WO2020253653A1 - 微led器件的巨量转移方法及其巨量转移设备 - Google Patents

微led器件的巨量转移方法及其巨量转移设备 Download PDF

Info

Publication number
WO2020253653A1
WO2020253653A1 PCT/CN2020/096169 CN2020096169W WO2020253653A1 WO 2020253653 A1 WO2020253653 A1 WO 2020253653A1 CN 2020096169 W CN2020096169 W CN 2020096169W WO 2020253653 A1 WO2020253653 A1 WO 2020253653A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
micro led
led device
cover layer
flexible
flexible cover
Prior art date
Application number
PCT/CN2020/096169
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
褚博华
周波
刘彦明
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
北京京东方显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US17/269,831 priority Critical patent/US20210242056A1/en
Publication of WO2020253653A1 publication Critical patent/WO2020253653A1/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开涉及显示技术领域，公开一种微LED器件的巨量转移方法及其巨量转移设备，该巨量转移方法，包括：在磊晶基板上表面形成包覆微LED器件的柔性覆盖溶液，并固化柔性覆盖溶液形成柔性覆盖层；将覆盖有柔性覆盖层的磊晶基板翻转，使磊晶基板位于柔性覆盖层上侧；将柔性覆盖层和微LED器件从磊晶基板上剥离；采用接收基板与柔性覆盖层的上表面对接，之后翻转接收基板，使微LED器件位于接收基板的上表面；将柔性覆盖层从接收基板上剥离，且使柔性覆盖层与微LED分离。以上过程中，通过两次翻转，可以防止微LED器件脱落。

