface to be polished while polishing the tungsten film which is a wiring material at high speed.
- the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment can reduce the occurrence of polishing scratches such as scratches, especially on the surface to be polished in which the tungsten film and the silicon oxide film coexist. Therefore, the chemical mechanical polishing composition according to the present embodiment can be used as a polishing material for polishing a substrate containing tungsten or a substrate containing tungsten and silicon oxide among a plurality of materials constituting a semiconductor device. Suitable.
- composition for chemical mechanical polishing can be prepared by dissolving or dispersing each of the above components in a liquid medium such as water.
- the method for dissolving or dispersing is not particularly limited, and any method may be applied as long as it can be uniformly dissolved or dispersed. Further, the mixing order and mixing method of each of the above-mentioned components are not particularly limited.
- composition for chemical mechanical polishing according to the present embodiment can be prepared as a concentrated type stock solution and diluted with a liquid medium such as water at the time of use.
- the polishing method according to an embodiment of the present invention includes a step of polishing a substrate containing tungsten using the above-mentioned chemical mechanical polishing composition.
- the substrate may further contain silicon oxide.
- FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an object to be processed suitable for use in the chemical mechanical polishing method according to the present embodiment.
- the object to be processed 100 is formed by going through the following steps (1) to (4).
- the substrate 10 is prepared.
- the substrate 10 may be composed of, for example, a silicon substrate and a silicon oxide film formed on the silicon substrate. Further, a functional device such as a transistor (not shown) may be formed on the substrate 10. Next, a silicon oxide film 12 which is an insulating film is formed on the substrate 10 by a thermal oxidation method.
- the silicon oxide film 12 is patterned. Using the obtained pattern as a mask, a via hole 14 is formed on the silicon oxide film 12 by a photolithography method.
- a barrier metal film 16 is formed on the surface of the silicon oxide film 12 and the inner wall surface of the via hole 14 by applying sputtering or the like. Since the electrical contact between tungsten and silicon is not very good, good electrical contact is realized by interposing a barrier metal film.
- the barrier metal film 16 include titanium and / or titanium nitride.
- the object to be processed 100 is formed.
- FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an object to be processed at the end of the first polishing step.
- the tungsten film 18 is polished using the above-mentioned chemical mechanical polishing composition until the barrier metal film 16 is exposed.
- FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an object to be processed at the end of the second polishing step.
- the silicon oxide film 12, the barrier metal film 16 and the tungsten film 18 are polished using the above-mentioned chemical mechanical polishing composition.
- the above-mentioned composition for chemical mechanical polishing can polish a tungsten film as a wiring material at high speed, and can reduce the occurrence of surface defects on the surface to be polished in which the tungsten film and the silicon oxide film coexist. Therefore, the above-mentioned composition for chemical mechanical polishing is suitable as a polishing material for chemical mechanical polishing of a substrate containing tungsten or a substrate containing tungsten and silicon oxide. Further, since the composition for chemical mechanical polishing having the same composition can be used in the first polishing step and the second polishing step of the chemical mechanical polishing method according to the present embodiment, the throughput of the production line is improved.
- FIG. 5 is a perspective view schematically showing the polishing apparatus 300.
- the semiconductor substrate is supplied with the slurry (composition for chemical mechanical polishing) 44 from the slurry supply nozzle 42, and the turntable 48 to which the polishing pad 46 is attached is rotated. This is performed by bringing the carrier head 52 holding the 50 into contact with the carrier head 52.
- FIG. 5 also shows the water supply nozzle 54 and the dresser 56.
- the polishing load of the carrier head 52 can be selected within the range of 10 to 980 hPa, preferably 30 to 490 hPa.
- the rotation speed of the turntable 48 and the carrier head 52 can be appropriately selected within the range of 10 to 400 rpm, and is preferably 30 to 150 rpm.
- the flow rate of the slurry (composition for chemical mechanical polishing) 44 supplied from the slurry supply nozzle 42 can be selected within the range of 10 to 1,000 mL / min, and is preferably 50 to 400 mL / min.
- polishing equipment examples include, for example, Ebara Corporation, model “EPO-112", “EPO-222”; Lapmaster SFT, model “LGP-510", “LGP-552”; Applied Materials Co., Ltd. , Model “Mirra”, “Reflection”; manufactured by G & P TECHNOLOGY, model “POLI-400L”; manufactured by AMAT, model "Reflexion LK” and the like.
- Example 1 3.1.1. Preparation of Alumina Particles Coated with Silica-Alumina Film An aqueous dispersion containing alumina at a concentration of 200 g / L in a 2 L flask under normal temperature and pressure (manufactured by Saint-Gobin Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion” ”), While stirring a mixed solution of 26.70 g of tetramethyl orthosilicate (manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) and 0.90 g of aluminum sec-butoxide (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) with respect to 1000 g of the dispersion. Added.
- tetramethyl orthosilicate manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.
- aluminum sec-butoxide manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
- Polishing speed ( ⁇ / min) Polishing amount ( ⁇ ) / Polishing time (minutes) (Polishing conditions) -Polishing pad: Nitta Haas Co., Ltd., model number "IC1000 XY-P" ⁇ Carrier head load: 129 g / cm 2 ⁇ Surface plate rotation speed: 100 rpm ⁇ Polishing head rotation speed: 90 rpm -Supply amount of composition for chemical mechanical polishing: 100 mL / min (evaluation standard) "A”: The polishing rate of the tungsten film is 300 ⁇ / min or more, and the polishing rate of the tungsten film is higher than the polishing rate of the silicon oxide film. "B”: The polishing rate of the tungsten film is less than 300 ⁇ / min, or the polishing rate of the tungsten film is lower than the polishing rate of the silicon oxide film.
- each component was added to a polyethylene container so as to have the composition shown in Table 1, and the total amount of all the components was adjusted with pure water so as to be 100 parts by mass.
- each defect evaluation composition was prepared by adjusting with a 5% by mass aqueous nitric acid solution under stirring while checking with a pH meter so that the pH was as shown in Table 1.
- a substrate with a silicon oxide film (a square silicon substrate with a silicon oxide film of 1500 nm and a side length of 4 cm) was subjected to a chemical mechanical polishing system (manufactured by G & P Technology, model "Poli”). -400L ”) was used to perform chemical mechanical polishing under the following conditions.
- Defects with a size of 10 ⁇ m or more using a defect inspection device manufactured by Nikon Corporation, model “Eclipse L200N” on a substrate with a silicon oxide film subjected to chemical mechanical polishing using the above composition for defect evaluation.
- the area was measured.
- the ratio of the measured defect area to the total substrate area (hereinafter, also referred to as “defect area ratio”) was calculated.
- Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc. shown in Comparative Example 1.
- the evaluation criteria for defect evaluation are as follows. The results are shown in Table 1.
- Defect rate (%) (Defect area rate (%) / 7992 Alumina dispersion liquid defect area rate (%)) x 100 (Evaluation criteria) -"A" ...
- the defect rate defined by the above formula is 20% or less.
- -"B" ...
- the defect rate defined by the above formula is more than 20%.
- Example 2 Alumina particles coated with a silica-alumina film were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a mixed solution of 40.05 g of tetramethyl orthosilicate and 1.35 g of aluminum sec-butoxide was used. The results are shown in Table 1.
- Example 3 Alumina particles coated with a silica-alumina film were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a mixed solution of 13.35 g of tetramethyl orthosilicate and 0.45 g of aluminum sec-butoxide was used. The results are shown in Table 1.
- Example 4 Alumina particles coated with a silica-alumina film were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a mixed solution of 26.70 g of tetramethyl orthosilicate and 0.45 g of aluminum sec-butoxide was used. The results are shown in Table 1.
