CN112967970B - 一种转移方法及显示背板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种转移方法及显示背板，所述转移方法包括：将生长基板上的微发光二极管转移至设有支撑孔的第一暂态基板上；将表面具有刚性凸起的第二暂态基板的刚性凸起插入所述第一暂态基板的所述支撑孔内，并将所述微发光二极管与所述第二暂态基板的表面粘附；控制所述第二暂态基板发生膨胀带动所述第一暂态基版发生形变，进行扩晶；剥离所述第一暂态基板，使所述微发光二极管转移至所述第二暂态基板；将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上。本发明所采用的转移方法，通过转移过程中使暂态基板发生形变来实现对微发光二极管的排列间距的调整，制备方法简单，且在制备过程中不需要另购置大型精密仪器以及贵重原料，制备成本较低。

Description

一种转移方法及显示背板
技术领域
本发明涉及光电显示领域，尤其涉及一种转移方法及其显示背板。
背景技术
Micro-LED是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个小像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED技术，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多厂家视为下一代显示技术而开始积极布局。
巨量转移技术是Micro-LED制造中的重要环节，转移是将成千上万颗Micro-LED从载体基板上转移至目标基板上，目前，在转移过程中，将微发光二极管从以蓝宝石为主的生长基板上转移至背板上时，需要对微发光二极管的间距进行调整，以适应生产需要，而现有技术中在巨量转移过程中将微发光二极管之间的间距由载体基板上的间距改为目标基板上的间距的操作复杂、成本高、不利于生产。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种转移方法及显示背板，旨在解决现有技术中巨量转移过程中的操作复杂以及制备成本高的技术问题。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：
第一方面，本申请提供一种转移方法，其中，包括：
提供一第一暂态基板，所述第一暂态基板上开设有支撑孔，将生长基板上的微发光二极管转移至所述第一暂态基板非开孔区域，使所述微发光二极管在所述第一暂态基板的非开孔区域呈队列排布；
提供一第二暂态基板，所述第二暂态基板上设有与所述支撑孔匹配的刚性凸起，将所述刚性凸起插入所述支撑孔内，并将所述微发光二极管与所述第二暂态基板的表面粘附；
控制所述第二暂态基板发生膨胀带动所述第一暂态基板发生形变，以对所述第一暂态基板上的所述微发光二极管进行扩晶；
剥离所述第一暂态基板，以使所述微发光二极管转移至所述第二暂态基板；
将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上。
在上述实现过程中，通过在所述第二暂态基板上设置刚性凸起，在所述第一暂态基板上设置与所述刚性凸起相配合的支撑孔，在所述微发光二极管从第一暂态基板转移至所述第二暂态基板的过程中所述刚性凸起插入所述支撑孔内，当所述第二暂态基板受外界刺激发生形变，所述刚性凸起的位置发生变化，可带动所述第一暂态基板发生形变，从而改变粘附在所述第一暂态基板上的所述微发光二极管的间距，同时，所述微发光二极管在从所述第一暂态基板转移至所述第二暂态基板的过程中，所述第一暂态基板与第二暂态基板的相对位置相对固定，有利于提高转移精度。此外，本发明中对所述第二暂态基板进行刺激使其发生形变的操作简单，且在制备过程中不需要另购置大型精密仪器以及贵重原料，制备成本较低。
可选地，所述背板上设置有与所述第二暂态基板上的所述刚性凸起相配合的孔以及用于键合所述微发光二极管的金属层。
在上述实现过程中，通过在所述背板上设置与所述第二暂态基板上的所述刚性凸起相配合的孔，使得所述微发光二极管从所述第二暂态基板转移至所述背板的过程中，所述第二暂态基板与所述背板的位置相对固定，所述微发光二极管转移的精确度更高，同时，在所述背板上设置所述金属层，有利于所述微发光二极管的电极与所述背板的键合。