Description

微LED器件的巨量转移方法及其巨量转移设备
相关申请的交叉引用
本公开要求在2019年06月18日提交中国专利局、申请号为201910524978.0、申请名称为“一种microLED面板制备方法及制备设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本公开中。
技术领域
本公开涉及显示设备技术领域，特别涉及一种微LED器件的巨量转移方法及其巨量转移设备。
背景技术
近年来，有机电致发光面板(OLED,Organic Light-Emitting Diode),因其具有高对比度，可弯折等特点，迅速崛起，逐步将液晶面板淘汰；而微LED显示面板因其卓越的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各项指标，被广泛认为是OLED面板的替代者。
目前，微LED显示面板实现量产的一大阻碍便是如何将在磊晶基板上生产的微LED器件精确转移至接收基板，并保持微LED器件较低的损失率。
发明内容
本公开实施例提供了一种微LED器件的巨量转移方法，包括：
在磊晶基板具有微LED器件的表面涂布柔性覆盖溶液，对所述柔性覆盖溶液固化后形成包覆所述微LED器件的柔性覆盖层；
翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板，使所述磊晶基板位于所述柔性覆盖层的上侧；
分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆盖层作为所述微LED器件的载体；
将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接；
翻转对接所述微LED器件的接收基板，使所述柔性覆盖层位于所述接收基板的上侧；
分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件，使所述接收基板作为所述微LED器件的载体。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，在磊晶基板具有微LED器件的表面形成涂布柔性覆盖溶液，具体包括：
在所述磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述柔性覆盖溶液包含主剂和催化剂，所述主剂包括聚二甲基硅氧烷、聚氨酯丙烯酸或聚甲基丙烯酸甲酯。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述柔性覆盖层的厚度为0.5mm～1mm。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，在分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件之前，还包括：
采用设定温度加热所述柔性覆盖层设定时长。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述柔性覆盖层的加热温度高于所述柔性覆盖溶液的固化温度，所述柔性覆盖层的加热时长大于所述柔性覆盖溶液的固化时长。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述柔性覆盖溶液的固化温范围为60℃～100℃，固化时长范围为10分钟～35分钟；所述柔性覆盖层的加热温度范围为120℃～140℃，加热时长范围为30分钟～40分钟。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述微LED器件与所述磊晶基板之间具有牺牲层；
分离所述磊晶基板和所述微LED器件，具体包括：
采用激光照射所述牺牲层，使所述微LED器件从所述磊晶基板剥离。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，所述柔性覆盖层 具有第一对位标记，所述接收基板具有第二对位标记和键合层；
将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接，具体包括：
通过所述第一对位标记和所述第二对位标记，将所述接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对位贴合；
通过所述键合层，将所述接收基板与所述微LED器件键合。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移方法中，翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板的翻转角度为175°至185°；翻转对接所述微LED器件的接收基板的翻转角度为175°至185°。
另一方面，本公开实施例还提供了一种微LED器件的巨量转移设备，包括：
涂布设备，被配置为在磊晶基板具有微LED器件的表面涂布柔性覆盖溶液；
固化设备，被配置为对所述柔性覆盖溶液固化后形成包覆所述微LED器件的柔性覆盖层；
翻转设备，被配置为翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板，使所述磊晶基板位于所述柔性覆盖层的上侧，分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆盖层作为所述微LED器件的载体，将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接，翻转对接所述微LED器件的接收基板，使所述柔性覆盖层位于所述接收基板的上侧；