- Example 5 Alumina particles coated with a silica-alumina film were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a mixed solution of 26.70 g of tetramethyl orthosilicate and 0.23 g of aluminum sec-butoxide was used. The results are shown in Table 1.
- Example 6 Alumina particles coated with a silica-alumina film were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the pH of the chemical mechanical polishing composition was changed to 6. The results are shown in Table 1.
- Comparative Example 1 Except that an aqueous dispersion containing alumina at a concentration of 200 g / L (Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion”) was used as it is as abrasive grains of a composition for chemical mechanical polishing. A composition for chemical mechanical polishing was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
- Comparative Example 2 Tetramethyl orthosilicate per 1000 g of an aqueous dispersion (manufactured by Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion") containing alumina at a concentration of 200 g / L in a 2 L flask under normal temperature and pressure. 26.7 g was added without stirring. Next, 28% by mass of aqueous ammonia was added until the pH of the mixture reached 10.3. Then, the temperature was raised to 80 ° C., and the mixture was stirred for 1 hour.
- aqueous dispersion manufactured by Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion
- Comparative Example 3 Water was added to an aqueous dispersion (manufactured by Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion") containing alumina at a concentration of 200 g / L in a 2 L flask under normal temperature and pressure, and alumina was added to 27. An aqueous dispersion containing a concentration of .47 g / L was prepared. While 1000 mL of this dispersion was placed in a flask and stirred, 5% by mass of aqueous ammonia was added until the pH reached 10.3, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes.
- aqueous dispersion manufactured by Saint-Gobain Ceramic Materials, Inc., trade name "7992 alumina dispersion
- Evaluation Results Table 1 below shows the composition of the chemical mechanical polishing compositions of each example and each comparative example, and the evaluation results.
- the chemical mechanical polishing compositions of Examples 1 to 6 use the component (A) coated with a coating of silica-alumina. According to the evaluation results in Table 1 above, the component (A) coated with the silica-alumina coating has a zeta potential of ⁇ 43 mV to -8 mV, and has stability in the composition for chemical mechanical polishing. It turned out to be excellent. Further, according to the chemical mechanical polishing compositions of Examples 1 to 6, it was found that the tungsten film, which is a wiring material, can be polished at high speed. Further, since at least a part of the surface of the component (A) contained in the chemical mechanical polishing compositions of Examples 1 to 6 is coated with a silica-alumina film, the surface hardness is appropriately relaxed. There is. Therefore, it was found that the defect rate of the substrate after polishing can be significantly reduced.
- the composition for chemical mechanical polishing of Comparative Example 2 uses alumina particles coated with a silica film.
- the zeta potential of the alumina particles coated with the silica film was -5 mV, and a tendency to easily aggregate in the composition for chemical mechanical polishing was observed.
- the tungsten film could not be polished at a sufficient polishing rate, and the defect rate of the substrate after polishing was also described in Examples 1 to 6. Compared to that, it was 35%, which was quite large.
- the composition for chemical mechanical polishing of Comparative Example 3 uses alumina particles coated with a film derived from 3-aminopropyltriethoxysilane. Since the zeta potential of the alumina particles coated with this film is +42 mV, defects on the surface of the substrate with the silicon oxide film, which is negatively charged at pH 2.5, are likely to occur. As a result, the defect rate of the substrate after polishing was as large as 30% as compared with Examples 1 to 6.
- the present invention includes a configuration that is substantially the same as the configuration described in the embodiment (for example, a configuration that has the same function, method, and result, or a configuration that has the same purpose and effect).
- the present invention also includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced.
- the present invention includes a configuration that exhibits the same effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object.
- the present invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
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Abstract
配線材料であるタングステン膜を高速研磨でき、かつ、被研磨面での表面欠陥の発生を低減できる化学機械研磨用組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子と、(B)液状媒体と、を含有する。
Description
本発明は、化学機械研磨用組成物及びそれを用いた化学機械研磨方法、並びに化学機械研磨用粒子の製造方法に関する。
CMP(Chemical Mechanical Polishing)は、半導体装置の製造における平坦化技術などで急速な普及を見せてきた。このCMPは、被研磨体を研磨パッドに圧着し、研磨パッド上に化学機械研磨用組成物を供給しながら被研磨体と研磨パッドとを相互に摺動させて、被研磨体を化学的かつ機械的に研磨する技術である。
近年、半導体装置の高精細化に伴い、半導体装置内に形成される配線及びプラグ等からなる配線層の微細化が進んでいる。これに伴い、配線層を化学機械研磨により平坦化する手法が用いられている。半導体装置における配線基板には、絶縁膜材料と、配線材料と、該配線材料の無機材料膜への拡散を防止するためのバリアメタル材料と、が含まれている。絶縁膜材料としては二酸化ケイ素が、配線材料としては銅やタングステンが、バリアメタル材料としては窒化タンタルや窒化チタンが主に使用されている。