可选地，所述将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上的步骤具体包括：
清洗所述微发光二极管表面的残胶；
将所述第二暂态基板转移有所述微发光二极管的面与所述背板贴合，以使所述微发光二极管与所述金属层键合；
剥离所述第二暂态基板。
在上述实现过程中，在所述微发光二极管从所述第二暂态基板转移至所述背板的过程中，清洗所述微发光二极管表面的残胶，有利于所述微发光二极管与所述背板间的贴合。
可选地，所述清洗所述微发光二极管表面的残胶，包括：
采用有机溶剂清除或等离子体清洗所述微发光二极管表面的残胶。
在上述实现过程中，采用易于挥发的有机溶剂或是等离子体清洗所述微发光二极管表面的残胶，清洗效果好，且不易在所述微发光二极管的表面留下痕迹。
可选地，所述第一暂态基板包括依次设置的第一粘附层、柔性基底、离型膜，所述柔性基底为受力易发生形变的柔性有机膜层；所述支撑孔贯穿所述第一粘附层，并伸入所述柔性基底；
所述微发光二极管粘附于所述第一粘附层的非开孔区域上。
在上述实现过程中，所述第一暂态基板中，由于所述离型膜本身不易发生形变且所述离型膜的结构并未发生破坏，从而保证了在将所述微发光二极管从生长基板转移至所述第一暂态基板的过程中，所述第一暂态基板不易发生形变，而当所述微发光二极管从所述第一暂态基板转移至所述第二暂态基板的过程中，由于所述第二暂态基板发生膨胀，使得所述刚性凸起带动所述第一暂态基板的柔性基底发生形变，而附着在所述柔性基底上的第一粘附层中的交联结构受到破坏，降低了对所述微发光二极管的粘附，在无需解粘的条件下，即可实现所述第一暂态基板从所述微发光二极管上剥离。
可选地，所述第一粘附层在受力发生形变后粘附力降低。
在上述实现过程中，所述第一暂态基板的所述第一粘附层在受力发生形变后粘附力降低，有利于从所述第一暂态基板上剥离所述微发光二极管。
可选地，所述第一暂态基板上的开孔的形状为圆形或多边形中的一种。
在上述实现过程中，将所述第一暂态基板上的开孔形状设置为圆心或多边形中的一种，采用简单的形状，有利于工艺制备。
可选地，所述第二暂态基板包括基底和设置在所述基底和第二粘附层，所述刚性凸起设于所述基底上，所述第二粘附层设于相邻的两个所述刚性凸起之间；
所述基底受热或吸水发生形变。
在上述实现过程中，所述第二暂态基板的基底选用受热或吸水易发生形变的材料，使得所述第二暂态基板在受到外界的热刺激或水的刺激即可发生变形，从而使得所述基底上的刚性凸起的相对位置距离变大，从而改变所述第一暂态基板上的所述微发光二极管间的间距。
可选地，所述刚性凸起为圆柱或圆台中的一种。
在上述实现过程中，所述刚性凸起设计为圆柱或圆台中的一种，可方便地插入所述第一暂态基板上的支撑孔以及所述背板上的孔内，同时，采用圆柱或圆台的设计，有利于加工制备。
第二方面，基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示背板，其中，包括：背板以及采用所述转移方法转移至所述背板上的微发光二极管。
附图说明
图1为本发明一种转移方法的较佳实施例的流程示意图。
图2为本发明中将微发光二极管从生长基板转移至第一暂态基板的较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明中将微发光二极管从第一暂态基板转移至第二暂态基板的较佳实施例的结构示意图。
图4为本发明中第一暂态基板转移有微发光二极管时的较佳实施例的俯视图。
图5为本发明中第一暂态基板转移后微发光二极管后发生形变的较佳实施例的俯视图。
图6为本发明中将微发光二极管从第二暂态基板转移至所述背板的较佳实施例的结构示意图。
图7为本发明中背板的较佳实施例的侧视图。
图8为本发明中第一暂态基板的较佳实施例的侧视图。
图9为本发明中第二暂态基板的较佳实施例的侧视图。
具体实施方式
本发明提供一种转移方法及显示背板，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本实施例中，如图1所示，提供了一种转移方法，其中，包括步骤：