分离设备，被配置为分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件，使所述接收基板作为所述微LED器件的载体。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，所述涂布设备内置有喷头，被配置为在所述磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，所述翻转设备内置有激光器，被配置为分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆 盖层作为所述微LED器件的载体。
可选地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，所述分离设备，还被配置为对承载所述微LED器件的接收基板进行清洗。
附图说明
图1为本公开实施例提供的微LED器件的巨量转移方法的流程图；
图2a至图2f分别为本公开实施例提供的微LED器件的巨量转移方法中各步骤后的状态示意图；
图3a为微LED器件转移到接收基板后的分布示意图；
图3b为微LED器件转移到驱动背板后的分布示意图；
图4为本公开实施例提供的微LED器件的巨量转移设备的结构示意图。
具体实施方式
微LED(Micro-LED)器件是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED器件的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各项指标都强于LCD技术，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多产家视为下一代显示技术而开始积极布局。
在Micro-LED显示面板产业化过程中面临的一个核心技术难题是Micro-LED器件的巨量转移技术，由于Micro-LED器件非常细小，而巨量转移技术要求非常高的效率、良品率和转移精度，巨量转移技术成为了实现微LED显示面板量产的关键技术之一。因此，如何设计出一整套简单实用、经济性好、效率高、良品率高和转移精度高的巨量转移技术是本公开要解决的问题。
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而 不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
如图1所示，本公开实施例提供的一种微LED器件的巨量转移方法，包括：
S100、在磊晶基板1具有微LED器件2的表面涂布柔性覆盖溶液，对柔性覆盖溶液固化后形成包覆微LED器件2的柔性覆盖层3；具体地，经过步骤S100后得到图2a所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中的喷涂(INKJET)设备和固化箱(也叫固化设备)实现，即采用INKJET设备在磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液，之后通过机械手将涂布柔性覆盖溶液的磊晶基板1传送至固化设备，在固化设备中柔性覆盖溶液干燥成柔性覆盖层，之后通过机械手其传送至下一个设备。
具体地，柔性覆盖溶液一般包含主剂和催化剂，,两者均为无色透明流动性液体，按照一定配比充分混合。主剂包括但不限于聚二甲基硅氧烷、聚氨酯丙烯酸或聚甲基丙烯酸甲酯。主剂与催化剂之间的比例在1:1至10:1之间。柔性覆盖溶液的原料混合比例及涂布厚度的设定均较为灵活，可以根据需要转移的微LED器件的数量而定，只需保证柔性覆盖溶液固化后得到的柔性覆盖层3能够承受转移过程中所要求的机械强度即可。
具体地，聚二甲基硅氧烷(PDMS)其成本低，使用简单，同硅片之间具有良好的粘附性，而且具有良好的化学惰性，因此，本公开实施例可以采用PDMS作为主剂，且主剂与催化剂之比为4:1。
具体地，柔性覆盖层的固化温度范围为60℃～100℃，例如，可以是60℃、70℃、80℃、90℃和100℃，固化时长范围为10分钟～35分钟，例如，可以是10分钟、20分钟、30分钟和35分钟。若固化温度过高，会导致柔性覆盖层3的表面能过低，柔性变差，不能严格包裹微LED器件2；若固化温度太低，则柔性覆盖层3不能成型，不能托住微LED器件2。因此，固化温度不宜过高或过低，需要保证柔性覆盖层3具有一定的表面能，以便于更好的包 裹微LED器件2，方便转移。
另外，柔性覆盖层3的厚度为0.5mm～1mm，例如，0.5mm、0.7mm、0.9mm和1mm。若厚度太大，则会浪费柔性覆盖层3的材料，且不会带来额外有益效果；若厚度太低，则柔性覆盖层3不能较好包裹或托住微LED器件2。
S200、翻转具有包覆微LED器件2的柔性覆盖层3的磊晶基板1，使磊晶基板1位于柔性覆盖层3的上侧；具体地，经过步骤S200后得到图2b所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中的翻转设备实现。
具体地，翻转具有包覆微LED器件2的柔性覆盖层3的磊晶基板1的翻转角度可以为175°至185°，例如，175°、177°、180°、182°和185°。
S300、分离磊晶基板1和微LED器件2，使柔性覆盖层3作为微LED器件2的载体；具体地，经过步骤S300后得到图2c所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中翻转设备内置的激光器实现。
具体地，在磊晶基板1行制作微LED器件2时，一般先形成牺牲层4，即在微LED器件2与磊晶基板1之间具有牺牲层4，牺牲层4的边缘形成有底切结构，便于微LED器件2与磊晶基板1的分离。牺牲层4可以整面设置，也可以针对每个微LED器件2一一对应的设置，在此不做限定。分离磊晶基板1和微LED器件2，可以具体包括：采用激光照射牺牲层4，使微LED器件2从磊晶基板1剥离。
具体地，利用激光将微LED器件2下的牺牲层4打掉，可以实现柔性覆盖层3连同微LED器件2同时从磊晶基板1剥离。
S400、将接收基板5与柔性覆盖层3具有微LED器件2的表面进行对接；具体地，经过步骤S400后得到图2d所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中的翻转设备实现。