このような様々な材料を高速に研磨するために、高硬度を有するアルミナ粒子が使用されることがある。具体的には、アルミナ、フュームドアルミナ、酸、及び水を含有する研磨用組成物が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載の研磨用組成物は、高硬度を有するアルミナ粒子を用いることにより、タングステン膜を高速研磨することはできるが、タングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面においては、スクラッチ等の研磨傷が発生しやすいという課題があった。このような研磨傷は、歩留まりを低下させる主な要因となっている。
このように、配線材料であるタングステン膜を高速研磨でき、かつ、被研磨面での表面欠陥の発生を低減できる化学機械研磨用組成物、及び化学機械研磨方法が要求されている。
本発明に係る化学機械研磨用組成物の一態様は、
(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子と、
(B)液状媒体と、
を含有する。
(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子と、
(B)液状媒体と、
を含有する。
前記化学機械研磨用組成物の一態様において、
前記シリカアルミナの被膜中に含まれる、アルミニウムのモル数をMAl、ケイ素のモル数をMSiとしたときに、MAl/MSiの値が0.001以上0.05以下であってもよい。
前記シリカアルミナの被膜中に含まれる、アルミニウムのモル数をMAl、ケイ素のモル数をMSiとしたときに、MAl/MSiの値が0.001以上0.05以下であってもよい。
前記化学機械研磨用組成物のいずれかの態様において、
前記シリカアルミナの被膜の膜厚が1nm以上20nm以下であってもよい。
前記シリカアルミナの被膜の膜厚が1nm以上20nm以下であってもよい。
前記化学機械研磨用組成物のいずれかの態様において、
前記アルミナ粒子の平均一次粒径が50nm以上300nm以下であってもよい。
前記アルミナ粒子の平均一次粒径が50nm以上300nm以下であってもよい。
前記化学機械研磨用組成物のいずれかの態様において、
前記(A)成分のレーザードップラー法を用いて測定されたゼータ電位が-5mV未満であってもよい。
前記(A)成分のレーザードップラー法を用いて測定されたゼータ電位が-5mV未満であってもよい。
前記化学機械研磨用組成物のいずれかの態様において、
pHが1以上6以下であってもよい。
pHが1以上6以下であってもよい。
前記いずれかの態様の化学機械研磨用組成物は、
タングステンを含有する基板研磨用であってもよい。
タングステンを含有する基板研磨用であってもよい。
本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、
前記いずれかの態様の化学機械研磨用組成物を用いて、タングステンを含有する基板を研磨する工程を含む。
前記いずれかの態様の化学機械研磨用組成物を用いて、タングステンを含有する基板を研磨する工程を含む。
前記化学機械研磨方法の一態様において、
前記基板が酸化シリコンをさらに含有してもよい。
前記基板が酸化シリコンをさらに含有してもよい。
前記化学機械研磨方法のいずれかの態様において、
前記化学機械研磨用組成物のpHが1以上6以下であってもよい。
前記化学機械研磨用組成物のpHが1以上6以下であってもよい。
本発明に係る化学機械研磨用粒子の製造方法の一態様は、
アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程(a)と、
前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程(b)と、
前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来する被膜を成長させる工程(c)と、
を含む。
アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程(a)と、
前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程(b)と、
前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来する被膜を成長させる工程(c)と、
を含む。
前記化学機械研磨用粒子の製造方法の一態様において、
前記工程(c)が90℃以下の温度で行われてもよい。
前記工程(c)が90℃以下の温度で行われてもよい。
前記化学機械研磨用粒子の製造方法のいずれかの態様において、
前記工程(a)において、前記アルミナ粒子水分散液にアンモニア水を添加することをさらに含んでもよい。
前記工程(a)において、前記アルミナ粒子水分散液にアンモニア水を添加することをさらに含んでもよい。
本発明に係る化学機械研磨用組成物によれば、半導体装置の配線形成時に行われる化学機械研磨において、配線材料であるタングステン膜を高速研磨でき、かつ、被研磨面での表面欠陥の発生を低減することができる。特に前記被研磨面がタングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面である場合に、スクラッチ等の研磨傷の発生を効果的に低減することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。
本明細書において、「(メタ)アクリル~」とは、「アクリル~」及び「メタクリル~」の双方を包括する概念である。
本明細書において、「配線材料」とは、アルミニウム、銅、コバルト、チタン、ルテニウム、タングステン等の導電体金属材料のことをいう。「絶縁膜材料」とは、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アモルファスシリコン等の材料のことをいう。「バリアメタル材料」とは、窒化タンタル、窒化チタン等の配線の信頼性を向上させる目的で配線材料と積層させて用いられる材料のことをいう。
本明細書において、「X~Y」のように記載された数値範囲は、数値Xを下限値として含み、かつ、数値Yを上限値として含むものとして解釈される。
1.化学機械研磨用組成物
本発明の一実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子(本明細書において、単に「(A)成分」ともいう。)と、(B)液状媒体(本明細書において、単に「(B)成分」ともいう。)と、を含有する。
以下、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
本発明の一実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子(本明細書において、単に「(A)成分」ともいう。)と、(B)液状媒体(本明細書において、単に「(B)成分」ともいう。)と、を含有する。
以下、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
1.1.(A)成分
1.1.1.構造及び物性
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、化学機械研磨用粒子として、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子を含有する。
1.1.1.構造及び物性
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、化学機械研磨用粒子として、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子を含有する。
(A)成分は、コアとなるアルミナ粒子の表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されている。図1に、表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されているコアシェル粒子400を模式的に示す断面図を示す。図1に示すように、コアシェル粒子400は、アルミナ粒子60の表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜70によって被覆されている。このように、コアシェル粒子400は、アルミナ粒子60をコア部とし、シリカアルミナの被膜70をシェル部とするコアシェル状の形状を有している。コアシェル粒子400の表面は、シリカアルミナの被膜70によって、その全面が被覆されていてもよいし、その一部のみが被覆されていてもよいが、その全面が被覆されていることが好ましい。コアシェル粒子400の表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜70によって被覆されることによって、コアシェル粒子400の表面硬度が適度に緩和されるため、タングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面におけるスクラッチ等の研磨傷の発生を効果的に低減できる。
シリカアルミナの被膜70の膜厚は、1nm以上20nm以下であることが好ましく、2nm以上18nm以下であることがより好ましく、3nm以上15nm以下であることが特に好ましい。シリカアルミナの被膜70の膜厚が前記範囲であれば、研磨速度が低下することなく、被研磨面の研磨傷の発生を低減しやすくすることができる。
(A)成分は、シリカアルミナの被膜中に含まれる、アルミニウムのモル数をMAl、ケイ素のモル数をMSiとしたときに、MAl/MSiの値は、好ましくは0.001以上0.05以下であり、より好ましくは0.003以上0.04以下であり、特に好ましくは0.005以上0.03以下である。シリカアルミナの被膜中のMAl/MSiの値が前記範囲にあれば、研磨速度が低下することなく、被研磨面の研磨傷の発生を低減しやすくすることができる。
(A)成分の平均一次粒径の下限は、好ましくは10nmであり、より好ましくは50nmであり、特に好ましくは100nmである。(A)成分の平均一次粒径の上限は、好ましくは1,000nmであり、より好ましくは500nmであり、特に好ましくは300nmである。(A)成分を構成する一次粒子の平均粒径が前記範囲であると、被研磨面であるタングステン膜に対して、研磨欠陥の発生を抑制しつつ実用的な研磨速度で研磨できる場合がある。(A)成分を構成する一次粒子の平均粒径は、常法により(A)成分の試料を作製し、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope; TEM)を用いて観察することにより確認することができる。
(A)成分のゼータ電位は、-5mV未満であることが好ましく、-10mV未満であることがより好ましい。(A)成分のpH1以上6以下の範囲のいずれかにおけるゼータ電位が-5mV未満であると、(A)成分とタングステン膜との静電相互作用に基づく斥力によって(A)成分が過剰に表面に局在化しにくくなるので、被研磨面における研磨傷の発生を効果的に低減できる場合がある。
(A)成分のゼータ電位は、レーザードップラー法を測定原理とするゼータ電位測定装置を用いて常法により測定することできる。このようなゼータ電位測定装置としては、例えばブルックヘブンインスツルメント社製の「ゼータポテンシャルアナライザー」、大塚電子株式会社製の「ELSZ-1000ZS」等が挙げられる。