S10、提供一第一暂态基板，所述第一暂态基板上开设有支撑孔，将生长基板上的微发光二极管转移至所述第一暂态基板非开孔区域，使所述微发光二极管在所述第一暂态基板的非开孔区域呈队列排布；
S20、提供一第二暂态基板，所述第二暂态基板上设有与所述支撑孔匹配的刚性凸起，将所述刚性凸起插入所述支撑孔内，并将所述微发光二极管与所述第二暂态基板的表面粘附；
S30、控制所述第二暂态基板发生膨胀带动所述第一暂态基板发生形变，以对所述第一暂态基板上的所述微发光二极管进行扩晶；
S40、剥离所述第一暂态基板，以使所述微发光二极管转移至所述第二暂态基板；
S50、将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上。
现有技术中，在转移过程中需要对微发光二极管的间距进行调整，导致巨量转移的工序复杂，制备成本高，不利于大批量生产，本实施例中，如图2所示，先采用激光剥离的方式将生长基板10上的微发光二极管50转移至设置有支撑孔21的第一暂态基板20上，使得所述微发光二极管50在所述第一暂态基板20的非开孔区域呈队列排布，其后，如图3所示，将转移有所述微发光二极管50的所述第一暂态基板20与第二暂态基板30贴合，所述第二暂态基板30上设有与所述支撑孔21匹配的刚性凸起31，将所述刚性凸起31插入所述支撑孔21内，使所述微发光二极管50与所述第二暂态基板的表面粘附，在受到外界环境的刺激(例如：热刺激、水刺激)的条件下，所述第二暂态基板30发生膨胀，所述第二暂态基板30上的所述刚性凸起31的间距由于所述第二暂态基板30发生膨胀而变大，而所述刚性凸起31是插入到所述支撑孔21内，因此，在所述刚性凸起31的间距变大的条件下，所述第一暂态基板20上相邻的两所述支撑孔21的间距也变大，从而使得分布于所述支撑孔21间的所述微发光二极管50的间距也发生改变，实现了对所述第一暂态基板20上的所述微发光二极管的扩晶，如图4和图5所示，其中，图4为本发明中第一暂态基板转移有微发光二极管时的较佳实施例的俯视图，图5为本发明中第一暂态基板转移后微发光二极管后发生形变的较佳实施例的俯视图，本实施例中，可通过控制所述第二暂态基板30受外界环境刺激时发生膨胀的程度，从而对所述微发光二极管50的扩晶程度进行控制，从而使得相邻的所述微发光二极管50的间距能够满足所述微发光二极管50在背板40上的分布需求。进一步地，剥离所述第一暂态基板20，使所述微发光二极管50转移至所述第二暂态基板30上，其后，如图6所示，继续将所述第二暂态基板30上的所述微发光二极管50转移至背板40上即完成了所述微发光二极管50的一次转移。
本实施例中所采用的转移方法简单，仅在现有的常规的巨量转移操作中的在暂态基板上的转移过程中即可实现对微发光二极管50的排列间距的调整，且对所述第二暂态基板30进行刺激使其发生形变的方法操作简单，易于控制，且在制备过程中不需要另购置大型精密仪器以及贵重原料，制备成本较低。
在一些实施方式中，如图7所示，所述背板40上设置有与所述第二暂态基板30上的所述刚性凸起31相配合的孔41以及用于键合所述微发光二极管50的金属层42。本实施例中，所述孔41及所述金属层42均设置在所述背板40的表面有机层上，所述第二暂态基板30上的所述刚性凸起31可插入所述孔41内，使得所述微发光二极管50从所述第二暂态基板30转移至所述背板40的过程中，所述背板40与所述第二暂态基板30的相对位置固定，从而提高所述微发光二极管50的转移精度。
在一些实施方式中，所述S50中将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管50转移至背板上的步骤具体包括：
S501、清洗所述微发光二极管50表面的残胶；
S502、将所述第二暂态基板30转移有所述微发光二极管50的面与所述背板40贴合，以使所述微发光二极管50与所述金属层42键合；
S503、剥离所述第二暂态基板30。