具体地，在形成柔性覆盖层3时可以形成第一对位标记，在接收基板5上形成第二对位标记和键合层6，第一对位标记和第二对位标记相互配合可以 实现精确对位，键合层6的边缘不具有底切结构，便于实现接收基板5与微LED器件的紧密结合。键合层6可以整面设置，也可以针对每个微LED器件2一一对应的设置，在此不做限定。
具体地，上述步骤S300进行分离之后，将在收基板5具有键合层6的一面移动至柔性覆盖层3的上表面，或者，将承载微LED器件2的柔性覆盖层3转移到接收基板5的键合层6下方。之后，将接收基板5与柔性覆盖层3具有微LED器件2的表面进行对接，具体包括：
首先，通过第一对位标记和第二对位标记，将接收基板5与柔性覆盖层1具有微LED器件的表面进行对位贴合；
之后，通过键合层6，将接收基板5与微LED器件2键合；具体地，可以采用翻转设备中的激光器激光照射键合层6的方式，实现接收基板5与微LED器件2键合。
S500、翻转对接微LED器件2的接收基板5，使柔性覆盖层3位于接收基板5的上侧；具体地，经过步骤S500后得到图2e所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中的翻转设备实现。
具体地，翻转对接微LED器件2的接收基板5的翻转角度可以为175°至185°，例如，175°、177°、180°、182°和185°。
S600、分离柔性覆盖层3和微LED器件2，使接收基板5作为微LED器件2的载体，完成微LED器件2的转移过程；具体地，经过步骤S600后得到图2f所示的状态。
具体地，可以采用制备LCD的Cell工艺段设备中的分离(剥离)设备实现。
具体地，在分离柔性覆盖层3和微LED器2件之前，还可以包括：采用设定温度加热柔性覆盖层3设定时长，以降低柔性覆盖层3的表面能，使柔性覆盖层3的材料变性失活，利用柔性覆盖层3材料的纯弹性行为和底表面能，便于柔性覆盖层3与接收基板5分离。
具体地，柔性覆盖层3的加热温度一般高于柔性覆盖溶液的固化温度， 柔性覆盖层3的加热时长大于柔性覆盖溶液的固化时长。以保证在加热过程中能降低柔性覆盖层3的表面能。
具体地，柔性覆盖层3的加热温度范围为120℃～140℃，例如，可以是120℃、130℃和140℃，加热时长范围为30分钟～40分钟，例如为30分钟、35分钟和40分钟。
具体地，在采用上述步骤S100至S600，将微LED器件2转移至接收基板5的过程中，不改变微LED器件2之间的相对位置，如图3a所示，最终在接收基板5上的单色微LED器件2的排布与磊晶基板1上制作的微LED器件2的排布相同。因此，可以根据如图3b所示的显示面板的驱动背板上各颜色的微LED器件2的排布，设定在不同磊晶基板1上分别制作单色微LED器件2，之后通过接收基板3分别转移至驱动背板上，完成显示面板的最终制作。
具体地，在本发明实施例提供的上述微LED器件的巨量转移方法中，通过先在磊晶基板1表面形成柔性覆盖层3，使柔性覆盖层3包裹微LED器件2，并将柔性覆盖层3固化，因柔性覆盖层3具有一定的柔性，可将各个微LED器件2位置固定，之后，将覆盖有柔性覆盖层3的磊晶基板1翻转，避免接下来将磊晶基板1与柔性覆盖层3分离后，柔性覆盖层3上的微LED器件2朝下而导致微LED器件2掉落的问题，将柔性覆盖层3和微LED器件2均从磊晶基板1上剥离后，与接收基板5对接后翻转，使微LED器件2位于接收基板5的上表面，相当于再次使微LED器件2的下一个载体在下面托住微LED器件2，将柔性覆盖层3从接收基板5上剥离，且使柔性覆盖层3与微LED器件2分离，即完成微LED器件2的巨量转移过程。
具体地，在本公开实施例提供上述巨量转移方法中，通过在两次分离过程之前分别进行一次翻转过程，使分离后微LED器件2的载体(柔性覆盖层3和接收基板5)在微LED器件2的下面托住微LED器件2，防止微LED器件2因重力因素脱落，造成巨量转移过程中微LED器件2的损失。
具体地，在本公开实施例提供上述巨量转移方法中，接收基板5与柔性覆盖层3的上表面可以通过对未标记精确对位贴合，可保证微LED器件2能 够到达接收基板5上的准确位置，提高了转移精度。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种微LED器件的巨量转移设备，如图4所示，具体包括以下设备：
涂布设备01，被配置为在磊晶基板具有微LED器件的表面涂布柔性覆盖溶液；
固化设备02，被配置为对柔性覆盖溶液固化后形成包覆微LED器件的柔性覆盖层；
翻转设备03，被配置为翻转具有包覆微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板，使磊晶基板位于柔性覆盖层的上侧，分离磊晶基板和微LED器件，使柔性覆盖层作为微LED器件的载体，将接收基板与柔性覆盖层具有微LED器件的表面进行对接，翻转对接微LED器件的接收基板，使柔性覆盖层位于接收基板的上侧；
分离设备04，被配置为分离柔性覆盖层和微LED器件，使接收基板作为微LED器件的载体。
具体地，本公开实施例提供的上述巨量转移设备中的各设备均可以采用制备LCD的Cell工艺段中的各设备实现，工艺简单，易于操作。
具体地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，涂布设备01内置有喷头，被配置为在磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液。
具体地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，翻转设备03内置有激光器，被配置为分离磊晶基板和微LED器件，使柔性覆盖层作为微LED器件的载体。此外，激光器还可以用于通过键合层结合接收基板和微LED器件。
具体地，在本公开实施例提供的上述巨量转移设备中，分离设备04，还被配置为对承载微LED器件的接收基板进行清洗。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在 内。