(A)成分の含有量の下限値は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは0.1質量%であり、より好ましくは0.2質量%であり、特に好ましくは0.3質量%である。(A)成分の含有量の上限値は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは10質量%であり、より好ましくは8質量%であり、特に好ましくは5質量%である。(A)成分の含有量が前記範囲であると、配線材料であるタングステン膜に対する高速研磨を実現できるとともに、化学機械研磨用組成物の保存安定性が良好となる場合がある。
1.1.2.化学機械研磨用粒子の製造方法
本実施形態において使用される(A)成分は、例えば
アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程(a)と、
前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程(b)と、
前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来する被膜を成長させる工程(c)と、
を含む方法により製造することができる。
かかる製造方法によれば、アルミナ粒子の表面に、均質かつ適度な膜厚のシリカアルミナの被膜を形成することができる。そのため、研磨速度が低下することなく、被研磨面における研磨傷の発生を低減することができる。以下、前記製造方法の各工程について詳細に説明する。
本実施形態において使用される(A)成分は、例えば
アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程(a)と、
前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程(b)と、
前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来する被膜を成長させる工程(c)と、
を含む方法により製造することができる。
かかる製造方法によれば、アルミナ粒子の表面に、均質かつ適度な膜厚のシリカアルミナの被膜を形成することができる。そのため、研磨速度が低下することなく、被研磨面における研磨傷の発生を低減することができる。以下、前記製造方法の各工程について詳細に説明する。
<工程(a)>
工程(a)は、アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程である。
工程(a)は、アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程である。
工程(a)で用いるアルミナ粒子の平均一次粒径は、10nm以上1,000nm以下であることが好ましい。アルミナ粒子の平均一次粒径は、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope; TEM)を用いて、例えば100個のアルミナ粒子の一次粒子径を測定し、その平均値とすることができる。
アルミナ粒子を水に分散させる手段としては、特に制限されず、容器に水を秤量し、その容器にアルミナ粒子を徐々に投入して、マグネチックスターラー等の攪拌手段により全体が均一となるようにすればよい。
工程(a)では、アルミナ粒子水分散液の固形分濃度が、1質量%以上30質量%以下となるように調製するが、1質量%以上20質量%以下となるように調製することが好ましい。
また、工程(a)において、前記アルミナ粒子水分散液には、触媒としてアンモニア水を添加することが好ましい。アンモニア水の添加量は、特に制限されないが、アルミナ粒子水分散液のpHが8~12となるように調整するとよい。このようなpH領域であれば、アンモニアが触媒として機能して、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドのアルコキシ基が周囲環境に存在する水により加水分解されてヒドロキシ基となる。これらのヒドロキシ基が、吸着、水素結合、又は脱水結合によりアルミナ粒子の表面と結合する。このようにして、アルミナ粒子の表面がシリカアルミナの被膜で被覆される。すなわち、「シリカアルミナの被膜で被覆される」とは、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシド由来のヒドロキシ基が、吸着、水素結合、又は脱水結合によりアルミナ粒子の表面と結合することをいう。
<工程(b)>
工程(b)は、前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程である。
工程(b)は、前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程である。
アルコキシシランの中でも、トリアルコキシシラン及びテトラアルコキシシランが好ましい。トリアルコキシシランの具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-ペンチルトリメトキシシラン、n-ヘキシルトリメトキシシラン、n-ヘプチルトリメトキシシラン、n-オクチルトリメトキシシラン、2-エチルヘキシルトリメトキシシラン、n-デシルトリメトキシシラン、n-ドデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2-ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3-イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3-(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、メチルトリアセチルオキシシラン等が挙げられる。テトラアルコキシシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
アルミニウムアルコキシドとしては、例えば、アルミニウムトリイソプロポキシド、sec-ブトキシアルミニウムジイソフロポキシド、アルミニウムトリsec-ブトキシド等が挙げられる。
工程(b)において、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計添加量は、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、1質量部以上50質量部以下であり、10質量部以上35質量部以下であることが好ましい。
また、アルコキシシランの添加量とアルミニウムアルコキシドの添加量との質量比は、質量基準で、好ましくは20:1~1:1であり、より好ましくは15:1~2:1であり、特に好ましくは10:1~3:1である。
<工程(c)>
工程(c)は、前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来するシリカアルミナの被膜を成長させる工程である。具体的には、工程(b)の後、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドが添加されたアルミナ粒子水分散液を90℃以下の温度で1~10時間攪拌することにより、アルミナ粒子の表面にシリカアルミナの被膜を成長させることができる。
工程(c)は、前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来するシリカアルミナの被膜を成長させる工程である。具体的には、工程(b)の後、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドが添加されたアルミナ粒子水分散液を90℃以下の温度で1~10時間攪拌することにより、アルミナ粒子の表面にシリカアルミナの被膜を成長させることができる。
攪拌時のアルミナ粒子水分散液の温度の上限は、90℃が好ましい。一方、攪拌時のアルミナ粒子水分散液の温度の下限は、20℃が好ましい。前記温度範囲内でシリカアルミナの被膜を成長させることにより、添加した触媒としてのアンモニアが飛散せず、アルミナ粒子の表面に適度な強度を有するシリカアルミナの被膜を形成することができる。
このようにして、アルミナ粒子の表面にシリカアルミナの被膜を成長させることができるが、最後に室温まで冷却し、酸を添加してpHを1~6に調整することが好ましい。このようなpH領域とすることで、被研磨面と(A)成分との相互作用を誘発させて、被研磨面の研磨速度をより向上させたり、被研磨面における研磨傷の発生を効果的に低減させたりすることができる場合がある。
1.2.(B)成分
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(B)液状媒体を含有する。(B)成分としては、水、水及びアルコールの混合媒体、水及び水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水及びアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、化学機械研磨用組成物の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(B)液状媒体を含有する。(B)成分としては、水、水及びアルコールの混合媒体、水及び水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水及びアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、化学機械研磨用組成物の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
1.3.その他の添加剤
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、酸性化合物、界面活性剤、水溶性高分子、防蝕剤、pH調整剤等の添加剤をさらに含有してもよい。以下、各添加剤について説明する。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、酸性化合物、界面活性剤、水溶性高分子、防蝕剤、pH調整剤等の添加剤をさらに含有してもよい。以下、各添加剤について説明する。
<酸化剤>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、酸化剤を含有してもよい。酸化剤を含有することにより、タングステン等の金属を酸化して研磨液成分との錯化反応を促すことにより、被研磨面に脆弱な改質層を作り出すことができるため、研磨速度が向上する場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、酸化剤を含有してもよい。酸化剤を含有することにより、タングステン等の金属を酸化して研磨液成分との錯化反応を促すことにより、被研磨面に脆弱な改質層を作り出すことができるため、研磨速度が向上する場合がある。
酸化剤としては、例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、次亜塩素酸カリウム、オゾン、過ヨウ素酸カリウム、過酢酸等が挙げられる。これらの酸化剤のうち、酸化力及び取り扱いやすさを考慮すると、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素が好ましく、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物が酸化剤を含有する場合において、酸化剤の含有量は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは0.1~5質量%であり、より好ましくは0.3~4質量%であり、特に好ましくは0.5~3質量%である。
<酸性化合物>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、酸性化合物を含有してもよい。酸性化合物を含有することにより、(A)成分との相乗効果が得られ、タングステン膜の研磨速度を向上できる場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、酸性化合物を含有してもよい。酸性化合物を含有することにより、(A)成分との相乗効果が得られ、タングステン膜の研磨速度を向上できる場合がある。