本实施例中，将所述微发光二极管50从所述第二暂态基板30上转移至所述背板40的过程中，首先，需要对所述微发光二极管50表面的残胶清洗干净，所述微发光二极管50从所述第一暂态基板20转移至所述第二暂态基板30的过程中，不可避免的会沾粘上一些残胶，本实施例中可采用有机溶剂对所述微发光二极管50的表面进行清洗以除去残胶或是采用等离子体对所述微发光二极管50的表面进行清洗来清除残胶，其后，将所述第二暂态基板30上的所述刚性凸起31插入所述孔41内，使所述第二暂态基板30上的所述微发光二极管50与所述背板40贴合，所述微发光二极管50上的电极与所述背板40上设置的金属层42相接触，将所述金属层42的金属熔融，在熔融条件下，所述微发光二极管50上的电极与所述熔融金属进行键合，使得所述微发光二极管50固定于所述背板40上，其中，所述金属层42的金属为锡Sn或铟In中的一种。进一步地，采用加热或激光照射的方式，使得所述第二暂态基板30从所述微发光二极管上剥离，由于剥离过程中，所述微发光二极管50表面亦会带上残胶或其他杂质，需要再一次对所述微发光二极管50表面进行清洗，同样，可采用有机溶剂清洗或是采用等离子体进行清洗。
在一些方式中，如图8所述所述第一暂态基板20包括依次设置的第一粘附层22、柔性基底23、离型膜24，所述柔性基底23为受力易发生形变的柔性有机膜层；所述支撑孔21贯穿所述第一粘附层22，并伸入所述柔性基底23；所述微发光二极管50粘附于所述第一粘附层22的非开孔区域上。本实施例中，所述第一暂态基板20由第一粘附层22、柔性基底23和离型膜24三层构成，其中，所述支撑孔21贯穿所述第一粘附层22，并伸入所述柔性基底23，所述支撑孔21可贯穿所述柔性基底23，但不能破坏所述离型膜24的结构，所述第一暂态基板20上的开孔21的形状为圆形或多边形中的一种；所述第一粘附层22用于粘附所述微发光二极管50，所述第一粘附层22的厚度与其粘附力成正比，当所述第一粘附层22对所述微发光二极管50的粘附力大于通过激光剥离后生长基板10对所述微发光二极管50的粘附力即可，为方便后续将所述微发光二极管50从所述第一暂态基板20转移至所述第二暂态基板30，所述第一粘附层22的粘附力不易过大，在满足前述所述第一粘附层22对所述微发光二极管50的粘附力大于通过激光剥离后生长基板10对所述微发光二极管50的粘附力的条件下，所述第一粘附层22的厚度越薄越好；所述柔性基底23为受力易发生形变的有机膜层，而在其他自然环境的变化下形变量小的材料，例如，在受到热刺激发生形变的量小或是在吸水后膨胀的量小。
进一步地，在本实施例中，所述离型膜24为不易发生形变的材料。由于所述离型膜24本身不易发生形变且所述离型膜24的结构并未发生破坏，从而保证了在将所述微发光二极管50从生长基板10转移至所述第一暂态基板20的过程中，所述第一暂态基板20不易发生形变，而当所述微发光二极管50从所述第一暂态基板20转移至所述第二暂态基板30的过程中，由于所述第二暂态基板30发生膨胀，使得所述刚性凸起31带动所述第一暂态基板20的柔性基底23发生形变，而附着在所述柔性基底23上的第一粘附层22中的交联结构受到破坏，降低了对所述微发光二极管50的粘附，在无需解粘的条件下，即可实现所述第一暂态基板20从所述微发光二极管50上剥离，同时，所述第二暂态基板30对所述微发光二极管50的粘附力大于所述第一粘附层22对所述微发光二极管50的粘附力，也有利于所述微发光二极管50从所述第一暂态基板20转移至所述第二暂态基板30，且所述微发光二极管50的排列间距也得以调整。
在一些实施方式中，如图9所示，所述第二暂态基板30包括基底32和第二粘附层33，所述刚性凸起31设于所述基底32上，所述第二粘附层33设于相邻的两个所述刚性凸起31之间，所述基底32受热或吸水易发生形变，其中，所述刚性凸31起为圆柱或圆台中的一种。本实施例中，为了满足在所述基底32发生形变的条件下，将所述微发光二极管50转移至所述第二暂态基板30上，所述第二吸附层33的厚度需能满足所述第二吸附层33对所述微发光二极管50的吸附力大于所述第一暂态基板20上的所述第一吸附层22发生形成变后对所述微发光二极管50的吸附力。另外，本实施例中，所述刚性凸起31也可采用除圆柱外的横截面为多边形的柱体，或是采用除圆台外的横截面为多边形的台体，所述刚性凸起31可是通过化学气相沉积(CVD)的方式沉积的无机膜SiNx或SiOx，或是通过物理气相沉积(PVD)的方式沉积的金属膜，进而通过光刻方式形成的凸起结构。