Claims (14)

  1. 一种微LED器件的巨量转移方法，其中，包括：
    在磊晶基板具有微LED器件的表面涂布柔性覆盖溶液，对所述柔性覆盖溶液固化后形成包覆所述微LED器件的柔性覆盖层；
    翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板，使所述磊晶基板位于所述柔性覆盖层的上侧；
    分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆盖层作为所述微LED器件的载体；
    将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接；
    翻转对接所述微LED器件的接收基板，使所述柔性覆盖层位于所述接收基板的上侧；
    分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件，使所述接收基板作为所述微LED器件的载体。
  2. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，在磊晶基板具有微LED器件的表面形成涂布柔性覆盖溶液，具体包括：
    在所述磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液。
  3. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述柔性覆盖溶液包含主剂和催化剂，所述主剂包括聚二甲基硅氧烷、聚氨酯丙烯酸或聚甲基丙烯酸甲酯。
  4. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述柔性覆盖层的厚度为0.5mm～1mm。
  5. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，在分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件之前，还包括：
    采用设定温度加热所述柔性覆盖层设定时长。
  6. 根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中，所述柔性覆盖层的加热温度高于所述柔性覆盖溶液的固化温度，所述柔性覆盖层的加热时长大于所 述柔性覆盖溶液的固化时长。
  7. 根据权利要求6所述的巨量转移方法，其中，所述柔性覆盖溶液的固化温范围为60℃～100℃，固化时长范围为10分钟～35分钟；所述柔性覆盖层的加热温度范围为120℃～140℃，加热时长范围为30分钟～40分钟。
  8. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述微LED器件与所述磊晶基板之间具有牺牲层；
    分离所述磊晶基板和所述微LED器件，具体包括：
    采用激光照射所述牺牲层，使所述微LED器件从所述磊晶基板剥离。
  9. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述柔性覆盖层具有第一对位标记，所述接收基板具有第二对位标记和键合层；
    将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接，具体包括：
    通过所述第一对位标记和所述第二对位标记，将所述接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对位贴合；
    通过所述键合层，将所述接收基板与所述微LED器件键合。
  10. 根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板的翻转角度为175°至185°；翻转对接所述微LED器件的接收基板的翻转角度为175°至185°。
  11. 一种微LED器件的巨量转移设备，其中，包括：
    涂布设备，被配置为在磊晶基板具有微LED器件的表面涂布柔性覆盖溶液；
    固化设备，被配置为对所述柔性覆盖溶液固化后形成包覆所述微LED器件的柔性覆盖层；
    翻转设备，被配置为翻转具有包覆所述微LED器件的柔性覆盖层的磊晶基板，使所述磊晶基板位于所述柔性覆盖层的上侧，分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆盖层作为所述微LED器件的载体，将接收基板与所述柔性覆盖层具有所述微LED器件的表面进行对接，翻转对接所述微 LED器件的接收基板，使所述柔性覆盖层位于所述接收基板的上侧；
    分离设备，被配置为分离所述柔性覆盖层和所述微LED器件，使所述接收基板作为所述微LED器件的载体。
  12. 根据权利要求11所述的巨量转移设备，其中，所述涂布设备内置有喷头，被配置为在所述磊晶基板具有微LED器件的表面喷涂柔性覆盖溶液。
  13. 根据权利要求11所述的巨量转移设备，其中，所述翻转设备内置有激光器，被配置为分离所述磊晶基板和所述微LED器件，使所述柔性覆盖层作为所述微LED器件的载体。
  14. 根据权利要求11所述的巨量转移设备，其中，所述分离设备，还被配置为对承载所述微LED器件的接收基板进行清洗。
PCT/CN2020/096169 2019-06-18 2020-06-15 微led器件的巨量转移方法及其巨量转移设备 WO2020253653A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/269,831 US20210242056A1 (en) 2019-06-18 2020-06-15 Mass transfer method and mass transfer device thereof for micro led device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910524978.0A CN110224002A (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种microLED面板制备方法及制备设备
CN201910524978.0 2019-06-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020253653A1 true WO2020253653A1 (zh) 2020-12-24