このような酸性化合物としては、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ酸、乳酸、イミノジ酢酸等の飽和カルボン酸;アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2-ブテン酸、2-メチル-3-ブテン酸、2-ヘキセン酸、3-メチル-2-ヘキセン酸等の不飽和モノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、2-ペンテン二酸、イタコン酸、アリルマロン酸、イソプロピリデンコハク酸、2,4-ヘキサジエン二酸、アセチレンジカルボン酸等の不飽和ジカルボン酸;トリメリット酸等の芳香族カルボン酸、及びこれらの塩が挙げられる。無機酸としては、例えば、リン酸、硫酸、塩酸、硝酸、及びこれらの塩が挙げられる。これらの酸性化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物が酸性化合物を含有する場合において、酸性化合物の含有量は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは0.001~5質量%であり、より好ましくは0.003~1質量%であり、特に好ましくは0.005~0.5質量%である。
<界面活性剤>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤を含有することにより、化学機械研磨用組成物に適度な粘性を付与できる場合がある。化学機械研磨用組成物の粘度は、25℃において0.5mPa・s以上10mPa・s未満となるように調整することが好ましい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤を含有することにより、化学機械研磨用組成物に適度な粘性を付与できる場合がある。化学機械研磨用組成物の粘度は、25℃において0.5mPa・s以上10mPa・s未満となるように調整することが好ましい。
界面活性剤としては、特に制限されず、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩;アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α-オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩;高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等の硫酸塩;パーフルオロアルキル化合物等の含フッ素系界面活性剤等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。
非イオン性界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール、アセチレングリコールエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等の三重結合を有する非イオン性界面活性剤;ポリエチレングリコール型界面活性剤等が挙げられる。
前記例示した界面活性剤の中でも、アルキルベンゼンスルホン酸塩が好ましく、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムがより好ましい。これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物が界面活性剤を含有する場合において、界面活性剤の含有量は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは0.001~5質量%であり、より好ましくは0.003~3質量%であり、特に好ましくは0.005~1質量%である。
<水溶性高分子>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水溶性高分子を含有してもよい。水溶性高分子には、被研磨面の表面に吸着して研磨摩擦を低減させる効果がある。この効果により、被研磨面のディッシングの発生を大幅に低減できる場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水溶性高分子を含有してもよい。水溶性高分子には、被研磨面の表面に吸着して研磨摩擦を低減させる効果がある。この効果により、被研磨面のディッシングの発生を大幅に低減できる場合がある。
水溶性高分子としては、ポリエチレンイミン、ポリ(メタ)アクリルアミド、ポリN-アルキル(メタ)アクリルアミド、ポリ(メタ)アクリル酸、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルキルエーテル、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、(メタ)アクリル酸とマレイン酸の共重合体、ポリ(メタ)アクリルアミン等の高分子アミン化合物等が挙げられる。
水溶性高分子の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは1,000~1,000,000であり、より好ましくは3,000~800,000である。水溶性高分子の重量平均分子量が前記範囲にあると、被研磨面の表面に吸着しやすくなり、研磨摩擦をより低減できる場合がある。その結果、被研磨面におけるディッシングの発生をより効果的に低減できる場合がある。なお、本明細書中における「重量平均分子量(Mw)」とは、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量のことを指す。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物が水溶性高分子を含有する場合において、水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは0.005~0.5質量%であり、より好ましくは0.01~0.2質量%である。
なお、水溶性高分子の含有量は、水溶性高分子の重量平均分子量(Mw)にも依存するが、化学機械研磨用組成物の25℃における粘度が0.5mPa・s以上10mPa・s未満となるように調整することが好ましい。化学機械研磨用組成物の25℃における粘度が0.5mPa・s以上10mPa・s未満であると、タングステン膜を高速で研磨しやすく、粘度が適正であるため研磨布上に安定して化学機械研磨用組成物を供給することができる。
<防蝕剤>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、防蝕剤を含有してもよい。防蝕剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール及びその誘導体が挙げられる。ここで、ベンゾトリアゾール誘導体とは、ベンゾトリアゾールの有する1個又は2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシ基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシ基等で置換したものをいう。ベンゾトリアゾール誘導体の具体例としては、4-カルボキシルベンゾトリアゾール、7-カルボキシベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1-ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、及びこれらの塩等が挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、防蝕剤を含有してもよい。防蝕剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール及びその誘導体が挙げられる。ここで、ベンゾトリアゾール誘導体とは、ベンゾトリアゾールの有する1個又は2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシ基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシ基等で置換したものをいう。ベンゾトリアゾール誘導体の具体例としては、4-カルボキシルベンゾトリアゾール、7-カルボキシベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1-ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、及びこれらの塩等が挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物が防蝕剤を含有する場合において、防蝕剤の含有量は、化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、好ましくは1質量%以下であり、より好ましくは0.001~0.1質量%である。
<pH調整剤>
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、さらに必要に応じてpH調整剤を含有してもよい。pH調整剤としては、硝酸、水酸化カリウム、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)、TEAH(テトラエチルアンモニウムヒドロキシド)、アンモニア等が挙げられ、これらの1種以上を用いることができる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、さらに必要に応じてpH調整剤を含有してもよい。pH調整剤としては、硝酸、水酸化カリウム、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)、TEAH(テトラエチルアンモニウムヒドロキシド)、アンモニア等が挙げられ、これらの1種以上を用いることができる。
1.4.pH
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物のpHは、特に制限されないが、好ましくは1以上6以下であり、より好ましくは2以上5以下であり、特に好ましくは2以上4以下である。pHが前記範囲にあると、タングステンの研磨速度をより大きくすることができる一方で、酸化シリコン膜の研磨速度をより小さくすることができる場合がある。その結果、タングステン膜を選択的に研磨できる場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物のpHは、特に制限されないが、好ましくは1以上6以下であり、より好ましくは2以上5以下であり、特に好ましくは2以上4以下である。pHが前記範囲にあると、タングステンの研磨速度をより大きくすることができる一方で、酸化シリコン膜の研磨速度をより小さくすることができる場合がある。その結果、タングステン膜を選択的に研磨できる場合がある。
なお、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物のpHは、例えば、前記酸性化合物や前記pH調整剤等の含有量を適宜増減することにより調整することができる。
本発明において、pHとは、水素イオン指数のことを指し、その値は、25℃、1気圧の条件下で、市販のpHメーター(例えば、株式会社堀場製作所製、卓上型pHメーター)を用いて測定することができる。
1.5.用途