综上所述，本发明采用的转移方法简单，通过在所述第二暂态基板上设置刚性凸起，并在所述第一暂态基板和所述背板上设置与所述刚性凸起相配合的开孔，在所述微发光二极管从第一暂态基板转移至所述第二暂态基板的过程中，使所述第二暂态基板受外界刺激发生形变，所述刚性凸起的位置发生变化，可带动所述第一暂态基板发生形变，从而改变粘附在所述第一暂态基板上的所述微发光二极管的间距，同时，所述微发光二极管在从所述第一暂态基板转移至所述第二暂态基板以及从所述第二暂态基板转移至所述背板的过程中，所述第一暂态基板与第二暂态基板的相对位置以及所述第二暂态基板与所述背板的相对位置相对固定，有利于提高转移精度。另外，本发明中对所述第二暂态基板进行刺激使其发生形变的操作简单，且在制备过程中不需要另购置大型精密仪器以及贵重原料，制备成本较低。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种转移方法，其特征在于，包括：
提供一第一暂态基板，所述第一暂态基板上开设有支撑孔，将生长基板上的微发光二极管转移至所述第一暂态基板非开孔区域，使所述微发光二极管在所述第一暂态基板的非开孔区域呈队列排布；
提供一第二暂态基板，所述第二暂态基板上设有与所述支撑孔匹配的刚性凸起，将所述刚性凸起插入所述支撑孔内，并将所述微发光二极管与所述第二暂态基板的表面粘附；
控制所述第二暂态基板发生膨胀带动所述第一暂态基板发生形变，以对所述第一暂态基板上的所述微发光二极管进行扩晶，其中所述刚性凸起的间距由于所述第二暂态基板发生膨胀而变大，所述刚性凸起插入到所述支撑孔内使所述第一暂态基板上相邻的所述支撑孔的间距也变大，以使分布于所述支撑孔间的所述微发光二极管的间距也发生改变；
剥离所述第一暂态基板，以使所述微发光二极管转移至所述第二暂态基板，其中第一暂态基板包括第一粘附层，所述微发光二极管粘附于所述第一粘附层，所述第一粘附层在受力发生形变后粘附力降低以使所述第二暂态基板对所述微发光二极管的粘附力大于所述第一粘附层对所述微发光二极管的粘附力；
将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上。
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述背板上设置有与所述第二暂态基板上的所述刚性凸起相配合的孔以及用于键合所述微发光二极管的金属层。
3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上，包括：
清洗所述微发光二极管表面的残胶；
将所述第二暂态基板转移有所述微发光二极管的面与所述背板贴合，以使所述微发光二极管与所述金属层键合；
剥离所述第二暂态基板。
4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述清洗所述微发光二极管表面的残胶，包括：
采用有机溶剂或等离子体清洗所述微发光二极管表面的残胶。
5.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一暂态基板还包括柔性基底、离型膜；所述第一粘附层、所述柔性基底、所述离型膜依次设置，所述柔性基底为受力易发生形变的柔性有机膜层；
所述支撑孔贯穿所述第一粘附层，并伸入所述柔性基底；
所述微发光二极管粘附于所述第一粘附层的非开孔区域上。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的转移方法，其特征在于，所述支撑孔的形状为圆形或多边形中的一种。
7.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第二暂态基板包括基底和第二粘附层，所述刚性凸起设于所述基底上，所述第二粘附层设于相邻的两个所述刚性凸起之间；
所述基底受热或吸水发生形变。
8.根据权利要求7所述的转移方法，其特征在于，所述刚性凸起为圆柱或圆台中的一种。
9.一种显示背板，其特征在于，包括：背板以及采用如权利要求1-8任意一项所述的转移方法转移至所述背板上的微发光二极管。
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