Family

ID=67817556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2020/096169 WO2020253653A1 (zh) 2019-06-18 2020-06-15 微led器件的巨量转移方法及其巨量转移设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210242056A1 (zh)
CN (1) CN110224002A (zh)
WO (1) WO2020253653A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887218A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 晶能光电（常州）有限公司 一种GaN基白光倒装芯片的制备方法
CN106384711A (zh) * 2016-10-19 2017-02-08 成都海威华芯科技有限公司 一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008039337A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Besprühen, Verfahren dazu sowie organisches elektronisches Bauelement
JP5042195B2 (ja) * 2008-10-29 2012-10-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 蒸着マスクの洗浄装置および洗浄方法
WO2013147009A1 (ja) * 2012-03-29 2013-10-03 宇部興産株式会社 ポリイミドフィルムの製造方法およびポリイミドフィルム
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
CA2881826C (en) * 2012-08-17 2021-03-30 Visual Physics, Llc A process for transferring microstructures to a final substrate
KR20140122677A (ko) * 2013-04-09 2014-10-20 주식회사 엘지화학 폴리이미드계 필름 및 이의 제조방법
TWI550732B (zh) * 2013-05-17 2016-09-21 南茂科技股份有限公司 晶片封裝結構的製作方法
CN111180381B (zh) * 2014-06-18 2021-08-27 艾克斯展示公司技术有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
CN106716641B (zh) * 2014-10-17 2021-07-09 英特尔公司 微型led显示器和组装
US10747372B2 (en) * 2015-03-25 2020-08-18 Hailiang Wang Systems and high throughput methods for touch sensors
KR101674629B1 (ko) * 2015-11-13 2016-11-09 광주과학기술원 태양전지 제조 방법
CN106058010B (zh) * 2016-07-26 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列的转印方法
WO2018091459A1 (en) * 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10325893B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Mass transfer of micro structures using adhesives
CN107154374B (zh) * 2017-05-23 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 微转印方法
CN109850882B (zh) * 2018-08-30 2020-10-16 中国科学院微电子研究所 一种多支撑膜辅助的石墨烯电化学转移方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887218A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 晶能光电（常州）有限公司 一种GaN基白光倒装芯片的制备方法
CN106384711A (zh) * 2016-10-19 2017-02-08 成都海威华芯科技有限公司 一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20210242056A1 (en) 2021-08-05
CN110224002A (zh) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI634371B (zh) 微小元件的轉移方法
JP5357675B2 (ja) 剥離層材料、それを含む基板構造およびその作製方法
CN100428010C (zh) 柔性显示器的制造方法
CN103943544A (zh) 制造软性元件的方法
CN104409408A (zh) 一种刚性基板及柔性显示器的制作方法
JP2009516863A (ja) 複数の薄膜部品を含むスクリーン形の可撓性電子デバイスを製造する方法
CN102629593B (zh) 软性电子装置及其制作方法
WO2002084631A1 (fr) Procede de transfert d'element, procede de disposition d'element mettant en oeuvre ce procede et procede de production d'un appareil d'affichage d'image
CN106773206A (zh) 显示面板的制造方法
CN103378314A (zh) 转移膜和使用该转移膜制造平板显示器的方法
JP2011227205A (ja) 表示装置
TWI633646B (zh) 用於批量移轉微半導體結構之方法
WO2020253653A1 (zh) 微led器件的巨量转移方法及其巨量转移设备
CN106773207A (zh) 显示面板的制造方法
CN112531092B (zh) 微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备
WO2021168615A1 (zh) 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件
WO2020249094A1 (zh) 壳体组件及其组装方法、终端
JP2024008937A (ja) マイクロ発光ダイオードのマストランスファー方法及びシステム
CN112366168A (zh) 微型led器件巨量转移方法及装置
TW201207800A (en) Imprinting apparatus and imprinting method using the same
US8808486B2 (en) Method for manufacturing color electrophoretic display device
CN106887524A (zh) 有机电致发光显示装置及其制作方法
CN112992722B (zh) 转接板、巨量转移方法及Micro-LED显示器
WO2021047008A1 (zh) Led基板及led显示面板的制作方法
CN112967970B (zh) 一种转移方法及显示背板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20825652

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20825652

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 26.07.2022)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20825652

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1