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子を含む。(A)成分は、上述のように表面にシリカアルミナの被膜を有しているので、適度な表面硬度を有するようになる。そのため、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、配線材料であるタングステン膜を高速研磨しながら、被研磨面での表面欠陥の発生を低減できる。本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、特にタングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面において、スクラッチ等の研磨傷の発生を低減できる。したがって、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、半導体装置を構成する複数の材料のうち、タングステンを含有する基板、又は、タングステン及び酸化シリコンを含有する基板を研磨するための研磨材料として好適である。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子を含む。(A)成分は、上述のように表面にシリカアルミナの被膜を有しているので、適度な表面硬度を有するようになる。そのため、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、配線材料であるタングステン膜を高速研磨しながら、被研磨面での表面欠陥の発生を低減できる。本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、特にタングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面において、スクラッチ等の研磨傷の発生を低減できる。したがって、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、半導体装置を構成する複数の材料のうち、タングステンを含有する基板、又は、タングステン及び酸化シリコンを含有する基板を研磨するための研磨材料として好適である。
1.6.化学機械研磨用組成物の調製方法
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水等の液状媒体に上述の各成分を溶解又は分散させることにより調製することができる。溶解又は分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解又は分散できればどのような方法を適用してもよい。また、上述の各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水等の液状媒体に上述の各成分を溶解又は分散させることにより調製することができる。溶解又は分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解又は分散できればどのような方法を適用してもよい。また、上述の各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。
また、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、濃縮タイプの原液として調製し、使用時に水等の液状媒体で希釈して使用することもできる。
2.化学機械研磨方法
本発明の一実施形態に係る研磨方法は、上述した化学機械研磨用組成物を用いて、タングステンを含有する基板を研磨する工程を含む。前記基板は、酸化シリコンをさらに含有してもよい。以下、本実施形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を参照しながら説明する。
本発明の一実施形態に係る研磨方法は、上述した化学機械研磨用組成物を用いて、タングステンを含有する基板を研磨する工程を含む。前記基板は、酸化シリコンをさらに含有してもよい。以下、本実施形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を参照しながら説明する。
2.1.被処理体
図2は、本実施形態に係る化学機械研磨方法の使用に適した被処理体を模式的に示した断面図である。被処理体100は、以下の工程(1)~工程(4)を経ることにより形成される。
図2は、本実施形態に係る化学機械研磨方法の使用に適した被処理体を模式的に示した断面図である。被処理体100は、以下の工程(1)~工程(4)を経ることにより形成される。
(1)まず、図2に示すように、基体10を用意する。基体10は、例えばシリコン基板とその上に形成された酸化シリコン膜とから構成されていてもよい。さらに、基体10には、(図示しない)トランジスタ等の機能デバイスが形成されていてもよい。次に、基体10の上に、熱酸化法を用いて絶縁膜である酸化シリコン膜12を形成する。
(2)次いで、酸化シリコン膜12をパターニングする。得られたパターンをマスクとして、フォトリソグラフィー法により酸化シリコン膜12にヴィアホール14を形成する。
(3)次いで、スパッタ等を適用して酸化シリコン膜12の表面及びヴィアホール14の内壁面にバリアメタル膜16を形成する。タングステンとシリコンとの電気的接触があまり良好でないため、バリアメタル膜を介在させることで良好な電気的接触を実現している。バリアメタル膜16としては、チタン及び/又は窒化チタンが挙げられる。
(4)次いで、CVD法を適用してタングステン膜18を堆積させる。
以上の工程により、被処理体100が形成される。
2.2.化学機械研磨方法
2.2.1.第1研磨工程
図3は、第1研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第1研磨工程では、図3に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いてバリアメタル膜16が露出するまでタングステン膜18を研磨する。
2.2.1.第1研磨工程
図3は、第1研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第1研磨工程では、図3に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いてバリアメタル膜16が露出するまでタングステン膜18を研磨する。
2.2.2.第2研磨工程
図4は、第2研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第2研磨工程では、図4に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いて酸化シリコン膜12、バリアメタル膜16及びタングステン膜18を研磨する。第2研磨工程を経ることにより、被研磨面での表面欠陥が少ない次世代型の半導体装置200を製造することができる。
図4は、第2研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第2研磨工程では、図4に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いて酸化シリコン膜12、バリアメタル膜16及びタングステン膜18を研磨する。第2研磨工程を経ることにより、被研磨面での表面欠陥が少ない次世代型の半導体装置200を製造することができる。
なお、上述の化学機械研磨用組成物は、配線材料であるタングステン膜を高速研磨でき、かつ、タングステン膜と酸化シリコン膜とが共存する被研磨面での表面欠陥の発生を低減できる。よって、上述の化学機械研磨用組成物は、タングステンを含有する基板、又はタングステン及び酸化シリコンを含有する基板を化学機械研磨するための研磨材料として好適である。また、本実施形態に係る化学機械研磨方法の第1研磨工程及び第2研磨工程において、同一組成の化学機械研磨用組成物を用いることができるので、生産ラインのスループットが向上する。
2.3.化学機械研磨装置
上述の第1研磨工程及び第2研磨工程には、例えば図5に示すような研磨装置300を用いることができる。図5は、研磨装置300を模式的に示した斜視図である。上述の第1研磨工程及び第2研磨工程では、スラリー供給ノズル42からスラリー(化学機械研磨用組成物)44を供給し、かつ研磨布46が貼付されたターンテーブル48を回転させながら、半導体基板50を保持したキャリアーヘッド52を当接させることにより行う。なお、図5には、水供給ノズル54及びドレッサー56も併せて示してある。
上述の第1研磨工程及び第2研磨工程には、例えば図5に示すような研磨装置300を用いることができる。図5は、研磨装置300を模式的に示した斜視図である。上述の第1研磨工程及び第2研磨工程では、スラリー供給ノズル42からスラリー(化学機械研磨用組成物)44を供給し、かつ研磨布46が貼付されたターンテーブル48を回転させながら、半導体基板50を保持したキャリアーヘッド52を当接させることにより行う。なお、図5には、水供給ノズル54及びドレッサー56も併せて示してある。
キャリアーヘッド52の研磨荷重は、10~980hPaの範囲内で選択することができ、好ましくは30~490hPaである。また、ターンテーブル48及びキャリアーヘッド52の回転数は10~400rpmの範囲内で適宜選択することができ、好ましくは30~150rpmである。スラリー供給ノズル42から供給されるスラリー(化学機械研磨用組成物)44の流量は、10~1,000mL/分の範囲内で選択することができ、好ましくは50~400mL/分である。
市販の研磨装置としては、例えば、荏原製作所社製、型式「EPO-112」、「EPO-222」;ラップマスターSFT社製、型式「LGP-510」、「LGP-552」;アプライドマテリアル社製、型式「Mirra」、「Reflexion」;G&P TECHNOLOGY社製、型式「POLI-400L」;AMAT社製、型式「Reflexion LK」等が挙げられる。
3.実施例
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。
3.1.実施例1
3.1.1.シリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の調製
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)の分散液1000gに対して、オルトケイ酸テトラメチル(多摩化学工業株式会社製)26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド(富士フイルム和光純薬株式会社製)0.90gの混合液を攪拌しながら添加した。次に、混合物のpHが10.3になるまで28質量%のアンモニア水を添加した。その後、80℃に昇温し、1時間攪拌した。最後に、水500gを添加して総質量が1000gになるまで減圧濃縮し、pH6.5のシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を20%含有する分散体を得た。
3.1.1.シリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の調製
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)の分散液1000gに対して、オルトケイ酸テトラメチル(多摩化学工業株式会社製)26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド(富士フイルム和光純薬株式会社製)0.90gの混合液を攪拌しながら添加した。次に、混合物のpHが10.3になるまで28質量%のアンモニア水を添加した。その後、80℃に昇温し、1時間攪拌した。最後に、水500gを添加して総質量が1000gになるまで減圧濃縮し、pH6.5のシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を20%含有する分散体を得た。
3.1.2.シリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の評価
上記で得られたシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子について、透過型電子顕微鏡(TEM)(日立ハイテクノロジー社製、装置型番「HITACHI H-7650」)を用いて100個の粒子の一次粒子径を測定し、その平均値を算出した。その結果を平均一次粒径として表1に示す。
また、TEMのスケールゲージを用いて、100個の粒子画像より粒子表面に形成されたシリカアルミナ膜の膜厚の平均値を算出した。その結果を被覆膜厚として表1に示す。
上記で得られたシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子について、透過型電子顕微鏡(TEM)(日立ハイテクノロジー社製、装置型番「HITACHI H-7650」)を用いて100個の粒子の一次粒子径を測定し、その平均値を算出した。その結果を平均一次粒径として表1に示す。
また、TEMのスケールゲージを用いて、100個の粒子画像より粒子表面に形成されたシリカアルミナ膜の膜厚の平均値を算出した。その結果を被覆膜厚として表1に示す。
3.1.3.化学機械研磨用組成物の調製
上記で調製したシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の分散体を表1に記載の含有量となるように容量1リットルのポリエチレン製の瓶に投入し、その後、必要に応じて硝酸を添加し、pHを表1に示す値となるように調整した。次に、1%過酸化水素水を表1に記載の含有量となるように添加し、合計100質量部となるように水を加え攪拌した。その後、孔径0.3μmのフィルターで濾過し、化学機械研磨用組成物を得た。
上記で調製したシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の分散体を表1に記載の含有量となるように容量1リットルのポリエチレン製の瓶に投入し、その後、必要に応じて硝酸を添加し、pHを表1に示す値となるように調整した。次に、1%過酸化水素水を表1に記載の含有量となるように添加し、合計100質量部となるように水を加え攪拌した。その後、孔径0.3μmのフィルターで濾過し、化学機械研磨用組成物を得た。
3.1.4.化学機械研磨用組成物の評価
<ゼータ電位の測定>
上記で得られた化学機械研磨用組成物に含まれるシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の表面電荷(ゼータ電位)を、超音波方式粒度分布・ゼータ電位測定装置(Dispersion Technology社製、型式「DT-1200」)を用いて測定した。その結果を表1に示す。
<ゼータ電位の測定>
上記で得られた化学機械研磨用組成物に含まれるシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子の表面電荷(ゼータ電位)を、超音波方式粒度分布・ゼータ電位測定装置(Dispersion Technology社製、型式「DT-1200」)を用いて測定した。その結果を表1に示す。
<研磨速度評価>
上記で得られた化学機械研磨用組成物を使用し、酸化シリコン膜付き基板(酸化シリコン膜1500nm付きの辺長4cmの正方形のシリコン基板)及びタングステン膜付き基板(タングステン膜350nmの辺長4cmの正方形のシリコン基板)のそれぞれを被研磨体とし、化学機械研磨装置(G&P Technology社製、型式「Poli-400L」)を用いて、下記の条件で化学機械研磨を実施した。研磨速度試験の評価基準は、以下の通りである。その結果を表1に示す。なお、タングステン膜及び酸化シリコン膜の研磨速度は、下記計算式を用いて算出した。
研磨速度(Å/分)=研磨量(Å)/研磨時間(分)
(研磨条件)
・研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製、型番「IC1000 XY-P」
・キャリアーヘッド荷重:129g/cm2
・定盤回転数:100rpm
・研磨ヘッド回転数:90rpm
・化学機械研磨用組成物供給量:100mL/分
(評価基準)
・「A」…タングステン膜の研磨速度が300Å/分以上、かつ、タングステン膜の研磨速度が酸化シリコン膜の研磨速度よりも大きい。
・「B」…タングステン膜の研磨速度が300Å/分未満、又は、タングステン膜の研磨速度が酸化シリコン膜の研磨速度よりも小さい。
上記で得られた化学機械研磨用組成物を使用し、酸化シリコン膜付き基板(酸化シリコン膜1500nm付きの辺長4cmの正方形のシリコン基板)及びタングステン膜付き基板(タングステン膜350nmの辺長4cmの正方形のシリコン基板)のそれぞれを被研磨体とし、化学機械研磨装置(G&P Technology社製、型式「Poli-400L」)を用いて、下記の条件で化学機械研磨を実施した。研磨速度試験の評価基準は、以下の通りである。その結果を表1に示す。なお、タングステン膜及び酸化シリコン膜の研磨速度は、下記計算式を用いて算出した。
研磨速度(Å/分)=研磨量(Å)/研磨時間(分)
(研磨条件)
・研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製、型番「IC1000 XY-P」
・キャリアーヘッド荷重:129g/cm2
・定盤回転数:100rpm
・研磨ヘッド回転数:90rpm
・化学機械研磨用組成物供給量:100mL/分
(評価基準)
・「A」…タングステン膜の研磨速度が300Å/分以上、かつ、タングステン膜の研磨速度が酸化シリコン膜の研磨速度よりも大きい。
・「B」…タングステン膜の研磨速度が300Å/分未満、又は、タングステン膜の研磨速度が酸化シリコン膜の研磨速度よりも小さい。
<欠陥評価>
ポリエチレン製容器に表1に示す組成となるように各成分を添加し、全成分の合計量が100質量部となるように純水で調整した。次いで、表1に示すpHとなるようにpHメーターで確認しながら、攪拌下に5質量%の硝酸水溶液で調整することで、各欠陥評価用組成物を調製した。
ポリエチレン製容器に表1に示す組成となるように各成分を添加し、全成分の合計量が100質量部となるように純水で調整した。次いで、表1に示すpHとなるようにpHメーターで確認しながら、攪拌下に5質量%の硝酸水溶液で調整することで、各欠陥評価用組成物を調製した。
上記で得られた欠陥評価用組成物を使用し、酸化シリコン膜付き基板(酸化シリコン膜1500nm付きの辺長4cmの正方形のシリコン基板)を、化学機械研磨装置(G&P Technology社製、型式「Poli-400L」)を用いて、下記の条件で化学機械研磨を実施した。
(研磨条件)
・研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製、型番「IC1000 XY-P」
・キャリアーヘッド荷重:129g/cm2
・定盤回転数:100rpm
・研磨ヘッド回転数:90rpm
・欠陥評価用組成物供給量:100mL/分
(研磨条件)
・研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製、型番「IC1000 XY-P」
・キャリアーヘッド荷重:129g/cm2
・定盤回転数:100rpm
・研磨ヘッド回転数:90rpm
・欠陥評価用組成物供給量:100mL/分
上記の欠陥評価用組成物を用いて、化学機械研磨が実施された酸化シリコン膜付き基板について、欠陥検査装置(ニコン社製、型式「Eclipse L200N」)を用いて、10μm以上の大きさの欠陥面積を測定した。全基板面積に対する前記測定された欠陥面積の比率(以下、「欠陥面積率」ともいう。)を計算した。比較例1で示す、Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製の製品名「7992アルミナ分散液」を用いて化学機械研磨した酸化シリコン膜付き基板の欠陥面積率を基準(欠陥面積率=100%)として用いて、下記式により欠陥率を求めた。欠陥評価の評価基準は、以下の通りである。その結果を表1に示す。
欠陥率(%)=(欠陥面積率(%)/7992アルミナ分散液の欠陥面積率(%))×100
(評価基準)
・「A」…上記式で定義される欠陥率が20%以下である。
・「B」…上記式で定義される欠陥率が20%超である。
欠陥率(%)=(欠陥面積率(%)/7992アルミナ分散液の欠陥面積率(%))×100
(評価基準)
・「A」…上記式で定義される欠陥率が20%以下である。
・「B」…上記式で定義される欠陥率が20%超である。
3.2.実施例2
オルトケイ酸テトラメチル40.05gとアルミニウムsec-ブトキシド1.35gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
オルトケイ酸テトラメチル40.05gとアルミニウムsec-ブトキシド1.35gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.3.実施例3
オルトケイ酸テトラメチル13.35gとアルミニウムsec-ブトキシド0.45gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
オルトケイ酸テトラメチル13.35gとアルミニウムsec-ブトキシド0.45gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.4.実施例4
オルトケイ酸テトラメチル26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド0.45gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
オルトケイ酸テトラメチル26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド0.45gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.5.実施例5
オルトケイ酸テトラメチル26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド0.23gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
オルトケイ酸テトラメチル26.70gとアルミニウムsec-ブトキシド0.23gの混合液を使用した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.6.実施例6
化学機械研磨用組成物のpHを6に変更した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
化学機械研磨用組成物のpHを6に変更した以外は、実施例1と同様にしてシリカアルミナ膜で被覆されたアルミナ粒子を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.7.比較例1
アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)をそのまま化学機械研磨用組成物の砥粒として用いた以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)をそのまま化学機械研磨用組成物の砥粒として用いた以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.8.比較例2
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)1000gに対して、オルトケイ酸テトラメチル26.7gを攪拌しなから添加した。次に、混合物のpHが10.3になるまで28質量%のアンモニア水を添加した。その後、80℃に昇温し、1時間撹拌した。最後に、水500gを追加して総質量が1000gになるまで減圧留去し、pH6.5のシリカの被膜で被覆されたアルミナ粒子の20%分散体を得た。こうして得られた粒子を用いた以外は、実施例1と同様に化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)1000gに対して、オルトケイ酸テトラメチル26.7gを攪拌しなから添加した。次に、混合物のpHが10.3になるまで28質量%のアンモニア水を添加した。その後、80℃に昇温し、1時間撹拌した。最後に、水500gを追加して総質量が1000gになるまで減圧留去し、pH6.5のシリカの被膜で被覆されたアルミナ粒子の20%分散体を得た。こうして得られた粒子を用いた以外は、実施例1と同様に化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.9.比較例3
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)に水を添加し、アルミナを27.47g/Lの濃度で含有する水分散体を調製した。この分散液1000mLをフラスコに入れ撹拌しながら、pHが10.3になるまで5質量%のアンモニア水を添加し、室温で30分間撹拌した。次に、混合物へ3-アミノプロピルトリエトキシシラン(東京化成販売株式会社製)3.54gを加え、40℃に昇温して5時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、pHが3.0になるまで70%硝酸を添加し、シラン化合物の被膜で被覆されたアルミナ粒子の分散体を得た。こうして得られた粒子を用いた以外は、実施例1と同様に化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
2Lフラスコに常温常圧下で、アルミナを200g/Lの濃度で含有する水分散体(Saint-Gobain Ceramic Materials,Inc.製、商品名「7992アルミナ分散液」)に水を添加し、アルミナを27.47g/Lの濃度で含有する水分散体を調製した。この分散液1000mLをフラスコに入れ撹拌しながら、pHが10.3になるまで5質量%のアンモニア水を添加し、室温で30分間撹拌した。次に、混合物へ3-アミノプロピルトリエトキシシラン(東京化成販売株式会社製)3.54gを加え、40℃に昇温して5時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、pHが3.0になるまで70%硝酸を添加し、シラン化合物の被膜で被覆されたアルミナ粒子の分散体を得た。こうして得られた粒子を用いた以外は、実施例1と同様に化学機械研磨用組成物を作製し評価した。その結果を表1に示す。
3.10.評価結果
下表1に、各実施例及び各比較例の化学機械研磨用組成物の組成並びに各評価結果を示す。
下表1に、各実施例及び各比較例の化学機械研磨用組成物の組成並びに各評価結果を示す。
実施例1~6の化学機械研磨用組成物は、シリカアルミナの被膜によって被覆された(A)成分を使用している。上表1の評価結果によれば、シリカアルミナの被膜によって被覆された(A)成分は、-43mV~-8mVのゼータ電位を有しており、化学機械研磨用組成物中での安定性に優れることがわかった。また、実施例1~6の化学機械研磨用組成物によれば、配線材料であるタングステン膜を高速で研磨できることがわかった。さらに、実施例1~6の化学機械研磨用組成物に含有される(A)成分は、その表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜で被覆されているので、表面硬度が適度に緩和されている。そのため、研磨後の基板の欠陥率を大幅に低減できることがわかった。
これに対し、被膜で被覆されていないアルミナ粒子を含む、比較例1の化学機械研磨用組成物を用いた場合には、研磨後の基板の欠陥率が非常に高くなった。
比較例2の化学機械研磨用組成物は、シリカの被膜で被覆されたアルミナ粒子を使用している。このシリカの被膜で被覆されたアルミナ粒子のゼータ電位は-5mVであり、化学機械研磨用組成物中で凝集しやすい傾向が認められた。その結果、比較例2の化学機械研磨用組成物を用いた場合には、タングステン膜を十分な研磨速度で研磨することができず、研磨後の基板の欠陥率についても実施例1~6に比べて35%とかなり大きかった。
比較例3の化学機械研磨用組成物は、3-アミノプロピルトリエトキシシラン由来の被膜で被覆されたアルミナ粒子を使用している。この被膜で被覆されたアルミナ粒子のゼータ電位は+42mVであるため、pH2.5で負に帯電する酸化シリコン膜付き基板表面の欠陥を生じやすかった。その結果、研磨後の基板の欠陥率が実施例1~6に比べて30%とかなり大きかった。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…基体、12…酸化シリコン膜、14…ヴィアホール、16…バリアメタル膜、18…タングステン膜、42…スラリー供給ノズル、44…化学機械研磨用組成物(スラリー)、46…研磨布、48…ターンテーブル、50…半導体基板、52…キャリアーヘッド、54…水供給ノズル、56…ドレッサー、60…アルミナ粒子、70…シリカアルミナの被膜、100…被処理体、200…半導体装置、300…化学機械研磨装置、400…コアシェル粒子
Claims (13)
- (A)表面の少なくとも一部がシリカアルミナの被膜によって被覆されたアルミナ粒子と、
(B)液状媒体と、
を含有する、化学機械研磨用組成物。 - 前記シリカアルミナの被膜中に含まれる、アルミニウムのモル数をMAl、ケイ素のモル数をMSiとしたときに、MAl/MSiの値が0.001以上0.05以下である、請求項1に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記シリカアルミナの被膜の膜厚が1nm以上20nm以下である、請求項1または請求項2に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記アルミナ粒子の平均一次粒径が50nm以上300nm以下である、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記(A)成分のレーザードップラー法を用いて測定されたゼータ電位が-5mV未満である、請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- pHが1以上6以下である、請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- タングステンを含有する基板研磨用である、請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物を用いて、タングステンを含有する基板を研磨する工程を含む、化学機械研磨方法。
- 前記基板が酸化シリコンをさらに含有する、請求項8に記載の化学機械研磨方法。
- 前記化学機械研磨用組成物のpHが1以上6以下である、請求項8または請求項9に記載の化学機械研磨方法。
- アルミナ粒子を水に分散させて、固形分濃度1質量%以上30質量%以下のアルミナ粒子水分散液を調製する工程(a)と、
前記アルミナ粒子水分散液に、前記アルミナ粒子の合計100質量部に対し、アルコキシシラン及びアルミニウムアルコキシドの合計量として1質量部以上50質量部以下添加する工程(b)と、
前記アルミナ粒子の表面に、前記アルコキシシラン及び前記アルミニウムアルコキシドに由来する被膜を成長させる工程(c)と、
を含む、化学機械研磨用粒子の製造方法。 - 前記工程(c)が90℃以下の温度で行われる、請求項11に記載の化学機械研磨用粒子の製造方法。
- 前記工程(a)において、前記アルミナ粒子水分散液にアンモニア水を添加することをさらに含む、請求項11または請求項12に記載の化学機械研磨用粒子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202080079736.6A CN114730710A (zh) | 2019-12-20 | 2020-11-18 | 化学机械研磨用组合物、化学机械研磨方法及化学机械研磨用粒子的制造方法 |
JP2021565383A JPWO2021124772A1 (ja) | 2019-12-20 | 2020-11-18 | |
US17/781,379 US20230064047A1 (en) | 2019-12-20 | 2020-11-18 | Composition for chemical mechanical polishing, method for chemical mechanical polishing, and method for manufacturing chemical mechanical polishing particles |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-230146 | 2019-12-20 | ||
JP2019230146 | 2019-12-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2021124772A1 true WO2021124772A1 (ja) | 2021-06-24 |
Family
ID=76477260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/042923 WO2021124772A1 (ja) | 2019-12-20 | 2020-11-18 | 化学機械研磨用組成物、化学機械研磨方法、及び化学機械研磨用粒子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230064047A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2021124772A1 (ja) |
CN (1) | CN114730710A (ja) |
TW (1) | TW202124661A (ja) |
WO (1) | WO2021124772A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11228123A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | C I Kasei Co Ltd | 球状の非晶質ムライト系微粒子およびその製造方法並びにその用途 |
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2020
- 2020-10-08 TW TW109135027A patent/TW202124661A/zh unknown
- 2020-11-18 US US17/781,379 patent/US20230064047A1/en active Pending
- 2020-11-18 WO PCT/JP2020/042923 patent/WO2021124772A1/ja active Application Filing
- 2020-11-18 CN CN202080079736.6A patent/CN114730710A/zh not_active Withdrawn
- 2020-11-18 JP JP2021565383A patent/JPWO2021124772A1/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
JPH11228123A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | C I Kasei Co Ltd | 球状の非晶質ムライト系微粒子およびその製造方法並びにその用途 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114730710A (zh) | 2022-07-08 |
TW202124661A (zh) | 2021-07-01 |
JPWO2021124772A1 (ja) | 2021-06-24 |
US20230064047A1 (en) | 2023-03-02 |
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